JP5929035B2 - Substrate transport apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and substrate transport method - Google Patents
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Description
実施形態は、半導体装置を製造するための半導体製造装置で用いられる基板搬送技術に関する。 Embodiments relate to a substrate transport technique used in a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device.
近年、半導体チップの製造工程において、ウェハ上に一括して複数の半導体チップを形成した後、ウェハを切断して個々の半導体チップに分割する(固片化する)ことが一般的に行なわれている。 In recent years, in a semiconductor chip manufacturing process, after a plurality of semiconductor chips are collectively formed on a wafer, the wafer is generally cut and divided (separated) into individual semiconductor chips. Yes.
半導体チップを固片化する一般的な工程では、まず、ウェハ単体の状態で回路形成面に保護テープを貼付ける。その後、ウェハの背面研削を行ってウェハを目的のチップ厚となるまで薄くする。次に、回路形成面に貼り付けられた保護テープを剥離し、代わりにウェハの背面にダイシングテープを貼り付けてから、ダイシングテープをリングに固定する。そして、回路形成面側からダイシングソーを使用してウェハを切断し、半導体チップを個片化する。その後、ダイシングテープに紫外線を照射して粘着力を低下させる。そして、ダイシングテープ越しに、半導体チップの背面からニードルによって突上げることで半導体チップをダイシングテープから剥離する。半導体チップをバキュームピックアップによって吸着して取り出した後、ボンディング工程に移送するかあるいはトレー等に収納する。 In a general process for solidifying a semiconductor chip, first, a protective tape is applied to a circuit forming surface in a state of a single wafer. Thereafter, the wafer is ground back to reduce the wafer to the desired chip thickness. Next, the protective tape affixed to the circuit forming surface is peeled off. Instead, the dicing tape is affixed to the back surface of the wafer, and then the dicing tape is fixed to the ring. And a wafer is cut | disconnected from the circuit formation surface side using a dicing saw, and a semiconductor chip is separated into pieces. Thereafter, the dicing tape is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength. Then, the semiconductor chip is peeled off from the dicing tape by protruding from the back surface of the semiconductor chip with a needle through the dicing tape. After the semiconductor chip is sucked and taken out by a vacuum pickup, it is transferred to a bonding process or stored in a tray or the like.
上述の工程で、ウェハに対して保護テープ貼り付け、及びバックグラインド(背面研削)処理を実施した後に、ダイシングテープを貼り付ける工程やダイシング工程においてウェハを搬送したり移送したりする必要がある。ウェハを移送する際には、一般的に真空吸着機構を有するウェハ保持具(例えば、真空ピンセット)を用いてウェハを吸着して保持し、ウェハ保持具を移動することで、ウェハを所望の位置に移送する。 In the above-described process, after the protective tape is applied to the wafer and the back grinding process is performed, the wafer needs to be transported or transferred in the process of attaching the dicing tape or the dicing process. When transferring a wafer, generally, a wafer holder (for example, vacuum tweezers) having a vacuum suction mechanism is used to suck and hold the wafer, and the wafer holder is moved to move the wafer to a desired position. Transport to.
ウェハを吸着するための真空ピンセットは、ウェハを吸着する平面に真空吸着用の穴や溝が形成されたものが一般的であり、真空発生源として真空ポンプが用いられる。(例えば、特許文献1参照)。また、吸着力発生源としてベルヌーイの定理を利用して圧縮空気の噴射により負圧を発生させ、この負圧により吸着力を発生させる真空ピンセットも提案されている(例えば、特許文献2参照)。 Vacuum tweezers for adsorbing a wafer generally have a vacuum adsorbing hole or groove formed on a plane for adsorbing the wafer, and a vacuum pump is used as a vacuum generation source. (For example, refer to Patent Document 1). Further, a vacuum tweezer has been proposed in which a negative pressure is generated by jetting compressed air using the Bernoulli theorem as a suction force generation source, and a suction force is generated by this negative pressure (see, for example, Patent Document 2).
上述の真空ピンセットを用いた場合、ウェハが平坦であればウェハの全面を吸着でき、十分な保持力を得ることができる。そころが、ウェハに大きな反りが有る場合、ウェハ全面を吸着できなくなり、例えばウェハの中央部分だけ部分的に吸着することとなる。この場合、十分な保持力を得ることができず、ウェハの移送中に僅かな衝撃でウェハが真空ピンセットから離れて落ちてしまうおそれがある。保持力が極端に小さくなると、ウェハを吸着することができなくなることもある。 When the above-described vacuum tweezers is used, if the wafer is flat, the entire surface of the wafer can be adsorbed and a sufficient holding force can be obtained. On the other hand, when the wafer has a large warp, the entire surface of the wafer cannot be adsorbed, and for example, only the central portion of the wafer is adsorbed. In this case, a sufficient holding force cannot be obtained, and the wafer may fall away from the vacuum tweezers with a slight impact during the transfer of the wafer. If the holding force is extremely small, the wafer may not be attracted.
そこで、複数の可動式の小さな吸着パッドを用いてウェハを吸着保持することが提案されている(例えば、特許文献3参照)。この吸着パッドを用いると、ウェハが反っていても、ウェハの反りに沿って吸着パッドを配置することができ、複数の吸着パッドの各々でウェハを吸着することができる。 Thus, it has been proposed to hold a wafer by suction using a plurality of movable small suction pads (see, for example, Patent Document 3). When this suction pad is used, even if the wafer is warped, the suction pad can be arranged along the warp of the wafer, and the wafer can be sucked by each of the plurality of suction pads.
近年、半導体チップの高密度化が著しく進み、半導体チップのサイズが縮小している。これに伴い、半導体チップを基板に表面実装するための突起電極のピッチも縮小している。また、表面実装用の突起電極も周辺配列から、半導体チップの実装面全体に突起電極が配列される構造(いわゆるエリアバンプ)へと移行しつつある。このような表面実装用の半導体装置は、単一の半導体チップ上に再配線層を形成して、再配線層に突起電極を形成したものである。すなわち、再配線層により突起電極を適当な位置に配列して、半導体装置の実装面を有効に使用したものである。 In recent years, the density of semiconductor chips has increased significantly, and the size of semiconductor chips has been reduced. Along with this, the pitch of the protruding electrodes for surface mounting the semiconductor chip on the substrate is also reduced. In addition, the surface mounting bump electrodes are also shifting from the peripheral arrangement to a structure in which the bump electrodes are arranged over the entire mounting surface of the semiconductor chip (so-called area bumps). Such a semiconductor device for surface mounting is obtained by forming a rewiring layer on a single semiconductor chip and forming a protruding electrode on the rewiring layer. In other words, the mounting surface of the semiconductor device is effectively used by arranging the protruding electrodes at appropriate positions by the rewiring layer.
