JP5053004B2 - Semiconductor chip mounting apparatus and method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装装置、及びその実装方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor chip mounting apparatus for bonding a semiconductor chip to a heated substrate, and a mounting method thereof.
一般に、半導体チップを回路基板等の基材にボンディングするには、以下のように行う。図8(A)に示すように、一枚の半導体ウェーハ100が、フィルム状の接合材101を介してウェーハシート102に粘着してある。この半導体ウェーハ100と接合材101を、ダイサ(ダイヤモンドホイール)200で格子状に切断し、個々の半導体チップ103に分割する。
In general, a semiconductor chip is bonded to a base material such as a circuit board as follows. As shown in FIG. 8A, a
次に、図8(B)に示すように、エキスパンド装置(図示省略)によって、ウェーハシート102を放射状に引き伸ばして、半導体チップ103同士の間隔を拡大させる。そして、図8(C)に示すように、突き上げ部材300によって、1つの半導体チップ103をウェーハシート102の下方から突き上げて、接合材101の縁をウェーハシート102から剥離させる。突き上げた状態の半導体チップ103を、接合材101と一緒にコレット400で吸着してピックアップする。
Next, as shown in FIG. 8B, the
半導体チップ103をピックアップした後、図8(D)に示すように、予めヒータ500で加熱した基材600の上に、半導体チップ103を搬送し、コレット400で半導体チップ103を基材600へ押し付ける。加熱された基材600の熱によって接合材101が軟化されて、半導体チップ103が基材600に接着される。このように、コレットで半導体チップを1個ずつピックアップし、基材上にボンディングする工程を繰り返し行う。
After the
しかし、上記のように半導体チップのボンディング工程を繰り返すと、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝わり、コレットが次第に加熱される。そして、コレットがある温度(例えば、40℃)以上に加熱されると、コレットで半導体チップをピックアップする際に、コレットの熱が半導体チップの裏の接合材に伝導して、半導体チップがウェーハシートに貼り付く。この接合材の貼り付きによって、半導体チップをウェーハシートから安定してピックアップすることができなくなる問題がある。 However, when the bonding process of the semiconductor chip is repeated as described above, the heat of the base material is transmitted to the collet through the semiconductor chip, and the collet is gradually heated. When the collet is heated above a certain temperature (for example, 40 ° C.), when the semiconductor chip is picked up by the collet, the heat of the collet is conducted to the bonding material on the back of the semiconductor chip, and the semiconductor chip becomes a wafer sheet. Stick on. Due to the bonding of the bonding material, there is a problem that the semiconductor chip cannot be stably picked up from the wafer sheet.
上記の問題を解決するために、例えば特許文献1に示す半導体チップの実装装置が提案されている。この実装装置は、冷却流体を噴射可能な冷却ブローノズルを備える。そして、冷却ブローノズルからコレットに冷却流体を噴射して冷却し、コレットがボンディング時に加熱するのを抑制している。
ボンディング時のコレットの加熱を抑制するには、上記特許文献1のようにコレットを積極的に冷却する以外に、基材からコレットへ伝導する熱を低減することも効果的である。例えば、ボンディングの際のコレットと半導体チップとの接触時間を短縮することができれば、半導体チップを通じてコレットに伝導する基材の熱量を低減することが可能となる。
In order to suppress the heating of the collet at the time of bonding, it is also effective to reduce the heat conducted from the base material to the collet, in addition to actively cooling the collet as in
しかし、半導体チップを確実にボンディングするには、所定の時間(約1〜2秒)半導体チップを押圧する必要があり、上記特許文献1の実装装置の構成では、ボンディング工程におけるコレットと半導体チップとの接触時間を短縮することはできなかった。
However, in order to securely bond the semiconductor chip, it is necessary to press the semiconductor chip for a predetermined time (about 1 to 2 seconds). In the configuration of the mounting apparatus disclosed in
本発明は、上記課題に鑑みて、ボンディング工程におけるコレットと半導体チップとの接触時間を短縮することが可能な半導体チップの実装装置、及びその方法を提供する。 In view of the above problems, the present invention provides a semiconductor chip mounting apparatus and method that can shorten the contact time between a collet and a semiconductor chip in a bonding process.
