JP5055095B2 - 測定装置及び測定方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定装置及び測定方法に関する。

例えば多層構造となされるプリント配線基板の製造工程においては、基板への高熱処理や液体への浸漬処理等が繰り返しなされ、基板が面方向に伸縮する等の変形が生じるという問題があった。
このため、従来から、特許文献１に開示されるような測定装置により基板各所の寸法を測長し、測長部位が所定の寸法に形成されているか否かを検査している。

特許文献１に開示の測定装置は、例えば非測定物である基板を載置する測定テーブルと、この測定テーブルの上方に設けられ、移動機構によりＸ−Ｙ方向に移動自在な一台のＣＣＤカメラとを具備している。
そして、基板上の測定部位となる例えば２点の基準マークをＣＣＤカメラにより夫々撮像し、カメラの移動量と撮像したマークの座標位置に基づき測長を行っている。
特開２０００−４６５２３号公報

ところで、特許文献１に開示の測定装置では、従来、アルミニウムやガラスで形成された測定テーブルをセラミックスで形成することで測定テーブルのうねりを小さくし、測定精度の向上を図っている。
しかしながら、近年では基板に形成される回路パターンが微細化し、特許文献１に開示の測定装置のように測定テーブルのうねりを小さく抑えても、測定誤差が生じ、高精度の測定が出来ないという課題があった。

また、測長の際、測定部位となる各基準マークの上方にＣＣＤカメラを移動させなければならないため、１枚の基板に対する測長に長時間を要し、効率が悪いという課題があった。
さらに、前記のように測長に時間を要するため、従来は、非測定物である基板は全枚数検査（測長）されることはなく、抜き取り検査されることが多かった。このため、測長結果に基づき、例えば露光マスクを作成しても、基板によっては、ずれが大きくなり、歩留まりが低下するという課題があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定装置において、高精度にマーク間距離を測定し、測定結果を後工程のデータベースとして出力することにより、ワークの歩留まりを向上することができる測定装置及び測定方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するためになされた、本発明にかかる測定装置は、基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定装置であって、前記複数の基板基準マークにそれぞれ対応すると共に、寸法が予め決められた複数のスケール基準マークが形成され、前記基板に対向して配置された透明ガラス板と、前記対応する基板基準マークとスケール基準マークとを組として同一画像領域内に撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された前記基板基準マークと前記スケール基準マークとの組毎に導出した２次元座標上距離と、前記複数のスケール基準マーク間距離とに基づき、前記基板基準マークのマーク間距離を算出する演算処理手段とを備えることに特徴を有する。

尚、前記各基板基準マークと前記組を構成する前記スケール基準マークは、少なくとも２つのサブマークにより構成されていることが望ましい。
また、前記各基板基準マークに対して前記撮像手段が１つずつ設けられていることが望ましい。
また、前記基板は、前記透明ガラス板の一面に密着することが望ましい。

このように本発明の測定装置においては、測定にあたり、基板基準マークとスケール基準マークとの２次元座標上距離が分かればよい。
即ち、スケール基準マークに対する基板基準マークの位置を特定可能な画像を撮像することで高精度に測定することができる。
また、各基板基準マークに対して設けられた撮像手段により略同時に撮像すれば、撮像された複数の画像データに基づき、直ぐに算出処理を行うことができる。したがって、各基板に対して高速に測定処理を進めることができ、非測定物である全ての基板に対して測定を行っても実用上問題ない。

また、本発明の測定装置によれば、測定結果を後工程のデータベースとして出力することで、後工程において例えば露光マスクの形成やレーザー直描処理を基板の伸縮に合わせて高精度に行うことができる。
また、全ての基板に対する測定を行うことにより、例えば測定結果が近似する（基板の）グループ単位での平均測定結果に基づき、マスクの形成やレーザー直描の制御を行うことができ、歩留まりを向上することができる。

また、前記課題を解決するためになされた、本発明にかかる測定方法は、基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定方法であって、透明ガラス板に形成され、寸法が予め決められた複数のスケール基準マークを撮像手段により撮像するステップと、前記複数のスケール基準マークにそれぞれ対応する前記複数の基板基準マークを前記撮像手段により撮像するステップと、前記撮像手段により撮像した前記複数のスケール基準マークの画像と前記複数の基板基準マークの画像とに基づき、対応する前記基板基準マークと前記スケール基準マークとを組として、組毎にそれらの間の２次元座標上距離を導出するステップと、前記組毎に導出した前記スケール基準マークと前記基板基準マークとの間の２次元座標上距離と、前記複数のスケール基準マーク間距離とに基づき、前記基板基準マークのマーク間距離を算出するステップとを実行することに特徴を有する。

