JP5061821B2 - 光検出器 - Google Patents
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Description
第1ソース端子、第1ドレイン端子及び第1ゲート端子を有する受光用のフォトトランジスタと、
第2ソース端子、第2ドレイン端子及び第2ゲート端子を有し、遮光された又は一定の照度の光が照射された参照用トランジスタと、
前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を等電圧に維持し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子、前記第2ドレイン端子及び前記第2ゲート端子のうち何れか一つの特定の端子の電圧を浮動状態に設定して、該特定の端子の電圧値を可変とし、他の端子の電圧値を一定値に固定し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に第2ドレイン電流を流し、前記特定の端子の電圧が、前記第2のドレイン電流の電流値を一定に維持する電圧値を有する浮動電圧に設定された状態で、前記フォトトランジスタに光が入射したときに前記第1ソース端子と前記第1ドレイン端子間に流れる第1ドレイン電流によるドレイン電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、を有し、前記変換回路は、前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を前記特定の端子として、前記浮動状態に設定し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子に定電圧を印加する第1の定電圧源と、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に一定の前記第2ドレイン電流を流す定電流源と、前記参照用トランジスタの前記ドレイン電流により生じた前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子の前記浮動電圧を前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子に出力する緩衝増幅器と、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子に定電圧を印加する第2の定電圧源と、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記フォトトランジスタの前記ドレイン電流信号を前記電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、を備えることを特徴とする光検出器が提供される。
第1ソース端子、第1ドレイン端子及び第1ゲート端子を有する受光用のフォトトランジスタと、
第2ソース端子、第2ドレイン端子及び第2ゲート端子を有し、遮光された又は一定の照度の光が照射された参照用トランジスタと、
前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を等電圧に維持し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子、前記第2ドレイン端子及び前記第2ゲート端子のうち何れか一つの特定の端子の電圧を浮動状態に設定して、該特定の端子の電圧値を可変とし、他の端子の電圧値を一定値に固定し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に第2ドレイン電流を流し、前記特定の端子の電圧が、前記第2のドレイン電流の電流値を一定に維持する電圧値を有する浮動電圧に設定された状態で、前記フォトトランジスタに光が入射したときに前記第1ソース端子と前記第1ドレイン端子間に流れる第1ドレイン電流によるドレイン電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
を有し、
前記変換回路は、
前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を前記特定の端子として、前記浮動状態に設定し、
前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子に定電圧を印加する第1の定電圧源と、
第2の定電圧源と、
前記第2の定電圧源と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子の間に接続された負荷抵抗と、
第3の定電圧源と、
前記第3の定電圧源と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記参照用トランジスタに流れる前記第2ドレイン電流を、前記第2の定電圧源、前記第3の定電圧源及び前記負荷抵抗によって定まる一定の電流値に維持するように生成される前記浮動電圧を前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子及び前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子に出力するオペアンプと、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記フォトトランジスタの前記ドレイン電流信号を前記電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、を備えることを特徴とする光検出器が提供される。
