JP5049204B2 - ＳｉＨを有するシランの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、水素を有するシランを、高塩素化されたシランの均一系触媒の存在下での不均化反応によって製造するための方法に関する。

オルガニルハイドロジェンクロロシラン、すなわちＭｅＳｉＨＣｌ₂及びＭｅ₂ＳｉＨＣｌの需要量は、ミュラー・ロッショー（Ｍｕｅｌｌｅｒ−Ｒｏｃｈｏｗ）法による直接合成における副生成物として産出量よりも基本的には高い。

ＥＰ２８６０７４号Ａにおいては、ＭｅＳｉＨＣｌ₂を不均一系触媒の存在下で蒸留塔において不均化反応させてＭｅＳｉＨ₃を得る方法が記載されている。該方法の場合に、その不均一系触媒の寿命が制限されている。その触媒を交換するために、少なくとも、触媒で満たされたプラント部分の運転停止が必要であり、それにより、触媒は蒸留塔中で再生させることができる。しばしば、蒸留塔の開放と、新たな触媒との触媒の交換とが必要である。

ＥＰ６８５４８３号Ａは、ＭｅＳｉＨＣｌ₂を、均一系触媒の存在下で蒸留塔において不均化反応させて、ＭｅＳｉＨ₃を得ることを記載している。しかしながら、その方法の能率化は、より悪い空時収量と、より高い所要エネルギーと矛盾する。

ＤＥ１０２００４０４５２４５号Ａ１では、ＨＳｉＣｌ₃を不均一系触媒の存在下で、少なくとも１つの側方反応器（Ｓｅｉｔｅｎｒｅａｋｔｏｒ）を有する蒸留塔中で不均化反応して、ＳｉＨ₄を製造することが記載されている。不均一系触媒は、側方反応器中に存在するので、該触媒は、より容易に交換することができる。
ＥＰ２８６０７４号Ａ ＥＰ６８５４８３号Ａ ＤＥ１０２００４０４５２４５号Ａ１

本発明の課題は、水素を有するシランを、高塩素化されたシランの均一系触媒の存在下での不均化反応によって製造するための方法において、所要エネルギーを低下させ、エネルギー入力が同じ場合に転化率を高め、不均一系触媒でのみ達成できる空時収量値を達成し、反応操作をより簡単にすることである。

前記課題は、一般式（１）
Ｒ_aＳｉＨ_bＸ_4-b-a （１）
［式中、
Ｒは、アルキル基、アリール基、アルカリール基もしくはハロゲンアルキル基を意味し、
Ｘは、ハロゲン原子を意味し、
ａは、０もしくは１の値を意味し、かつ
ｂは、２、３もしくは４の値を意味する］で示されるシランを、少なくとも１種の高塩素化されたシランを、少なくとも反応型蒸留塔（Ｒｅａｋｔｉｖｄｅｓｔｉｌｌａｔｉｏｎｓｋｏｌｏｎｎｅ）と、前方反応器（Ｖｏｒｒｅａｋｔｏｒ）もしくは側方反応器から選択される少なくとも１つの二次反応器（Ｚｕｓａｔｚｒｅａｋｔｏｒ）とを備えた装置において不均化反応させることにより製造する、シランの製造方法によって解決される。

本願発明の均一系方法では、前方反応器もしくは側方反応器と反応型蒸留塔との組み合わせによって、かつ、これによって高められた滞留時間は、所要エネルギーを、純粋な反応型蒸留塔と比較して３０％までだけ低下させる。

改善された所要エネルギーの他に、反応型蒸留塔と側方反応器／前方反応器との組み合わせによって、エネルギー入力が同じ場合に転化率を高めることができる。

空時収量は、不均一系触媒でのみ達成できた値を達成する。その際、該均一系触媒は、これらが純物質で又は溶解された形で圧送可能であるという利点を有する。それによって、反応操作がより簡単になる。それというのも、該触媒は既に運転中のプロセスの間にも供給できる、すなわち必要に応じて触媒濃度を増大もしくは減少させることができ、触媒を新しくすることができ、又は他の均一系触媒と交換できるからである。

二次反応器は、前方反応器もしくは側方反応器として構成することができる。

本発明においては、前方反応器とは、少なくとも１つの出発物質流が前方反応器に導かれ、かつ少なくとも１つの部分流が前方反応器から反応型蒸留塔に導かれる反応器を指す。反応型蒸留塔から前方反応器への部分流の直接的な返送は行われない。本発明においては、側方反応器とは、少なくとも１つの流が反応型蒸留塔から側方反応器に導かれ、かつ少なくとも１つの流が側方反応器から反応型蒸留塔に返送される反応器を指す。

