JP5057211B2 - アモルファス金属成形体及びその製造方法 - Google Patents
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本発明は、アモルファス金属成形体及びその製造方法に係り、更に詳細には、所定の粒子が所定の方向性を持って層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体、及びその製造方法に関する。
従来、アモルファス金属の成形体は、一旦アモルファス化した金属粉末を結晶化させない条件で型成形する方法や、液体から直接急冷する方法などによって得られていた（特許文献１及び２参照。）。
このようにして得られたアモルファス金属成形体は、結晶学的、構造的にも磁気特性は等方的であるため、多方面に磁場が変動する場合には、比較的ロスが少ないという特徴がある。
しかし、磁場変動が一軸方向で反転を繰り返す場合や、同一面内で回転する場合などには、材料特性を十分に発揮しているとは必ずしも言えず、特定方向に更に効率化した、即ち異方性を有する材料が求められている。
そこで、アモルファス金属の薄帯リボンを粉砕して得られた鱗片状粒子を平面の向きを揃えて型に充填して緻密化する方法が提案されている（特許文献３参照。）。
特許第３２８８５７１号明細書
特許第３６１６５１２号明細書
特開２０００−３４５３０８号公報
しかし、磁場変動が一軸方向で反転を繰り返す場合や、同一面内で回転する場合などには、材料特性を十分に発揮しているとは必ずしも言えず、特定方向に更に効率化した、即ち異方性を有する材料が求められている。
そこで、アモルファス金属の薄帯リボンを粉砕して得られた鱗片状粒子を平面の向きを揃えて型に充填して緻密化する方法が提案されている（特許文献３参照。）。
しかしながら、上記特許文献３に記載のアモルファス金属成形体の製造方法にあっては、薄帯リボンを粉砕して得られた粉末を方位を揃えつつ型に充填することが困難であることや、型成形時の変形で方位が乱れてしまうこと、粉末同士が完全に融着すると効果を失うことなどの問題点があった。
本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、異方性を有するアモルファス金属成形体、及びその製造方法を提供することにある。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、該偏平状粒子が、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるものとすることなどにより、上記目的が達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明のアモルファス金属成形体は、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、該偏平状粒子は、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であることを特徴とする。
また、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法は、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、該偏平状粒子は、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるアモルファス金属成形体の製造方法であって、下記の工程（Ａ）及び（Ｂ）を含むことを特徴とする。
（Ａ）アモルファス金属粉末を配置する工程
（Ｂ）上記（Ａ）工程より後に実施され、上記アモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する工程
（Ａ）アモルファス金属粉末を配置する工程
（Ｂ）上記（Ａ）工程より後に実施され、上記アモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する工程
本発明によれば、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、偏平状粒子が、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるものとすることなどとしたため、異方性を有するアモルファス金属成形体、及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明のアモルファス金属成形体について詳細に説明する。
上述の如く、本発明のアモルファス金属成形体は、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、偏平状粒子が、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるものである。
このような構成とすることにより、異方性を有するアモルファス金属成形体となる。
上述の如く、本発明のアモルファス金属成形体は、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、偏平状粒子が、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるものである。
このような構成とすることにより、異方性を有するアモルファス金属成形体となる。
ここで、「アスペクト比」とは、偏平状粒子の厚みに対する偏平状粒子の長径の比である。
アスペクト比について、図面を用いて更に詳細に説明する。
図１は、棒状及び円盤状の偏平状粒子の模式的な説明図（ａ）及び（ｂ）である。同図において、偏平状粒子の厚みをＹ、偏平状粒子の長径をＸで示す。
なお、本発明においては、アスペクト比は、アモルファス金属成形体の断面について、組織観察を実施し、粒子形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、その平均値を適用した。