請求項1の発明は、吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップし当該半導体チップを加熱された基材にボンディングするコレットを備えた半導体チップの実装装置において、前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記吸引口から流体を吹き出して前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成し、当該加圧流体層を形成している間、前記コレットが前記半導体チップに対して完全に非接触となるように構成したものである。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor chip mounting apparatus including a collet that sucks and picks up a semiconductor chip on a suction surface on which a suction port is formed and bonds the semiconductor chip to a heated substrate. When bonding to the base material, a fluid is blown out from the suction port to form a pressurized fluid layer between the adsorption surface and the semiconductor chip, and the collet is formed while the pressurized fluid layer is formed. Is configured to be completely non-contact with the semiconductor chip .
ボンディングする際に、コレットの吸引口から吹き出した流体が、コレットの吸着面と半導体チップとの間に流れることにより、加圧流体層が形成される。この加圧流体層によって、半導体チップは基材へ押し付けられ接着される。また、コレットと半導体チップは、加圧流体層が介在することにより非接触状態となるので、この間、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することがない。また、吸引口から吹き出す上記流体によって、コレットが冷却される。 When bonding, the fluid blown out from the collet suction port flows between the suction surface of the collet and the semiconductor chip, thereby forming a pressurized fluid layer. With this pressurized fluid layer, the semiconductor chip is pressed and bonded to the substrate. Further, since the collet and the semiconductor chip are brought into a non-contact state by interposing the pressurized fluid layer, the heat of the base material is not conducted to the collet through the semiconductor chip during this period. Further, the collet is cooled by the fluid blown from the suction port.
請求項2の発明は、請求項1に記載の半導体チップの実装装置において、前記流体を吹き出すための噴射口を、前記吸引口と独立して前記吸着面に形成したものである。 According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor chip mounting apparatus according to the first aspect, an ejection port for blowing out the fluid is formed on the suction surface independently of the suction port.
ボンディングの際に、噴射口から流体を噴射して、コレットの吸着面と半導体チップとの間に加圧流体層を形成する。上記請求項1の場合と同様に、この加圧流体層によって、半導体チップは基材へ押し付けられ接着される。また、コレットと半導体チップは、加圧流体層が介在することにより非接触状態となるので、この間、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することがない。また、噴射口から吹き出す流体によって、コレットが冷却される。 At the time of bonding, fluid is ejected from the ejection port to form a pressurized fluid layer between the collet adsorption surface and the semiconductor chip. As in the case of the first aspect, the semiconductor chip is pressed against and bonded to the substrate by the pressurized fluid layer. Further, since the collet and the semiconductor chip are brought into a non-contact state by interposing the pressurized fluid layer, the heat of the base material is not conducted to the collet through the semiconductor chip during this period. Further, the collet is cooled by the fluid blown out from the injection port.
請求項3の発明は、請求項2に記載の半導体チップの実装装置において、前記噴射口を、前記吸着面に複数形成すると共に、各噴射口を前記吸着面の中心に対して互いに対称に配設したものである。 According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor chip mounting apparatus according to the second aspect, a plurality of the injection ports are formed on the suction surface, and the injection ports are arranged symmetrically with respect to the center of the suction surface. It is set.
各噴射口が吸着面の中心に対して互いに対称に配設されているので、加圧流体層による押圧力が半導体チップに均一に作用する。これにより、半導体チップの基材へのボンディング精度が向上する。 Since each injection port is arranged symmetrically with respect to the center of the suction surface, the pressing force by the pressurized fluid layer acts uniformly on the semiconductor chip. Thereby, the bonding precision to the base material of a semiconductor chip improves.
請求項4の発明は、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体チップの実装装置において、前記流体を冷却媒体としたものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor chip mounting apparatus according to any one of the first to third aspects, the fluid is a cooling medium.
