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JPH05335405A - Wafer mounting stand and manufacturing equipment of semiconductor device - Google Patents

Wafer mounting stand and manufacturing equipment of semiconductor device

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Publication number
JPH05335405A
JPH05335405A JP13874692A JP13874692A JPH05335405A JP H05335405 A JPH05335405 A JP H05335405A JP 13874692 A JP13874692 A JP 13874692A JP 13874692 A JP13874692 A JP 13874692A JP H05335405 A JPH05335405 A JP H05335405A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
suction
wafer
sheet
mounting
trenches
Prior art date
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Pending
Application number
JP13874692A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriyasu Kashima
Akira Ushijima
Shoji Yamamoto
規安 加島
庄司 山本
彰 牛島
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

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Abstract

PURPOSE: To obtain a wafer mounting stand which can prevent failures and the deterioration of operating efficiency which are to be generated when an IC chip is taken out from a semiconductor wafer, and constitute a compact manufacturing equipment of a semiconductor device.
CONSTITUTION: The title wafer mounting stand 1 is provided with the following; a plurality of protrusions 22 which retain the lower surface of an IC chip via an adhesive sheet at the tip parts, suction trenches 23 formed at the valley parts of the protrusions 22, and a vacuum equipment 29 which is connected with the suction trenches 23 via a connection pipe 27 and peels the adhesive sheet from the IC chip by generating suction force in the suction trenches 23. The peeled adhesive sheet is sucked onto the valley parts.
COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば、ダイシング済みの半導体ウエハを保持するウエハ載置台、および、 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention, for example, a wafer mounting table for holding a diced semiconductor wafer and,
このウエハ載置台に保持された半導体ウエハからICチップを取り出し、これを基板にボンディングする半導体装置製造装置に関するものである。 From this wafer mounting semiconductor wafer held by the table removed IC chip, which relates to a semiconductor device manufacturing apparatus for bonding to the substrate.

【0002】 [0002]

【従来の技術】ダイボンディング装置、インナ−リ−ドボンディング装置等の半導体装置製造装置は、図11 BACKGROUND OF THE INVENTION die bonding apparatus, the inner - Li - semiconductor device manufacturing apparatus such as a de-bonding apparatus, 11
(a)、(b)に示すようにダイシング済みの半導体ウエハ3(以下「ウエハ」という)が貼付された粘着シ− (A), the adhesive sheet affixed the diced semiconductor wafer 3 as shown in (b) (hereinafter referred to as "wafer") -
ト1を保持リング2で保持し、このウエハ3からダイシングにより個々に分離されたICチップ4…を取り出す。 Holding the sheet 1 in the retaining ring 2, take out the IC chip 4 ... which are individually separated by dicing from the wafer 3. このような半導体装置製造装置として、従来、特開昭59−161040号公報に開示されたものがある。 As such a semiconductor device manufacturing apparatus, conventionally, there is disclosed in JP-A-59-161040.

【0003】この公報に開示された半導体装置の製造装置は、図12に示すように、粘着シ−ト1を介してダイシング済みの半導体ウエハ3を保持する保持リング2 [0003] apparatus for manufacturing a semiconductor device disclosed in this publication, as shown in FIG. 12, the adhesive sheet - the retaining ring through the sheet 1 for holding a diced semiconductor wafer 3 2
と、保持リング2の外縁部を保持するウエハ載置用XY When the wafer mounting XY for holding the outer edge of the retaining ring 2
テ−ブル5と、上記粘着シ−ト1の裏面に接するように設けられた円筒状のシ−ト吸着ノズル6と、このシ−ト吸着ノズル6の内部に設けられ、針状の先端をこのシ− Te - a table 5, the adhesive sheet - with bets suction nozzle 6, the sheet - - cylindrical shape, which is provided in contact with the back surface of the sheet 1 of sheet provided inside the preparative suction nozzle 6, the needle-like tip this poem -
ト吸着ノズル6の上端開口から突出させることで上記粘着シ−ト1を介して所定のICチップ4を突き上げる突き上げピン7と、この突き上げピン7の上方に設けられICチップ4を撮像するテレビカメラ8と、上記突き上げピン7によって突き上げられたICチップ4を真空吸着して移載するピックアップヘッド9と、一軸テ−ブル10および回転テ−ブル11上に設けられ、上記ICチップ4が移載されるICチップ載置台12と、このIC By protruded from the upper end opening of the bets the suction nozzle 6 above the adhesive sheet - via sheet 1 and the push-up pin 7 push up the predetermined IC chip 4, imaging the IC chip 4 is provided above the push-up pin 7 a television camera 8, the pick-up head 9 for the mounting moves in the IC chip 4 which is pushed up by the push-up pin 7 by vacuum suction, uniaxial Te - table 10 and the rotary tape - provided on the table 11, the IC chip 4 is transferred an IC chip mounting table 12 to be, the IC
チップ載置台12によってICチップ4が位置決めされる所定のボンディング位置Aの上方にTABテ−プ13 Upwardly TAB tape of a predetermined bonding position A IC chip 4 is positioned by the chip mounting table 12 - flop 13
を間欠位置決めする図示しないテ−プ搬送機構と、上記ICチップ4とTABテ−プ13とを接合する加熱ツ− Te not shown intermittently positioning - the flop transport mechanism, the IC chip 4 and the TAB tape - heating tool for joining the flop 13 -
ル14を有するボンディングヘッド15とで構成されている。 It is composed of a bonding head 15 having Le 14.

【0004】この装置は、上記ウエハ1からICチップ4を取り出すために、初めに、取り出すべき所定のIC [0004] This, in order to take out the IC chip 4 from the wafer 1, at the beginning, a predetermined IC to retrieve
チップ4を上記シ−ト吸着ノズル6に対応する位置に位置決めし、上記テレビカメラ8でICチップ4の不良検出を行った後、上記シ−ト吸着ノズル6を作動させて上記粘着シ−ト1を吸着すると共に、突き上げピン7を突出駆動することで、上記ICチップ4を粘着シ−ト1から引き剥がして突き上げる。 The chip 4 above - is positioned at a position corresponding to the preparative suction nozzle 6, after the failure detection of the IC chip 4 by the television camera 8, the sheet - by actuating the door suction nozzle 6 above the adhesive sheet - DOO with adsorbs 1, by driving the push-up pin 7 projects, the IC chip 4 adhesive sheet - thrusts peeled from sheet 1. そして、このICチップ4 Then, the IC chip 4
を上記ピックアップヘッド9で真空吸着することで、上記ウエハ3から取り出すのである。 The by vacuum suction at the pick-up head 9 is take out from the wafer 3.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従来の半導体装置製造装置には、以下に説明するような問題点がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, in the conventional semiconductor device manufacturing apparatus described above, there are problems as described below.

【0006】第1に、上述の半導体装置の製造装置は、 [0006] First, the manufacturing apparatus of the above-described semiconductor device,
上記ICチップ4…を一個ずつ上記粘着シ−ト1から引き剥がしてはボンディングするため、生産性を上げるには、ICチップ4の移載動作を早くする必要がある。 The IC chip 4 ... the one by the adhesive sheet - Because peeled from sheet 1 bonded to raise the productivity, it is necessary to quickly transfer operation of the IC chip 4.