また、このような偏平状粒子は、例えば水アトマイズやガスアトマイズなどの方法により作製された球状粉末を圧延やプレス、鍛造などの工程を経て変形させることにより、アモルファス金属成形体内で容易に形成される。そして、球状粉末は、ショット研磨用材料などとして市販されており、工業的に容易に製造できる形状である。
アスペクト比について、図面を用いて更に詳細に説明する。
図１は、棒状及び円盤状の偏平状粒子の模式的な説明図（ａ）及び（ｂ）である。同図において、偏平状粒子の厚みをＹ、偏平状粒子の長径をＸで示す。
なお、本発明においては、アスペクト比は、アモルファス金属成形体の断面について、組織観察を実施し、粒子形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、その平均値を適用した。
また、このような偏平状粒子は、例えば水アトマイズやガスアトマイズなどの方法により作製された球状粉末を圧延やプレス、鍛造などの工程を経て変形させることにより、アモルファス金属成形体内で容易に形成される。そして、球状粉末は、ショット研磨用材料などとして市販されており、工業的に容易に製造できる形状である。
また、上述したような偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有するアモルファス金属成形体について、図面を用いて説明する。
図２は、棒状及び円盤状の偏平状粒子が層状に積み重ねって形成された積層構造を有するアモルファス金属成形体の模式的な説明図（ａ）及び（ｂ）である。同図（ａ）に示すようなアモルファス金属成形体は、その内部で磁場が矢印Ａの方向で反転する場合に、反磁界係数を低減でき、保磁力が小さく、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。
同図（ａ）に示すようなアモルファス金属成形体は、反磁界係数を１／２以下に低減でき、保磁力が小さく、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。例えば、アスペクト比が５以上であれば、反磁界係数を１／１０以下に低減でき、アスペクト比が１０以上であれば、反磁界係数を１／１００以下に低減できるのでアスペクト比がより大きいことが望ましいが、アスペクト比が２０を超えると、偏平状粒子同士の融着が進行して、所期の効果が得られないことがあることからアスペクト比は２０以下であることが良い。
また、このようなアモルファス金属成形体は、例えばアモルファス金属粉末を配置し、アモルファス金属粉末を一軸方向に伸展させつつ成形して得られる。
図２は、棒状及び円盤状の偏平状粒子が層状に積み重ねって形成された積層構造を有するアモルファス金属成形体の模式的な説明図（ａ）及び（ｂ）である。同図（ａ）に示すようなアモルファス金属成形体は、その内部で磁場が矢印Ａの方向で反転する場合に、反磁界係数を低減でき、保磁力が小さく、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。
同図（ａ）に示すようなアモルファス金属成形体は、反磁界係数を１／２以下に低減でき、保磁力が小さく、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。例えば、アスペクト比が５以上であれば、反磁界係数を１／１０以下に低減でき、アスペクト比が１０以上であれば、反磁界係数を１／１００以下に低減できるのでアスペクト比がより大きいことが望ましいが、アスペクト比が２０を超えると、偏平状粒子同士の融着が進行して、所期の効果が得られないことがあることからアスペクト比は２０以下であることが良い。
また、このようなアモルファス金属成形体は、例えばアモルファス金属粉末を配置し、アモルファス金属粉末を一軸方向に伸展させつつ成形して得られる。
一方、同図（ｂ）に示すようなアモルファス金属成形体は、その内部で磁場が矢印Ｂの方向に回転する場合に、反磁界係数を低減でき、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。
同図（ｂ）に示すようなアモルファス金属成形体は、同図（ａ）に示すようなアモルファス金属成形体に比して効果は劣るが、反磁界係数を低減でき、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。例えば、アスペクト比が５以上であれば、反磁界係数を１／３以下に低減でき、アスペクト比が１０以上であれば、反磁界係数を１／５以下に低減できる。なお、上記同様の理由から、アスペクト比は２０以下であることが良い。
また、このようなアモルファス金属成形体は、例えばアモルファス金属粉末を配置し、アモルファス金属粉末を一軸方向から圧縮して、伸展させつつ成形して得られる。
同図（ｂ）に示すようなアモルファス金属成形体は、同図（ａ）に示すようなアモルファス金属成形体に比して効果は劣るが、反磁界係数を低減でき、優れた透磁率を示す軟磁性成形体となる。例えば、アスペクト比が５以上であれば、反磁界係数を１／３以下に低減でき、アスペクト比が１０以上であれば、反磁界係数を１／５以下に低減できる。なお、上記同様の理由から、アスペクト比は２０以下であることが良い。
また、このようなアモルファス金属成形体は、例えばアモルファス金属粉末を配置し、アモルファス金属粉末を一軸方向から圧縮して、伸展させつつ成形して得られる。
また、本発明のアモルファス金属成形体においては、当該アモルファス金属成形体の５０体積％以上が、上述の偏平状粒子で構成されることが望ましく、当該アモルファス金属成形体の８０体積％以上が、上述の偏平状粒子で構成されることがより望ましい。
このような構成とすることにより、異方性を有するアモルファス金属成形体となる。
具体的には、例えば偏平状粒子のアスペクト比が５以上である場合には、その含有率が５０体積％以上であるときに著しく顕著な異方性を示し、偏平状粒子のアスペクト比が２以上である場合には、その含有率が８０体積％以上であるときに著しく顕著な異方性を示す。
