JP2008192744A - 光検出回路及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】正確な光検出が可能な光検出回路及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】図1(b)の待機状態では、TFT5のドレイン電極とゲート電極の間に寄生する寄生容量が充電されているので、ゲート電極43の電位は、TFT5のゲート電極の電位より低い。つまり、ゲート電極43の電位は、グランドの電位GNDより低い。こうして、ゲート電極43の電位を低くすることで、薄膜ダイオード4の閾値が変動した場合であっても、薄膜ダイオード4の電流iが変動しないような安定領域にゲート電極43の電位を設定することができる。その結果、光10の照度が正確に検知できるようになる。
【選択図】図1
【解決手段】図1(b)の待機状態では、TFT5のドレイン電極とゲート電極の間に寄生する寄生容量が充電されているので、ゲート電極43の電位は、TFT5のゲート電極の電位より低い。つまり、ゲート電極43の電位は、グランドの電位GNDより低い。こうして、ゲート電極43の電位を低くすることで、薄膜ダイオード4の閾値が変動した場合であっても、薄膜ダイオード4の電流iが変動しないような安定領域にゲート電極43の電位を設定することができる。その結果、光10の照度が正確に検知できるようになる。
【選択図】図1
Description
本発明は、正確な光検出が可能な光検出回路及びその駆動方法に関するものである。
従来の光検出回路には、薄膜ダイオードを用いたものがある。この薄膜ダイオードに印加されるバイアス電圧を薄膜ダイオードの閾値より大きくすると薄膜ダイオードに電流が流れ始めるのだが、薄膜ダイオードには、そのゲート電極に印加されるゲート電極電圧によって閾値を制御可能としたものがある。
図7は、そのような薄膜ダイオードを使用した光検出回路の回路図である。
ここでは、薄膜ダイオード4のゲート電極43がグランドに接続され、ゲート電極43の電位V43が0[V]になっている。
図7(a)に示す光10の照度を検知する場合、まず、TFT1がオンし、電源VDDから薄膜容量2が充電される。次に、図7(b)に示すように、TFT1がオフし、光検出回路は待機状態となる。次に、図7(c)に示すように、TFT3がオンし、薄膜容量2が放電して、光10の照度に比例する電流iが薄膜ダイオード4に流れる。一定時間後に、薄膜容量2の電極間の電圧を検出し、この電圧を光10の照度に換算する。
また、特許文献1に記載の光検出回路では、薄膜ダイオードのゲート電極とアノード電極の間並びに薄膜ダイオードのゲート電極とカソード電極の間に薄膜容量を設け、アノード電極の電位とカソード電極の電位の中間電位をゲート電極に印加するようにしている。
特開2004−119719号公報(段落[0037]〜[0039]、図10、図11)
ところで、図7の回路では、照度を正確に検知できない場合がある。
図8は、照度を正確に検知できない理由を説明するための図である。同図は、光10の照度が一定のときのものであり、そのときの薄膜ダイオード4のゲート電極43の電位V43と薄膜容量2から薄膜ダイオード4への電流iの関係を示している。
薄膜ダイオード4の閾値Vthは、バラツキにより、閾値Vth1、Vth2、Vth3となることがある。
この閾値Vthのバラツキにより、薄膜ダイオード4のゲート電極43の電位V43=0[V]の場合においては、光10の照度が一定にも関わらず、薄膜容量2から薄膜ダイオード4へ流れる電流iの大きさにバラツキが発生することがある。この場合、電流iのバラツキにより、光10の照度が正確に検知できなくなってしまう。
また、特許文献1に記載のように、薄膜ダイオードのアノード電極の電位とカソード電極の電位の中間電位をゲート電極に印加した場合、ゲート電極の電位が一意に定まらず、そのため、薄膜ダイオードの動作が不安定となり、正確な光検出ができない可能性がある。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、正確な光検出が可能な光検出回路及びその駆動方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、請求項1記載の光検出回路は、電位の基準点に対して正の電位に設定された電源に第1の薄膜トランジスタのソース電極が接続され、前記第1の薄膜トランジスタのドレイン電極が薄膜容量の一方の電極と第2の薄膜トランジスタのソース電極とに接続され、充電された前記薄膜容量を光により放電させる薄膜ダイオードのアノード電極が前記第2の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され、前記第1の薄膜ダイオードのゲート電極が第3の薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記第3の薄膜トランジスタのドレイン電極が前記薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記薄膜容量の他方の電極と前記第3の薄膜トランジスタのソース電極と前記薄膜ダイオードのカソード電極とが前記基準点に接続されたことを特徴とする。