或いは、本発明にかかる測定方法は、基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定方法であって、前記複数の基板基準マークにそれぞれ対応すると共に、寸法が予め決められた複数のスケール基準マークが形成された透明ガラス板に、前記基板を対向させるステップと、前記基板に設けられた各基板基準マークについて、対応する前記スケール基準マークと組にして撮像手段により同一画像領域内に撮像するステップと、前記撮像した前記基板基準マークと前記スケール基準マークの画像に基づき、前記基板基準マークとスケール基準マークとの組毎に、それらの間の２次元座標上距離を導出するステップと、前記組毎に導出した前記基板基準マークと前記スケール基準マークとの間の２次元座標上距離と、前記複数のスケール基準マーク間距離とに基づき、前記基板基準マークのマーク間距離を算出するステップとを実行することに特徴を有する。
このような方法によれば、前記した本発明に係る測定装置による効果と同様の効果を得ることができる。

本発明によれば、基板に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定装置において、高精度にマーク間距離を測定し、測定結果を後工程のデータベースとして出力することにより、ワークの歩留まりを向上することができる測定装置及び測定方法を得ることができる。

以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る測定装置を具備する誤差測定ユニット１００の側面図、図２はその平面図である。
誤差測定ユニット１００は、本発明に係る測定装置１と、ワークである基板Ｗを枚様式に測定装置１に投入するための投入装置２と、測定装置１による測定が終了した基板を搬出するための搬出装置３とで構成されている。

測定装置１は、基板Ｗの伸縮状態を測定し、その結果を出力する装置である。具体的には、図７に示すように四隅に例えば貫通孔（例えば直径３ｍｍ）が基板基準マークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４（以下、総じて基板基準マークＰとも呼ぶ）として形成された基板Ｗに対し、各マーク間ピッチ（距離）ＨＵ、ＨＤ、ＶＬ、ＶＲ、ＤＬ、ＤＲを測定する。即ち、その測定結果により基板Ｗの伸縮状態を知ることができる。尚、その構成及び処理については、詳細に後述する。

投入装置２においては、測定装置１に基板Ｗを投入するための投入手段５が設けられる。この投入手段５は、図１に示すように複数枚の基板Ｗが積み重ねられて載置され、昇降自在に設けられたステージ５ａと、ステージ５ａ上の基板Ｗを一枚ずつ測定装置１に送り込むためのローラ機構５ｂとを有している。

一方、搬出装置３は、測定装置１から搬出された基板Ｗを搬送ベルト８により搬送する搬送部６と、搬送される基板Ｗを受け取って収容するための１つ又は複数（図では３つ）の受取装置７を備えている。
各受取装置７は、昇降自在な受取ステージ７ａを備えており、夫々複数枚の基板Ｗを重ねて載置することが可能な構成となされている。

また、図示するように、受取装置７が複数の場合には、測定装置１における測定結果に基づいてグループ分けされ、搬送部６における各基板Ｗの搬送方向が制御され、各受取装置７に図示しない振り分け手段により振り分けられるようになされている。
尚、搬出コンベア装置３には、モニタ装置３０が設けられ、作業者によって測定装置１における測定結果の確認並びに受取装置７への振り分け結果の確認ができるようになされている。

次に本発明に係る測定装置１について図１、図２に加えて図３、図４を用い詳細に説明する。図３、図４は、測定装置１の主要部を拡大した側面図である。
測定装置１は、搬送方向に平行に設けられた２本の搬送ベルト９により基板Ｗを搬送する搬送部１０を備える。また、この搬送部１０においては、投入装置２から投入された基板Ｗを受け取るための２段のローラ機構１７（１７ａ、１７ｂ）と、搬出装置３に測定処理後の基板Ｗを送り出すための２段のローラ機構１８（１８ａ、１８ｂ）とが設けられている。

また、この搬送部１０においては、基板Ｗの位置を検出するために、搬送ベルト９の手前に設けられ、搬送される基板Ｗの終端を検出する搬入確認センサ４ａと、ローラ機構１８の後に設けられ、基板Ｗの終端を検出する搬出確認センサ４ｂとが設けられている。