一方、半導体チップがウェハに形成された段階において、半導体チップの電極を再配線し、表面実装用の突起電極を形成してから、各半導体チップをウェハから切り出す技術が開発されている。このような技術はウェハレベルパッケージング技術(略してWLP)と称される。 On the other hand, a technique has been developed in which, when semiconductor chips are formed on a wafer, the electrodes of the semiconductor chip are rewired to form protruding electrodes for surface mounting, and then each semiconductor chip is cut out from the wafer. Such a technique is called a wafer level packaging technique (WLP for short).
ウェハレベルパッケージ技術(WLP)で用いられるウェハは、再配線層・樹脂層への熱影響と内部応力影響を大きく受けて、ウェハ厚みが200μm〜400μm程度と厚めの状態でも、5mm〜20mm程度のウェハ反りが発生し易くなっている。そして、このウェハ厚みが200μm〜400μm程度の場合には反りを矯正しようとする力に対して反発しようとする作用が働くようになる。 Wafers used in wafer level packaging technology (WLP) are greatly affected by thermal effects and internal stress on the rewiring layer / resin layer, and even when the wafer thickness is as thick as about 200 μm to 400 μm, it is about 5 mm to 20 mm. Wafer warpage is likely to occur. When the wafer thickness is about 200 μm to 400 μm, an action for repelling the force to correct the warp works.
そのため、上述の特許文献1及び2に示される様な真空吸引溝や真空吸着穴を用いる搬送方式では、ウェハの反りによって、真空吸引溝の一部分からでも真空リークが発生すると全体の吸着圧が一気に下がり、吸着保持が困難となる。これは、高価なウェハを落下させる危険性があり、製造する上での非常に大きなリスクとなる。
Therefore, in the conveyance method using the vacuum suction grooves and vacuum suction holes as shown in the above-mentioned
また、特許文献3に示される様な吸着パッドを用いる搬送方式では、大きな反りや段差にも個々の吸着パッドが可動式となっているので対応可能である。しかし、反りや段差はそのままで搬送されるため、搬送先での受け取り側がチャックテーブルの場合などでは、受け渡し時にチャックテーブルにおいて真空リークが発生してしまい、うまく吸着できないおそれがある。そのため、反りが発生しているウェハを吸着力を利用して平坦化することで、チャックテーブルに受け渡すことが考えられる。しかし、吸着パッド自体が変形しやすいことと、吸着パッドで吸着した部分以外の部分が変形してしまうため、ウェハ全体を平坦化させることができないという問題が発生する。 Further, the transport method using the suction pad as shown in Patent Document 3 can cope with a large warp or a step because each suction pad is movable. However, since the warp and the step are transported as they are, when the receiving side at the transport destination is a chuck table, a vacuum leak occurs in the chuck table at the time of delivery, and there is a possibility that it cannot be attracted well. For this reason, it is conceivable that the wafer on which the warpage has occurred is transferred to the chuck table by flattening it using the suction force. However, since the suction pad itself is easily deformed and parts other than the part sucked by the suction pad are deformed, there arises a problem that the entire wafer cannot be flattened.
したがって、反りと反発力の大きいウェハであっても、確実に吸着して保持しながら搬送することができる搬送技術の開発が望まれている。 Therefore, it is desired to develop a transfer technique that can transfer even a wafer having a large warp and repulsive force while reliably attracting and holding the wafer.
一実施形態によれば、載置面上の基板を吸着し、吸着した基板を保持しながら搬送する搬送ピックと、前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する制御部とを有し、前記搬送ピックの吸着面は平坦な面であって複数の領域に分割され、該複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられ、前記制御部は、前記載置面上の前記基板を前記吸着面の中央領域に接触させて該中央領域で前記基板を吸着し、前記搬送ピックを下降させて前記基板を前記吸着面で押しながら前記吸着面に沿って平坦化して前記中央領域の周囲の外側領域を前記基板に接触させ、前記外側領域で前記基板を吸着するように前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する基板搬送装置が提供される。 According to one embodiment, the apparatus has a conveyance pick that adsorbs the substrate on the mounting surface and conveys the adsorbed substrate, and a control unit that controls the adsorption holding operation of the substrate by the conveyance pick, The suction surface of the transport pick is a flat surface and is divided into a plurality of areas, and a suction path is provided for each of the plurality of areas, and the controller is configured to suck the substrate on the placement surface. The substrate is brought into contact with the central region of the surface, and the substrate is sucked in the central region, the transport pick is lowered, and the substrate is flattened along the suction surface while pressing the substrate with the suction surface , and the outside of the periphery of the central region There is provided a substrate transport apparatus that controls the suction and holding operation of the substrate by the transport pick so that the region is brought into contact with the substrate and the substrate is sucked in the outer region .
また、上述の基板搬送装置を有する半導体製造装置が提供される。 Moreover, a semiconductor manufacturing apparatus having the above-described substrate transfer apparatus is provided.
さらに、搬送ピックの平坦な吸着面の中央領域を載置面上の基板に接触させて、該中央領域で基板を吸着し、前記搬送ピックを下降させて前記吸着面で前記基板を押しながら前記吸着面に沿って平坦化し、前記中央領域の周囲の外側領域を前記基板に接触させ、前記外側領域で前記基板を吸着し、前記基板を吸着保持した搬送ピックを移動して前記基板を搬送する基板搬送方法が提供される。 Further, the central region of the flat suction surface of the transport pick is brought into contact with the substrate on the mounting surface , the substrate is sucked in the central region, the transport pick is lowered, and the substrate is pushed by the suction surface while pushing the substrate. The substrate is flattened along the suction surface, the outer region around the central region is brought into contact with the substrate, the substrate is sucked in the outer region, and the transport pick holding the substrate is moved to transport the substrate. A substrate transfer method is provided.
反りがある基板の反りを矯正しながら基板の中央部分から周囲部分に向けて吸着を行なうことができ、基板の反りを矯正して平坦化して基板全体を吸着することができる。これにより、確実に基板を吸着保持することができる。 While correcting the warp of the substrate is warped toward the peripheral portion can be performed adsorbed from the central portion of the substrate, that Ki out to adsorb the entire substrate is flattened by correcting the warpage of the substrate. As a result, the substrate can be securely held by suction.
次に、実施形態について図面を参照しながら説明する。 Next, embodiments will be described with reference to the drawings.
まず、本発明の一実施形態による半導体製造装置について説明する。図1は半導体チップを製造するための半導体製造装置の概略構成を示す図である。 First, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor chip.