この光検出回路によれば、第1、第3の薄膜トランジスタをオンさせ、第1、第3の薄膜トランジスタをオフさせ、第2の薄膜トランジスタをオンさせ、これにより、第1、第3の薄膜トランジスタがn型の薄膜トランジスタである場合は、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を正の電位にでき、一方、第1、第3の薄膜トランジスタがp型の薄膜トランジスタである場合は、薄膜ダイオードのゲート電極の電位をを負の電位にでき、いずれにしても、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を0[V]でなくすることができるので、薄膜ダイオードの電流のバラツキがない安定領域に薄膜ダイオードのゲート電極の電位を設定でき、その結果、照度が正確に検知できるようになる。
請求項2記載の光検出回路は、請求項1記載の光検出回路において、前記第1、第3の薄膜トランジスタはn型の薄膜トランジスタであることを特徴とする。
この光検出回路によれば、第1、第3の薄膜トランジスタがn型の薄膜トランジスタであるので、薄膜ダイオードのゲート電極の電位をを負の電位にでき、こうして、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を0[V]でなくすることができるので、薄膜ダイオードの電流のバラツキがない安定領域に薄膜ダイオードのゲート電極の電位を設定でき、その結果、照度が正確に検知できるようになる。
請求項3記載の光検出回路は、請求項1記載の光検出回路において、前記第1、第3の薄膜トランジスタはp型の薄膜トランジスタであることを特徴とする
この光検出回路によれば、第1、第3の薄膜トランジスタがp型の薄膜トランジスタであるので、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を正の電位にでき、こうして、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を0[V]でなくすることができるので、薄膜ダイオードの電流のバラツキがない安定領域に薄膜ダイオードのゲート電極の電位を設定でき、その結果、照度が正確に検知できるようになる。
この光検出回路によれば、第1、第3の薄膜トランジスタがp型の薄膜トランジスタであるので、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を正の電位にでき、こうして、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を0[V]でなくすることができるので、薄膜ダイオードの電流のバラツキがない安定領域に薄膜ダイオードのゲート電極の電位を設定でき、その結果、照度が正確に検知できるようになる。
請求項4記載の光検出回路の駆動方法は、電位の基準点に対して正の電位に設定された電源に第1の薄膜トランジスタのソース電極が接続され、前記第1の薄膜トランジスタのドレイン電極が薄膜容量の一方の電極と第2の薄膜トランジスタのソース電極とに接続され、充電された前記薄膜容量を光により放電させる薄膜ダイオードのアノード電極が前記第2の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され、前記第1の薄膜ダイオードのゲート電極が第3の薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記第3の薄膜トランジスタのドレイン電極が前記薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記薄膜容量の他方の電極と前記第3の薄膜トランジスタのソース電極と前記薄膜ダイオードのカソード電極とが前記基準点に接続された光検出回路の駆動方法であって、前記1、第3の薄膜トランジスタをオンさせ、前記1、第3の薄膜トランジスタをオフさせ、前記第2の薄膜トランジスタをオンさせることを特徴とする。
