JP5047451B2 - 感度およびビデオインターフェイスとの互換性が向上した、垂直カラー受光器 - Google Patents

感度およびビデオインターフェイスとの互換性が向上した、垂直カラー受光器 Download PDF

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Description

本発明は、一般的には画素アレイ技術に関する。さらに詳細には、本発明は、色に対する感度および、従来のビデオシステムと互換性のあるビデオインターフェイスが向上した垂直受光器に関する。
イメージセンサは通常、デジタルカメラのような様々なアプリケーションで用いられている。イメージセンサは、アレイとして配設されている複数の画素センサを含む。光はスキームから反射され、イメージセンサに受け取られる。イメージセンサは、アレイ内の各画素センサに、光の強度レベルに対応する大きさの信号出力を提供する。
従来のカラーイメージセンサは、アレイ内にセルとして配設されている3つのセンサ要素を含む。したがって、各センサは赤色信号を提供する第1センサ要素、緑色信号を提供する第2センサ要素、そして青色信号を提供する第3センサ要素を含む。各センサ要素は、その素子の表面の上に配設されているカラーフィルタを含む。例えば、赤色フィルタは第1センサ要素の上に配設されており、緑色フィルタは第2センサ要素の上に配設されており、そして青色フィルタは第3センサ要素の上に配設されている。各センサ要素からの信号が、イメージセンサから検出したカラー信号に対応するように、フィルタは、他の色を遮断する。
本発明は、従来の受光セルに比べ、感度が向上した改良された垂直受光セルに関する。改良された垂直受光セルは、隣接する改良された受光セルから光子キャリアを収集するように構成されており、各色に関連するセンサ領域の有効範囲が増加する。
本発明の実施形態によると、イメージセンサの画素セルは第1垂直受光セルおよび第2垂直受光セルを含む。第1垂直受光セルはイメージセンサ内の第1位置の近くに配設されている。第2垂直受光セルはイメージセンサ内の第2位置の近くに配設されている。第2位置は第1位置に隣接している。第1受光領域は、第1垂直受光セルおよび第2垂直受光セル内に位置しており、そして第1色に実質的に対応する光を検出するために配設されている。第1受光領域は第1位置に第1の幾何学的な中心を有する。第2受光領域は第2垂直受光セル内に位置しており、そして第2色に実質的に対応する光を検出するために配設されている。第2受光領域は第2位置に第2の幾何学的な中心を有する。
本発明の他の特徴によると、第1色は赤、緑、および青のうちの一色でよく、第2色は赤、緑、および青のうちの別の一色でよい。
本発明の他の特徴によると、第1受光領域は第1平面内にあり、第2受光領域は第1平面とは異なる第2平面内にある。第1受光領域は第2受光領域と交差しない。実施形態の1つによると、第1平面は第2平面の上に位置してよく、第1受光領域のほうがイメージセンサの表面に近接している。第1受光領域は、第1受光領域からイメージセンサの表面に及んでいる電気的接触子を介して信号を供給するように配設されていてよい。他の実施形態によると、第1平面は第2平面の下に位置し、第2受光領域のほうがイメージセンサの表面に近接している。第1受光領域は、第2受光領域に接触することなく、第1受光領域からイメージセンサの表面に及んでいる電気的接触子を介して信号を供給するように配設されていてよい。
本発明による他の実施形態では、第3垂直受光セルがイメージセンサ内の第3位置に配設されている。第3位置は、第1位置および第2位置に隣接している。第3受光領域は第3垂直受光セル内に配設されている。第3受光領域は第3色に実質的に対応する光を検出するために配設されている。第3受光領域は、第3位置に第3の幾何学的な中心を有する。画素セルはまた、イメージセンサ内の第4位置に配設される第4垂直受光セルを備えてよい。第4の位置は第1、第2、第3および第4位置に隣接している。第4受光領域は第4垂直受光セル内にある。第3受光領域は、実質的に第3色に対応する光を検出するために配設されている。第4受光領域は第4位置に第4の幾何学的中心を有する。第1、第2、第3および第4の垂直受光セルはセンサセルを画定するグループとして配設されていてよい。