図1に示す半導体製造装置は、基板の一例としてのウェハ上に複数の半導体チップを形成し、ウェハを切断して半導体チップを固片化するための製造装置であり、基板搬送装置が設けられた部分が示されている。図1に示す半導体製造装置は、例えば、装置内部においてウェハを真空チャックテーブル上に固定し、ダイシングブレードによりウェハを切断してウェハに形成されている複数の半導体チップを固片化するための装置である。本実施形態による半導体製造装置は、図1に示す半導体製造装置に限られず、ウェハに保護テープを貼り付ける工程など、他の製造工程を行なう製造装置であってもよい。 The semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is a manufacturing apparatus for forming a plurality of semiconductor chips on a wafer as an example of a substrate, cutting the wafer, and solidifying the semiconductor chips, and is provided with a substrate transfer apparatus. The parts are shown. The semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 is, for example, an apparatus for fixing a wafer on a vacuum chuck table inside the apparatus and cutting the wafer with a dicing blade to solidify a plurality of semiconductor chips formed on the wafer. It is. The semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1, and may be a manufacturing apparatus that performs other manufacturing processes such as a process of attaching a protective tape to a wafer.
図1に示す半導体製造装置10は、内部でウェハの処理を行なうための装置筐体12を有している。装置筐体12の内部でウェハを処理するため、装置筐体12の内部は清浄な環境に保たれており、外部から遮断されている。装置筐体12の外側には、ウェハが収容されたウェハカセット14を載置するロードボード16が取り付けられている。ロードボード16が取り付けられた位置には、ウェハを出し入れするための開口が設けられている。
A semiconductor manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 1 has an
装置筐体12の内部には、ウェハを載置して固定するためのチャックテーブル20と、ウェハをウェハカセット14から取り出してチャックテーブル20まで搬送するための基板搬送装置であるウェハ搬送ロボット30が配置されている。ウェハ搬送ロボット30のアーム32の先端には、搬送ピック40が取り付けられている。
Inside the
搬送ピック40はロードボード16上のウェハカセット14内に収容されているウェハを真空吸着して保持し、そのままチャックテーブル20の位置まで搬送して、チャックテーブル20に受け渡す。チャックテーブル20は受け渡されたウェハを真空吸着して固定し、チャックテーブル20上でウェハに処理が行なわれる。
The
ウェハ搬送ロボット30を用いてウェハの搬送を行なうために、搬送ピック40の真空吸着及びチャックテーブル20の真空吸着を制御するための真空吸着搬送制御装置50が設けられている。真空吸着搬送制御装置50は、負圧を発生するための真空ポンプ等の真空源52と、真空源52で発生した負圧を搬送ピック40及びチャックテーブルに導くための複数の吸引通路を有する。2本の吸引通路54A,54Bが真空源52と搬送ピック40を接続し、2本の吸引通路54C,54Dが真空源52とチャックテーブル20を接続している。
In order to transfer the wafer using the
なお、上述のウェハ搬送ロボット30、搬送ピック40、及び真空吸着制御装置50等により基板搬送装置が形成される。基板搬送装置は、チャックテーブル20を含むものとしてもよい。
A substrate transfer device is formed by the
2本の吸引通路54A,54Bで真空源52と搬送ピック40を接続している理由は、後述のように、搬送ピック40の吸着部分が2つの領域(中央領域と外側領域)に分けられ、その各々に対して一本の吸引通路が接続されるためである。同様に、2本の吸引通路54C,54Dで真空源52とチャックテーブル20を接続している理由は、後述のように、チャックテーブル20の吸着部分が2つの領域(中央領域と外側領域)に分けられ、その各々に対して一本の吸引通路が接続されるためである。
The reason why the vacuum source 52 and the
搬送ピック40に繋がる吸引通路54Aには、真空圧力センサ56Aとソレノイドバルブ58Aが設けられる。搬送ピック40に繋がる吸引通路54Bには、真空圧力センサ56Bとソレノイドバルブ58Bが設けられる。チャックテーブル20に繋がる吸引通路54Cには、真空圧力センサ56Cとソレノイドバルブ58Cが設けられる。チャックテーブル20に繋がる吸引通路54Dには、真空圧力センサ56Dとソレノイドバルブ58Dが設けられる。
The
真空吸着搬送制御装置50は、ソレノイドバルブ58A,58B,58C,58Dの開閉を制御するためのコントローラ60を有している。真空圧力センサ56Aはソレノイドバルブ58Aと搬送ピック40の間に配置されており、検出した真空圧力をコントローラ60に供給する。真空圧力センサ56Bはソレノイドバルブ58Bと搬送ピック40の間に配置されており、検出した真空圧力をコントローラ60に供給する。真空圧力センサ56Cはソレノイドバルブ58Cとチャックテーブル20の間に配置されており、検出した真空圧力をコントローラ60に供給する。真空圧力センサ56Dはソレノイドバルブ58Dとチャックテーブル20の間に配置されており、検出した真空圧力をコントローラ60に供給する。
The vacuum suction transfer control device 50 has a
ここで、搬送ピック40の構造について説明する。図2は搬送ピック40を吸着面側から見た平面図である。搬送ピック40は、吸着するウェハとほぼ等しい外径を有する円盤状の本体42を有する。本体42の一側から取り付け部44が延在しており、ウェハ搬送ロボット30のアーム32に取り付けられるようになっている。
Here, the structure of the
本体42の吸着面42aには、多数の吸着孔42bが設けられており、吸着孔42bに導入される負圧によりウェハを吸着面42aに吸着して保持することができる。吸着面42aは、外径D1を有する円形の中央領域46aと中央領域46aの外側で外径D2を有する環状の外側領域46bに分割されている。中央領域46aに設けられた吸着孔42bは吸引通路54Aにのみ繋がっており、第1の吸着経路を形成している。一方、外側領域46bに設けられた吸着孔42bは吸引通路54Bにのみ繋がっており、第2の吸着経路を形成している。本実施形態では、後述するように、第1の吸着経路での吸着と第2の吸着経路での吸着を制御することで、大きな反りのあるウェハでも確実に吸着して保持することができる。
A large number of suction holes 42b are provided in the
図3は図2のIII−III線に沿った搬送ピック40の簡略断面図である。図4は図3のA部拡大図である。
FIG. 3 is a simplified cross-sectional view of the
本体42の内部に、中央領域46aに対応する第1の吸着経路が形成され、外側領域46bに対応する第2の吸着経路が形成されている。図3では第1の吸着経路及び第2の吸着経路は簡略化のためハッチングで示されており、図4において具体的な構造が示されている。
Inside the
本体42は、本体ベース42Aに吸着カバー42Bを貼り合わせて形成されている。本体ベース42Aの表面が吸着面42aとなり、吸着孔42bは本体ベース42Aに形成されている。
The