第1ソース端子、第1ドレイン端子及び第1ゲート端子を有する受光用のフォトトランジスタと、
第2ソース端子、第2ドレイン端子及び第2ゲート端子を有し、遮光された又は一定の照度の光が照射された参照用トランジスタと、
前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を等電圧に維持し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子、前記第2ドレイン端子及び前記第2ゲート端子のうち何れか一つの特定の端子の電圧を浮動状態に設定して、該特定の端子の電圧値を可変とし、他の端子の電圧値を一定値に固定し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に第2ドレイン電流を流し、前記特定の端子の電圧が、前記第2のドレイン電流の電流値を一定に維持する電圧値を有する浮動電圧に設定された状態で、前記フォトトランジスタに光が入射したときに前記第1ソース端子と前記第1ドレイン端子間に流れる第1ドレイン電流によるドレイン電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
を有し、
前記変換回路は、
前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を前記特定の端子として、前記浮動状態に設定し、
前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子に定電圧を印加する第1の定電圧源と、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子に接続された負荷抵抗と、
第2の定電圧源と、
前記第2の定電圧源と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定する第1のオペアンプと、
第3の定電圧源と、
前記第3の定電圧源と前記負荷抵抗とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記参照用トランジスタに流れる前記第2ドレイン電流を前記第2の定電圧源、前記第3の定電圧源及び前記負荷抵抗によって定まる一定の電流値に維持するように生成される前記浮動電圧を前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子及び前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子に出力する第2のオペアンプと、
前記第2の定電圧源と前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子をイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記フォトトランジスタの前記ドレイン電流信号を前記電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、を備えることを特徴とする光検出器が提供される。
図1は、光検出器1を示した回路図である。
図1に示すように、光検出器1は、参照用トランジスタである遮光フォトトランジスタT0と、フォトトランジスタT1と、緩衝増幅器Bufと、定電流源2と、電流−電圧変換器3と、第1の定電圧源4と、第2の定電圧源5とを有する。これらのうち、図1の点線で表された領域内の回路が変換回路である。そして、この変換回路を構成する素子はLSI上に形成され、遮光フォトトランジスタT0とフォトトランジスタT1がガラス基板又はプラスチック基板に形成されている。なお、遮光フォトトランジスタT0とフォトトランジスタT1が、ガラス基板又はプラスチックではなく、LSIに形成されていてもよい。
遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧とフォトトランジスタT1のゲート電圧が等しくなっている。即ち、第1の定電圧源4によって一定の電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のゲートに印加され、その電圧の値はVg〔V〕に固定されている。Vgの具体的数値は特に限定するものではないが、Vg<0〔V〕であることが望ましい(例えば、Vg=−5〔V〕)。
定電流源2によって一定のドレイン電流が遮光フォトトランジスタT0に流れ、ドレイン電流の値はIr〔A〕に固定されている。遮光フォトトランジスタT0に一定のドレイン電流が流れ、遮光フォトトランジスタT0のソース電圧及びゲート電圧が一定であるので、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電圧が浮動状態になる。
緩衝増幅器Bufによって遮光フォトトランジスタT0のドレイン電圧とフォトトランジスタT1のドレイン電圧が等しくなっている。
Ids0=Ir×(S1/S0)
ここで、S1は、フォトトランジスタT1のチャネル幅をチャネル長で除した値であり、S0は、遮光フォトトランジスタT0のチャネル幅をチャネル長で除した値である。
Ids=Ir×(S1/S0)+ΔIds=Ids0+ΔIds
Vout=−Ids×R1
ここで、R1は、帰還抵抗Rfの抵抗値〔Ω〕である。
第1の実施の形態では、定電流源2が一定のドレイン電流として引出電流を流すものであったが、図3に示すように、定電流源2が引抜電流を流すものとしてもよい。この場合、遮光フォトトランジスタT0のソースとドレインの呼称が入れ替わるとともに、フォトトランジスタT1のソースとドレインの呼称が入れ替わる。図3に示した光検出器1Aと図1に示した光検出器1は、フォトトランジスタT0,T1を除いて同様に設けられている。