このような搬送部１０において、投入装置２から基板Ｗが投入されると、ローラ機構１７により基板Ｗが受け取られ、図示しない幅寄せ機構により幅方向に位置合わせされ、搬送ベルト９により搬送される。そして、搬入確認センサ４ａによる基板Ｗ終端の検出がなされると、搬送ベルト９による搬送動作は一時停止し、基板Ｗは搬送ベルト９上から一旦引き離され、後述する所定の測定動作が行われる。
また、測定終了後の基板Ｗは、再び搬送ベルト９上に載置され、搬出装置３に向けて搬送される。そして、搬送される基板Ｗ終端が搬出確認センサ４ｂにより検出されると、基板Ｗが搬出されたと判断され、次の基板Ｗの搬送制御がなされる。

また、測定装置１において、図２に示すように２本の搬送ベルト９の間には垂直方向に昇降可能なテーブル１１が設けられている。
このテーブル１１は、図３、図４に示すように測定開始前に昇降機構１１ａの駆動によって上昇移動し、搬送ベルト９上を搬送されてきた基板Ｗを上面に吸着して搬送ベルト９から引き離し、基板Ｗをより上方に持ち上げるようになされている。

また、テーブル１１の上方には、少なくとも基板Ｗの上面全体を覆うことのできる大きさに形成され、測定される基板Ｗを下面側に密着する透明ガラス板１２が設けられている。この透明ガラス板１２は、その面が、テーブル１１上に吸着（載置）された基板Ｗの面に対し平行となるよう所定位置に固定されている。尚、図３、図４においては、透明ガラス板１２の固定手段は図示を省略している。
また、透明ガラス板１２の下面（基板Ｗに接する面）の四隅付近には夫々、図５、図６に示すように、予め諸寸法が決められたスケール基準マーク１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ）が設けられる。各スケール基準マーク１５は、四つの十字を示すサブマーク１６（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ）が方形（長方形、正方形等）の頂点部に配置される。

各サブマーク１６の十字を形成する線幅寸法Ｌ１は、例えば０．３ｍｍに形成される。また、各サブマーク１６間のピッチは、透明ガラス板１２の長手方向ピッチＬ２が例えば９ｍｍ、透明ガラス板１２の短手方向ピッチＬ３が例えば６ｍｍに形成されたものを用いることができる。
また、図６に示す、透明ガラス板１２における水平方向のスケール基準マーク１５間距離は、左下のスケール基準マーク１５のサブマーク１６ｂから右下のスケール基準マーク１５のサブマーク１６ｂまでの距離を例にするとＨ１に設定されている。
また、透明ガラス板１２における垂直方向のスケール基準マーク１５間距離は、左下のスケール基準マーク１５のサブマーク１６ｂから左上のスケール基準マーク１５のサブマーク１６ｂまでの距離を例にするとＶ１に設定されている。

さらに、透明ガラス板１２の四隅付近の上方には、基板Ｗの各基準マークＰに対して、その撮像手段であるＣＣＤカメラ１３が１台ずつ設けられている。これらのＣＣＤカメラ１３はフレーム１４により測定時には位置固定されているが、フレーム１４に沿って水平方向に移動可能に設けられており、基板Ｗのサイズ等に応じて固定位置が決定される。

尚、撮像手段を設けるその他の構成として、例えば１台の撮像手段としてのＣＣＤカメラを設け、そのカメラを測定時に移動制御することによって、各基板基準マークＰを撮像する構成が考えられる。しかしながら、そのように構成した場合、各マーク上方まで移動するのに時間を要し、スループット低下につながるという課題がある上、カメラの移動機構が必要になるため、コストが嵩むという課題がある。このため、本発明に係る測定装置においては、撮像手段は各基板基準マークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対して１台ずつのＣＣＤカメラを固定して設けるのが好ましい。

前記のように、測定開始前において基板Ｗはテーブル１１上に吸着（載置）され、上昇移動されるが、この上昇移動により、基板Ｗは図４に示すように透明ガラス板１２の裏面に密着する（基板Ｗと透明ガラス板１２の面同士が対向した状態で固定される）。