【0007】しかし、そのために上記突き上げピン7の上昇動作を早くすると、ICチップ4の周囲に付着している微細なSi屑(ダイシング屑)が周囲に飛び散り、 However, when quickly raising operation of the push-up pin 7 Therefore, fine Si debris adhering to the periphery of the IC chip 4 (dicing debris) is scattering around,
隣接するICチップ4の上面に付着することがある。 It may adhere to the upper surface of the adjacent IC chip 4. このような場合、そのICチップ4をコレット9で吸着する時に、このコレット9の下面でSi屑をICチップ4 In this case, the IC chip 4 when adsorbed by the collet 9, the Si chips IC chip 4 on the lower surface of the collet 9
の表面に押し付けることとなるので、上記ICチップ4 Since the be pressed against the surface of the IC chip 4
の表面が損傷し、製品に作動不良が生じるということがあった。 Surface is damaged, there is that malfunction in the product.

【0008】第2に、上記ウエハ3およびICチップ4 [0008] Second, the wafer 3 and the IC chip 4
は年々大型化が進んでいる。 Upsizing is progressing year by year. 従来の半導体装置の製造装置では、ICチップ4を取り出す位置が上記突き上げピン7に対向する一点(定位置)のみであるために、例えば直径8インチのウエハ3からすべてのICチップ4… The apparatus for manufacturing a conventional semiconductor device, a point position of taking IC chip 4 is opposed to the push-up pin 7 in order (position) is only, for example, all of the IC chip from the wafer 3 8-inch diameter 4 ...
を取り出すためには、この8インチのウエハ3を±8インチのストロ−クで移動しなければならず装置が大型化するという問題がある。 To retrieve the stroke of the wafer 3 of 8 inches ± 8 in - must be moved using the clock unit there is a problem that size.

【0009】第3に、上述の装置においては、上記IC Thirdly, in the apparatus described above, the IC
チップ4の大きさに応じて突き上げピン7を複数本にしたり、その配置を決定する必要があると共に、上記IC The pin 7 push-up according to the size of the chip 4 or the plurality, the need to determine the placement, the IC
チップ4の種類に応じて突き上げピン7の突き上げ速度を変える必要があり、品種切り替えに時間を要するということがある。 It is necessary to change the push-up speed of the pin 7 push-up according to the type of chip 4, may be referred to takes time to type switching.

【0010】第4に、大型のICチップ4を安定的に持ち上げるには、上述のように複数の突き上げピン7…を設けることが必要である。 [0010] Fourth, lift a large IC chip 4 stably, it is necessary to provide a plurality of push-up pins 7 ... a as described above. しかし、例えば長辺10m However, for example, long side 10m
m、短辺1mmといった長方形のICチップ4を突き上げる場合には、上記複数のピン7…は略1直線上(最大1mm幅)に配置されることなる。 m, when pushing up the rectangular IC chip 4 such short sides 1mm consists that the plurality of pins 7 ... are disposed in substantially one straight line (up to 1mm width). したがって、略1本の線で支えることとなるので、突き上げたICチップ4 Therefore, since the be supported in substantially one line, IC chip 4 push-up
の姿勢が不安定になる。 Attitude becomes unstable. このため、吸着ミスを起し易く、装置の可動率が低下するという問題がある。 Therefore, easily cause suction error, operation rate of the apparatus is lowered.

【0011】この発明は、このような問題点に鑑みて成されたもので、半導体ウエハからのICチップを取り出す場合に生ずる不良や稼働率の低下を防ぐことができ、 [0011] The present invention has been made in view of such problems, it is possible to prevent a reduction in failure and operation rate that occurs when taking out the IC chip from the semiconductor wafer,
しかも半導体装置製造装置をコンパクトに構成することができるウエハ載置台を提供することを目的とするものである。 Moreover it is an object to provide a wafer mounting table can be made compact semiconductor device manufacturing apparatus.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段は、個々のICチップにダイシングされた半導体ウエハを粘着シ−トに貼付した状態で保持するウエハ載置台において、所定間隔で設けられ、頂部で上記粘着シ−トを介して上記ICチップの下面を保持する複数の突起と、 According to a first aspect of the means of the invention, a semiconductor wafer is diced into individual IC chips adhesive sheet - in the wafer mounting table for holding in a state of being attached to preparative, provided at predetermined intervals the adhesive sheet at the top - and a plurality of protrusions for holding the lower surface of the IC chip via the bets,
上記複数の突起の谷部に形成された吸引溝と、この吸引溝に接続され、上記吸引溝に吸引力を発生させることで、上記粘着シ−トを上記ICチップから剥離して上記突起の谷部に吸着する真空手段とを具備することを特徴とするウエハ載置台である。 A suction groove formed in the valleys of the plurality of protrusions are connected to the suction groove, by generating a suction force to said suction groove, the adhesive sheet - the projections the door peeled from the IC chip a wafer table characterized by comprising a vacuum means for attracting the valley.

【0013】第2の手段は、上記第1の手段のウエハ載置台において、上記複数の突起は、頂部が線状であって、所定間隔で並列に設けられていることを特徴とするものである。 [0013] The second means is the wafer mounting table of the first means, the plurality of protrusions, in which the top portion is a linear, characterized in that provided in parallel at predetermined intervals is there.

【0014】第3の手段は、個々のICチップにダイシングされた半導体ウエハを粘着シ−トに貼付した状態で複数枚収納するウエハマガジンと、このウエハマガジンから上記半導体ウエハを取り出して搬送するウエハ搬送手段と、このウエハ搬送手段から上記半導体ウエハを受けとり、上面に形成された複数の突起の頂部で上記粘着シ−トを介して個々のICチップの下面を保持すると共に、上記複数の突起の谷部に形成された吸引溝に吸引力を発生させることで、上記粘着シ−トを上記ICチップから剥離させるウエハ載置台と、上記ウエハ載置台の複数の突起の頂部に保持されたICチップを取り出して搬送するICチップ搬送手段と、このICチップ搬送手段から上記ICチップを受けとり、このICチップを基板にボンディングす Wafer carrying a wafer magazine plurality housed in a state of being attached to bets from the wafer magazine is taken out of the above semiconductor wafer - A third means is a semiconductor wafer is diced into individual IC chips adhesive sheet and conveying means receives the semiconductor wafer from the wafer transfer means, at the top of the plurality of protrusions formed on the upper surface the adhesive sheet - through the door holds the lower surface of each IC chip, the plurality of projections by generating a suction force to the suction groove formed in the valleys, the adhesive sheet - and the wafer mounting table for peeling from the IC chip bets, IC chips which are held on top of the plurality of projections of the wafer table an IC chip conveying means for conveying removed receives the IC chip from the IC chip conveying means, to bond the IC chip to the substrate ボンディング手段とからなることを特徴とする半導体装置製造装置である。 A semiconductor device manufacturing apparatus characterized by comprising a bonding medium.