図4は、第3実施形態における光検出器11を示した回路図である。
図4に示すように、光検出器11は、遮光フォトトランジスタT0と、フォトトランジスT1と、電流−電圧変換器3と、オペアンプAmp2と、負荷抵抗Rsと、第1の定電圧源15と、第2の定電圧源16と、第3の定電圧源17と、を有する。図4に示された点線で示された領域内の回路が変換回路である。
遮光フォトトランジスタT0のドレイン電圧とフォトトランジスタT1のドレイン電圧が等しくなっている。即ち、第1の定電圧源15によって一定の電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のドレインに印加され、その値はVd〔V〕に固定されている。Vdの具体的数値は特に限定するものではないが、Vd=10〔V〕であることが望ましい。
また、第3の定電圧源17によって一定の電圧がオペアンプAmp2の非反転入力端子に印加され、その値はVs〔V〕に固定されている。オペアンプAmp2によって遮光フォトトランジスタT0のソースが第3の定電圧源17にイマジナリーショートし、遮光フォトトランジスタT0のソース電圧がVsに固定されている。オペアンプAmp2の出力電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のゲート電圧となっており、そのゲート電圧が浮動状態となっている。
オペアンプAmp1によってフォトトランジスタT1のソースと遮光フォトトランジスタT0のソースがイマジナリーショートしている。そのため、フォトトランジスタT1のソース電圧と遮光フォトトランジスタT0のソース電圧が等しく、Vsに固定されている。Vsの具体的数値は特に限定するものではないが、Vss<Vs<Vdの関係が成り立ち、特にVs=0〔V〕であることが望ましい。
また、遮光フォトトランジスタT0にドレイン電流が流れるが、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流の値Irは遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧の値によって決まる。ここで、オペアンプAmp2のイマジナリーショートによって遮光フォトトランジスタT0のソース電圧がVsに固定され、負荷抵抗Rsが遮光フォトトランジスタT0のソースと第2の定電圧源16との間に接続されているので、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流の値IrがVs、Vss及びR2によって決まる(R2は、負荷抵抗Rsの抵抗値〔Ω〕である)。具体的には、Ir=(Vs−Vss)/R2 となり、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流が一定である。そのため、遮光フォトトランジスタT0の浮動状態のゲート電圧、つまりオペアンプAmp2の出力電圧は、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流を値Ir=(Vs−Vss)/R2に維持するような値になる。
また、遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧とフォトトランジスタT1のゲート電圧が等しい。
Ids=Ids0+ΔIds=Ir×(S1/S0)+ΔIds=(Vs−Vss)×(S1/S0)/R2+ΔIds
ここで、S1は、フォトトランジスタT1のチャネル幅をチャネル長で除した値であり、S0は、遮光フォトトランジスタT0のチャネル幅をチャネル長で除した値である。
Vout=−Ids×R1
ここで、R1は、帰還抵抗Rfの抵抗値〔Ω〕である。
ここでは、素子劣化や環境温度変化により図5に示すように特性が変化するa−siTFTを光スイッチ(受光量が一定以上/未満でオン・オフを切り替えるデバイス)をフォトトランジスタT0,T1に用いる場合について考える。なお、図5では、横軸をゲート−ソース間電圧、実線の曲線を受光時の明電流、点線の曲線を遮光時の暗電流を表す。
図1の光検出器1では、フォトトランジスタT0,T1の動作曲線は図6に示すようになる。図6では、フォトトランジスタT0,T1が正常に動作して受光時のドレイン電流がOnしきい値を超えるのは、劣化前の20℃の状態のみである。劣化前―10℃で動作させた場合や劣化後の場合では、ドレイン電流が不足するため、フォトトランジスタT0,T1が動作しなくなってしまうのがわかる。なお、フォトトランジスタT0,T1が2〔V〕のゲート−ソース間電圧で動作するように設計されているとする。
図4の光検出器11では、フォトトランジスタT0,T1の動作曲線は図7に示すようになる。ここでの横軸は補正したゲート−ソース間電圧とし、劣化前20℃の状態のゲートーソース間電圧(2〔V〕)を基準として、オペアンプAmp2の制御により変化したゲート電圧分だけ図6の曲線を横軸方向に平行移動したものに相当する。ここで重要な点は、3本の点線の曲線が縦軸と1点で交差し、その点のドレイン電流の値が参照電流(Ir×(S1/S0))に対応することである。暗電流は、遮光してある遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流と同義であるためである。
図7より、フォトトランジスタT0,T1は、3つの状態(劣化前の20℃と−10℃、劣化後)で正常に動作し、受光時のドレイン電流がOnしきい値を超えていることがわかる。