このような構成とすることにより、異方性を有するアモルファス金属成形体となる。
具体的には、例えば偏平状粒子のアスペクト比が５以上である場合には、その含有率が５０体積％以上であるときに著しく顕著な異方性を示し、偏平状粒子のアスペクト比が２以上である場合には、その含有率が８０体積％以上であるときに著しく顕著な異方性を示す。
更に、本発明のアモルファス金属成形体においては、上述の偏平状粒子が、その表面の全部又は一部に非磁性材料を含む被膜を有することが望ましい。
このような構成とすることにより、偏平状粒子同士の融着の進行を抑制することができ、異方性を有するアモルファス金属成形体となる。また、反磁界係数をより低減し得る軟磁性成形体となる。
上記非磁性材料としては、例えばアルミナやシリカ、ガラスなどを挙げることができる。
図３は、本発明のアモルファス金属成形体の断面における組織の一例を示す模式的な説明図である。同図に示すように、アモルファス金属成形体内の偏平状粒子はその表面に非磁性材料を含有する被膜を有している。
このような構成とすることにより、偏平状粒子同士の融着の進行を抑制することができ、異方性を有するアモルファス金属成形体となる。また、反磁界係数をより低減し得る軟磁性成形体となる。
上記非磁性材料としては、例えばアルミナやシリカ、ガラスなどを挙げることができる。
図３は、本発明のアモルファス金属成形体の断面における組織の一例を示す模式的な説明図である。同図に示すように、アモルファス金属成形体内の偏平状粒子はその表面に非磁性材料を含有する被膜を有している。
更にまた、本発明のアモルファス金属成形体においては、上述の偏平状粒子が、その表面の全部又は一部に絶縁性材料を含む被膜を有することが望ましい。
このような構成とすることにより、偏平状粒子同士の融着の進行を抑制することができ、透磁率が向上するとともに、渦電流の発生を低減することができるので、ヒステリシス損失と渦電流損失とを低減し得る低損失な軟磁性成形体となる。
上記絶縁性材料としては、例えばアルミナやシリカなどの酸化物やポリイミドなどの樹脂材料を挙げることができる。
このような構成とすることにより、偏平状粒子同士の融着の進行を抑制することができ、透磁率が向上するとともに、渦電流の発生を低減することができるので、ヒステリシス損失と渦電流損失とを低減し得る低損失な軟磁性成形体となる。
上記絶縁性材料としては、例えばアルミナやシリカなどの酸化物やポリイミドなどの樹脂材料を挙げることができる。
通常、成形前のアモルファス金属粉末は、粉末表面が酸化されていたり、汚染されていたりするので、アモルファス金属粉末を結晶化開始温度以下の低温（例えば６００℃未満）で緻密化成形する場合は、表面が完全に融着せず、アモルファス金属成形体の内部に、上述したようなアモルファス金属粒子がエッチング処理なしで識別可能な状態で残留することとなる。
一方、緻密化成形する際に、過度に変形させるとアモルファス金属粉末の表面積が増大し、不可避の融着が生じるため、上述したように予め非磁性材料を含む被膜や絶縁性材料を含む被膜を有するアモルファス金属粉末を使用することによって、偏平状粒子同士が完全に融着して、形状効果を失うことを抑制することができる。
一方、緻密化成形する際に、過度に変形させるとアモルファス金属粉末の表面積が増大し、不可避の融着が生じるため、上述したように予め非磁性材料を含む被膜や絶縁性材料を含む被膜を有するアモルファス金属粉末を使用することによって、偏平状粒子同士が完全に融着して、形状効果を失うことを抑制することができる。
次に、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法について詳細に説明する。
上述の如く、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法は、上記本発明のアモルファス金属成形体の製造方法の一例であって、（Ａ）アモルファス金属粉末を配置する工程と、（Ｂ）上記（Ａ）工程より後に実施され、上記アモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する工程と、を含む。
このような製造方法を採ることにより、上述したような異方性を有するアモルファス金属成形体を得ることができる。
上述の如く、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法は、上記本発明のアモルファス金属成形体の製造方法の一例であって、（Ａ）アモルファス金属粉末を配置する工程と、（Ｂ）上記（Ａ）工程より後に実施され、上記アモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する工程と、を含む。
このような製造方法を採ることにより、上述したような異方性を有するアモルファス金属成形体を得ることができる。
また、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法においては、（Ａ）工程において、アスペクト比が１〜１．５であるアモルファス金属粉末を主原料として用いることが望ましい。
このような製造方法を採ることにより、（Ｂ）工程の伸展前のアモルファス金属粉末が等方的な形状であるので、緻密化を伴うような（Ｂ）工程における成形の際に、加圧変形方向を揃えることにより、偏平状粒子の方位を容易に揃えることができ、異方性を有するアモルファス金属成形体を得ることができる。また、反磁界係数をより低減し得る軟磁性成形体となる。
ここで、「主原料」とは、アモルファス金属粉末全体の体積率において、５０体積％以上であることをいう。
更に、体積率が５０体積％では、変形量を大きくしないと粒子形状の異方化が困難な場合があり、大型品などの製造には、大掛かりな装置が必要となるため、上記所定のアモルファス金属粉末の体積率は８０体積％以上であることがより望ましい。
なお、アモルファス金属粉末のアスペクト比が１．５超であると、粉末供給時にその向きや量、配向性を考慮する必要性がでてくることがある。