【0015】 [0015]

【作用】このような構成によれば、真空手段を作動させることで、上記粘着シ−トとICチップの接触部を、上記突起の頂部に対応する数点(線)にすることができるから、このICチップを上記粘着シ−トから引き剥がして取り出すことができる。 SUMMARY OF According to this structure, by operating the vacuum means, the adhesive sheet - the contact portion of the bets and the IC chip, because it can be several points corresponding to the top of the projection (line) , the IC chip the adhesive sheet - can be taken peeled from bets. そして、このICチップを基板にボンディングすることができる。 Then, it is possible to bond the IC chip to the substrate.

【0016】 [0016]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図1〜図10を参照して説明する。 EXAMPLES Hereinafter, a description will be given of an embodiment of the present invention with reference to Figs. なお、従来例と同一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略する。 Incidentally, description thereof will be given the same reference numerals in the conventional example and the same components will be omitted. まず第1の実施例について図1〜図4を参照して説明する。 For first first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0017】図2に示すのは、インナ−リ−ドボンディング装置である。 [0017] Figure 2 shows the inner - is de bonder - Li. このインナ−リ−ドボンディング装置は、ダイシングされたウエハを保持するウエハ保持装置17を具備する。 The inner - Li - de-bonding apparatus is provided with a wafer holding device 17 which holds the diced wafer.

【0018】このウエハ保持装置17は、図1(b)に示すように、ウエハ3が載置されるウエハ載置台21 [0018] The wafer holding device 17, as shown in FIG. 1 (b), the wafer mounting table 21 on which the wafer 3 is placed
と、このウエハ載置台21を保持するホルダ25とを有する。 When, and a holder 25 for holding the wafer mounting table 21.

【0019】また、図1(a)に示すように、上記ウエハ載置台21は円板状をなし、上面(載置面)21aには複数の突起22…がマトリックス状に形成されている。 Further, as shown in FIG. 1 (a), the wafer mounting table 21 forms a disc shape, on the upper surface (mounting surface) 21a is a plurality of projections 22 are formed in a matrix. この複数の突起22…は、突起22…の頂部の間隔が、上記ICチップ4の一辺の長さの半分以下になるように設定されて設けられている。 The plurality of projections 22, the spacing of the top of the projections 22 are provided is set to be less than half the length of one side of the IC chip 4.

【0020】また、上記載置面21aの、上記複数の突起22…の谷に相当する部分には吸引溝23が凹設されている。 Further, the mounting surface 21a, the suction groove 23 is recessed in the portion corresponding to the plurality of projections 22 ... valley of. この吸引溝23は互いに接続され格子状を成していて、この格子状の吸引溝23の所定の部位には、このウエハ載置台21の下面にまで貫通する吸引孔24が複数個開口している。 The suction grooves 23 have forms a connected grid pattern with each other, the predetermined portion of the lattice-shaped suction groove 23, the suction holes 24 penetrating to the lower surface of the wafer mounting table 21 by a plurality openings there.

【0021】このウエハ載置台21は、例えば、アルミ合金を切削加工することによって形成され、上記突起2 [0021] The wafer table 21 is, for example, be formed by cutting an aluminum alloy, the projection 2
2の頂部には、磨耗防止のために、硬質アルマイト処理が施されている。 The second top, in order to prevent wear, hard alumite treatment is applied.

【0022】一方、このウエハ載置台21は、図1 On the other hand, the wafer table 21, Fig. 1
(b)に示すように、ホルダ25の上部に設けられた凹部25aに挿入され保持されている。 (B), the are inserted into the recess 25a provided on the upper portion of the holder 25 is retained. 上記ホルダ25の上記ウエハ載置台21の下面に当接する面には、上記吸引孔24に対応する位置にこの吸引孔24に連通する吸気孔26が開口している。 The surface contacting the lower surface of the wafer mounting table 21 of the holder 25, suction holes 26 communicating with the suction holes 24 at positions corresponding to the suction hole 24 is opened. この吸気孔26は内部で連結されると共にこのホルダ25の下面中央部から取り出されて吸引管27に接続されている。 The suction holes 26 are connected to the suction pipe 27 is taken out from the central portion of the lower surface of the holder 25 while being connected internally.

【0023】この吸引管27はバルブ28を介して真空装置29に接続されている。 [0023] The suction pipe 27 is connected to a vacuum device 29 via a valve 28. したがって、この真空装置29を作動させ、上記バルブ28を開くことで、上記ウエハ載置台21の吸引溝23には吸引力が発生するようになっている。 Accordingly, by operating the vacuum device 29, by opening the valve 28, so that the suction force is generated in the suction grooves 23 of the wafer mounting table 21.

【0024】また、上記ホルダ25の下面には加熱手段としてのヒ−タ30が固定されている。 Further, the lower surface of the holder 25 heat as a heating unit - motor 30 is fixed. このヒ−タ30 This non - data 30
は温度制御装置31に接続されている。 It is connected to a temperature controller 31. 上記ヒ−タ30 The non - data 30
は上記ホルダ25を介して上記ウエハ載置台21を加熱し、この載置台21に設けられた突起22…を50〜8 Is heating the wafer mounting table 21 via the holder 25, the projections 22 provided on the mounting table 21 50-8
0℃に加熱し保温するようになっている。 Was heated to 0 ℃ is adapted to keep warm. このような構成のウエハ保持装置17は、上述したように、図2に示す上記インナ−リ−ドボンディング装置に組み込まれている。 Such a configuration of the wafer holding device 17, as described above, the inner 2 - are incorporated into the de-bonding apparatus - Li.

【0025】このウエハ保持装置17の側方には、上下方向に位置決め駆動されるウエハマガジン36が設けられている。 [0025] the side of the wafer holding device 17, the wafer magazine 36 is provided which is driven positioned vertically. このウエハマガジン36内には、ダイシング済みのウエハ3が、粘着シ−ト1を介して保持リング2 The wafer magazine 36, diced wafer 3, the adhesive sheet - held via the sheet 1 ring 2
に保持された状態(図11に示す)で、複数枚収納されている。 While being held in (11), a plurality Holds.

【0026】上記ウエハ3を保持した保持リング2は、 [0026] The retaining ring 2 holding the wafer 3,
XYロボット32のY軸に搭載された搬送チャック37 Transport mounted on the Y axis of the XY robot 32 chucks 37
(ウエハ搬送手段)により、上記マガジン36から取り出され、上記ウエハ載置台21上に載置される。 The (wafer transfer means), taken from the magazine 36, it is placed on the wafer mounting table 21.

【0027】一方、上記XYロボット32には、上記ウエハ載置台21上に載置されたウエハ3から、個々に分離されたICチップ4を取り出すピックアップヘッド3 On the other hand, in the XY robot 32, the wafer 3 placed on the wafer stage 21, a pickup head 3 for taking out the IC chip 4 which has been individually separated
3(ICチップ搬送手段)が搭載されている。 3 (IC chip conveying means) is mounted. このピックアップヘッド33には、上記ウエハ載置台21に載置されたウエハ3の個々のICチップ4…の位置、不良マーク、割れ欠け等を検出する検出手段としてのテレビカメラ34と、上記ICチップ4を真空吸着して搬送するためのコレット35とが設けられている。 The pick-up head 33, the individual IC chips 4 ... position of the wafer 3 placed on the wafer stage 21, bad marks, the television camera 34 as a detecting means for detecting a crack chipping, the IC chip 4 a collet 35 for conveying by vacuum suction is provided a.