コレットの吸引口又は噴射口から冷却媒体を吹き出すことにより、コレットの冷却効果を高めることが可能である。 It is possible to enhance the cooling effect of the collet by blowing out the cooling medium from the suction port or the injection port of the collet.
請求項5の発明は、コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで半導体チップを前記基材に押し付ける工程と、前記吸引口から流体を吹き出して、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成し、当該加圧流体層を形成している間、前記コレットを前記半導体チップに対して完全に非接触にする工程と、前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する方法である。 According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor chip mounting method, the semiconductor chip is picked up and picked up by the suction surface on which the suction port of the collet is formed, and the semiconductor chip is bonded to a heated substrate with the collet. When bonding the semiconductor chip to the base material, a step of pressing the semiconductor chip against the base material with the collet, and a fluid is blown out from the suction port so that a pressurized fluid layer is formed between the suction surface and the semiconductor chip. And forming the pressurized fluid layer completely in contact with the semiconductor chip, and pressing the semiconductor chip against the substrate by the pressurized fluid layer. And completing the bonding.
コレットと半導体チップは、加圧流体層が介在することにより非接触状態となるので、この間、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することがない。また、吸引口から吹き出す流体によって、コレットが冷却される。 Since the collet and the semiconductor chip are brought into a non-contact state by interposing the pressurized fluid layer, the heat of the base material is not conducted to the collet through the semiconductor chip during this period. Further, the collet is cooled by the fluid blown from the suction port.
請求項6の発明は、請求項5に記載の半導体チップの実装方法において、前記半導体チップを前記基材にボンディングした後、前記コレットで次の半導体チップをピックアップするまでの間に、前記吸引口から前記流体を吹き出す方法である。 According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor chip mounting method according to the fifth aspect, after the semiconductor chip is bonded to the base material, the suction port is used until the next semiconductor chip is picked up by the collet. This is a method for blowing out the fluid.
ボンディング後、次のチップをピックアップするまでの間に吹き出す流体によって、コレットが冷却される。つまり、流体の吹き出し時間を長く確保することによって、コレットの冷却を確実に行う。 After the bonding, the collet is cooled by the fluid blown out before the next chip is picked up. In other words, the collet is reliably cooled by ensuring a long fluid blowing time.
請求項7の発明は、コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで吸着した半導体チップを前記基材に接近させる工程と、前記吸引口から流体を吹き出して、前記半導体チップを前記基材上に落下させると共に、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成し、当該加圧流体層を形成している間、前記コレットを前記半導体チップに対して完全に非接触にする工程と、前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する方法である。
The invention of
このボンディング工程において、コレットは半導体チップを介して基材と接触することが全くない。従って、基材の熱が半導体チップを通じてコレットに伝導することがない。 In this bonding process, the collet does not come into contact with the base material via the semiconductor chip. Therefore, the heat of the base material is not conducted to the collet through the semiconductor chip.
本発明によれば、ボンディングの際に、コレットから吹き出す空気圧(加圧流体層)によって半導体チップを基材へ押圧するので、コレットと半導体チップとの接触時間を短くすることができる。これにより、ボンディング時に基材から半導体チップを通じてコレットに伝達される熱を少なくすることができ、コレットの加熱を抑制することが可能である。そして、その後のピックアップ工程において、コレットから半導体チップの裏面の接合材へ熱伝達することによる接合材の貼り付きを防止することができる。 According to the present invention, during bonding, the semiconductor chip is pressed against the substrate by the air pressure (pressurized fluid layer) blown from the collet, so that the contact time between the collet and the semiconductor chip can be shortened. Thereby, the heat transmitted from the base material to the collet through the semiconductor chip at the time of bonding can be reduced, and the heating of the collet can be suppressed. Then, in the subsequent pick-up process, sticking of the bonding material due to heat transfer from the collet to the bonding material on the back surface of the semiconductor chip can be prevented.