従って、図4の光検出器11が図1の光検出器1よりも高い信頼性を確保することがわかる。
第3の実施の形態では、フォトトランジスタT0,T1がnチャネル型のTFTであったが、図8に示すように、フォトトランジスタT0,T1がpチャネル型のTFTであってもよい。その場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置き換える。なお、図8に示した光検出器11Aと図4に示した光検出器11は、フォトトランジスタT0,T1、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
図4に示された第3実施形態と図9に示された第5実施形態とでは、定電圧源15〜17の電圧が異なる。第5実施形態では、図9に示すように、第1の定電圧源15の電圧がVs〔V〕であり、第2の定電圧源16の電圧がVdd〔V〕であり、第3の定電圧源17の電圧がVd〔V〕であり、これらはVs<Vd<Vddの関係を満たす。そのため、第5実施形態と第3実施形態とでは、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向きが反対になっている。この場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置換し、遮光フォトトランジスタT0のソースとドレインの呼称が置換され、フォトトランジスタT1のソースとドレインの呼称が置換される。図9に示した光検出器11Bと図4に示した光検出器11は、定電圧源15〜17の電圧の値、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向き、フォトトランジスタT0,T1のソース・ドレインの関係、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
図8に示された第4実施形態と図10に示された第6実施形態とでは、定電圧源15〜17の電圧が異なる。第6実施形態では、図10に示すように、第1の定電圧源15の電圧がVs〔V〕であり、第2の定電圧源16の電圧がVdd〔V〕であり、第3の定電圧源17の電圧がVd〔V〕であり、これらはVs<Vd<Vddの関係を満たす。そのため、第6実施形態と第4実施形態とでは、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向きが反対になっている。この場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置換し、遮光フォトトランジスタT0のソースとドレインの呼称が置換され、フォトトランジスタT1のソースとドレインの呼称が置換される。図10に示した光検出器11Cと図8に示した光検出器11Aは、定電圧源15〜17の電圧の値、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向き、フォトトランジスタT0,T1のソース・ドレインの関係、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
図11は、光検出器11Dを示した回路図である。
図4に示された第3実施形態の光検出器11では、オペアンプAmp1の非反転入力端子がフォトトランジスタT0のソース、オペアンプAmp2の反転入力端子、負荷抵抗Rsに接続されているのに対し、図11に示された第7実施形態の光検出器11Dでは、オペアンプAmp1の非反転入力端子がオペアンプAmp2の非反転入力端子及び第3の定電圧源17に接続されている。この点を除いて、第7実施形態の光検出器11D及び第3実施形態の光検出器11は同様に設けられている。
第1の定電圧源15によってVd〔V〕の電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のドレインに印加され、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電圧とフォトトランジスタT1のドレイン電圧が等しくなっている。
また、第3の定電圧源17によってVs〔V〕の電圧がオペアンプAmp1及びオペアンプAmp2の非反転入力端子に印加されている。オペアンプAmp2によって遮光フォトトランジスタT0のソースが第3の定電圧源17にイマジナリーショートし、オペアンプAmp1によってフォトトランジスタT1のソースが第3の定電圧源17にイマジナリーショートしている。そのため、遮光フォトトランジスタT0とフォトトランジスタT1のソース電圧が等しく、それらのソース電圧がVsに固定されている。
オペアンプAmp2の出力電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のゲート電圧となっており、そのゲート電圧が浮動状態となっている。
また、遮光フォトトランジスタT0にドレイン電流が流れるが、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流の値Irは遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧の値によって決まる。ここで、オペアンプAmp2のイマジナリーショートによって遮光フォトトランジスタT0のソース電圧がVsに固定され、負荷抵抗Rsが遮光フォトトランジスタT0のソースと第2の定電圧源16との間に接続されているので、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流の値IrがVs、Vss及びR2によって決まる(R2は、負荷抵抗Rsの抵抗値〔Ω〕である)。具体的には、Ir=(Vs−Vss)/R2 となり、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流が一定である。そのため、遮光フォトトランジスタT0の浮動状態のゲート電圧、つまりオペアンプAmp2の出力電圧は、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流を値Ir=(Vs−Vss)/R2に維持するような値になる。