【0028】さらに、上記XYロボット32は、上記ピックアップヘッド33を上記ウエハ保持装置17のY方向前方に設けられたボンディングステ−ジ37に位置決めするようになっている。 Furthermore, the XY robot 32, the pick-up head 33 bonded stearyl provided in the Y direction in front of the wafer holding device 17 - is adapted to positioning di 37. 上記ボンディングステ−ジ3 The bonding stearate - di 3
7は、XYZθ軸で構成され、上記ICチップ4をボンディング位置AであるTABテ−プ13の下側へ位置決めする。 7 is composed of XYZθ shaft, the IC chip 4 to the bonding position A in which TAB tape - positioning the lower-flop 13.

【0029】このTABテ−プ13は、送りリ−ル3 [0029] The TAB tape - flop 13 sends Li - Le 3
8、38によって図に矢印で示す方向に間欠送り駆動されるようになっていて、このTABテ−プに形成されたインナ−リ−ド13aをボンディング位置Aに設けられたガイドプレ−ト39の開口39a内に順次停止させる。 By 8, 38 in the direction indicated by the arrow in FIG optionally adapted to be intermittently feed drive, the TAB tape - inner formed flop - Li - provided the de 13a to the bonding position A Guide pre - DOO 39 sequentially stopped at in the opening 39a.

【0030】このガイドプレ−ト39の上方には、ボンディングツ−ル40(ボンディング手段)が設けられている。 [0030] The guide pre - Above the bets 39, bonding tool - le 40 (bonding means) is provided. このボンディングツ−ル40は、上記ICチップ4が上記ガイドプレ−ト39の開口39a内に位置決めされたインナ−リ−ド13aに対向させられたならば下降し、上記インナ−リ−ド13aとICチップ4の電極とを加熱加圧することで接合するようになっている。 The bonding tool - le 40, the IC chip 4 is the guide pre - inner positioned in the opening 39a of bets 39 - Li - lowered if were to face the de 13a, the inner - Li - de 13a It is adapted to bonding by heating and pressing an electrode of the IC chip 4 and.

【0031】次に、上記インナ−リ−ドボンディング装置において、上記ウエハ載置台21に保持されたウエハ3からICチップ4を取り出す動作について図3、図4 Next, the inner - Li - in de-bonding apparatus, the operation of taking out the IC chip 4 from the wafer 3 held by the wafer stage 21 3, 4
を参照して詳しく説明する。 With reference to be described in detail.

【0032】上記ウエハ載置台21上には、外縁部を上記保持リング2によって保持され、ウエハ3を上面に保持する粘着シ−ト1が、下面を上記突起22の頂部に当接させた状態で載置される。 [0032] On the wafer stage 21, the outer edge is held by the retaining ring 2, the pressure-sensitive adhesive sheet for holding the wafer 3 on the upper surface - state sheet 1 is, in which the lower surface is in contact with the top of the protrusion 22 in is placed. ついで、図3(a)に示すように、上記保持リング2は上記ホルダ25の外周面に沿って下方向に駆動される。 Then, as shown in FIG. 3 (a), the retaining ring 2 is driven down along the outer peripheral surface of the holder 25. このことで、上記粘着シ− In this, the adhesive sheet -
ト1は径方向外側に引き伸ばされ、これとともに上記ダイシングされたウエハ3は個々のICチップ4…に分離する。 Sheet 1 is stretched radially outward, which wafer 3 which is the dicing together are separated into individual IC chips 4 .... このとき、図4(a)に示すように、上記チップ4の下面は少なくとも4つの突起22…で支持されるようになっている。 At this time, as shown in FIG. 4 (a), so that the lower surface of the chip 4 is supported at least four projections 22 at.

【0033】ついで、ヒ−タ30を作動させて上記粘着シ−ト1を軟化させると共に、上記真空装置29を作動させて、上記載置台21に設けられた吸引溝23と粘着シ−トで区画された空間Bに吸引力を発生させる。 [0033] Then, heat - actuates the motor 30 the adhesive sheet - with softening the sheet 1, by operating the vacuum device 29, the suction grooves 23 provided in the mounting table 21 adhesive sheet - in DOO generating a suction force to the partitioned space B. 上記粘着シ−ト1は軟化しているため、容易に上記ダイシング済みのウエハ3から剥がれ、図3(b)、図4(b) The pressure-sensitive sheet - for sheet 1 is softened, easily peeled off from the dicing wafers 3, FIG. 3 (b), the FIG. 4 (b)
に示すように、谷に相当する部分に吸着される。 As shown in, it is adsorbed to a portion corresponding to the valley.

【0034】なお、上記吸引溝23は凹状に形成されているので、上記粘着シ−ト1が吸引されても、この吸引溝23は塞がれることはない。 [0034] Since the suction groove 23 is formed in a concave shape, the adhesive sheet - even sheet 1 is sucked, is not that the suction grooves 23 is closed. このことで、上記粘着シ−ト1は隅々まで上記突起22の谷の部分に吸着される。 In this, the adhesive sheet - sheet 1 is attracted to the valley portion of the protrusion 22 to every corner. この作用によって、上記ICチップ4は少なくとも4つの点(突起22の頂部)で支持された状態になる。 This action will support state with at least four points the IC chip 4 (the top portion of the projection 22).

【0035】ついで、上記XYロボット32を作動させ、上記コレット35をXY方向に駆動し所定のICチップ4に対向位置決めする。 [0035] Then, by operating the XY robot 32, to face positioned in a predetermined IC chip 4 to drive the collet 35 in the XY direction. ついで、このコレット35 Then, this collet 35
でそのICチップ4を真空吸着することで、このICチップ4を取り出す。 In the IC chip 4 by vacuum suction, taken out the IC chip 4. この時、上記ICチップ4と上記粘着シ−ト1とは上記突起22の頂部に対応する点のみで接触しているにすぎないので上記コレット35の吸引力でこのICチップ4を上記粘着シ−ト1から容易に引き剥がすことができる。 At this time, the IC chip 4 and the adhesive sheet - sheet 1 because only in contact only at a point corresponding to the top of the IC chip 4 by the suction force of the collet 35 above the projection 22 sticking the sheet - it can be easily peeled off from the door 1.

【0036】このような構成によれば、ICチップ4を突き上げピンなどで突き上げることなく上記粘着シ−ト1から剥離することができるので、ICチップ4を破損させることなく取り出すことができる。 According to such a configuration, the adhesive sheet without pushing up an IC chip 4 thrust pins, etc. - it is possible to peel the sheet 1 can be taken out without damaging the IC chip 4.