このような製造方法を採ることにより、（Ｂ）工程の伸展前のアモルファス金属粉末が等方的な形状であるので、緻密化を伴うような（Ｂ）工程における成形の際に、加圧変形方向を揃えることにより、偏平状粒子の方位を容易に揃えることができ、異方性を有するアモルファス金属成形体を得ることができる。また、反磁界係数をより低減し得る軟磁性成形体となる。
ここで、「主原料」とは、アモルファス金属粉末全体の体積率において、５０体積％以上であることをいう。
更に、体積率が５０体積％では、変形量を大きくしないと粒子形状の異方化が困難な場合があり、大型品などの製造には、大掛かりな装置が必要となるため、上記所定のアモルファス金属粉末の体積率は８０体積％以上であることがより望ましい。
なお、アモルファス金属粉末のアスペクト比が１．５超であると、粉末供給時にその向きや量、配向性を考慮する必要性がでてくることがある。
また、本発明において使用するアモルファス金属粉末は、特に限定されるものではないが、飽和磁化が大きく、広い成形温度領域ΔＴ（＝Ｔｘ−Ｔｇ）が確保できるアモルファス鉄基合金を用いることが好ましい。但し、Ｔｘは結晶化開始温度、Ｔｇはガラス転移温度を示す。
更に、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法においては、（Ｂ）工程において、アモルファス金属粉末をそのガラス転移温度以上且つ結晶化開始温度未満の温度で、アモルファス金属粉末を一軸方向に伸展させ、次いで、ガラス転移温度−１００℃以下の温度に冷却することが望ましい。
このような製造方法を採ることにより、アモルファス金属粉末の超塑性領域にて成形することとなるため、上述したようなアスペクト比を有する偏平状粒子を容易に形成することができ、異方性を有するアモルファス金属成形体を得ることができる。
そして、（Ｂ）工程において、アモルファス金属粉末を伸展させるに当たっては、例えば圧延成形やプレス成形を適用することができるが、これらに限定されるものでないことは言うまでもない。即ち、鍛造によって形成することもできる。
また、アモルファス金属粉末を加熱するに当たっては、例えば加熱してアモルファス金属粉末を供給する他、圧延ロールや成形型の温度を加熱温度に保つなどしてもよい。
このような製造方法を採ることにより、アモルファス金属粉末の超塑性領域にて成形することとなるため、上述したようなアスペクト比を有する偏平状粒子を容易に形成することができ、異方性を有するアモルファス金属成形体を得ることができる。
そして、（Ｂ）工程において、アモルファス金属粉末を伸展させるに当たっては、例えば圧延成形やプレス成形を適用することができるが、これらに限定されるものでないことは言うまでもない。即ち、鍛造によって形成することもできる。
また、アモルファス金属粉末を加熱するに当たっては、例えば加熱してアモルファス金属粉末を供給する他、圧延ロールや成形型の温度を加熱温度に保つなどしてもよい。
図４は、本発明のアモルファス金属成形体の製造方法の一例の概要を示す説明図である。同図に示すように、基板上にアモルファス金属粉末を配置して、圧延ロールによりアモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する。
以下、本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
［アモルファス金属粉末の作製］
まず、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）−炭素（Ｃ）合金、鉄（Ｆｅ）−リン（Ｐ）合金を所定量秤量した後に、高周波溶解炉を用いてアルゴン（Ａｒ）ガス中で溶解して、組成がＦｅ７６Ｇａ４Ｐ９．５Ｃ４Ｂ４Ｓｉ２．５のインゴットを製造した。
このインゴットをＡｒ雰囲気中、減圧（１０−５Ｐａ）下で溶解し、Ａｒガスで噴霧して、ガスアトマイズを行った。Ｘ線解析の結果、急冷されたアモルファス金属粉末となっていることが分かった。
得られたアモルファス金属粉末を粒径が２０〜３００μｍとなるように篩を用いて分級した。
また、得られたアモルファス金属粉末のガラス転移温度及び結晶化開始温度は、示差走査熱量分析（ＤＳＣ解析）により、白金坩堝を用いて、Ａｒガス流中、１０℃／分の昇温速度で昇温させて、測定して決定した。その結果、ガラス転移温度は約４６０℃であり、結晶化開始温度は約５１５℃であった。更に、得られたアモルファス金属粉末のアスペクト比は、１．０〜１．３（平均：１．１）であった。なお、ガラス転移温度と結晶化開始温度のバラツキの範囲が１０℃であるため、温度の前に約を付記している。
［アモルファス金属粉末の作製］
まず、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）−炭素（Ｃ）合金、鉄（Ｆｅ）−リン（Ｐ）合金を所定量秤量した後に、高周波溶解炉を用いてアルゴン（Ａｒ）ガス中で溶解して、組成がＦｅ７６Ｇａ４Ｐ９．５Ｃ４Ｂ４Ｓｉ２．５のインゴットを製造した。
このインゴットをＡｒ雰囲気中、減圧（１０−５Ｐａ）下で溶解し、Ａｒガスで噴霧して、ガスアトマイズを行った。Ｘ線解析の結果、急冷されたアモルファス金属粉末となっていることが分かった。
得られたアモルファス金属粉末を粒径が２０〜３００μｍとなるように篩を用いて分級した。
また、得られたアモルファス金属粉末のガラス転移温度及び結晶化開始温度は、示差走査熱量分析（ＤＳＣ解析）により、白金坩堝を用いて、Ａｒガス流中、１０℃／分の昇温速度で昇温させて、測定して決定した。その結果、ガラス転移温度は約４６０℃であり、結晶化開始温度は約５１５℃であった。更に、得られたアモルファス金属粉末のアスペクト比は、１．０〜１．３（平均：１．１）であった。なお、ガラス転移温度と結晶化開始温度のバラツキの範囲が１０℃であるため、温度の前に約を付記している。
［アモルファス金属成形体の作製］