以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
図1及び図2は、本発明に係る半導体チップの実装装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1と図2に示すように、本発明の実装装置は、半導体チップをピックアップするための吸引口70を有するコレット1と、コレット1を保持するコレットホルダ2と、真空発生装置3と、流体供給装置4と、前記真空発生装置3及び流体供給装置4を択一的にコレット1の吸引口70に連通させる切換弁5と、切換弁5を制御する制御部6とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
1 and 2 are schematic configuration diagrams showing an embodiment of a semiconductor chip mounting apparatus according to the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, the mounting apparatus of the present invention includes a
また、本発明の実装装置は、コレット1及びコレットホルダ2を、半導体チップをピックアップするピックアップポジションと、その半導体チップを基材にボンディングするボンディングポジションとの間で水平往復移動させる水平移動機構と、コレット1及びコレットホルダ2を、ピックアップポジションとボンディングポジションで昇降させる昇降機構とを備える(図示省略)。
In addition, the mounting apparatus of the present invention includes a horizontal movement mechanism that horizontally moves the
コレット1とコレットホルダ2には、通気孔7が連続して形成されている。この通気孔7の下端は、コレット1の吸着面1aに開口しており、その開口部が上記吸引口70となっている。
The
図3は、コレット1の吸着面1aを示す図である。図3に示すように、この実施形態では、吸着面1aに吸引口70が5つ開設されている。具体的には、四角形に形成された吸着面1aの中心と四隅にそれぞれ吸引口70が形成され、これら吸引口70は、吸着面1aの中心に対して互いに対称とされている。なお、コレット1の吸着面1aの形状、吸引口70の個数や大きさ又は位置などは、図3に示す実施形態に限らない。
FIG. 3 is a view showing the suction surface 1 a of the
上記真空発生装置3と流体供給装置4は、それぞれ例えば真空ポンプとエアコンプレッサ等で構成される。また、切換弁5は3ポートタイプの電磁式切換弁5である。切換弁5の2つのポートは、真空発生装置3及び流体供給装置4のそれぞれに管路8,9を介して接続されており、切換弁5の残りの1ポートは、通気孔7と連通連結した共通管路10に接続されている。この切換弁5を制御部6で切り換えることによって、真空発生装置3及び流体供給装置4に接続した各流路8,9を、共通管路10に択一的に連通させるように構成されている。
The
すなわち、切換弁5が図1に示す状態にある場合は、真空発生装置3と共通管路10が連通しており、コレット1の吸引口70から空気を吸引するようになる。また、切換弁5が図2に示す状態にある場合は、流体供給装置4と共通管路10が連通して、吸引口70から空気を吹き出すようになる。
That is, when the switching
また、図4に示すように、コレット1の吸着面1aに、空気を吹き出すための噴射口70aを、空気を吸引するための吸引口70bと独立して形成してもよい。例えば、コレット1及びコレットホルダ2に、噴射用の通気孔7aと吸引用の通気孔7bをそれぞれ独立して設け、噴射用の通気孔7aに流体供給装置4を連通連結すると共に、吸引用の通気孔7bに真空発生装置3を連通連結する。これら噴射口70a及び吸引口70bは、それぞれ複数設けてもよい。
Moreover, as shown in FIG. 4, you may form in the suction surface 1a of the
以下、図5と図6に基づいて、上記実装装置を使用した半導体チップの実装方法について説明する。
図5において、(A)は半導体ウェーハの切断工程、(B)はエキスパンド工程、(C)は半導体チップのピックアップ工程を示す。また、図6(A)(B)は、半導体チップのボンディング工程を示している。
Hereinafter, a semiconductor chip mounting method using the mounting apparatus will be described with reference to FIGS.
5A shows a semiconductor wafer cutting process, FIG. 5B shows an expanding process, and FIG. 5C shows a semiconductor chip pick-up process. 6A and 6B show a semiconductor chip bonding process.