側方反応器への出発物質の直接的な供給は行われない。

Ｒの例は、アルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、例えばｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、例えばｎ−ヘプチル基、オクチル基、例えばｎ−オクチル基及びイソオクチル基、例えば２，２，４−トリメチルペンチル基、ノニル基、例えばｎ−ノニル基、デシル基、例えばｎ−デシル基、ドデシル基、例えばｎ−ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基及びオクタデシル基、例えばｎ−オクタデシル基、シクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びメチルシクロヘキシル基、アリール基、例えばフェニル基、アルカリール基、例えばｏ−、ｍ−、ｐ−トリル基、キシリル基及びエチルフェニル基、及びアラルキル基、例えばベンジル基、α−及びβ−フェニルエチル基、ハロゲンアルキル基、例えばクロロメチル基、３−クロロプロピル基及び３−ブロモプロピル基、ハロゲンアリール基、例えばｏ−、ｍ−、ｐ−クロロフェニル基及びクロロトリル基である。

基Ｒが１〜１８個の炭素原子、特に有利には１〜６個の炭素原子を有することが好ましい。特に基Ｒはメチル基又はフェニル基である。

有利には、ハロゲン原子Ｘは、塩素、臭素もしくはヨウ素である。

有利には、ＳｉＨＣｌ₃から出発する不均化反応（１）、（２）及び（３）：
２ＳｉＨＣｌ₃→ＳｉＨ₂Ｃｌ₂＋ＳｉＣｌ₄ （１）
３ＳｉＨＣｌ₃→ＳｉＨ₃Ｃｌ＋２ＳｉＣｌ₄ （２）
４ＳｉＨＣｌ₃→ＳｉＨ₄＋３ＳｉＣｌ₄ （３）
が実施される。

特に有利には、ＭｅＳｉＨＣｌ₂から出発する不均化反応（４）及び（５）：
２ＭｅＳｉＨＣｌ₂→ＭｅＳｉＨ₂Ｃｌ＋ＭｅＳｉＣｌ₃ （４）
３ＭｅＳｉＨＣｌ₂→ＭｅＳｉＨ₃＋２ＭｅＳｉＣｌ₃ （５）
が実施される。

有利には、請求項１に記載の一般式（１）のシランは、ＭｅＳｉＨＣｌ₂及びＭｅ₂ＳｉＨＣｌから選択されるシランの製造のために使用される。

均一系触媒は、有利には少なくとも１つの完全に有機置換されたアンモニウム単位、ホスホニウム単位もしくはイミダゾリウム単位を有する。その例は、第四級アンモニウム塩及びホスホニウム塩並びに正電荷を有する複素環であり、それらは、窒素原子及びリン原子から選択される１つ以上の完全に有機置換された原子を有する。有利な正電荷を有する複素環は、イミダゾリウム塩及びピリジニウム塩である。

有利には触媒として：
（ａ）一般式Ｒ¹ ₄ＮＸ¹で示される第四級アンモニウム塩、及び
（ｂ）一般式Ｒ² ₄ＰＸ²で示される第四級ホスホニウム塩
が使用され、それらの式中、
Ｒ¹及びＲ²は、ハロゲン置換されたもしくはハロゲン置換されていない、ヘテロ原子を有するもしくは有さない炭化水素基を意味し、かつ
Ｘ¹及びＸ²は、ハロゲン原子を意味する。

Ｒ¹及びＲ²は、例えば分枝鎖状、非分枝鎖状又は環式のアルキル基及び多重結合系、例えばアリール基、アルカリール基並びにアラルキル基であってよい。Ｒ¹及びＲ²のための例は、Ｒに関して挙げられた、ハロゲン置換された又はハロゲン置換されていないアルキル基、アリール基又はアルカリール基並びにアラルキル基についての例、例えばｏ−、ｍ−及びｐ−フェニルアルキル基である。

有利には、基Ｒ¹及びＲ²は、１〜１８個の炭素原子、特に有利には１〜１０個の炭素原子を有し、特に基Ｒ¹及びＲ²は、２〜８個の炭素原子を有するアルキル基である。

ハロゲン原子Ｘ¹及びＸ²は、有利には塩素、臭素又はヨウ素、特に塩素である。

好ましいのは、第四級ホスホニウム塩（ｎ−ブチル）₃（ｎ−オクチル）ＰＣｌである。かかる均一系触媒を、第三級ホスフィンとアルキルハロゲン化物とのアルキル化により製造することは、例えばＨｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ，Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ出版、第ＸＩＩ／１巻、第７９〜９０頁、１９６３年（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ，Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ，Ｂａｎｄ ＸＩＩ／１，Ｓ．７９−９０，１９６３）に記載されている。