この駆動方法によれば、第1、第3の薄膜トランジスタがn型の薄膜トランジスタである場合は、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を正の電位にでき、一方、第1、第3の薄膜トランジスタがp型の薄膜トランジスタである場合は、薄膜ダイオードのゲート電極の電位をを負の電位にでき、いずれにしても、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を0[V]でなくすることができるので、薄膜ダイオードの電流のバラツキがない安定領域に薄膜ダイオードのゲート電極の電位を設定でき、その結果、照度が正確に検知できるようになる。
本発明によれば、薄膜ダイオードのゲート電極の電位を0[V]でなくすることができるので、薄膜ダイオードの電流のバラツキがない安定領域に薄膜ダイオードのゲート電極の電位を設定でき、その結果、照度が正確に検知できるようになる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、第1の実施の形態に係る光検出回路の回路図である。ここでは、回路中の電位の基準点をグランドという。
図1は、第1の実施の形態に係る光検出回路の回路図である。ここでは、回路中の電位の基準点をグランドという。
薄膜(Thin Film)で形成されたn型のMOSFET(Metal Semiconductor Field Effect Transisor)1のソース電極が、正の電位に設定された電源VDDに電気的に接続されている。以下、薄膜で形成されたMOSFETを「TFT(Thin Film Transistor)」という。また、「接続」とは、配線を介しての接続のような電気的な接続のことである。
TFT1のドレイン電極が、薄膜で形成された容量(以下、「薄膜容量」という)2を構成する一方の電極と、n型のTFT3のソース電極に接続される。TFT3のドレイン電極が、薄膜で形成されたダイオード(以下、「薄膜ダイオード」という)4のアノード電極41に接続される。TFT1のゲート電極が、n型のTFT5のゲート電極に接続される。TFT5のドレイン電極が、薄膜ダイオード4のゲート電極43に接続される。薄膜容量2の他方の電極と、TFT5のソース電極と、薄膜ダイオード4のカソード電極42とがグランドに接続される。
図2は、薄膜ダイオード4とTFT5とこれらの素子に寄生する寄生容量を示す図である。
薄膜ダイオード4のカソード電極42とゲート電極43の間には寄生容量(以下、「ダイオード寄生容量44」という)が寄生している。
TFT5のドレイン電極とゲート電極の間には寄生容量(以下、「TFT寄生容量51」という)が寄生している。
(第1の実施の形態の動作)
図1(a)に示す光10の照度を検知する場合、まず、TFT1とTFT5のゲート電極の電位を電源VDDの電位に上げ、こうして、TFT1とTFT5のゲート電極の電位をその閾値以上に上げて、TFT1とTFT5をオンさせる。
図1(a)に示す光10の照度を検知する場合、まず、TFT1とTFT5のゲート電極の電位を電源VDDの電位に上げ、こうして、TFT1とTFT5のゲート電極の電位をその閾値以上に上げて、TFT1とTFT5をオンさせる。
このとき、電源VDDからTFT1を介して薄膜容量2が充電される。また、電源VDDからTFT5のゲート電極を介してTFT寄生容量51とダイオード寄生容量44が充電される。ゲート電極43の電位は、TFT5のゲート電極の電位より低くなる。
なお、TFT3のゲート電極の電位はグランドの電位GNDにされており、TFT3はオフしている。
次に、図1(b)に示すように、TFT1とTFT5のゲート電極の電位をグランドの電位GNDにして、TFT1とTFT5をオフさせる。光検出回路は待機状態となる。
なお、TFT3のゲート電極の電位はグランドの電位GNDにされたままであり、TFT3はオフしている。
図1(b)の待機状態では、TFT寄生容量51とダイオード寄生容量44は、充電されたままなので、ゲート電極43の電位は、TFT5のゲート電極の電位より低い。つまり、ゲート電極43の電位は、グランドの電位GNDより低いのである。こうして、ゲート電極43には、負の電圧が印加される。このような電圧を「突き抜け電圧」という。
ダイオード寄生容量44の容量値を「Cgk」、TFT寄生容量51の容量値を「Cgd」、電源VDDの電位を「V」とすると、負の突き抜け電圧の大きさΔVは、次の式(1)で求められる。
ΔV=V×Cgd/(Cgd+Cgk) (1)
次に、図1(c)に示すように、TFT3のゲート電極の電位を電源VDDの電位に上げ、こうして、TFT3のゲート電極の電位をその閾値以上に上げて、TFT3をオンさせる。
