JP5055625B2 - ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法 - Google Patents
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Description
圧力 −80KPa以下
加熱時間 150秒以下
半田量 0.04g<x<0.1gの範囲(勿論チップサイズに依存)
温度 300℃〜320℃
半田 Au-Sn半田ペースト
この条件にて、図3に例示した真空過熱装置を用い、ホットプレート1の上に順に配置させた基板2、Au-Sn半田3、半導体チップ4を減圧チャンバー5で覆い、ホットプレート1からの加熱によりAu-Sn半田3が溶融している状態にて真空ポンプ6により減圧チャンバー5内を減圧する。
2 基板
3 Au-Sn半田
4 半導体チップ
5 減圧チャンバー
6 真空ポンプ
Claims (5)
- ワイドギャップ半導体チップの電極を基板に鉛フリー半田で真空環境にて半田付けする方法であって、加熱による鉛フリー半田の溶融状態にて、常圧状態中に一旦温度を下げた後、常圧状態から減圧状態を作り且つ温度を戻し、所定時間経過後に常圧状態に戻す、ことを特徴とするワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法。
- 鉛フリー半田がAu-Sn半田である、請求項1記載のワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法。
- 減圧状態が80KPa以下である、請求項1または2記載のワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法。
- 加熱温度が300℃〜320℃である、請求項1ないし3のいずれかに記載のワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法。
- 加熱時間が150秒以下である、請求項1ないし4のいずれかに記載のワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法。
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