更に有利には、触媒としては：
（ｃ）一般式

で示されるイミダゾリウム塩、及び
（ｄ）一般式

で示されるピリジニウム塩
が使用され、それらの式中、
Ｒ⁸は、水素と、Ｒ¹及びＲ²の意味を有し、
Ｒ⁷、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、Ｒ¹及びＲ²の意味を有し、かつ
Ｘ⁵及びＸ⁶は、Ｘ¹及びＸ²の意味を有する。

更に有利には、触媒として：
（ｅ）第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、ピリジニウム塩及びイミダゾリウム塩のイオン性液体、つまり低融点の塩
が使用される。その有利な融点は、本方法に関しては、１バールで、高くても１５０℃、有利には高くても１００℃、特に有利には高くても５０℃である。

イオン性液体のカチオンの基は、有利には前記の基Ｒ¹及びＲ²に相当する。

イオン性液体は、有利には金属ハロゲン化物又は遷移金属ハロゲン化物として使用される。金属ハロゲン化物又は遷移金属ハロゲン化物の製造のために、例えばＭＸ_e［式中、ＭはＧａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉであり、かつＸはハロゲンである］が使用される。しかしながら別の組成を使用することもできる。それらは、例えば以下のアニオン：ＡｌＣｌ₄ ^-、Ａｌ₂Ｃｌ₇ ^-、Ａｌ₃Ｃｌ₁₀ ^-、ＡｌＥｔＣｌ₃ ^-、Ａｌ₂Ｅｔ₂Ｃｌ₅ ^-、ＢＣｌ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、ＢＥｔ₃Ｈｅｘ^-、ＣｕＣｌ₂ ^-、Ｃｕ₂Ｃｌ₃ ^-、Ｃｕ₃Ｃｌ₄ ^-、ＳｎＣｌ₃ ^-、Ｓｎ₂Ｃｌ₅ ^-、ＰＦ₆ ^-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＮＯ₃ ^-、ＨＳＯ₄ ^-、ＣＨ₃ＳＯ₄ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-、（ＣＦ₃ＳＯ₂）₂Ｎ^-を含有する。

イオン性液体のための特定の例は：
１−エチル−３−メチル−イミダゾリウムクロライド−アルミニウムクロライド（ＥＭＩＭＣＬ／ＡｌＣｌ₃）
１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウムクロライド−アルミニウムクロライド（ＢＭＩＭＣＬ／ＡｌＣｌ₃）
３−メチル−Ｎ−ブチル−ピリジニウムクロライド−アルミニウムクロライド（３−ＭＢＰＹＣＬ／ＡｌＣｌ₃）
１−ブチル−ピリジニウムクロライド−アルミニウムクロライド（ＢＰＹＣＬ／ＡｌＣｌ₃）
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライド−アルミニウムクロライド（ＴＢＰＣＬ／ＡｌＣｌ₃）
である。

イミダゾリウム塩が特に好ましい。

好適なイオン性液体及びそれらの製造は、例えばＤＥ１０１５７１９８号Ａに記載されている。

純粋なイオン性液体（ｅ）又はイオン性液体の混合物を使用することができ、又はイオン性液体（ｅ）と、塩（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）から選択される塩とから構成される混合物を使用することができる。イオン性液体（ｅ）は、同時に、塩（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）から選択される塩のための溶剤又は溶解補助剤の機能も持ちうる。

イオン性液体は、有利には、シランを有する反応混合物中で、０．１〜８０質量%、特に１〜１０質量%の割合まで使用される。

均一系触媒（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）は反応媒体中で可溶性である。これらの触媒は、有利には純物質において、好ましくは高沸点の不活性有機溶剤、有利には炭化水素、例えばテトラリンもしくはデカリン中に溶解させて、又は一般式Ｒ_aＳｉＸ_4-a［式中、Ｒ及びＸは前記の意味を有する］で示される不揮発性（ｓｃｈｗｅｒｓｉｅｄｅｎｄ）の生成物シラン中に溶解させて使用される。