本体ベース42Aの中央領域46aに相当する部分には、吸着溝42Aaが形成されており、吸着溝42Aaは吸着カバー42Bにより塞がれて閉空間が形成され、この空間に、中央領域46aに設けられている吸着孔42bが繋がっている。吸着溝42Aaが吸着カバー42Bにより塞がれて形成された閉空間には、取り付け部44に延在する通路溝42Ab(図2参照)が接続されている。通路溝42Abの反対端は取り付け部44において、吸着面42a側に開口している。搬送ピック40がウェハ搬送ロボット30のアームに取り付けられると、通路溝42Abの開口が吸引通路54Aに接続される。これにより、吸引通路54A、通路溝42Ab、及び吸着溝42Aaを介して中央領域46aの吸着孔42bに負圧が導入され、吸着孔42bの吸引作用によりウェハの中央部分を吸着することができる。
A suction groove 42Aa is formed in a portion corresponding to the
一方、本体ベース42Aの外側領域46bに相当する部分には、吸着溝42Acが形成されており、吸着溝42Acは吸着カバー42Bにより塞がれて閉空間が形成され、この空間に、外側領域46cに設けられている吸着孔42bが繋がっている。吸着溝42Acが吸着カバー42Bにより塞がれて形成された閉空間には、取り付け部44に延在する通路溝42Ad(図2参照)が接続されている。通路溝42Adの反対端は取り付け部44において、吸着面42a側に開口している。搬送ピック40がウェハ搬送ロボット30のアームに取り付けられると、通路溝42Adの開口が吸引通路54Bに接続される。これにより、吸引通路54B、通路溝42Ad、及び吸着溝42Acを介して外側領域46bの吸着孔42bに負圧が導入され、吸着孔42bの吸引作用によりウェハの中央部分の周囲の外周部分を吸着することができる。
On the other hand, a suction groove 42Ac is formed in a portion corresponding to the outer region 46b of the
チャックテーブル20も搬送ピック40と同様な構造を有している。図5はチャックテーブル20の一部の拡大断面図である。チャックテーブル20は、チャックテーブルトップ部20Aとチャックテーブルベース部20Bとを有する。チャックテーブルトップ部20Aの上面は、ウェハを吸着して固定する吸着面20aとなっている。吸着面20aには、多数の吸着孔20bが開口している。
The chuck table 20 has the same structure as the
チャックテーブル20も、搬送ピック40と同様に、中央領域26aと外側領域26bを有している。中央領域26aにおける吸着孔20bは、チャックテーブルトップ部20Aに形成された吸着溝20Aaに繋がっており、搬送ピック40と同様に通路溝を介して吸引通路54Cに接続されている。これにより、吸引通路54C、通路溝、及び吸着溝20Aaを含む第3の吸着経路を介して中央領域26aの吸着孔20bに負圧が導入され、吸着孔20bの吸引作用によりウェハの中央部分を吸着することができる。また、外側領域26bにおける吸着孔20bは、チャックテーブルトップ部20Aに形成された吸着溝20Acに繋がっており、搬送ピック40と同様に通路溝を介して吸引通路54Dに接続されている。これにより、吸引通路54D、通路溝、及び吸着溝20Acを含む第4の吸着経路を介して外側領域26bの吸着孔20bに負圧が導入され、吸着孔20bの吸引作用によりウェハの中央部分の周囲の外周部分を吸着することができる。
Similar to the
次に、上述の半導体製造装置10において、基板の一例としてのウェハを搬送する基板搬送方法について説明する。 Next, a substrate transport method for transporting a wafer as an example of a substrate in the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above will be described.
まず、基板搬送方法において、ウェハをウェハカセット14から取り出して搬送する工程について説明する。図6はウェハをウェハカセット14から取り出す動作のフローチャートである。図7は取り出し動作の各ステップにおけるウェハの状態を示す図である。ウェハの回路形成面側には複数の半導体チップが形成されているものとする。なお、以下のウェハ取り出し動作におけるウェハの吸着保持動作は、主にコントローラ60の制御の下で行なわれる。
First, in the substrate transfer method, a process of taking out a wafer from the
ウェハ取り出し動作が開始されると、先ず、ステップS1において、ウェハ搬送ロボット30が動作して搬送ピック40がウェハカセット14内のウェハの上まで移動し、ウェハに向けて下降し始める(図7(a)参照)。ここで、取り出そうとしているウェハには、図7(a)に示すように反りが発生しており、中央部分が持ち上がった状態でウェハカセット14に収容されているものとする。なお、ウェハの下面(回路形成面)側には保護テープが貼り付けられている。
When the wafer take-out operation is started, first, in step S1, the
続いて、ステップS2において、搬送ピック40の吸着面42aがウェハの中央部分の一番高い部分に接触する(図7(b)参照)。この時点で、第1の吸着経路に負圧を導入する。具体的には、コントローラ60は、真空ポンプ52を駆動し且つソレノイドバルブ58Aを開くことにより、第1の吸着経路に負圧を導入する。これにより、搬送ピック40の中央領域46aに開口している吸着孔42bに吸引作用が発生する。
Subsequently, in step S2, the
ステップS2において吸着孔42bに吸引作用が発生すると、ウェハの中央部分は吸着孔42bに吸引される。これにより、ステップS3において、ウェハの中央部分は吸着面42aに吸着される。吸着面42aは平坦な面であるので、ウェハの中央部分は吸着面42aに沿って平坦になる(図7(c)参照)。この時点では、ウェハの外周部分は沿ったままであり、中央部分だけが平坦化されている。
When a suction action is generated in the suction hole 42b in step S2, the central portion of the wafer is sucked into the suction hole 42b. Thereby, in step S3, the central part of the wafer is adsorbed to the
続いて、ステップS4において、搬送ピック40は更に下降して最下降位置で停止する。最下降位置は、搬送ピック40とウェハカセット14との間の距離が、保護テープを含んだウェハの厚みより僅かに大きな距離となる位置である。この時点では、ウェハの外周部分が搬送ピック40の吸着面42aによって押され、吸着面42aに沿って平坦化される。そこで、第2の吸着経路をオンとしてウェハの外周部分を吸着面42aに吸着する。これにより、ウェハ全体が吸着面42aに吸着され、平坦化される(図7(d)参照)。このように、搬送ピック40へのウェハの吸着は中央部分から外周部分に向けて進行するので、反りが矯正されてウェハが広がるときでも、吸着保持などによりウェハの引っ掛かりが発生することが無い。
Subsequently, in step S4, the
続いて、ステップS5において、搬送ピックアップ40を持ち上げる。ウェハ全体が吸着面42aに吸着されているので、ウェハは搬送ピック40に保持された状態となる(図7(e)参照)。
Subsequently, in step S5, the
次に、ステップS6において、真空圧力センサ56Aにより第1の吸着経路の真空度を確認する。すなわち、真空圧力センサ56Aにより第1の吸着経路の真空度を検出し、第1の吸着経路が所定の真空度より大きいか否かを判定する。ここで、真空度がより大きいということは、絶対真空をゼロとしたときの絶対圧力がより小さいことを意味する。所定の真空度とは、第1の吸着経路の吸着孔42aがウェハにより塞がれたときに、真空源52での真空引きにより第1の吸着経路(吸引通路54A)に発生すべき真空度、あるいはそれに近い真空度を意味する。
Next, in step S6, the degree of vacuum in the first suction path is confirmed by the