次に、得られたアモルファス金属粉末３０ｇを、予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に、厚みが約５ｍｍ程度、幅が約１５ｍｍ程度となるように分散させて載せ、次いで、５００℃の電気抵抗炉内に挿入し、約３分間で目標温度まで加熱した。
次に、得られたアモルファス金属粉末３０ｇを、予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に、厚みが約５ｍｍ程度、幅が約１５ｍｍ程度となるように分散させて載せ、次いで、５００℃の電気抵抗炉内に挿入し、約３分間で目標温度まで加熱した。
次いで、加熱したアモルファス金属粉末を炭素鋼板ごと、４段圧延機によって圧延（圧延速度：３０ｍｍ／秒、パス回数：３回、終了時圧延荷重：２０ＭＰａ以下）し、圧延後は直ちに水冷して、本例のアモルファス金属成形体を得た（厚さ：約１ｍｍ、幅：約２０ｍｍ、長さ：約１８０ｍｍ）。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．９５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。また、粉末がロールに焼き付かないように、予めロール側にも剥離剤を十分に塗布しておいた。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．９５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。また、粉末がロールに焼き付かないように、予めロール側にも剥離剤を十分に塗布しておいた。
得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向に平行な断面の組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって、観察した。任意の粒子３０個について、厚み方向の粒径（短軸長さ）と長手方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を切り出した。
得られた試験片の磁化を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）にて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）にて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例２）
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１と同様の手法で作製したアモルファス金属成形体を、再び予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に載せ、その上に、実施例１で得たアモルファス金属粉末３０ｇを、厚みが約５ｍｍ程度、幅が約１５ｍｍ程度となるように分散させて載せ、次いで、５００℃の電気抵抗炉内に挿入し、約４分間で目標温度まで加熱した。
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１と同様の手法で作製したアモルファス金属成形体を、再び予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に載せ、その上に、実施例１で得たアモルファス金属粉末３０ｇを、厚みが約５ｍｍ程度、幅が約１５ｍｍ程度となるように分散させて載せ、次いで、５００℃の電気抵抗炉内に挿入し、約４分間で目標温度まで加熱した。
次いで、加熱したアモルファス金属粉末及びアモルファス金属成形体を炭素鋼板ごと、４段圧延機によって圧延（圧延速度：３０ｍｍ／秒、パス回数：５回、終了時圧延荷重：２０ＭＰａ以下）し、圧延後は直ちに水冷して、本例のアモルファス金属成形体を得た（厚さ：約１．８ｍｍ、幅：約２０ｍｍ、長さ：約１８０ｍｍ）。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．８５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．８５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。
得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚み方向の粒径（短軸長さ）と長手方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を切り出した。なお、板厚は、中心部から１ｍｍになるように両面を湿式研磨した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例３）
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末３０ｇを、予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に、厚みが約５ｍｍ程度、幅が約１５ｍｍ程度となるように分散させて載せ、次いで、５００℃の電気抵抗炉内に挿入し、約３分間で目標温度まで加熱した。
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末３０ｇを、予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に、厚みが約５ｍｍ程度、幅が約１５ｍｍ程度となるように分散させて載せ、次いで、５００℃の電気抵抗炉内に挿入し、約３分間で目標温度まで加熱した。
次いで、加熱したアモルファス金属粉末を炭素鋼板ごと、４段圧延機によって圧延（圧延速度：３０ｍｍ／秒、パス回数：３回、終了時圧延荷重：２０ＭＰａ以下）し、圧延後は直ちに水冷して、アモルファス金属成形体を得た（厚さ：約１ｍｍ、幅：約２０ｍｍ、長さ：約１８０ｍｍ）。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．９５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．９５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。