ホスホニウム触媒及びイミダゾリウム触媒は、本発明による方法では、種々のオルガニルクロロシラン媒体中での優れた熱安定性と、本発明による不均化反応での高い触媒活性とに卓越している。

本発明による方法は、回分式に、半連続的に又は完全連続的に実施することができる。完全連続的に実施することが好ましい。本発明による方法では、不均化反応の反応操作は、反応型蒸留と二次反応器とを接続したもの（Ｖｅｒｓｃｈａｌｔｕｎｇ）において実施される。本発明による両方の反応器を接続したものは、化学平衡にわたって広く、不均化反応の容易かつ力強い反応操作を可能にする。二次反応器は、十分な滞留時間を保証するために用いられる。それに対して、反応型蒸発によって、化学平衡にわたって転化率の向上が可能となる。

不均化反応は、有利には０．１〜２０バールの圧力で、特に１〜５バールの圧力で、かつ有利には０〜２５０℃の温度で、特に２５〜１５０℃の温度で行われる。

シラン出発物質は、気体形もしくは液体形で、又は不活性有機溶剤、例えばヘキサン、トルエン、キシレンもしくはクロロベンゼン中に溶解させて使用される。

本発明による方法でトリクロロシランの不均化反応によって製造されるジクロロシラン及び／又はモノクロロシラン及び／又はシランを、下流の反応においてＭｅＳｉＣｌ₃と反応させることが好ましい。目的生成物ＭｅＳｉＨＣｌ₂は、均等化反応において高収率で得られる。そうすると、全反応式としては：
ＭｅＳｉＣｌ₃＋ＳｉＨＣｌ₃→ＭｅＳｉＨＣｌ₂＋ＳｉＣｌ₄ （６）
が得られる。

更に、本発明による方法でメチルジクロロシランの不均化反応によって製造されるＭｅＳｉＨ₂Ｃｌ及び／又はＭｅＳｉＨ₃を、下流の反応においてＭｅ₂ＳｉＣｌ₂と反応させることが好ましい。目的生成物Ｍｅ₂ＳｉＨＣｌは、均等化反応において高収率で得られる。

そうすると、全反応式としては：
Ｍｅ₂ＳｉＣｌ₂＋ＭｅＳｉＨＣｌ₂→Ｍｅ₂ＳｉＨＣｌ＋ＭｅＳｉＣｌ₃ （７）
が得られる。

ＳｉＨを有するオルガニルクロロシランは、官能性シランもしくはシロキサンの製造のための有用な出発化合物であり、これらは二重結合もしくは三重結合を有する脂肪族の有機化合物によるヒドロシリル化反応によって得られる。例えばジメチルクロロシランの他の用途は、ジメチルハイドロジェンシリル基を有するオルガノポリシロキサンの製造であり、該シロキサンは付加架橋性のシリコーンゴム組成物で使用される。

本発明による前方反応器を伴う方法の好ましい一実施形態を、図１をもとに詳説する：
流（１）及び（１３）からの出発物質と、流（１０）からの触媒とを混合し、それを、流（２）を介して前方反応器（Ｒ１）中に導入する。そこで、既に不均化反応は行われる。前方反応器（Ｒ１）において、反応生成物の蒸留による分離によって、化学平衡にわたる転化率を高めることができる。前方反応器（Ｒ１）の頂部で、低塩素化シランが富化され、それを流（３）として反応型蒸留塔（Ｋ１）中に導入する。そこで、それらは化学平衡を越えて転化される。触媒を含有する高塩素化されたシランは、缶出物として流（４）において前方反応器（Ｒ１）を出て行く。反応型蒸留塔（Ｋ１）中に、出発物質は流（１２）を介しても到達する。反応型蒸留塔（Ｋ１）は、触媒を流（９）を介して受け取る。反応型蒸留塔（Ｋ１）において、その塔頂部で、低塩素化されたシランが流（１４）として取り出される。触媒を含有する高塩素化されたシランは、缶出物として流（５）において反応型蒸留塔（Ｋ１）を出て行き、そして流（４）と一緒に流（６）として蒸留ユニット（Ｄ１）に供給され、そこでシラン流（７）と触媒流（８）とに分離される。触媒流（８）は、流（９）と（１０）とに分離される。シラン流（７）を蒸留塔（Ｋ２）に供給し、そこから塔底部で高塩素化されたシランを流（１５）として排出し、そして塔頂部で得られた流（１１）を低塩素化されたシランから流（１２）と（１３）とに分離する。