ステップS6において第1の吸着経路が所定の真空度より大きくないと判定されると(ステップS6のNO)、処理はステップS4に戻り、再度ウェハの吸着が行なわれる。ステップS6において第1の吸着経路が所定の真空度より大きくないと判定される場合は、ウェハが吸着面42aから離れて再び反った状態となっていると判断することができる。すなわち、第1の吸着経路が所定の真空度より大きくないと判定される場合は、図7(f)に示されるように、ウェハが大きく反ってしまって、中央領域の部分も平坦ではなくなり、ウェハにより吸着孔42aを塞ぐことができない状態であると判断することができる。このような状態では、吸着孔42aから空気が流れ込み、第1の吸着経路は所定の真空度に到達しない。また、当然のことながら、第2の吸着経路も所定の真空度に到達しない。そこで、ステップS4に戻って、再びウェハの吸着をやり直す。
If it is determined in step S6 that the first suction path is not greater than the predetermined degree of vacuum (NO in step S6), the process returns to step S4, and the wafer is suctioned again. If it is determined in step S6 that the first suction path is not greater than the predetermined degree of vacuum, it can be determined that the wafer is warped again away from the
一方、ステップS6において第1の吸着経路が所定の真空度より大きいと判定されると(ステップS6のYES)、処理はステップS7に進む。ステップS7では、真空圧力センサ56Bにより第2の吸着経路の真空度を確認する。すなわち、真空圧力センサ56Bにより第2の吸着経路の真空度を検出し、第2の吸着経路が所定の真空度より大きいか否かを判定する。所定の真空度とは、第2の吸着経路の吸着孔42aがウェハにより塞がれたときに、真空源52での真空引きにより第2の吸着経路(吸引通路54B)に発生すべき真空度、あるいはそれに近い真空度を意味する。
On the other hand, if it is determined in step S6 that the first suction path is greater than the predetermined degree of vacuum (YES in step S6), the process proceeds to step S7. In step S7, the vacuum degree of the second suction path is confirmed by the
ステップS7において第2の吸着経路が所定の真空度より大きくないと判定されると(ステップS7のNO)、処理はステップS8に進む。第2の吸着経路が所定の真空度より大きくないと判定された場合は、図7(g)に示すように、ウェハの外周部分が反っていて、吸着面42aから離れてしまっている状態であると判断することができる。すなわち、ウェハの中央領域のみが吸着されて搬送ピック40に保持されている状態である。このような状態では、ウェハ吸着保持力が弱いため、小さな衝撃でウェハが搬送ピック40から離れて落下してしまうおそれがある。
If it is determined in step S7 that the second suction path is not greater than the predetermined degree of vacuum (NO in step S7), the process proceeds to step S8. When it is determined that the second suction path is not larger than the predetermined degree of vacuum, as shown in FIG. 7G, the outer peripheral portion of the wafer is warped and separated from the
そこで、ステップS8では、コントローラ60は、ウェハ搬送ロボット30による搬送ピック40の移動速度、すなわちウェハの搬送速度を低速に設定する。低速とは、通常の搬送速度より小さな速度であり、ウェハの中央部分のみが吸着保持された状態で搬送ピック40を加減速する際又は停止する際に、搬送ピック40からウェハが離れてしまうような衝撃や外力が発生しないような速度である。この低速は予め実験等により決定しておくことが好ましい。
Therefore, in step S8, the
ステップS8での処理が終了すると、処理はステップS10に進み、搬送ピック40を設定された低速で移動してウェハの搬送を開始する。
When the process in step S8 ends, the process proceeds to step S10, where the
一方、ステップS8において第2の吸着経路が所定の真空度より大きい判定されると(ステップS7のYES)、処理はステップS9に進む。第2の吸着経路が所定の真空度より大きいと判定された場合は、図7(h)に示すように、ウェハの中央部分も外周部分も吸着されてウェハ全体が吸着面42aに吸着されている状態であると判断することができる。すなわち、ウェハ全体が吸着されて搬送ピック40に保持されている状態である。このような状態では、ウェハ吸着保持力が強いため、大きな衝撃が搬送ピックにかかってもウェハは搬送ピック40から離れて落下してしまうおそれがない。
On the other hand, if it is determined in step S8 that the second suction path is greater than the predetermined degree of vacuum (YES in step S7), the process proceeds to step S9. If it is determined that the second suction path is greater than the predetermined degree of vacuum, as shown in FIG. 7H, the central portion and the outer peripheral portion of the wafer are sucked and the entire wafer is sucked to the
そこで、ステップS9では、コントローラ60は、ウェハ搬送ロボット30による搬送ピック40の移動速度、すなわちウェハの搬送速度を高速に設定する。高速とは、通常の搬送速度であり、ウェハ全体が吸着保持された状態で搬送ピック40を加減速する際又は停止する際に、搬送ピック40からウェハが離れてしまうような衝撃や外力が発生しないような速度である。この高速は予め実験等により決定しておくことが好ましい。
Therefore, in step S9, the
ステップS9での処理が終了すると、処理はステップS10に進み、搬送ピック40を設定された高速で移動してウェハの搬送を開始する。
When the process in step S9 ends, the process proceeds to step S10, and the
以上のように、本実施形態によれば、反りが発生しているウェハであっても、部分的に吸着を行ないながら且つウェハを平坦化しながらウェハ全体を吸着するので、反りを矯正しながらウェハ全体を吸着することができる。また、反りのために吸着が不完全となり、ウェハの一部のみの吸着となった場合には、吸着力に見合った低速の搬送速度にすることで、ウェハを落下させずに搬送することができる。 As described above, according to the present embodiment, even if a wafer is warped, the entire wafer is sucked while partially sucking and flattening the wafer. The whole can be adsorbed. Also, if the suction becomes incomplete due to warpage and only a part of the wafer is sucked, the wafer can be transported without dropping by setting the transport speed to a low speed commensurate with the suction force. it can.