また、遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧とフォトトランジスタT1のゲート電圧が等しい。
また、フォトトランジスタT1に光が入射すると、フォトトランジスタT1のドレイン電流が変化する。
図11に示された第7実施形態では、フォトトランジスタT0,T1がnチャネル型のTFTであったが、図12に示すように、フォトトランジスタT0,T1がpチャネル型のTFTであってもよい。その場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置き換える。なお、図12に示した光検出器11Eと図11に示した光検出器11Dは、フォトトランジスタT0,T1、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
図11に示された第7実施形態と図13に示された第9実施形態とでは、定電圧源15〜17の電圧が異なる。第9実施形態では、図13に示すように、第1の定電圧源15の電圧がVs〔V〕であり、第2の定電圧源16の電圧がVdd〔V〕であり、第3の定電圧源17の電圧がVd〔V〕であり、これらはVs<Vd<Vddの関係を満たす。そのため、第7実施形態と第9実施形態とでは、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向きが反対になっている。この場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置換し、遮光フォトトランジスタT0のソースとドレインの呼称が置換され、フォトトランジスタT1のソースとドレインの呼称が置換される。図13に示した光検出器11Fと図11に示した光検出器11Dは、定電圧源15〜17の電圧の値、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向き、フォトトランジスタT0,T1のソース・ドレインの関係、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
図12に示された第8実施形態と図14に示された第10実施形態とでは、定電圧源15〜17の電圧が異なる。第10実施形態では、図14に示すように、第1の定電圧源15の電圧がVs〔V〕であり、第2の定電圧源16の電圧がVdd〔V〕であり、第3の定電圧源17の電圧がVd〔V〕であり、これらはVs<Vd<Vddの関係を満たす。そのため、第10実施形態と第8実施形態とでは、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向きが反対になっている。この場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置換し、遮光フォトトランジスタT0のソースとドレインの呼称が置換され、フォトトランジスタT1のソースとドレインの呼称が置換される。図14に示した光検出器11Gと図12に示した光検出器11Eは、定電圧源15〜17の電圧の値、フォトトランジスタT0,T1のドレイン電流の向き、フォトトランジスタT0,T1のソース・ドレインの関係、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
図15は、第11実施形態における光検出器21を示した回路図である。
図15に示すように、光検出器21は、遮光フォトトランジスタT0と、フォトトランジスT1と、電流−電圧変換器3と、オペアンプAmp2と、オペアンプAmp3と、負荷抵抗Rs3と、第1の定電圧源25と、第2の定電圧源26と、第3の定電圧源27と、を有する。図15に示された点線で示された領域内の回路が変換回路である。
オペアンプAmp2の反転入力端子が第3の定電圧源27に接続され、オペアンプAmp2の反転入力端子がオペアンプAmp3の出力端子に接続されている。
遮光フォトトランジスタT0のドレイン電圧とフォトトランジスタT1のドレイン電圧が等しくなっている。即ち、第1の定電圧源25によって一定の電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のドレインに印加され、その値はVd〔V〕に固定されている。Vdの具体的数値は特に限定するものではないが、Vd=10〔V〕であることが望ましい。
また、第2の定電圧源26によって一定の電圧がオペアンプAmp2及びオペアンプAmp3の非反転入力端子に印加され、その値はVs〔V〕に固定される。オペアンプAmp3によって遮光フォトトランジスタT0のソースが第2の定電圧源26にイマジナリーショートし、遮光フォトトランジスタT0のソース電圧がVsに固定される。オペアンプAmp1によってフォトトランジスタT1のソースが第2の定電圧源26にイマジナリーショートし、フォトトランジスタT1のソース電圧がVsに固定される。Vsの具体的数値は特に限定するものではないが、Vs=0〔V〕であることが望ましい。
また、第3の定電圧源27によって一定の電圧がオペアンプAmp2の反転入力端子に印加され、その値はVss〔V〕に固定される。オペアンプAmp2によって負荷抵抗Rs3が第3の定電圧源27にイマジナリーショートされる。オペアンプAmp2の出力電圧が遮光フォトトランジスタT0及びフォトトランジスタT1のゲート電圧となっており、そのゲート電圧が浮動状態となっている。