前方反応器（Ｒ１）についての反応器型としては、Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓ ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ；第７版（２００６年）で示されているような典型的な液相反応器が該当する。特に、管形反応器、ループ型反応器もしくは撹拌槽反応器として、あるいは反応型蒸留としての実施態様が好ましい。

反応型蒸留塔（Ｋ１）は、例えば充填塔、充填体塔もしくは段塔として構成することができる。更に、反応型蒸留塔（Ｋ１）中での液体滞留量は、炉床（Ｋａｍｉｎｂｏｄｅｎ）もしくはダウンカマー（Ａｂｌａｕｆｓｃｈａｃｈｔ）などの好適な内部取付物によって高めることができる。

有利には、本発明による不均化反応において得られた一般式（Ｉ）で示されるシランを、引き続き均等化反応において更に反応させることができる。反応全体では、クロロシランの変換反応である。

本発明による方法でトリクロロシランの不均化反応によって製造されるジクロロシラン及び／又はモノクロロシラン及び／又はシランを、下流の反応においてＭｅＳｉＣｌ₃と反応させることが好ましい。目的生成物ＭｅＳｉＨＣｌ₂は、均等化反応において高収率で得られる。

前方反応器を使用した係る反応全体を、本発明による方法の更なる好ましい実施態様として図２をもとに説明する：
反応型蒸留塔（Ｋ１）から塔頂部で流（１４）として取り出される低塩素化されたシランを、均等化反応器（Ｒ２）へと、流（１６）中の高塩素化されたシラン及び流（１８）中の低塩素化されたシランと一緒に導入する。均等化反応器（Ｒ２）からの流（１７）中のシラン生成物を、蒸留塔（Ｋ３）中で、低塩素化されたシランからなる流（１８）と、高塩素化されたシランからなる生成物流（１９）とに分離する。流（１８）中の低塩素化されたシランは、均等化反応器（Ｒ２）中に返送される。

本発明による側方反応器を伴う方法の好ましい一実施形態を、図３をもとに詳説する：
出発物質を、流（２０）及び（２５）として、反応型蒸留塔（Ｋ１）に導入する。触媒流（２４）を、反応型蒸留塔（Ｋ１）に導入する。反応型蒸留塔（Ｋ１）の反応混合物の一部を、側方反応器（Ｒ３）に案内する。反応型蒸留塔（Ｋ１）と側方反応器（Ｒ３）とにおいて、不均化反応が行われる。そこで、出発物質は化学平衡を越えて転化される。反応型蒸留塔（Ｋ１）において、その塔頂部で、低塩素化されたシランが流（２１）として取り出される。触媒を含有する高塩素化されたシランは、缶出物として流（２２）において反応型蒸留塔（Ｋ１）を出て行き、そして蒸留ユニット（Ｄ１）に供給され、そこでシラン流（２３）と触媒流（２４）とに分離される。触媒流（２４）を、反応型蒸留塔（Ｋ１）に返送する。シラン流（２３）を蒸留塔（Ｋ２）に供給し、そこから塔底部で高塩素化されたシランを流（２６）として排出し、そして塔頂部で得られた流（２５）を低塩素化されたシランから反応型蒸留塔（Ｋ１）中に返送する。

側方反応器（Ｒ３）中で、反応容量の増大が起こる。この目的のために、液相を反応型蒸留塔（Ｋ１）中で回収し、そして側方反応器（Ｒ３）に導く。側方反応器（Ｒ３）において、十分な滞留時間にわたって、転化は、ほぼ化学平衡で行われる。気相と液相を、側方反応器（Ｒ３）から好適な位置で、反応型蒸留塔（Ｋ１）中に返送する。

前記式の全ての存在する記号は、それらの意味をそれぞれ互いに無関係に有する。全ての式中でケイ素原子は四価である。

本発明の範囲内で、それぞれ特に記載がない限り、全ての量とパーセンテージの表記は質量に対するものであり、全ての温度は２０℃であり、かつ全ての圧力は１．０１３バール（絶対）である。

実施例１： 一般式Ｒ_aＳｉＨ_bＸ_4-b-a（１）で示されるクロロシランの製造のための不均化反応
ａ） 前方反応器なし − 本発明によるものではない
不均化反応を、図４による装置中で実施した。全ての出発物質は流（１）を介して、そして全ての触媒は流（８）を介して、直接的に反応型蒸留塔（Ｋ１）中に導かれる。

