JP5065789B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について、図1を参照しながら説明する。尚、ここでは、本実施形態の固体撮像装置を有するカメラを一例に挙げる。図1は、本実施形態の固体撮像装置に係るカメラの構成を示す図である。
以下、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の固体撮像装置は、一部の構成を除いて、上述の第1の実施形態に係る固体撮像装置と同様であるため、簡略化して説明する。図5は、本実施形態の固体撮像装置が用いられるカメラの構成を示す図である。
2 読み出しトランジスタ
3 リセットトランジスタ
4 検出トランジスタ
5 垂直信号線
6 Vdd電源
7 FD部
8 画素アレイ
9 水平シフトレジスタ
10 垂直シフトレジスタ
12 出力アンプ
13 CDS回路
14 水平信号線
15 マルチプレクサ回路
16 電子シャッタ用垂直シフトレジスタ
100 カメラレンズ
101 固体撮像装置(固体撮像素子)
102 タイミング信号発生回路(TG)
103 前置処理回路
104 A/D変換器
105 撮像信号処理ユニット
106 バッファメモリ
107 映像出力部
108 温度算出部
109 温度テーブル記憶部
110 電源制御部
111 画像補正回路
201 撮像領域
202 遮光領域
203 受光領域
300 半導体基板
301 p型拡散層
302 n型拡散層
303 第1のp型注入層
Claims (13)
- 半導体基板内に複数の第1画素と複数の第2画素があり、
前記第1画素は、前記半導体基板内に形成された第1導電型の第1の不純物領域と、前記第1の不純物領域の上に形成された第1のフォトダイオードとなる第2導電型の第2の不純物領域と、前記第2の不純物領域の上の前記半導体基板の表面側に形成された第1導電型の第5の不純物領域とを備え、
前記第2画素は、前記半導体基板内に形成された第1導電型の第3の不純物領域と、前記第3の不純物領域の上に形成された第2のフォトダイオードとなる第2導電型の第4の不純物領域と、前記第4の不純物領域の上の前記半導体基板の表面側は、前記第1の不純物領域と同じ不純物濃度である第1導電型の不純物領域、あるいは、前記第5の不純物領域よりも低い不純物濃度である第1導電型の第6の不純物領域、を備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第2画素は、温度検出用画素であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の第2画素は、入射光を遮光するための遮光層に覆われている請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記固体撮像装置には、前記複数の第1画素の各々が2次元状に配置された撮像領域と、
前記撮像領域の周囲に設けられ、前記複数の第2画素が配置された受光領域とが形成されている請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置には、前記撮像領域と前記受光領域との間に形成され、前記第1画素と同一構成を有する複数のオプティカルブラック用画素が配置され、且つ、遮光層に覆われた遮光領域が形成されている請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記複数の第1画素は、前記第1のフォトダイオードで入射光に応じて生成された信号を読み出す第1の読み出し部を備え、
前記複数の第2画素は、前記第2のフォトダイオードで生成された温度を検出するための信号を読み出す第2の読み出し部を備えている請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の固体撮像装置。 - 予め温度情報が記憶された温度テーブル記憶部と、
前記複数の第2画素の各々から出力された出力信号と、前記温度テーブル記憶部に記憶された温度情報とを対比することにより、前記複数の第2画素の温度を算出する温度算出部とを有する信号処理回路をさらに備えている請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記信号処理回路は、前記温度算出部で算出した温度に基づき、前記複数の第1画素の各々から画像信号として出力された出力信号を処理して、前記画像信号を補正する画像補正部をさらに有する請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記温度算出部では、前記複数の第2画素のうち、少なくとも2つの前記第2画素から出力された各信号の平均値を用いて、前記第2画素の温度を算出する請求項8に記載の固体撮像装置。
- 前記第2のフォトダイオードで生成された信号が、前記第2の読み出し部に読み出されるまでの蓄積時間は、前記第1のフォトダイオードで生成された信号が、前記第1の読み出し部に読み出されるまでの蓄積時間より長い請求項7〜9のうちいずれか1つに記載の固体撮像装置。
- 前記第2のフォトダイオードで算出された前記第2画素の温度に応じて、電源電圧の供給を制御する電源制御回路をさらに備えている請求項7〜10のうちいずれか1つに記載の固体撮像装置。
- 前記電源制御回路は、前記第2画素の温度に応じて、電源電圧の供給を停止させる請求項11に記載の固体撮像装置。
- 前記電源制御回路は、前記第2画素の温度に応じて、電源電圧を低下させる請求項11に記載の固体撮像装置。
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