【0037】また、上記ICチップ4は、少なくとも4 [0037] In addition, the IC chip 4, at least 4
つ以上の突起22の頂部で保持されているので、コレット35で吸着する際に、このICチップ4が傾くことがない。 One or more because it is held at the top of the protrusion 22, when attracted by the collet 35, is prevented from tilting the IC chip 4. したがって、ICチップ4の吸着ミスを少なくすることができる。 Therefore, it is possible to reduce the suction error of the IC chip 4.

【0038】また、従来例のように突き上げピン7に対して上記ウエハ3を位置決め駆動する必要がないので、 Further, since there is no need to drive and position the wafer 3 with respect to push-up pin 7 as in the prior art,
その分、省スペ−ス化が図れ、半導体製造装置(インナ−リ−ドボンディング装置)をコンパクト化することができる効果もある。 Correspondingly, space saving - gasification is Hakare, semiconductor manufacturing device effects also which can be made compact (inner - - Li de bonding apparatus).

【0039】さらに、従来のウエハ載置台と異なり、ウエハ3一枚分のICチップ4…を一度に粘着シ−ト1から剥離できるので、工程数が減り、その分上記半導体装置製造装置の生産能率を向上させることができる。 [0039] Further, unlike the conventional wafer mounting table, the wafer 3 one sheet of the IC chip 4 ... adhesive sheet at a time - it is possible to peel the sheet 1 reduces the number of steps, the production of correspondingly the semiconductor device manufacturing apparatus it is possible to improve the efficiency.

【0040】また、このようなウエハ載置台21であれば、上記粘着シ−ト1が上記突起22の谷の部分に吸着された場合において、上記ICチップ4と粘着シ−ト1 [0040] In addition, if such a wafer mounting table 21, the adhesive sheet - when the sheet 1 is attracted to a portion of the valley of the projection 22, the adhesive and the IC chip 4 - sheet 1
との接触点が少なくとも3点以上でかつその接触点の粘着力よりもコレット35の吸着力の方が勝っていることを条件に、一種類のウエハ載置台21で、数種のICチップ4の取り出しに対応することができる。 On condition that the contact point is winning is more attractive force of the collet 35 than and at least 3 or more points adhesion of the point of contact with, one type of wafer table 21, several IC chips 4 it can correspond to the take-out. したがって、従来例のようにICチップ4の品種毎にピンの突き上げ速度や配置を変更しなくてもよいので、作業性が良くなる。 Therefore, it is not necessary to change the pin pushing-up speed and arranged for each type of the IC chip 4 as in the conventional example, the better the workability. 次に、第2の実施例について図5を参照して説明する。 It will now be described with reference to FIG. 5 for the second embodiment.

【0041】上述の一実施例では、正方形または正方形に近いICチップ4を取り出す場合について説明したが、液晶ドライバ用ICやサ−マルプリンタヘッド用I [0041] In the foregoing embodiment has described the case of taking IC chips 4 close to a square or square, IC for a liquid crystal driver Yasa - I for Mar printer head
Cの中には、例えば長辺10ミリ、短辺1ミリ程度の細長いものがある。 Some C, for example the long sides 10 mm is elongated ones as about shorter side 1 mm.

【0042】このような細長いICチップ4´については、上記一実施例で示した形状のウエハ載置台21では常に4点以上で支えることは困難で、ICチップ4´が不安定になる場合もあると考えられる。 [0042] Such elongated IC chip 4 ', to support in at the indicated shape of the wafer mounting table 21 in the always 4 or more points above an embodiment is difficult, even if the IC chip 4' becomes unstable It is believed that there is. すなわち、上記ICチップ4´を2点以下で支える場合には、このIC That is, when supporting the IC chip 4 'in the following two points, the IC
チップ4´が吸着の際に傾いてしまう恐れがある。 Chip 4 'there is a possibility that inclined during adsorption. 第2 The second
の実施例は、このように細長いICチップ4´の取り出しに適したウエハ載置台41である。 Examples of a wafer mounting table 41 which is suitable for extraction of the thus elongated IC chip 4 '.

【0043】この第2の実施例のウエハ載置台41は、 The wafer mounting table 41 of the second embodiment,
図5(a)に示すように峰状(頂部が線状)の突起42 Figure 5 Minejo as shown in (a) (like tops line) projections 42
…が複数本、並列に形成され、上記複数の突起42の谷に相当する部分には、吸引溝43が凹設されている。 ... is a plurality of, are formed in parallel, the portions corresponding to the valley of the plurality of protrusions 42, the suction groove 43 is recessed. また、上記ウエハ載置台41には、上記吸引溝43と直交する直径方向に沿って、各吸引溝を43を接続するための連通溝43aが形成されている。 Further, in the wafer mounting table 41, along a diameter direction perpendicular to the suction groove 43, the communication groove 43a for each suction groove connecting 43 are formed. なお、上記峰状の突起42の頂部の間隔は、上記ICチップ4´の長辺よりも短く(狭く)なるように設定されている。 The distance of the top of the peak-like projection 42 is set to be shorter (narrower) than the long side of the IC chip 4 '.

【0044】このウエハ載置台41は、図5(b)に示すように、第1の実施例と同様にホルダ25に保持され、例えば図2を引用して示すインナ−リ−ドボンディング装置に組み込まれる。 [0044] The wafer mounting table 41, as shown in FIG. 5 (b), is held in the first embodiment similarly to the holder 25, the inner shown with reference to FIG. 2, for example - Li - to de-bonding apparatus It is incorporated.

【0045】そして、上記ウエハ載置台41上に粘着シ−ト1を介して保持リング2に保持されたダイシング済みの半導体ウエハ3は、個々のICチップ4´の長辺が上記ウエハ載置台41の峰状の突起42と直交するように載置される。 [0045] Then, the adhesive on the wafer stage 41 - diced semiconductor wafer 3 held by the holding ring 2 via the sheet 1, the long sides the wafer mounting table of the individual IC chips 4 '41 It is placed so as to be perpendicular to the peaks like projection 42 of the.

【0046】ついで、上記真空装置29が作動することで、上記第1の実施例と同様に、粘着シ−ト1は上記I [0046] Then, by the vacuum device 29 is activated, as in the first embodiment, the adhesive sheet - sheet 1 is the I
Cチップ4の下面から剥離して上記突起42の谷に相当する部分に吸着される。 Peeled from the lower surface of the C chip 4 is adsorbed on the portion corresponding to the valley of the projection 42. このことで、上記ICチップ4 In this, the IC chip 4
は峰状の突起42で少なくとも2線(突起22の線状の頂部)で支えられ、水平に保持される。 It is supported at least two wire in-peaked projections 42 (linear top portion of the projection 22) is horizontally held.

【0047】このような構成によれば、細長いICチップ4´であっても、第1の実施例と同様に、針状の突き上げピンを用いることなく、このICチップ4´を安定的に取り出すことができる効果がある。 [0047] According to such a configuration, even elongated IC chip 4 ', as in the first embodiment, without using a needle-like push-up pin, retrieve this IC chip 4'stably there is an effect that can be. 次に、第3〜第7の実施例について説明する。 It will be described third to seventh embodiments. なお、第1、第2の実施例と同一の構成要素には、同一符号を付してその説明は省略する。 The first, components identical to the second embodiment, a description thereof will be omitted with the same reference numerals. この第3〜第7の実施例は、第1、第2の実施例において説明した粘着シ−ト1の加熱方法の改良に関するものである。 Embodiment of the third to seventh, first, the adhesive sheet described in the second embodiment - to an improvement of the sheet 1 heating method.