ここで、透明ガラス板１２は透明であるから、前記した基板Ｗにおける基板基準マークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４と、透明ガラス板１２におけるスケール基準マーク１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄとは図８に示すように、透明ガラス板１２側（ＣＣＤカメラ１３側）から同時に視認することができる。尚、各基板基準マークＰは、図９に示すように、スケール基準マーク１５内に位置することが好ましいが、その中心からずれていても構わない。

前記したように、各ＣＣＤカメラ１３は、夫々基板Ｗの四隅に設けられた各基板基準マークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を撮像する。これにより、図９に示すように１つの基板基準マークＰに対して、四つのサブマーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄからなる１つのスケール基準マーク１５が組として同一画像領域内に撮像される。

また、各ＣＣＤカメラ１３により撮像された各基板基準マークＰの画像データは、測定装置１に設けられた画像処理部２１（演算処理手段）に送られ、画像処理部２１において所定の解析処理が行われる。即ち、撮像された画像データに基づき図１０に示すような基板Ｗにおけるマーク間ピッチＨＵ、ＨＤ、ＶＬ、ＶＲ、ＤＬ、ＤＲが測定され、その測定結果が測定装置１に設けられた制御部２２に送られるようになされている。
尚、制御部２２は、測定結果を所定のフォーマットに沿って出力する。そして、測定結果に基づき測定後の基板Ｗをグループ分けし、搬出装置３に受取装置７に対する振り分け等の動作指示を行う。また、モニタ装置３０に測定結果等を表示する制御を行う。

続いて、ＣＣＤカメラ１３により撮像された画像に基づき、画像処理部２１が基板基準マークＰのマーク間ピッチＨＵ、ＨＤ、ＶＬ、ＶＲ、ＤＬ、ＤＲを算出する方法について説明する。
尚、基板基準マークＰを撮像するＣＣＤカメラ１３は、例えば３０万画素のものを用いることができる。図１１に示すように、その撮像画像Ｉは、水平方向（Ｈ）が６４０画素、垂直方向（Ｖ）が４８０画素を有する画像となる。

このＣＣＤカメラ１３による撮像画像Ｉを画像処理部２１において解析することで、撮像した物体の位置を二次元座標値として得ることができる。
具体的に説明すると、各ＣＣＤカメラ１３による撮影画像Ｉには、図１２に示すように基板Ｗの基準マークＰと共にガラス板１２に形成されたスケール基準マーク１５が撮像される。

尚、撮影画像Ｉに撮像されるこれらマークは、画像内の定位置に撮像されるとは限らず、また、ＣＣＤカメラ１３の固定位置がずれた場合には、図１３に示すようにスケール基準マーク１５に対して画像枠が傾いた状態で撮像され得る。
しかしながら、本発明に係る測定装置においては、撮像画像Ｉ内（同一画像領域内）に基板基準マークＰとスケール基準マーク１５とが撮像されていれば、スケール基準マーク１５を基準とする基板基準マークＰの２次元座標値を得ることができるので、図１３のように画像枠がマークに対して傾いていても構わない。

先ず、撮像画像Ｉが入力される画像処理部２１においては、撮像画像Ｉに基づく座標系をスケール基準マーク１５に基づく座標系に変換する。尚、スケール基準マーク１５に基づく座標系に対する撮像画像Ｉに基づく座標系の傾きは、撮像画像Ｉ中にスケール基準マーク１５が撮像されているため、容易に算出される。したがって、撮像画像Ｉ中の各マークのスケール基準マーク１５に基づく座標系への変換は、一般的な三角関数を用いて容易に行うことができる（変換式は容易に求めることができるため、その例示は省略する）。
次いで、スケール基準マーク１５を座標基準とする基板基準マークＰの座標位置が求められる。例えば、図１２、図１３に示すようにスケール基準マーク１５のサブマーク１６ｂを原点とする二次元座標値（Ｓｘ，Ｓｙ）が求められる。尚、画素に基づく座標値は所定の長さ単位（例えばｍｍ）に基づく座標値に変換される。

そして各基板基準マークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４について、図１４に示すように、それらが組をなすスケール基準マーク１５のサブマーク１６ｂを座標原点とする座標値Ｐ１（Ｓｘ₁、Ｓｙ₁）、Ｐ２（Ｓｘ₂、Ｓｙ₂）、Ｐ３（Ｓｘ₃、Ｓｙ₃）、Ｐ４（Ｓｘ₄、Ｓｙ₄）が求められる。
各基板基準マークＰの座標値が求められると、図１５に示す基板基準マークＰ１、Ｐ２間のピッチＨＤは、マークＰ１、Ｐ２間のｘ方向の差分をｅ１、ｙ方向の差分をｆ１とすると、式（１）により算出される。