また、遮光フォトトランジスタT0にはドレイン電流が流れるが、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流の値Irは遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧の値によって決まる。ここで、オペアンプAmp3のイマジナリーショートによって遮光フォトトランジスタT0のソース電圧がVsに固定され、負荷抵抗Rs3が遮光フォトトランジスタT0のソースとオペアンプAmp2の非反転入力端子の間に接続されているので、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流の値IrがVs、Vss及びR3によって決まる(R3は、負荷抵抗Rs3の抵抗値〔Ω〕である)。具体的には、Ir=(Vs−Vss)/R3となり、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流が一定である。そのため、遮光フォトトランジスタT0の浮動状態のゲート電圧、つまりオペアンプAmp2の出力電圧は、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電流を値Ir=(Vs−Vss)/R3に維持するような値になる。
また、遮光フォトトランジスタT0のゲート電圧とフォトトランジスタT1のゲート電圧が等しい。
Ids=Ids0+ΔIds=Ir×(S1/S0)+ΔIds=(Vs−Vss)×(S1/S0)/R3+ΔIds
Vout=−Ids×R1
ここで、R1は、帰還抵抗Rf1の抵抗値〔Ω〕である。
第11の実施の形態では、フォトトランジスタT0,T1がnチャネル型のTFTであったが、図16に示すように、フォトトランジスタT0,T1がpチャネル型のTFTであってもよい。その場合、オペアンプAmp2の非反転入力端子の接続先と反転入力端子の接続先を置換する。なお、図16に示した光検出器21Aと図15に示した光検出器21は、フォトトランジスタT0,T1、オペアンプAmp2の端子を除いて同様に設けられている。
11F、11G、21、21A 光検出器
2 定電流源
3 電流−電圧変換器
4、15、25 第1の定電圧源
5、16、26 第2の定電圧源
17、27 第3の定電圧源
Amp、Amp1〜Amp3 オペアンプ
Buf 緩衝増幅器
T0 遮光フォトトランジスタ
T1 フォトトランジスタ
Rs、Rs3 負荷抵抗
Claims (3)
- 第1ソース端子、第1ドレイン端子及び第1ゲート端子を有する受光用のフォトトランジスタと、
第2ソース端子、第2ドレイン端子及び第2ゲート端子を有し、遮光された又は一定の照度の光が照射された参照用トランジスタと、
前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を等電圧に維持し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子、前記第2ドレイン端子及び前記第2ゲート端子のうち何れか一つの特定の端子の電圧を浮動状態に設定して、該特定の端子の電圧値を可変とし、他の端子の電圧値を一定値に固定し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に第2ドレイン電流を流し、前記特定の端子の電圧が、前記第2のドレイン電流の電流値を一定に維持する電圧値を有する浮動電圧に設定された状態で、前記フォトトランジスタに光が入射したときに前記第1ソース端子と前記第1ドレイン端子間に流れる第1ドレイン電流によるドレイン電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
を有し、
前記変換回路は、
前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を前記特定の端子として、前記浮動状態に設定し、
前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子に定電圧を印加する第1の定電圧源と、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に一定の前記第2ドレイン電流を流す定電流源と、
前記参照用トランジスタの前記ドレイン電流により生じた前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子の前記浮動電圧を前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子に出力する緩衝増幅器と、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子に定電圧を印加する第2の定電圧源と、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記フォトトランジスタの前記ドレイン電流信号を前記電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、
を備えることを特徴とする光検出器。 - 第1ソース端子、第1ドレイン端子及び第1ゲート端子を有する受光用のフォトトランジスタと、
第2ソース端子、第2ドレイン端子及び第2ゲート端子を有し、遮光された又は一定の照度の光が照射された参照用トランジスタと、