次いで、得られたアモルファス金属成形体の長さを１００ｍｍに切断し、再び予め５００℃に加熱した炭素鋼板（板厚：５ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：２００ｍｍ、表面処理：剥離剤（ホウ化窒素（ＢＮ））スプレー塗布済み）に載せ、１分間保持し、加熱したアモルファス金属成形体を炭素鋼板ごと、４段圧延機によって圧延（圧延速度：３０ｍｍ／秒、パス回数：３回、終了時圧延荷重：２０ＭＰａ以下）し、圧延後は直ちに水冷して、本例のアモルファス金属成形体を得た（厚さ：約０．７ｍｍ、幅：約２０ｍｍ、長さ：約１４０ｍｍ）。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．８５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。
ここで、４段圧延機のロールにおけるロールギャップは４．８５ｍｍとし、ロールについては予め５００℃の炭素鋼板のみを１０回空圧延して予熱しておいた。
得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚み方向の粒径（短軸長さ）と長手方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：約０．７ｍｍ、直径：５ｍｍ）を切り出した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例４）
［アモルファス金属成形体の作製］
プレス成形用の成形型として、超硬金属の成形型（成形面形状は１０ｍｍ角である。）を用意した。
図５は、プレス成形用の超硬金型の上面図（ａ）及び半割断面図（ｂ）である。同図に示すように超硬金型１０は、パンチ１２とダイ１４と割り型１６を備える。なお、符号１は成形体を示す。
まず、成形型を電気抵抗炉内で５００℃に加熱し、成形型内に実施例１で得られたアモルファス金属粉末０．５ｇを充填し、再び炉内で１分間保持し、５００℃に加熱した。
炉から成形型を取出した後、直ちにプレス機で９８０ＭＰａの荷重でプレス成形し、同様の操作を８回繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た（厚さ：約４ｍｍ）。
［アモルファス金属成形体の作製］
プレス成形用の成形型として、超硬金属の成形型（成形面形状は１０ｍｍ角である。）を用意した。
図５は、プレス成形用の超硬金型の上面図（ａ）及び半割断面図（ｂ）である。同図に示すように超硬金型１０は、パンチ１２とダイ１４と割り型１６を備える。なお、符号１は成形体を示す。
まず、成形型を電気抵抗炉内で５００℃に加熱し、成形型内に実施例１で得られたアモルファス金属粉末０．５ｇを充填し、再び炉内で１分間保持し、５００℃に加熱した。
炉から成形型を取出した後、直ちにプレス機で９８０ＭＰａの荷重でプレス成形し、同様の操作を８回繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た（厚さ：約４ｍｍ）。
得られたアモルファス金属成形体において、厚さ方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚さ方向の粒径（短軸長さ）とプレス面と平行な方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、プレス面と平行な方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を放電加工及び研磨加工にて作製した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例５）
［アモルファス金属粉末の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末に対して１０ｇ当たり５ｍＬのポリシザラン溶液（アクアミカ社製）を塗布し、ドライヤーで乾燥し、１００℃で１時間保持して、シリカ（ＳｉＯ２）被膜を有するアモルファス金属粉末を得た。
［アモルファス金属粉末の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末に対して１０ｇ当たり５ｍＬのポリシザラン溶液（アクアミカ社製）を塗布し、ドライヤーで乾燥し、１００℃で１時間保持して、シリカ（ＳｉＯ２）被膜を有するアモルファス金属粉末を得た。
［アモルファス金属成形体の作製］
得られたシリカ被膜付きアモルファス金属粉末を用いた以外は、実施例４のアモルファス金属成形体の作製と同様の操作を繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
得られたシリカ被膜付きアモルファス金属粉末を用いた以外は、実施例４のアモルファス金属成形体の作製と同様の操作を繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
得られたアモルファス金属成形体において、厚さ方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚さ方向の粒径（短軸長さ）とプレス面と平行な方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、プレス面と平行な方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を放電加工及び研磨加工にて作製した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例６）