また、基板基準マークＰ２、Ｐ３間のピッチＶＬは、図１５に示すようにマークＰ２、Ｐ３間のｘ方向の差分をｅ２、ｙ方向の差分をｆ２とすると、式（２）により算出される。

また、基板基準マークＰ３、Ｐ４間のピッチＨＵは、図１５に示すようにマークＰ３、Ｐ４間のｘ方向の差分をｅ３、ｙ方向の差分をｆ３とすると、式（３）により算出される。

また、基板基準マークＰ４、Ｐ１間のピッチＶＲは、図１５に示すようにマークＰ４、Ｐ１間のｘ方向の差分をｅ４、ｙ方向の差分をｆ４とすると、式（４）により算出される。

また、基板基準マークＰ１、Ｐ３間のピッチＤＬは、図１６に示すようにマークＰ１、Ｐ３間のｘ方向の差分をｅ５、ｙ方向の差分をｆ５とすると、式（５）により算出される。

また、基板基準マークＰ２、Ｐ４間のピッチＤＲは、図１６に示すようにマークＰ２、Ｐ４間のｘ方向の差分をｅ６、ｙ方向の差分をｆ６とすると、式（６）により算出される。

以上のように本発明に係る実施の形態によれば、基板基準マークＰのマーク間ピッチ測定にあたり、基板基準マークＰとスケール基準マーク１５（の各サブマーク１６）との２次元座標上距離が分かればよい。
即ち、スケール基準マーク１５に対する基板基準マークＰの位置を特定可能な画像を撮像できればよいため、ＣＣＤカメラ１３の撮像時の固定精度に拘わらず高精度に測定することができる。
また、各基板基準マークＰに対して１台ずつ設けられたＣＣＤカメラ１３により略同時に撮像すれば、撮像された複数の画像データに基づき、直ぐに算出処理を行うことができる。したがって、各基板Ｗに対して高速に測定処理を進めることができ、非測定物である全ての基板Ｗに対して測定を行っても実用上問題ない。

また、本発明の測定装置１によれば、測定結果を後工程のデータベースとして出力することで、後工程において例えば露光マスクの形成やレーザー直描処理を基板Ｗの伸縮に合わせて高精度に行うことができる。
また、全ての基板Ｗに対する測定を行うことにより、例えば測定結果が近似する（基板Ｗの）グループ単位での平均測定結果に基づき、マスクの形成やレーザー直描の制御を行うことができ、歩留まりを向上することができる。

尚、前記実施の形態においては、基板Ｗに設けられた基板基準マークＰを貫通孔として説明したが、非貫通孔であってもＣＣＤカメラ１３によりマークを認識できるため、本発明の測定装置を適用することができる。
また、透明ガラス板１２に設けたスケール基準マーク１５を構成するサブマーク１６は、十字マークとしたが、ＣＣＤカメラ１３による撮影画像において画像処理部２１が形を認識できれば他の形でも構わない。

また、そのサブマーク１６の数は１つのスケール基準マーク１５において４つとしたが、それに限定されず、１つの基板基準マークＰに対して少なくとも２つのサブマーク１６を設けていれば、２次元座標の水平、垂直両方向の距離を測定することができる。

また、前記実施の形態では、基板Ｗの基板基準マークＰと透明ガラス板１２のスケール基準マーク１５とを、ＣＣＤカメラ１３により同時に同一画像領域内に撮像する形態を示したが、ＣＣＤカメラ１３を固定していれば、基板基準マークＰのみの画像と、スケール基準マーク１５のみの画像を別々に撮像し、それら撮像画像に基づきマーク間ピッチを算出する構成としてもよい（例えば最初に透明ガラス板１２のスケール基準マーク１５のみを撮像し、その後、枚葉式に複数の基板Ｗの基板基準マークＰを撮像する等）。

本発明は、基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定装置に適用され、電子関連製品製造業等において用いることができる。