本実施形態では搬送ピック40の吸着面42aを2つの領域に分割してそれぞれに対して独立した吸着経路を設けているが、吸着面42aを3つ又はそれ以上の同心円状の領域に分割し、その各々に対して独立した吸着経路を設けてもよい。
In this embodiment, the
例えば、反発力の大きいWLPのウェハの搬送において、搬送ピックの真空吸着経路を複数設け、ウェハの平坦化を中心部から周囲に向けて進行させるようにする。また、搬送ピックの上下動によって、ウェハの平坦化を中心部から周囲に向けて進行させるようにする。これにより、反発力の大きいWLPのウェハであっても確実に搬送ピックで吸着保持できるようになる。そして、複数の真空吸着経路で検出した圧力情報を利用して吸着状態を把握しながら再吸着動作を行なったり、搬送速度を変更したりすることで、より確実で安定した搬送を実現することができる。また、ウェハに形成された半導体チップに及ぼすストレスを抑えて半導体チップの品質を向上させることができる。 For example, in the transfer of a WLP wafer having a large repulsive force, a plurality of transfer pick vacuum suction paths are provided so that the flattening of the wafer proceeds from the center to the periphery. Further, the wafer is flattened from the center toward the periphery by the vertical movement of the transfer pick. As a result, even a WLP wafer having a large repulsive force can be reliably sucked and held by the transfer pick. And, by performing the re-adsorption operation while grasping the adsorption state using the pressure information detected in the plurality of vacuum adsorption paths, or changing the conveyance speed, more reliable and stable conveyance can be realized. it can. In addition, the stress on the semiconductor chip formed on the wafer can be suppressed and the quality of the semiconductor chip can be improved.
次に、上述の半導体製造装置10において、搬送ピック40で搬送してきたウェハをチャックテーブル20に載置して固定する工程について説明する。図8はウェハをチャックテーブル20に載置して固定する動作のフローチャートである。図9はウェハをチャックテーブル20に載置して固定するウェハ吸着固定動作の各ステップにおけるウェハの状態を示す図である。ウェハの回路形成面側には複数の半導体チップが形成されており、回路形成面側に保護テープが貼り付けられているものとする。なお、以下に説明するウェハ吸着固定動作は、主にコントローラ60の制御の下で行なわれる。
Next, in the semiconductor manufacturing apparatus 10 described above, a process of mounting and fixing the wafer transferred by the transfer pick 40 on the chuck table 20 will be described. FIG. 8 is a flowchart of the operation of placing and fixing the wafer on the chuck table 20. FIG. 9 is a diagram showing the state of the wafer in each step of the wafer suction fixing operation for placing and fixing the wafer on the chuck table 20. A plurality of semiconductor chips are formed on the circuit forming surface side of the wafer, and a protective tape is attached to the circuit forming surface side. Note that the wafer suction fixing operation described below is mainly performed under the control of the
ウェハ搬送ロボット30により、ウェハを吸着保持した搬送ピック40がチャックテーブル20の真上まで移動すると、ウェハ載置固定動作が開始されると、先ず、ステップS11において、搬送ピック40はチャックテーブル20に向けて下降し始める(図9(a)参照)。ここで、載置しようとしているウェハが反りが発生しているウェハであっても、搬送ピック40にウェハ全体が吸着されているので、図9(a)に示すように、反りは矯正されて平坦化されている。
When the
搬送ピック40はチャックテーブル20に向けて下降し、ステップS12において、最下降位置において停止する。搬送ピック40が最下降位置まで下降すると、搬送ピック40の吸着面42aに吸着保持されているウェハの保護テープは、チャックテーブル20の吸着面20aに接触するか非常に近接した状態となる(図9(b)参照)。そこで、チャックテーブル20の第3の吸着経路をONとしてウェハの吸着を開始してから、搬送ピック40の第1の吸着経路と第2の吸着経路をOFFとしてウェハの吸着を解除する。これにより、ウェハの中央部分はチャックテーブル20の吸着面20aの中央領域に設けられた吸着孔20bにより吸引される。
The
続いて、第3の吸着経路がONとなってから一定時間後に、ステップS13において、チャックテーブル20の第4の吸着経路をONとしてから、搬送ピック40の第1の吸着経路と第2の吸着経路で真空破壊ブローを行なう。これにより、ウェハの全体は搬送ピック40から離れ、ウェハの中央部分がチャックテーブル20に吸着されてから外周部分も吸着される(図9(c)参照)。このように、チャックテーブル20へのウェハの吸着は中央部分から外周部分に向けて進行するので、反りが矯正されてウェハが広がるときでも、吸着保持などによりウェハの引っ掛かりが発生することが無い。
Subsequently, after a predetermined time has elapsed since the third suction path is turned on, in step S13, the fourth suction path of the chuck table 20 is turned on, and then the first suction path and the second suction path of the
続いて、ステップS14において、搬送ピック40を上昇させ、真空破壊ブローをOFFとする。ウェハはチャックテーブル20に吸着固定されたままチャックテーブル20上に残る(図9(d)参照)。
Subsequently, in step S14, the
続いて、ステップS15において、真空圧力センサ56C及び56Dにより第3の吸着経路及び第4の吸着経路の真空度を確認する。すなわち、真空圧力センサ56Cにより第3の吸着経路の真空度を検出し、第3の吸着経路が所定の真空度より大きいか否かを判定するとともに、真空圧力センサ56Dにより第4の吸着経路の真空度を検出し、第4の吸着経路が所定の真空度より大きいか否かを判定する。
Subsequently, in step S15, the degree of vacuum in the third suction path and the fourth suction path is confirmed by the
第3の吸着経路と第4の吸着経路のいずれかの真空度が所定の真空度より大きく無いと判定されると(ステップS15のNO)、処理はステップS12に戻り、搬送ピック40を最下降位置まで下降させてから、再度チャックテーブル20へのウェハの吸着を行なう。例えば、第4の吸着経路の真空度が所定の真空度より大きく無いと、図9(e)に示すように、ウェハの外周部分が完全に吸着されていない状態であると判断することができる。そこで、搬送ピック40でウェハを押して平坦化しながら再度吸着を行うこととする。
If it is determined that the degree of vacuum in either the third suction path or the fourth suction path is not greater than the predetermined vacuum degree (NO in step S15), the process returns to step S12, and the
一方、第3の吸着経路と第4の吸着経路の両方の真空度が所定の真空度より大きいと判定されると(ステップS15のYES)、処理はステップS16に進む。第3の吸着経路と第4の吸着経路の両方の真空度が所定の真空度より大きい場合は、図9(f)に示すように、ウェハ全体がチャックテーブルに吸着固定されていると判断することができるので、ステップS16においてウェハへの処理を開始する。 On the other hand, if it is determined that the degree of vacuum in both the third adsorption path and the fourth adsorption path is greater than the predetermined degree of vacuum (YES in step S15), the process proceeds to step S16. If the degree of vacuum in both the third suction path and the fourth suction path is greater than a predetermined vacuum degree, it is determined that the entire wafer is suction-fixed to the chuck table as shown in FIG. In step S16, processing on the wafer is started.