［アモルファス金属粉末の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末にポリイミドワニスをスプレー塗布し、１時間放置した後、２００℃で２時間保持して、ポリイミド被膜を有するアモルファス金属粉末を得た。
［アモルファス金属粉末の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末にポリイミドワニスをスプレー塗布し、１時間放置した後、２００℃で２時間保持して、ポリイミド被膜を有するアモルファス金属粉末を得た。
［アモルファス金属成形体の作製］
得られたポリイミド被膜付きアモルファス金属粉末５ｇを、予め４６０℃に加熱した２枚の超硬円板（板厚：１０ｍｍ、直径：５０ｍｍ）に挟んで、３分間４６０℃に保持し、次いで、プレス機で超硬円板の上下から９８０ＭＰａの荷重でプレス成形して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
ここで、初期のポリイミド被膜付きアモルファス金属粉末は、超硬円板において直径２０ｍｍ程度の範囲にできるだけ均一に載せた。
得られたポリイミド被膜付きアモルファス金属粉末５ｇを、予め４６０℃に加熱した２枚の超硬円板（板厚：１０ｍｍ、直径：５０ｍｍ）に挟んで、３分間４６０℃に保持し、次いで、プレス機で超硬円板の上下から９８０ＭＰａの荷重でプレス成形して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
ここで、初期のポリイミド被膜付きアモルファス金属粉末は、超硬円板において直径２０ｍｍ程度の範囲にできるだけ均一に載せた。
得られたアモルファス金属成形体において、厚さ方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚さ方向の粒径（短軸長さ）とプレス面と平行な方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、プレス面と平行な方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：０．５ｍｍ、直径：５ｍｍ）を切り出した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例７）
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例６で得られたポリイミド被膜付きアモルファス金属粉末を用い、加熱温度を４６０℃とした以外は、実施例１のアモルファス金属成形体の作製と同様の操作を繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例６で得られたポリイミド被膜付きアモルファス金属粉末を用い、加熱温度を４６０℃とした以外は、実施例１のアモルファス金属成形体の作製と同様の操作を繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚み方向の粒径（短軸長さ）と長手方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を切り出した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（実施例８）
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末と、実施例５で得られたシリカ被膜付きアモルファス金属粉末とを重量比で１：１の割合で混合したものを用いた以外は、実施例１のアモルファス金属成形体の作製と同様の操作を繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末と、実施例５で得られたシリカ被膜付きアモルファス金属粉末とを重量比で１：１の割合で混合したものを用いた以外は、実施例１のアモルファス金属成形体の作製と同様の操作を繰り返して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚み方向の粒径（短軸長さ）と長手方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、圧延長手方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を切り出した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が圧延長手方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（比較例１）
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末５ｇを、実施例４で用いた金型に充填し、放電プラスマ焼結（成形温度：５００℃、成形圧力：２００ＭＰａ）によって成形して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
［アモルファス金属成形体の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属粉末５ｇを、実施例４で用いた金型に充填し、放電プラスマ焼結（成形温度：５００℃、成形圧力：２００ＭＰａ）によって成形して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
得られたアモルファス金属成形体において、厚さ方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚さ方向の粒径（短軸長さ）とプレス面と平行な方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、プレス面と平行な方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を放電加工及び研磨加工にて作製した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（比較例２）