まず、図5(A)に示すように、ウェーハシート11の上に、フィルム状の接合材12を介して配設した半導体ウェーハ13を、ダイサ14で接合材12ごと切断して、多数の半導体チップ15に分割する。次いで、図5(B)に示すように、エキスパンド装置(図示省略)によって、ウェーハシート11を放射状に引き伸ばして、半導体チップ15同士の間隔を拡大させる。
First, as shown in FIG. 5 (A), a
図5(C)に示すように、多数の半導体チップ15のうちの1つを、突き上げ部材16で突き上げる。突き上げた半導体チップ15の上方(ピックアップポジション)にコレット1を移動させ、コレット1をその半導体チップ15に接近させる。このとき、切換弁5は図1に示す状態となっており、コレット1の吸引口70から吸い込まれる空気によって、半導体チップ15をコレット1に吸着する。そして、コレット1で半導体チップ15を吸引したままピックアップして、ボンディングポジションへ搬送する。
As shown in FIG. 5C, one of a large number of
次に、本発明の特徴部分であるボンディング工程について説明する。
図6(A)に示すように、前記ピックアップポジションでピックアップした半導体チップ15を、ヒータ18で加熱した基材17の上方(ボンディングポジション)に配置する。そして、コレット1を降下させて半導体チップ15を基材17に所定時間押し付ける。
Next, the bonding process which is a characteristic part of the present invention will be described.
As shown in FIG. 6A, the
その後、切換弁5を図2に示す状態に切り換えて、図6(B)に示すように、吸引口70から空気を所定時間吹き出す。この吹き出した空気によって、コレット1の吸着面1aと半導体チップ15との間に均一な加圧流体層が形成される。つまり、このときコレット1は加圧流体層によって若干上方に浮き上がり、コレット1と半導体チップ15とが非接触状態となる。一方、半導体チップ15は、吸引口70から吹き出した空気圧(加圧流体層)によって基材17に押し付けられる。また、これら吸引口70は、吸着面1aの中心に対して互いに対称であるため、半導体チップ15には均一な空気圧が作用する。
Thereafter, the switching
上記コレット1による押し付けと、その後の加圧流体層による押し付けによって、半導体チップ15の裏面の接合材12に基材17の熱が伝わって軟化し、半導体チップ15が基材17に接着される。そして、ボンディング工程を終えた後、コレット1を次の半導体チップ15のピックアップポジションへ移動させ、切換弁5を図1に示す吸引可能な状態に切り換える。以後、同様に、ピックアップ工程とボンディング工程とを繰り返す。
By the pressing by the
本発明では、ボンディングの際に、コレット1から吹き出す空気圧(加圧流体層)によって半導体チップ15を基材17へ押圧することができる。言い換えれば、所定時間の間、コレット1と半導体チップ15を非接触状態にして、半導体チップ15をボンディングすることが可能である。従って、ボンディング工程において、コレット1と半導体チップ15との接触時間を短くすることができる。これにより、基材17から半導体チップ15を通じてコレット1に伝達される熱を少なくして、コレット1の加熱を抑制することが可能である。
In the present invention, the
また、吸引口70から吹き出した空気が、コレット1の吸着面1aに沿って流れることにより、コレット1の特に吸着面1aが冷却される。この実施形態では、流体供給装置4から供給される流体は、空気であるが、ボンディング時に半導体チップ等が酸化しないように窒素等の不活性ガスを供給したり、あるいは、コレット1の冷却効果を一層向上させるため冷却媒体を供給するように構成してもよい。
Further, the air blown out from the
そして、上記ボンディング工程における、コレット1の加熱を抑制することによって、その後のピックアップ工程における、コレット1からの接合材12への熱伝導を抑制することができる。これにより、ピックアップ時の接合材のウェーハシートへの貼り付きを防止することが可能となる。
And by suppressing the heating of the
また、図7(A)(B)に基づいて、本発明の他のボンディング工程を説明する。なお、ピックアップ工程については、図5で説明したのと同様であるので説明を省略する。
図7(A)に示すように、ピックアップポジションでピックアップした半導体チップ15を、ヒータ18で加熱した基材17に接近させる。このとき、半導体チップ15は、コレット1に吸着されたまま基材17と僅かに離れた状態で保持されている。
Further, another bonding process of the present invention will be described with reference to FIGS. The pickup process is the same as that described with reference to FIG.