以上のように、本実施形態によれば、反りが発生しているウェハであっても、部分的に吸着を行ないながら平坦化したウェハをそのままチャックテーブル20に載置し、平坦化された状態を保ちながらウェハ全体をチャックテーブル20で吸着するので、反りを矯正しながらウェハ全体を吸着することができる。 As described above, according to the present embodiment, even if the wafer is warped, the wafer that has been flattened while being partially attracted is placed on the chuck table 20 as it is and is flattened. Since the entire wafer is sucked by the chuck table 20 while maintaining the above, the entire wafer can be sucked while correcting the warp.
本実施形態ではチャックテーブル20の吸着面20aを2つの領域に分割してそれぞれに対して独立した吸着経路を設けているが、吸着面30aを3つ又はそれ以上の同心円状の領域に分割し、その各々に対して独立した吸着経路を設けてもよい。 In this embodiment, the suction surface 20a of the chuck table 20 is divided into two regions and an independent suction path is provided for each. However, the suction surface 30a is divided into three or more concentric regions. Independent adsorption paths may be provided for each of them.
例えば、反発力の大きいWLPのウェハの吸着固定において、チャックテーブルの真空吸着経路を複数設け、ウェハの吸着を中心部から周囲に向けて進行させるようにする。また、搬送ピックによりウェハを押圧して平坦化しながら、ウェハの吸着を中心部から周囲に向けて進行させるようにする。これにより、反発力の大きいWLPのウェハであっても確実にチャックテーブルに吸着固定できるようになる。そして、複数の真空吸着経路で検出した圧力情報を利用して吸着状態を把握しながら再吸着動作を行なうことで、より確実で安定した吸着固定を実現することができる。 For example, in the suction fixing of a WLP wafer having a large repulsive force, a plurality of chuck table vacuum suction paths are provided so that the wafer suction proceeds from the center toward the periphery. Further, the wafer is attracted from the center toward the periphery while the wafer is pressed and flattened by the transfer pick. As a result, even a WLP wafer having a large repulsive force can be securely fixed to the chuck table. Then, by performing the re-adsorption operation while grasping the adsorption state using the pressure information detected by the plurality of vacuum adsorption paths, more reliable and stable adsorption fixation can be realized.
以上のように、本明細書は以下の事項を開示する。
(付記1)
基板を吸着保持しながら搬送する搬送ピックと、
前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する制御部と
を有し、
前記搬送ピックの吸着面は複数の領域に分割され、該複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられ、
前記制御部は、前記吸着経路へ導入する負圧を制御することで、前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する基板搬送装置。
(付記2)
付記1記載の基板搬送装置であって、
前記吸着経路は吸引通路を介して真空源に接続され、
該吸引通路に開閉弁が設けられ、
前記制御部は、前記真空源の動作と前記開閉弁の動作を制御して、前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する基板搬送装置。
(付記3)
付記2記載の基板搬送装置であって、
前記吸引通路に真空圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記真空圧力センサが検出した圧力に基づいて、前記基板の吸着状態を判断する基板搬送装置。
(付記4)
付記2記載の基板搬送装置であって、
前記吸引通路に真空圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記真空圧力センサが検出した圧力に基づいて、前記基板の搬送速度を設定する基板搬送装置。
(付記5)
付記1乃至4のうちいずれか一項記載の基板搬送装置であって、
前記搬送ピックにより搬送されてきた基板を吸着固定するチャックテーブルをさらに有し、
前記チャックテーブルの吸着面は複数の領域に分割され、該複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられた基板搬送装置。
(付記6)
付記5記載の基板搬送装置であって、
前記チャックテーブルの吸着経路は吸引通路を介して真空源に接続され、
該吸引通路に開閉弁が設けられ、
前記制御部は、前記真空源の動作と前記開閉弁の動作を制御して、前記チャックテーブルによる基板の吸着固定動作を制御する基板搬送装置。
(付記7)
付記6記載の基板搬送装置であって、
前記吸引通路に真空圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記真空圧力センサが検出した圧力に基づいて、前記基板の前記チャックテーブルへの吸着状態を判断する基板搬送装置。
(付記8)
付記1乃至7のうちいずれか一項記載の基板搬送装置を有する半導体製造装置。
(付記9)
搬送ピックの吸着面の中央領域を基板に接触させて、該中央領域で基板を吸着し、
前記搬送ピックを下降させて、前記中央領域の周囲の外側領域を前記基板に接触させ、前記外側領域で前記基板を吸着し、
前記基板を吸着保持した搬送ピックを移動して前記基板を搬送する基板搬送方法。
(付記10)
付記9記載の基板搬送方法であって、
前記外側領域で前記基板を吸着した後、前記搬送ピックを上昇させ、
前記中央領域の吸着孔に繋がる吸着経路内の真空圧力が、所定の真空圧力より大きく無いときは、前記中央領域での吸着と前記外側領域での吸着をやり直す基板搬送方法。
(付記11)
付記9記載の基板搬送方法であって、
前記外側領域で前記基板を吸着した後、前記搬送ピックを上昇させ、
前記中央領域の吸着孔に繋がる吸着経路内の真空圧力が、所定の真空圧力より大きく、且つ 前記外側領域の吸着孔に繋がる吸着経路内の真空圧力が所定の真空圧力より大きく無いときには、前記搬送ピックの移動速度を通常時の移動速度より低い低速に設定する基板搬送方法。
(付記12)
付記9記載の基板搬送方法であって、
前記外側領域で前記基板を吸着した後、前記搬送ピックを上昇させ、
前記中央領域の吸着孔に繋がる吸着経路内の真空圧力が、所定の真空圧力より大きく、且つ 前記外側領域の吸着孔に繋がる吸着経路内の真空圧力が所定の真空圧力より大きいときには、前記搬送ピックの移動速度を通常時の移動速度に設定する基板搬送方法。
As described above, the present specification discloses the following matters.
(Appendix 1)
A transport pick for transporting while holding the substrate,
A control unit for controlling the suction holding operation of the substrate by the transport pick,
The suction surface of the transport pick is divided into a plurality of areas, and a suction path is provided for each of the plurality of areas.
The said control part is a board | substrate conveyance apparatus which controls the adsorption | suction holding | maintenance operation | movement of the board | substrate by the said conveyance pick by controlling the negative pressure introduced into the said adsorption | suction path | route.
(Appendix 2)
A substrate transfer apparatus according to
The adsorption path is connected to a vacuum source via a suction path;
An opening / closing valve is provided in the suction passage;
The control unit controls the operation of the vacuum source and the operation of the on-off valve to control the operation of holding and holding the substrate by the transport pick.
(Appendix 3)
A substrate transfer apparatus according to
A vacuum pressure sensor is provided in the suction passage;
The control unit is a substrate transfer device that determines an adsorption state of the substrate based on a pressure detected by the vacuum pressure sensor.