次に、図1(c)に示すように、TFT3のゲート電極の電位を電源VDDの電位に上げ、こうして、TFT3のゲート電極の電位をその閾値以上に上げて、TFT3をオンさせる。
なお、TFT1とTFT5のゲート電極の電位はグランドの電位GNDのままであり、TFT1とTFT5はオフしている。
TFT3がオンすると、薄膜容量2が放電して、光10の照度に比例する電流iが薄膜ダイオード4に流れる。
そして、一定時間後に、薄膜容量2の電極間の電圧を検出し、この電圧を光10の照度に換算する。
図3は、この照度を正確に検知できる理由を説明するための図である。同図は、光10の照度が一定のときのものであり、そのときの薄膜ダイオード4のゲート電極43の電位V43と薄膜ダイオード4の電流iの関係を示している。
前述のように、ゲート電極43に負の「突き抜け電圧」が印加されることで、ゲート電極43の電位V43は、0[V]よりもΔV低くなる。
電位V43を低くすることで、同図に示すように、薄膜ダイオード4の閾値Vthが、バラツキにより、閾値Vth1、Vth2、Vth3となる場合であっても、薄膜ダイオード4の電流iのバラツキがない安定領域401に電位V43を設定できる。その結果、光10の照度が正確に検知できるようになるのである。
なお、第1の実施の形態では、TFT3をp型のTFTとし、オンとオフのタイミングは、n型のときと同じにしてもよい。こうした場合であっても、ゲート電極43には負の「突き抜け電圧」が印加され、同様な作用効果が得られるからである。
[第2の実施の形態]
図4は、第2の実施の形態に係る光検出回路の回路図である。第1の実施の形態で用いられた素子と同一の素子に同一符号を付与し、その説明については適宜省略する。
図4は、第2の実施の形態に係る光検出回路の回路図である。第1の実施の形態で用いられた素子と同一の素子に同一符号を付与し、その説明については適宜省略する。
p型のTFT6のソース電極に電源VDDが接続されている。TFT6のドレイン電極が、薄膜容量2を構成する一方の電極と、p型のTFT7のソース電極に接続される。TFT7のドレイン電極が、薄膜ダイオード4のアノード電極41に接続される。TFT6のゲート電極が、p型のTFT8のゲート電極に接続される。TFT8のドレイン電極が、薄膜ダイオード4のゲート電極43に接続される。薄膜容量2の他方の電極と、TFT8のソース電極と、薄膜ダイオード4のカソード電極42とがグランドに接続される。
図5は、薄膜ダイオード4とTFT8とこれらの素子に寄生する寄生容量を示す図である。
薄膜ダイオード4のカソード電極42とゲート電極43の間にはダイオード寄生容量44が寄生している。
TFT8のドレイン電極とゲート電極の間には寄生容量(以下、「TFT寄生容量81」という)が寄生している。
(第2の実施の形態の動作)
図4(a)に示す光10の照度を検知する場合、まず、TFT6とTFT8のゲート電極の電位をグランドの電位GNDに下げ、こうして、TFT6とTFT8のゲート電極の電位を、電源VDDの電位からその閾値を減じた電位以下に下げて、TFT6とTFT8をオンさせる。
図4(a)に示す光10の照度を検知する場合、まず、TFT6とTFT8のゲート電極の電位をグランドの電位GNDに下げ、こうして、TFT6とTFT8のゲート電極の電位を、電源VDDの電位からその閾値を減じた電位以下に下げて、TFT6とTFT8をオンさせる。
このとき、電源VDDからTFT6を介して薄膜容量2が充電される。
次に、図4(b)に示すように、TFT6とTFT8のゲート電極の電位を電源VDDの電位にして、TFT6とTFT8をオフさせる。光検出回路は待機状態になる。
なお、TFT8のゲート電極の電位は電源VDDの電位のままであり、TFT8はオフしている。
図4(b)の待機状態では、TFT8のゲート電極の電位は電源VDDの電位になっているので、電源VDDからTFT8のゲート電極を介してTFT寄生容量81とダイオード寄生容量44が充電される。充電が完了したときには、ゲート電極43には、正の突き抜け電圧が印加されていることととなる。
ダイオード寄生容量44の容量値を「Cgk」、TFT寄生容量81の容量値を「Cgd」、電源VDDの電位を「V」とすると、正の突き抜け電圧の大きさΔVは、前述の式(1)で求められる。
次に、図4(c)に示すように、TFT7のゲート電極の電位をグランドの電位GNDに下げ、こうして、TFT7のゲート電極の電位を、電源VDDの電位からその閾値を減じた電位以下に下げて、TFT7をオンさせる。
なお、TFT6とTFT8のゲート電極の電位は電源VDDの電位のままであり、TFT6とTFT8はオフしている。
TFT7がオンすると、薄膜容量2が放電して、光10の照度に比例する電流iが薄膜ダイオード4に流れる。