前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を等電圧に維持し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子、前記第2ドレイン端子及び前記第2ゲート端子のうち何れか一つの特定の端子の電圧を浮動状態に設定して、該特定の端子の電圧値を可変とし、他の端子の電圧値を一定値に固定し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に第2ドレイン電流を流し、前記特定の端子の電圧が、前記第2のドレイン電流の電流値を一定に維持する電圧値を有する浮動電圧に設定された状態で、前記フォトトランジスタに光が入射したときに前記第1ソース端子と前記第1ドレイン端子間に流れる第1ドレイン電流によるドレイン電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
を有し、
前記変換回路は、
前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を前記特定の端子として、前記浮動状態に設定し、
前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子に定電圧を印加する第1の定電圧源と、
第2の定電圧源と、
前記第2の定電圧源と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子の間に接続された負荷抵抗と、
第3の定電圧源と、
前記第3の定電圧源と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記参照用トランジスタに流れる前記第2ドレイン電流を、前記第2の定電圧源、前記第3の定電圧源及び前記負荷抵抗によって定まる一定の電流値に維持するように生成される前記浮動電圧を前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子及び前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子に出力するオペアンプと、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記フォトトランジスタの前記ドレイン電流信号を前記電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、
を備えることを特徴とする光検出器。 - 第1ソース端子、第1ドレイン端子及び第1ゲート端子を有する受光用のフォトトランジスタと、
第2ソース端子、第2ドレイン端子及び第2ゲート端子を有し、遮光された又は一定の照度の光が照射された参照用トランジスタと、
前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子を等電圧に維持し、前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子と前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を等電圧に維持し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子、前記第2ドレイン端子及び前記第2ゲート端子のうち何れか一つの特定の端子の電圧を浮動状態に設定して、該特定の端子の電圧値を可変とし、他の端子の電圧値を一定値に固定し、前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子間に第2ドレイン電流を流し、前記特定の端子の電圧が、前記第2のドレイン電流の電流値を一定に維持する電圧値を有する浮動電圧に設定された状態で、前記フォトトランジスタに光が入射したときに前記第1ソース端子と前記第1ドレイン端子間に流れる第1ドレイン電流によるドレイン電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
を有し、
前記変換回路は、
前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子を前記特定の端子として、前記浮動状態に設定し、
前記フォトトランジスタの前記第1ドレイン端子と前記参照用トランジスタの前記第2ドレイン端子に定電圧を印加する第1の定電圧源と、
前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子に接続された負荷抵抗と、
第2の定電圧源と、
前記第2の定電圧源と前記参照用トランジスタの前記第2ソース端子とをイマジナリーショートさせて等電位に設定する第1のオペアンプと、
第3の定電圧源と、
前記第3の定電圧源と前記負荷抵抗とをイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記参照用トランジスタに流れる前記第2ドレイン電流を前記第2の定電圧源、前記第3の定電圧源及び前記負荷抵抗によって定まる一定の電流値に維持するように生成される前記浮動電圧を前記参照用トランジスタの前記第2ゲート端子及び前記フォトトランジスタの前記第1ゲート端子に出力する第2のオペアンプと、
前記第2の定電圧源と前記フォトトランジスタの前記第1ソース端子をイマジナリーショートさせて等電位に設定するとともに、前記フォトトランジスタの前記ドレイン電流信号を前記電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、
を備えることを特徴とする光検出器。
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