【0048】すなわち、上記第1、第2の実施例においては、上記粘着シ−ト1を軟化させるために、上記ホルダ25の下面に加熱ヒ−タ30を固定していた。 [0048] That is, in the first and second embodiments, the adhesive sheet - to soften the sheet 1, heated heat on the lower surface of the holder 25 - had to fix the motor 30. このため、上記ホルダ25を回転駆動し、上記ウエハ3をθ方向に位置決めする場合には、これと共に加熱ヒ−タ30 Therefore, when the rotating driving the holder 25, positioning the wafer 3 in the θ direction, which together with the heating heat - motor 30
も回転させる必要がある。 It is necessary to also rotate. このため、慣性力が増して位置決め精度が悪くなったり、この加熱ヒ−タ35のコ− Accordingly, or positioning accuracy deteriorates increases inertia, the heating heat - data 35 co -
ド等が邪魔になることが考えられる。 It is conceivable that earth or gets in the way.

【0049】そこで、第3の実施例では、上記ホルダ2 [0049] Therefore, in the third embodiment, the holder 2
5に図示しない上下機構を設け、このホルダ25を上記加熱ヒ−タ30に対して上下可能にした。 5 the upper and lower mechanism (not shown) provided on, the holder 25 above the heating heat - allowed up and down with respect to data 30. そして、上記粘着シ−ト1を加熱する場合には、このホルダ25の下面を上記加熱ヒ−タ30に当接させ、ウエハ3を回転位置決めする際には、上記ホルダ25の下面と加熱ヒ−タ30とを離間させ、上記ホルダ25のみを回転させるようにしたものである。 Then, the adhesive sheet - in case of heating the sheet 1 is a lower surface of the holder 25 above the heating heat - is brought into contact with the motor 30, when the wafer 3 rotates positioning, heating heat the lower surface of the holder 25 - by separating the data 30 is obtained by so as to rotate only the holder 25.

【0050】このような構成によれば、上記加熱ヒ−タ30をホルダ25の下面と接離するようにしたので、上記ウエハ3を回転位置決めする際の慣性重量の低減を図ることができると共に上記加熱ヒ−タ30のコ−ドが邪魔になるという不具合は解消される。 [0050] According to this structure, the heating heat - since in the data 30 and the lower surface of the holder 25 toward and away from, it is possible to reduce the inertia weight when rotating positioning the wafer 3 the heating heat - data 30 co - the problem that de does impair is eliminated.

【0051】また、第4の実施例では、上記ホルダ25 [0051] In the fourth embodiment, the holder 25
の下面に所定隙間を存してコイル50を配置した。 It was placed coil 50 to exist a predetermined gap on the lower surface of the. このコイル50は高周波電源51に接続されている。 The coil 50 is connected to a high frequency power source 51. この高周波電源51を作動させることで、上記コイル50には高周波電流が流れ、上記ホルダ25は高周波加熱される。 This By operating the high frequency power source 51, the above-mentioned coil 50 high-frequency current flows, the holder 25 is high-frequency heating.

【0052】このような構成によれば、上記ホルダ25 [0052] According to this construction, the holder 25
を非接触で加熱することができるので、上記ウエハ3を回転位置決めする際に慣性力が増したり上記加熱ヒ−タ30のコ−ドが邪魔になるというような不具合はない。 It can be heated with non-contact, the heating heat or increase inertia force when the rotational positioning of the wafer 3 - data 30 co - de is not problem such that it becomes a hindrance.

【0053】一方、上記第1、第2の実施例では、上記粘着シ−ト1を軟化させるために、上記ウエハ載置台2 Meanwhile, in the first and second embodiments, the adhesive sheet - to soften the sheet 1, the wafer mounting table 2
1(41)を保持するホルダ25をも加熱する必要がある。 1 (41) must also be heated holder 25 for holding the. このため、上記粘着シ−ト1の加熱に時間がかかるということが考えられる。 Therefore, the adhesive sheet - it is conceivable that it takes time to heat the sheet 1.

【0054】そこで、第5の実施例では、図8に示すように、加熱手段として、熱風源44を用いたものである。 [0054] Therefore, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 8, as a heating means, in which a hot-air source 44. この熱風源44は、上記粘着シ−ト1上に貼付されたウエハ3の上方に対向位置決めされ、このウエハ3に熱風45を吹き付ける。 The hot air source 44, the adhesive sheet - is opposed positioned above the wafer 3 which is attached on the sheet 1, blowing hot air 45 to the wafer 3. このことで上記粘着シ−ト1の温度を直接的に上昇させ、この粘着シ−ト1を軟化させる。 The adhesive sheet in this - the temperature of the sheet 1 directly increases the, the adhesive sheet - softening the sheet 1.

【0055】また、第6の実施例では、図9に示すように、加熱手段として、板状の遠赤外線ヒ−タ46を用いる。 [0055] In the sixth embodiment, as shown in FIG. 9, as the heating means, a plate-shaped far infrared heat - using data 46. この遠赤外線ヒ−タ46は、上記ウエハ3の上方に対向位置決めされ、この遠赤外線ヒ−タ46からの輻射熱47で上記粘着シ−ト1を加熱し、軟化させるのである。 The far infrared heat - motor 46 is opposed positioned above the wafer 3, the far-infrared heat - the adhesive sheet in the radiant heat 47 from the motor 46 - heating the sheet 1 is to soften.

【0056】第7の実施例では、図10に示すように、 [0056] In the seventh embodiment, as shown in FIG. 10,
加熱手段としてレ−ザ光源48を用いる。 Les as the heating means - a laser light source 48 is used. このレ−ザ光源48からレ−ザ光49をレンズを介して上記ウエハ3 The Le - The light source 48 a fit - the wafer 3 a laser light 49 through the lens
に照射することで、上記粘着シ−ト1を加熱し、軟化させる。 By irradiating the above adhesive sheet - heating the sheet 1, to soften.

【0057】この第5〜第7の実施例によれば、上記ホルダ25への熱伝導が少ないため、上記粘着シ−ト1を軟化させるための加熱時間を短縮することができる。 [0057] According to the fifth to seventh embodiment, since heat transfer to the holder 25 is small, the adhesive sheet - it is possible to shorten the heating time to soften the sheet 1. このことで、ボンディングのサイクルタイムが短縮され製造能率が向上する。 This is, the bonding cycle time is shortened to improve the production efficiency. また、消費電力も節約することができる。 Further, power consumption can be saved. なお、この発明は、上記一実施例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications may be made within the scope not changing the gist of the invention.

【0058】例えば、上記一実施例では、上記載置台はインナ−リ−ドボンディング装置に組み込まれたが、これに限定されるものではなく、例えばダイボンディング装置等、その他の半導体製造装置に組み込まれるようにしても良い。 [0058] For example, in the above embodiment, the mounting table is inner - Li - were incorporated into a de-bonding apparatus is not limited thereto, incorporated for example die bonding apparatus or the like, to other semiconductor manufacturing device it may be is.