そして、一定時間後に、薄膜容量2の電極間の電圧を検出し、この電圧を光10の照度に換算する。
図6は、この照度を正確に検知できる理由を説明するための図である。同図は、光10の照度が一定のときのものであり、そのときの薄膜ダイオード4のゲート電極43の電位V43と薄膜ダイオード4の電流iの関係を示している。
前述のように、ゲート電極43に正の「突き抜け電圧」が印加されることで、ゲート電極43の電位V43は、0[V]よりもΔV高くなる。
電位V43を高くすることで、同図に示すように、薄膜ダイオード4の閾値Vthが、バラツキにより、閾値Vth1、Vth2、Vth3となる場合であっても、薄膜ダイオード4の電流iのバラツキがない安定領域402や同様な安定領域403に電位V43を設定できる。その結果、光10の照度が正確に検知できるようになるのである。
なお、第2の実施の形態では、TFT7をn型のTFTとし、オンとオフのタイミングは、p型のときと同じにしてもよい。こうした場合であっても、ゲート電極43には正の「突き抜け電圧」が印加され、同様な作用効果が得られるからである。
1、3、5 n型の薄膜トランジスタ
2 薄膜容量
4 薄膜ダイオード
6、7、8 p型の薄膜トランジスタ
41 薄膜ダイオード4のアノード電極
42 薄膜ダイオード4のカソード電極
43 薄膜ダイオード4のゲート電極
44 薄膜ダイオード4のカソード電極42とゲート電極43の間の寄生容量
51 薄膜トランジスタ5のドレイン電極とゲート電極の間の寄生容量
81 薄膜トランジスタ8のドレイン電極とゲート電極の間の寄生容量
ΔV 突き抜け電圧の大きさ
2 薄膜容量
4 薄膜ダイオード
6、7、8 p型の薄膜トランジスタ
41 薄膜ダイオード4のアノード電極
42 薄膜ダイオード4のカソード電極
43 薄膜ダイオード4のゲート電極
44 薄膜ダイオード4のカソード電極42とゲート電極43の間の寄生容量
51 薄膜トランジスタ5のドレイン電極とゲート電極の間の寄生容量
81 薄膜トランジスタ8のドレイン電極とゲート電極の間の寄生容量
ΔV 突き抜け電圧の大きさ
Claims (4)
- 電位の基準点に対して正の電位に設定された電源に第1の薄膜トランジスタのソース電極が接続され、前記第1の薄膜トランジスタのドレイン電極が薄膜容量の一方の電極と第2の薄膜トランジスタのソース電極とに接続され、充電された前記薄膜容量を光により放電させる薄膜ダイオードのアノード電極が前記第2の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され、前記第1の薄膜ダイオードのゲート電極が第3の薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記第3の薄膜トランジスタのドレイン電極が前記薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記薄膜容量の他方の電極と前記第3の薄膜トランジスタのソース電極と前記薄膜ダイオードのカソード電極とが前記基準点に接続されたことを特徴とする光検出回路。
- 前記第1、第3の薄膜トランジスタはn型の薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1記載の光検出回路。
- 前記第1、第3の薄膜トランジスタはp型の薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1記載の光検出回路。
- 電位の基準点に対して正の電位に設定された電源に第1の薄膜トランジスタのソース電極が接続され、前記第1の薄膜トランジスタのドレイン電極が薄膜容量の一方の電極と第2の薄膜トランジスタのソース電極とに接続され、充電された前記薄膜容量を光により放電させる薄膜ダイオードのアノード電極が前記第2の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され、前記第1の薄膜ダイオードのゲート電極が第3の薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記第3の薄膜トランジスタのドレイン電極が前記薄膜ダイオードのゲート電極に接続され、前記薄膜容量の他方の電極と前記第3の薄膜トランジスタのソース電極と前記薄膜ダイオードのカソード電極とが前記基準点に接続された光検出回路の駆動方法であって、
前記1、第3の薄膜トランジスタをオンさせ、前記1、第3の薄膜トランジスタをオフさせ、前記第2の薄膜トランジスタをオンさせることを特徴とする光検出回路の駆動方法。
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