(Appendix 4)
A substrate transfer apparatus according to
A vacuum pressure sensor is provided in the suction passage;
The control unit is a substrate transfer apparatus that sets a transfer speed of the substrate based on a pressure detected by the vacuum pressure sensor.
(Appendix 5)
The substrate transfer apparatus according to any one of
A chuck table for adsorbing and fixing the substrate transported by the transport pick;
A substrate transport apparatus in which a suction surface of the chuck table is divided into a plurality of regions, and a suction path is provided for each of the plurality of regions.
(Appendix 6)
The substrate transfer apparatus according to appendix 5, wherein
The suction path of the chuck table is connected to a vacuum source through a suction path,
An opening / closing valve is provided in the suction passage;
The control unit controls the operation of the vacuum source and the operation of the on-off valve to control the operation of adsorbing and fixing the substrate by the chuck table.
(Appendix 7)
The substrate transfer apparatus according to appendix 6, wherein
A vacuum pressure sensor is provided in the suction passage;
The control unit is a substrate transfer device that determines an adsorption state of the substrate to the chuck table based on a pressure detected by the vacuum pressure sensor.
(Appendix 8)
A semiconductor manufacturing apparatus comprising the substrate transfer apparatus according to any one of
(Appendix 9)
The central region of the suction surface of the transport pick is brought into contact with the substrate, and the substrate is sucked in the central region,
Lowering the transport pick, bringing the outer region around the central region into contact with the substrate, adsorbing the substrate in the outer region,
A substrate transport method for transporting the substrate by moving a transport pick holding the substrate by suction.
(Appendix 10)
The substrate transfer method according to appendix 9, wherein
After adsorbing the substrate in the outer region, raising the transport pick,
A substrate transfer method in which the suction in the central region and the suction in the outer region are repeated when the vacuum pressure in the suction path connected to the suction hole in the central region is not greater than a predetermined vacuum pressure.
(Appendix 11)
The substrate transfer method according to appendix 9, wherein
After adsorbing the substrate in the outer region, raising the transport pick,
When the vacuum pressure in the suction path connected to the suction hole in the central region is greater than a predetermined vacuum pressure, and the vacuum pressure in the suction path connected to the suction hole in the outer region is not greater than a predetermined vacuum pressure, the transfer A substrate transfer method in which the moving speed of the pick is set to a lower speed than the normal moving speed.
(Appendix 12)
The substrate transfer method according to appendix 9, wherein
After adsorbing the substrate in the outer region, raising the transport pick,
When the vacuum pressure in the suction path connected to the suction hole in the central region is larger than a predetermined vacuum pressure and the vacuum pressure in the suction path connected to the suction hole in the outer region is larger than a predetermined vacuum pressure, the transport pick A substrate transfer method in which the moving speed is set to the normal moving speed.
10 半導体製造装置
12 装置筐体
14 ウェハカセット
16 ロードボード
20 チャックテーブル
20A チャックテーブルトップ部
20Aa,20Ac 吸着溝
20a 吸着面
20b 吸着孔
26a 中央領域
26b 外側領域
30 ウェハ搬送ロボット
32 アーム
40 搬送ピック
42 本体
42a 吸着面
42b 吸着孔
42A 本体ベース
42Aa,42Ac 吸着溝
42Ab,42Ad 通路溝
42B 吸着カバー
44 取り付け部
46a 中央領域
46b 外側領域
50 真空吸着搬送制御装置
52 真空源
54A,54B,54C,54D 吸引通路
56A,56B,56C,56D 真空圧力センサ
58A,58B,58C,58D ソレノイドバルブ
60 コントローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10
Claims (6)
前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する制御部と
を有し、
前記搬送ピックの吸着面は平坦な面であって複数の領域に分割され、該複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられ、
前記制御部は、前記載置面上の前記基板を前記吸着面の中央領域に接触させて該中央領域で前記基板を吸着し、前記搬送ピックを下降させて前記基板を前記吸着面で押しながら前記吸着面に沿って平坦化して前記中央領域の周囲の外側領域を前記基板に接触させ、前記外側領域で前記基板を吸着するように前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する基板搬送装置。 A pick picking up the substrate on the mounting surface and carrying the picked up substrate while holding it;
A control unit for controlling the suction holding operation of the substrate by the transport pick,
The suction surface of the transport pick is a flat surface and is divided into a plurality of areas, and a suction path is provided for each of the plurality of areas.
The control unit brings the substrate on the placement surface into contact with a central region of the suction surface , sucks the substrate in the central region, lowers the transport pick and pushes the substrate on the suction surface A substrate transport apparatus that controls the suction holding operation of the substrate by the transport pick so as to flatten along the suction surface, bring the outer region around the central region into contact with the substrate, and suck the substrate in the outer region. .
前記吸着経路は吸引通路を介して真空源に接続され、
該吸引通路に開閉弁が設けられ、
前記制御部は、前記真空源の動作と前記開閉弁の動作を制御して、前記搬送ピックによる基板の吸着保持動作を制御する基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 1,
The adsorption path is connected to a vacuum source via a suction path;
An opening / closing valve is provided in the suction passage;
The control unit controls the operation of the vacuum source and the operation of the on-off valve to control the operation of holding and holding the substrate by the transport pick.
前記吸引通路に真空圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記真空圧力センサが検出した圧力に基づいて、前記基板の吸着状態を判断する基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 2,
A vacuum pressure sensor is provided in the suction passage;
The control unit is a substrate transfer device that determines an adsorption state of the substrate based on a pressure detected by the vacuum pressure sensor.
前記吸引通路に真空圧力センサが設けられ、
前記制御部は、前記真空圧力センサが検出した圧力に基づいて、前記基板の搬送速度を設定する基板搬送装置。 The substrate transfer apparatus according to claim 2,
A vacuum pressure sensor is provided in the suction passage;
The control unit is a substrate transfer apparatus that sets a transfer speed of the substrate based on a pressure detected by the vacuum pressure sensor.
前記搬送ピックを下降させて前記吸着面で前記基板を押しながら前記吸着面に沿って平坦化し、前記中央領域の周囲の外側領域を前記基板に接触させ、前記外側領域で前記基板を吸着し、
前記基板を吸着保持した搬送ピックを移動して前記基板を搬送する基板搬送方法。 The central area of the flat suction surface of the transport pick is brought into contact with the substrate on the mounting surface, and the substrate is sucked in the central area,
The transport pick is lowered and flattened along the suction surface while pushing the substrate at the suction surface, the outer region around the central region is brought into contact with the substrate, and the substrate is sucked at the outer region,
A substrate transport method for transporting the substrate by moving a transport pick holding the substrate by suction.
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