【0059】また、上記粘着シ−ト1が柔軟である場合には、必ずしも加熱手段(加熱ヒ−タ30等)は必要ではない。 [0059] Further, the adhesive sheet - when sheet 1 is flexible is not necessarily heating unit (heating heat - motor 30, etc.) is not required. 要は、上記粘着シ−ト1が、吸引力により上記ICチップ4から剥離して上記突起22(42)の谷部に吸着されるような構成であれば良い。 In short, the adhesive sheet - sheet 1 is peeled from the IC chip 4 may be a configuration as adsorbed to the valleys of the projection 22 (42) by suction force.

【0060】 [0060]

【発明の効果】以上述べたように、この発明の第1の構成は、個々のICチップにダイシングされた半導体ウエハを粘着シ−トに貼付した状態で保持するウエハ載置台において、所定間隔で設けられ、頂部で上記粘着シ−トを介して上記ICチップの下面を保持する複数の突起と、上記複数の突起の谷部に形成された吸引溝と、この吸引溝に接続され、上記吸引溝に吸引力を発生させることで、上記粘着シ−トを上記ICチップから剥離して上記突起の谷部に吸着する真空手段とを具備するウエハ載置台である。 As described above, according to the present invention, the first configuration of the invention, a semiconductor wafer is diced into individual IC chips adhesive sheet - in the wafer mounting table for holding in a state of being attached to the bets, at predetermined intervals provided, the adhesive sheet at the top - and a plurality of protrusions for holding the lower surface of the IC chip through the door, and a suction groove formed in the valleys of the plurality of protrusions are connected to the suction groove, the suction by generating a suction force into the groove, the adhesive sheet - is a wafer mounting table; and a vacuum means for the door are separated from the IC chip to adsorb the valley of the projection. また、第2の構成は、上記第1の構成のウエハ載置台において、上記複数の突起は、頂部が線状であって、所定間隔で並列に設けられているものである。 The second configuration, the wafer mounting table of the first configuration, the plurality of protrusions, the top is a linear, in which are provided in parallel at predetermined intervals.

【0061】第3の構成は、個々のICチップにダイシングされた半導体ウエハを粘着シ−トに貼付した状態で複数枚収納するウエハマガジンと、このウエハマガジンから上記半導体ウエハを取り出して搬送するウエハ搬送手段と、このウエハ搬送手段から上記半導体ウエハを受けとり、上面に形成された複数の突起の頂部で上記粘着シ−トを介して個々のICチップの下面を保持すると共に、上記複数の突起の谷部に形成された吸引溝に吸引力を発生させることで、上記粘着シ−トを上記ICチップから剥離させるウエハ載置台と、上記ウエハ載置台の複数の突起の頂部に保持されたICチップを取り出して搬送するICチップ搬送手段と、このICチップ搬送手段から上記ICチップを受けとり、このICチップを基板にボンディングす Wafer carrying a wafer magazine plurality housed in a state of being attached to bets from the wafer magazine is taken out of the above semiconductor wafer - [0061] A third configuration, the semiconductor wafer is diced into individual IC chips adhesive sheet and conveying means receives the semiconductor wafer from the wafer transfer means, at the top of the plurality of protrusions formed on the upper surface the adhesive sheet - through the door holds the lower surface of each IC chip, the plurality of projections by generating a suction force to the suction groove formed in the valleys, the adhesive sheet - and the wafer mounting table for peeling from the IC chip bets, IC chips which are held on top of the plurality of projections of the wafer table an IC chip conveying means for conveying removed receives the IC chip from the IC chip conveying means, to bond the IC chip to the substrate ボンディング手段とからなる半導体装置製造装置である。 A semiconductor device manufacturing apparatus comprising a bonding medium.

【0062】このような構成によれば、ICチップを粘着シ−トから分離し、取り出す際に、このICチップを破損させることが少なくなる。 [0062] According to this configuration, the IC chip adhesive sheet - separated from preparative, upon removal, thereby damaging the IC chip is reduced. また、半導体ウエハ一枚分のICチップを一度に分離するので従来の装置に比べて生産能率が向上する。 Furthermore, production efficiency is improved compared with the conventional device because the separation of the semiconductor wafer one sheet of IC chips at one time.

【0063】また、このウエハを移動させることなくすべてのICチップを粘着シ−トから剥離することができるので、このウエハ載置台が組み込まれる装置の小型化を図ることができる。 [0063] Moreover, all the IC chips without moving the wafer adhesive sheet - it is possible to peel from the bets, it is possible to reduce the size of the device to which the wafer table is incorporated.

【0064】また、このウエハ載置台は1種類で様々な大きさ形状のICチップの取り出しに対応できるので、 [0064] Further, since the wafer table can correspond to a removal of IC chips of varying size and shape in one,
品種切り替えの際の作業を省略することができ製品の生産性が良くなる。 Products of productivity it is possible to omit the work at the time of the type switching can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】(a)は、この発明の第1の実施例を示す平面図、(b)は、同じく、概略縦断面図。 1 (a) is a plan view showing a first embodiment of the present invention, (b), like, schematic longitudinal sectional view.

【図2】同じく、インナ−リ−ドボンディング装置の外観斜視図。 [Figure 2] Similarly, inner - Li - external perspective view of a de-bonding apparatus.

【図3】(a)、(b)は、同じく、動作を示す工程図。 [3] (a), (b), like, process drawing showing the operation.

【図4】(a)、(b)は、同じく、動作を拡大して示す工程図。 [4] (a), (b), like, process diagram showing the enlarged operation.

【図5】(a)は、第2の実施例を示す平面図、(b) 5 (a) is a plan view showing the second embodiment, (b)
は、同じく、概略縦断面図。 , Like, schematic longitudinal sectional view.

【図6】第3の実施例を示す概略縦断面図。 Figure 6 is a schematic longitudinal sectional view showing a third embodiment.

【図7】第4の実施例を示す概略縦断面図。 Figure 7 is a schematic longitudinal sectional view showing a fourth embodiment.

【図8】第5の実施例を示す概略縦断面図。 Figure 8 is a schematic longitudinal sectional view showing a fifth embodiment.

【図9】第6の実施例を示す概略縦断面図。 Figure 9 is a schematic longitudinal sectional view showing a sixth embodiment.

【図10】第7の実施例を示す概略縦断面図。 Figure 10 is a schematic longitudinal sectional view showing a seventh embodiment.

【図11】(a)は、粘着シ−トに貼付されダイシングされたウエハを示す斜視図、(b)は、同じく側面図。 11 (a) is a pressure-sensitive adhesive sheet - perspective view showing a affixed to the bets diced wafer, (b), like side view.

【図12】従来例を示す概略構成図。 Figure 12 is a schematic block diagram showing a conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

21…ウエハ載置台、22…突起、23…吸引溝、29 21 ... wafer mounting table, 22 ... projection, 23 ... suction groove, 29
…真空装置(真空手段)。 ... vacuum device (vacuum means).