［アモルファス金属粉末の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属のインゴットをＡｒ雰囲気中、減圧（１０−５Ｐａ）下で溶解し、急冷薄帯法にて約０．０５μｍの板厚を有するアモルファス金属の薄帯リボンを製造した。
得られた薄帯をハンマーにて粉砕し、篩で粒径が２００μｍ以下のアモルファス金属粉末を選別した。
［アモルファス金属粉末の作製］
実施例１で得られたアモルファス金属のインゴットをＡｒ雰囲気中、減圧（１０−５Ｐａ）下で溶解し、急冷薄帯法にて約０．０５μｍの板厚を有するアモルファス金属の薄帯リボンを製造した。
得られた薄帯をハンマーにて粉砕し、篩で粒径が２００μｍ以下のアモルファス金属粉末を選別した。
比較例２で得れらたアモルファス金属粉末を用い、実施例４で用いた金型に充填し、放電プラスマ焼結（成形温度：５００℃、成形圧力：２００ＭＰａ）によって成形して、本例のアモルファス金属成形体を得た。
得られたアモルファス金属成形体において、厚さ方向に平行な断面の組織をＳＥＭによって、観察した。任意の粒子３０個について、厚さ方向の粒径（短軸長さ）とプレス面と平行な方向の粒径（長軸長さ）を測定し、これらの平均からアスペクト比を算出した。
また、得られたアモルファス金属成形体において、プレス面と平行な方向が磁化方向になるように、試験片（厚さ：１ｍｍ、直径：５ｍｍ）を放電加工及び研磨加工にて作製した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向がプレス面と平行な方向になるようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
（比較例３）
［アモルファス金属成形体の作製］
比較例２で得られたアモルファス金属の薄帯リボンを、本例のアモルファス金属成形体とした。
［アモルファス金属成形体の作製］
比較例２で得られたアモルファス金属の薄帯リボンを、本例のアモルファス金属成形体とした。
得られたアモルファス金属成形体において、その表面にエポキシ樹脂を塗布し、割れを防止してから、内径５ｍｍのプレス打ち抜き機で打ち抜いて、試験片を作製した。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が薄帯の長手方向に成るようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
上記各例のアモルファス金属成形体の仕様を表１に示す。また、各例のアモルファス金属成形体の製造方法の仕様を表２に示す。
得られた試験片の磁化をＶＳＭにて測定した。その際、磁化方向が薄帯の長手方向に成るようにした。磁界は５０００Ａ／ｍまで印加し、磁束密度Ｂ１０、Ｂ５０００及び最大透磁率を測定した。透磁率は比透磁率μｒで表わした。
上記各例のアモルファス金属成形体の仕様を表１に示す。また、各例のアモルファス金属成形体の製造方法の仕様を表２に示す。
表１より、本発明の範囲に属する実施例１〜８の異方性を有するアモルファス金属成形体は、本発明外の比較例１〜３と比較して、保磁力が小さく、優れた透磁率を示す軟磁性成形体であることが分かる。
１ アモルファス金属成形体
１０ 超硬金型
１２ パンチ
１４ ダイ
１６ 割り型
１０ 超硬金型
１２ パンチ
１４ ダイ
１６ 割り型
Claims (8)
- 複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、
上記偏平状粒子は、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であることを特徴とするアモルファス金属成形体。 - 当該アモルファス金属成形体の５０体積％以上が、上記偏平状粒子で構成されることを特徴とする請求項１に記載のアモルファス金属成形体。
- 上記偏平状粒子は、その表面の全部又は一部に非磁性材料を含む被膜を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のアモルファス金属成形体。
- 上記偏平状粒子は、その表面の全部又は一部に絶縁性材料を含む被膜を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つの項に記載のアモルファス金属成形体。
- 複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有し、異方性を有するアモルファス金属成形体であって、
上記偏平状粒子は、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるアモルファス金属成形体の製造方法であって、下記の工程（Ａ）及び（Ｂ）
（Ａ）アモルファス金属粉末を配置する工程と、
（Ｂ）上記（Ａ）工程より後に実施され、上記アモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する工程と、
を含むことを特徴とするアモルファス金属成形体の製造方法。 - 上記（Ａ）工程において、アスペクト比が１〜１．５であるアモルファス金属粉末を主原料として用いることを特徴とする請求項５に記載のアモルファス金属成形体の製造方法。
- 上記（Ｂ）工程において、上記アモルファス金属粉末をそのガラス転移温度以上且つ結晶化開始温度未満の温度で、上記アモルファス金属粉末を一軸方向に伸展させ、次いで、ガラス転移温度−１００℃以下の温度に冷却することを特徴とする請求項５又は６に記載のアモルファス金属成形体の製造方法。
- 上記（Ｂ）工程において、上記アモルファス金属粉末を伸展させるに当たり、圧延成形又はプレス成形をすることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つの項に記載のアモルファス金属成形体の製造方法。
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