ｂ） 前方反応器あり
不均化反応を、図１による装置中で実施した。前方反応器（Ｒ１）と接続した反応操作において、付加的な反応容量が前方反応器（Ｒ１）中で行われる。出発物質と均一系触媒とからなる供給混合物を、前方反応器（Ｒ１）中に入れる。

実施例１ｂによる前方反応器ありでの反応操作は、前方反応器を管形反応器とした実施態様の場合には、必要な加熱出力を２３％まで削減可能にし、そして冷却出力では２５％の削減を可能にする（第１表を参照）。より低い所要エネルギーの他に、実施例１ｂ）は、実施例１ａ）と比較して、１７％まで高い空時収量を有し、これはより小さい反応器寸法をもたらす。

第１表： プロセスの一定の全転化率での、前方反応器の取り付けられた容量に依存する、相対所要エネルギーと空時収量。第一行目は、前方反応器（Ｒ１）の容量と、反応型蒸留塔（Ｋ１）中の反応容量との比率を示している。比率が０の場合には、比較の目的のために、実施例１ａによる純粋な反応型蒸留が存在する。

第２表： ＳｉＨＣｌ₃及びＭｅＳｉＨＣｌ₂の不均化反応についての、実施例１からの流の主要成分。

実施例２： 側方反応器ありでの、一般式Ｒ_aＳｉＨ_bＸ_4-b-a（１）で示されるクロロシランの製造のための不均化反応
不均化反応を、図３による装置中で実施した。

第３表： ＳｉＨＣｌ₃及びＭｅＳｉＨＣｌ₂の不均化反応についての、実施例２からの流の主要成分。

実施例３： 前方反応器を使用した、一般式Ｒ_aＳｉＨ_bＸ_4-b-a（１）で示されるクロロシランの変換反応のための方法
不均化反応を、図２による装置中で実施した。

第４表： 実施例３からの流の主要成分と流量

図１は、本発明による前方反応器を伴う方法の好ましい一実施形態を示す。 図２は、本発明による方法の更なる好ましい実施態様を示す。 図３は、本発明による側方反応器を伴う方法の好ましい一実施形態を示す。 図４は、本発明によるものではない前方反応器なしでの装置を示す。

符号の説明

１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６ 流、 Ｋ１ 反応型蒸留塔、 Ｋ２ 蒸留塔、 Ｋ３ 蒸留塔、 Ｒ１ 前方反応器、 Ｒ２ 均等化反応器、 Ｒ３ 側方反応器、 Ｄ１ 蒸留ユニット

Claims (3)

1. 一般式（１）
   Ｒ_aＳｉＨ_bＸ_4-b-a （１）
   ［式中、
   Ｒは、アルキル基、アリール基、アルカリール基もしくはハロゲンアルキル基を意味し、
   Ｘは、ハロゲン原子を意味し、
   ａは、０もしくは１の値を意味し、かつ
   ｂは、２、３もしくは４の値を意味する］で示されるシランを製造する方法において、少なくとも１種の高塩素化されたシランを、均一系触媒の存在下で、少なくとも反応型蒸留塔と、前方反応器もしくは側方反応器から選択される少なくとも１つの二次反応器とを備えた装置において不均化反応させることにより行う、シランの製造方法であって、
   該不均化反応において、ＭｅＳｉＨＣｌ ₂ から出発する、（４）及び（５）：
   ２ＭｅＳｉＨＣｌ ₂ →ＭｅＳｉＨ ₂ Ｃｌ＋ＭｅＳｉＣｌ ₃ （４）
   ３ＭｅＳｉＨＣｌ ₂ →ＭｅＳｉＨ ₃ ＋２ＭｅＳｉＣｌ ₃ （５）
   から選択される不均化反応が実施され、前記均一系触媒が、少なくとも１つの完全に有機置換されたアンモニウム単位、ホスホニウム単位もしくはイミダゾリウム単位を含み、
   前記前方反応器は、少なくとも１つの出発物質流が前方反応器に導かれ、かつ少なくとも１つの部分流が前方反応器から反応型蒸留塔に導かれる反応器であって、反応型蒸留塔から前方反応器への部分流の直接的な返送は行われない反応器であることを特徴とする、シランの製造方法。
2. 請求項１に記載の方法において、基Ｒが、メチル基もしくはフェニル基であり、かつハロゲン原子Ｘが、塩化物イオンであることを特徴とする方法。
3. ＭｅＳｉＨＣｌ _２ またはＭｅ _２ ＳｉＨＣｌから選択されるシランの製造のための、請求項１または２記載の方法において製造されるシランの使用。

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