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 個々のICチップにダイシングされた半導体ウエハを粘着シ−トに貼付した状態で保持するウエハ載置台において、 所定間隔で設けられ、頂部で上記粘着シ−トを介して上記ICチップの下面を保持する複数の突起と、上記複数の突起の谷部に形成された吸引溝と、この吸引溝に接続され、上記吸引溝に吸引力を発生させることで、上記粘着シ−トを上記ICチップから剥離して上記突起の谷部に吸着する真空手段とを具備することを特徴とするウエハ載置台。 1. A pressure-sensitive semiconductor wafer is diced into individual IC chips sheet - the wafer mounting table for holding in a state of being attached to preparative, provided at predetermined intervals, the adhesive sheet at the top - the IC through the door a plurality of protrusions for holding a lower surface of the chip, a suction groove formed in the valleys of the plurality of protrusions are connected to the suction groove, by generating a suction force to said suction groove, the adhesive sheet - DOO the wafer table characterized by comprising a vacuum means for attracting the valley of the release to the protrusion from the IC chip.
  2. 【請求項2】 請求項1記載のウエハ載置台において、 上記複数の突起は、頂部が線状であって、所定間隔で並列に設けられていることを特徴とするウエハ載置台。 In the wafer mounting table 2. A method according to claim 1, wherein said plurality of protrusions, the top is a linear, wafer, characterized in that provided in parallel at predetermined intervals table.
  3. 【請求項3】 個々のICチップにダイシングされた半導体ウエハを粘着シ−トに貼付した状態で複数枚収納するウエハマガジンと、このウエハマガジンから上記半導体ウエハを取り出して搬送するウエハ搬送手段と、このウエハ搬送手段から上記半導体ウエハを受けとり、上面に形成された複数の突起の頂部で上記粘着シ−トを介して個々のICチップの下面を保持すると共に、上記複数の突起の谷部に形成された吸引溝に吸引力を発生させることで、上記粘着シ−トを上記ICチップから剥離させるウエハ載置台と、上記ウエハ載置台の複数の突起の頂部に保持されたICチップを取り出して搬送するICチップ搬送手段と、このICチップ搬送手段から上記IC 3. A pressure-sensitive semiconductor wafer is diced into individual IC chips sheet - and the wafer magazine plurality housed in a state of being attached to preparative, and a wafer carrying means for carrying the wafer magazine is taken out of the above semiconductor wafer, receives the semiconductor wafer from the wafer transfer means, at the top of the plurality of protrusions formed on the upper surface the adhesive sheet - through the door holds the lower surface of each IC chip, formed on the valleys of the plurality of projections by generating a suction force to the aspiration grooves, the adhesive sheet - conveying preparative removed and the wafer mounting table for peeling from the IC chip, the IC chip held in the top of the plurality of projections of the wafer table an IC chip conveying means for said IC from the IC chip conveying means
    チップを受けとり、このICチップを基板にボンディングするボンディング手段とからなることを特徴とする半導体装置製造装置。 It receives a chip, a semiconductor device manufacturing apparatus characterized by comprising a bonding means for bonding the IC chip to the substrate.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6332268B1 (en) * 1996-09-17 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for packaging IC chip, and tape-shaped carrier to be used therefor
US6561743B1 (en) * 1999-11-09 2003-05-13 Nec Machinery Corporation Pellet picking method and pellet picking apparatus
WO2003067654A1 (en) * 2002-02-04 2003-08-14 Disco Corporation Semiconductor chip pickup device
WO2006087894A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-24 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Fixation carrier, production method of fixation carrier, use method of fixation carrier, and substrate reception container
US7306695B2 (en) 2003-04-10 2007-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for picking up semiconductor chip
KR100791975B1 (en) * 2001-10-22 2008-01-04 주식회사 케이씨텍 Apparatus for holding substrate
JP2008004936A (en) * 2006-06-19 2008-01-10 Samsung Electronics Co Ltd Device for detaching semiconductor chip with pair of ejector and method for detaching semiconductor chip using the same
US7632374B2 (en) 2002-07-17 2009-12-15 Panasonic Corporation Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool used therefor
US7637714B2 (en) 2003-09-08 2009-12-29 Panasonic Corporation Apparatus and method for removing semiconductor chip
KR100970270B1 (en) * 2008-05-09 2010-07-16 (주) 엔지온 Apparatus for semiconductor device and the method for manufacturing semiconductor device with the same
WO2012115012A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 株式会社ニコン Observation device, inspection device, method for manufacturing semiconductor device, and substrate support member
JP2013004697A (en) * 2011-06-15 2013-01-07 Fuji Electric Co Ltd Manufacturing apparatus and manufacturing method for semiconductor device
CN103050428A (en) * 2011-10-14 2013-04-17 富士电机株式会社 Fabrication method of semiconductor devices and fabrication system of semiconductor devices
KR20150125611A (en) * 2014-04-30 2015-11-09 파스포드 테크놀로지 주식회사 Die bonder and bonding method

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6332268B1 (en) * 1996-09-17 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for packaging IC chip, and tape-shaped carrier to be used therefor
US6561743B1 (en) * 1999-11-09 2003-05-13 Nec Machinery Corporation Pellet picking method and pellet picking apparatus
KR100791975B1 (en) * 2001-10-22 2008-01-04 주식회사 케이씨텍 Apparatus for holding substrate
WO2003067654A1 (en) * 2002-02-04 2003-08-14 Disco Corporation Semiconductor chip pickup device
US7632374B2 (en) 2002-07-17 2009-12-15 Panasonic Corporation Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool used therefor
US7306695B2 (en) 2003-04-10 2007-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for picking up semiconductor chip
US7637714B2 (en) 2003-09-08 2009-12-29 Panasonic Corporation Apparatus and method for removing semiconductor chip
WO2006087894A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-24 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Fixation carrier, production method of fixation carrier, use method of fixation carrier, and substrate reception container
JP2008004936A (en) * 2006-06-19 2008-01-10 Samsung Electronics Co Ltd Device for detaching semiconductor chip with pair of ejector and method for detaching semiconductor chip using the same
KR100970270B1 (en) * 2008-05-09 2010-07-16 (주) 엔지온 Apparatus for semiconductor device and the method for manufacturing semiconductor device with the same
WO2012115012A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 株式会社ニコン Observation device, inspection device, method for manufacturing semiconductor device, and substrate support member
JP2013004697A (en) * 2011-06-15 2013-01-07 Fuji Electric Co Ltd Manufacturing apparatus and manufacturing method for semiconductor device
CN103050428A (en) * 2011-10-14 2013-04-17 富士电机株式会社 Fabrication method of semiconductor devices and fabrication system of semiconductor devices
JP2013102126A (en) * 2011-10-14 2013-05-23 Fuji Electric Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device
US9711383B2 (en) 2011-10-14 2017-07-18 Fuji Electric Co., Ltd. Fabrication method of semiconductor devices and fabrication system of semiconductor devices
KR20150125611A (en) * 2014-04-30 2015-11-09 파스포드 테크놀로지 주식회사 Die bonder and bonding method

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