As shown in FIG. 7A, the
そして、切換弁5を図2に示す状態に切り換えて、図7(B)に示すように、吸引口70から空気を所定時間吹き出す。これにより、コレット1に吸着保持していた半導体チップ15が基材17の上に落下すると共に、コレット1(の吸着面1a)と半導体チップ15との間に均一に形成された加圧流体層によって、半導体チップ15が基材17に押し付けられる。
Then, the switching
この加圧流体層による押し付けによって、半導体チップ15の裏面の接合材12に基材17の熱が伝わって軟化し、半導体チップ15が基材17に接着される。
By the pressing by the pressurized fluid layer, the heat of the
図7に示すボンディング方法によれば、コレット1は(半導体チップ15を介して)基材17に全く接触せずに、半導体チップ15をボンディングすることができる。従って、基材17の熱が半導体チップ15を通じてコレット1に伝導することがなく、コレット1の加熱が防止される。なお、この実施形態の場合、半導体チップ15をコレット1から基材17上に落下させたときに、半導体チップ15を基材17上の所定の位置に高精度に配置するための位置決め機構を設けてもよい。
According to the bonding method shown in FIG. 7, the
また、ボンディング工程後、次の半導体チップ15をピックアップするまでの間に、吸引口70から空気を吹き出して、コレット1の冷却時間を十分に確保するようにしてもよい。
Further, after the bonding process and before the
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更を加え得ることは勿論である。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, Of course, a various change can be added in the range which does not deviate from the summary of this invention.
1 コレット
1a 吸着面
15 半導体チップ
17 基材
70 吸引口
70a 噴射口
70b 吸引口
1 Collet
Claims (7)
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記吸引口から流体を吹き出して前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成し、当該加圧流体層を形成している間、前記コレットが前記半導体チップに対して完全に非接触となるように構成したことを特徴とする半導体チップの実装装置。 In a semiconductor chip mounting apparatus comprising a collet that sucks and picks up a semiconductor chip on a suction surface where a suction port is formed, and bonds the semiconductor chip to a heated substrate.
When bonding the semiconductor chip to the substrate, fluid is blown out from the suction port to form a pressurized fluid layer between the suction surface and the semiconductor chip, thereby forming the pressurized fluid layer. In the meantime , the semiconductor chip mounting apparatus is configured such that the collet is completely non-contact with the semiconductor chip.
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで半導体チップを前記基材に押し付ける工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成し、当該加圧流体層を形成している間、前記コレットを前記半導体チップに対して完全に非接触にする工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。 In the semiconductor chip mounting method of adsorbing and picking up the semiconductor chip on the suction surface on which the suction port of the collet is formed, and bonding the semiconductor chip to a heated substrate with the collet,
A step of pressing the semiconductor chip against the substrate with the collet when bonding the semiconductor chip to the substrate;
A fluid is blown out from the suction port to form a pressurized fluid layer between the suction surface and the semiconductor chip. While the pressurized fluid layer is formed , the collet is completely attached to the semiconductor chip. A non-contacting process;
And a step of pressing the semiconductor chip against the substrate by the pressurized fluid layer to complete the bonding.
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで吸着した半導体チップを前記基材に接近させる工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記半導体チップを前記基材上に落下させると共に、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成し、当該加圧流体層を形成している間、前記コレットを前記半導体チップに対して完全に非接触にする工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。 In the semiconductor chip mounting method of adsorbing and picking up the semiconductor chip on the suction surface on which the suction port of the collet is formed, and bonding the semiconductor chip to a heated substrate with the collet,
A step of bringing the semiconductor chip adsorbed by the collet closer to the base material when bonding the semiconductor chip to the base material;
A fluid is blown out from the suction port to drop the semiconductor chip onto the substrate, and a pressurized fluid layer is formed between the adsorption surface and the semiconductor chip, and the pressurized fluid layer is formed. While making the collet completely non-contact with the semiconductor chip ,
And a step of pressing the semiconductor chip against the substrate by the pressurized fluid layer to complete the bonding.
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