図１は、本発明に係る測定装置を具備する誤差測定ユニットの側面図である。 図２は、図１の誤差測定ユニットの平面図である。 図３は、本発明に係る測定装置の主要部を拡大した側面図である。 図４は、本発明に係る測定装置の主要部を拡大した他の状態を示す側面図である。 図５は、一つのスケール基準マークを示す図である。 図６は、透明ガラス板と、その面に沿って設けられたスケール基準マークを示す図である。 図７は、基板基準マークが形成されたワークとしての基板を示す図である。 図８は、透明ガラス板と基板とが密着した状態を示す平面図である。 図９は、スケール基準マーク１５内に位置する基板基準マークを示す図である。 図１０は、透明ガラス板により保持された基板において、測定されるマーク間ピッチを示す図である。 図１１は、ＣＣＤカメラの撮像画像を説明するための図である。 図１２は、ＣＣＤカメラにより撮像された基板基準マーク及びスケール基準マークを示す図である。 図１３は、ＣＣＤカメラにより撮像された基板基準マーク及びスケール基準マークを示す他の図である。 図１４は、各基板基準マークの測定される座標を示す図である。 図１５は、横方向及び横方向のマーク間ピッチを求める演算例を説明するための図である。 図１６は、対角線方向のマーク間ピッチを求める演算例を説明するための図である。

符号の説明

１ 測定装置
２ 投入装置
３ 搬出装置
５ 投入手段
５ａ ステージ
５ｂ ローラ機構
６ 搬送部
７ 受取装置
７ａ 受取ステージ
８ 搬送ベルト
９ 搬送ベルト
１０ 搬送部
１１ テーブル
１１ａ 昇降機構
１２ 透明ガラス板
１３ ＣＣＤカメラ（撮像手段）
１５ スケール基準マーク
１６ サブマーク
１７ ローラ機構
２１ 画像処理部（演算処理手段）
２２ 制御部
１００ 誤差測定ユニット
Ｐ 基板基準マーク
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定装置であって、
   前記複数の基板基準マークにそれぞれ対応すると共に、寸法が予め決められた複数のスケール基準マークが形成され、前記基板に対向して配置された透明ガラス板と、
   前記対応する基板基準マークとスケール基準マークとを組として同一画像領域内に撮像する撮像手段と、
   前記撮像手段により撮像された前記基板基準マークと前記スケール基準マークとの組毎に導出した２次元座標上距離と、前記複数のスケール基準マーク間距離とに基づき、前記基板基準マークのマーク間距離を算出する演算処理手段とを備えることを特徴とする測定装置。
2. 前記各基板基準マークと前記組を構成する前記スケール基準マークは、少なくとも２つのサブマークにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載された測定装置。
3. 前記各基板基準マークに対して前記撮像手段が１つずつ設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された測定装置。
4. 前記基板は、前記透明ガラス板の一面に密着することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された測定装置。
5. 基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定方法であって、
   透明ガラス板に形成され、寸法が予め決められた複数のスケール基準マークを撮像手段により撮像するステップと、
   前記複数のスケール基準マークにそれぞれ対応する前記複数の基板基準マークを前記撮像手段により撮像するステップと、
   前記撮像手段により撮像した前記複数のスケール基準マークの画像と前記複数の基板基準マークの画像とに基づき、対応する前記基板基準マークと前記スケール基準マークとを組として、組毎にそれらの間の２次元座標上距離を導出するステップと、
   前記組毎に導出した前記スケール基準マークと前記基板基準マークとの間の２次元座標上距離と、前記複数のスケール基準マーク間距離とに基づき、前記基板基準マークのマーク間距離を算出するステップとを実行することを特徴とする測定方法。
6. 基板の面に設けられた複数の基板基準マークのマーク間距離を測定する測定方法であって、
   前記複数の基板基準マークにそれぞれ対応すると共に、寸法が予め決められた複数のスケール基準マークが形成された透明ガラス板に、前記基板を対向させるステップと、
   前記基板に設けられた各基板基準マークについて、対応する前記スケール基準マークと組にして撮像手段により同一画像領域内に撮像するステップと、
   前記撮像した前記基板基準マークと前記スケール基準マークの画像に基づき、前記基板基準マークとスケール基準マークとの組毎に、それらの間の２次元座標上距離を導出するステップと、
   前記組毎に導出した前記基板基準マークと前記スケール基準マークとの間の２次元座標上距離と、前記複数のスケール基準マーク間距離とに基づき、前記基板基準マークのマーク間距離を算出するステップとを実行することを特徴とする測定方法。

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