さらに本発明の他の実施形態において、イメージセンサは画素セルのアレイとして配設されている。イメージセンサは第1、第2、第3および第4センサを含む。第1センサは、波長が第1波長にほぼ一致する光に対して感度がある。第1センサはアレイ内の第1画素位置を中心とする。第2センサは波長が第2波長にほぼ一致する光に対して感度がある。第2センサはアレイ内の第2画素位置を中心とする。第3センサは波長が第3波長にほぼ一致する光に対して感度がある。第3センサはアレイ内の第3画素位置を中心とする。第4センサは波長が第3波長にほぼ一致する光に対して感度がある。第4センサはアレイ内の第4画素位置を中心とする。センサ材料は第1センサ、第2センサ、第3センサおよび第4センサからから選択された1つのセンサに関連する。センサ材料は、中心部分および拡張部分を有する。中心部分は、垂直受光セル内に配設されている。拡張部分は、前記垂直受光セルに隣接する他の垂直受光セル内に配設されている。隣接する垂直受光セルから光子キャリアを収集して選択したセンサの感度が上がるように、中心部分と拡張部分は連結している。
本発明の、他の特徴によると、画素セルのアレイは第1、第2、第3および第4の代替パターンのセットを含む。第1および第3センサの第1代替パターンは、画素セルから第1方向に沿って延びている。第1および第4センサの第2代替パターンは、画素セルから第2方向に沿って延びている。第2および第3センサの第3代替パターンは、画素セルから第1方向に沿って延びている。第2および第3センサの第4代替パターンは、画素セルから第2方向に沿って延びている。
本発明の、更に他の特徴によると、センサのうちから1つ選択したセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成される。該成形されたパターンは、アレイ内の画素を実質的に中心とする四角形でよい。成形されたパターンは、アレイ内の画素の周りで45度の角度をなしてよい。成形されたパターンは、第1波長に関連する色について約100%の充てん率を有するセンサを生成してもよい。成形パターンは、センサ材料の中心に直交する軸に沿って延びているセンサ材料の拡張部分を有してよい。選択されたセンサ材料は、アレイ内の画素に関連する領域の実質的に3倍の効果的な領域を有してよい。
またさらに本発明の他の特徴によると、センサのグループは、第2波長にほぼ一致する波長の光に感度がある第5センサを含む中心部分の輪郭を形成する。第5センサは、中心部分に入射した第2波長に関連する光により生じた光子キャリアを排出するように構成されている。
また他の例では、イメージセンサは、光子キャリアを収集するための第1手段、第2手段および第3手段を有する。光子キャリアを収集するための第1手段は、第1光子キャリアを第1垂直受光セルから集めるように構成されている。第1光子キャリアは第1色に関連している。光子キャリアを収集するための第2手段は、第1垂直受光セルに隣接して配設されている第2垂直受光セルから第2光子キャリアを集めるように構成されている。第2光子キャリアは、第2色に関連している。光子キャリアを収集するための第3手段は、第1光子キャリアを第2垂直受光セルから集めるように構成されている。垂直受光セルおよび隣接する垂直受光セルからの第1色に関連する光子キャリアをまとめて、センサの第1色に関する感度を向上させるために、連結手段が、光子キャリアを収集するための第2手段から収集された第1光子キャリアを、光子キャリアを収集するための第1手段から収集された第1光子キャリアに連結するように構成されている。
本発明およびその改良発明について、簡単な説明が以下にある添付の図面、本発明の好適な実施形態について述べた以下の詳細な記述、および添付の請求項を参照するとより詳細が理解できる。
明細書、および請求項において、「接続している」というのは接続している物体が、中間装置なしに直接電気的に接続していることを意味する。「連結している」というのは、接続している物体が直接電気的に接続していること、または1つ以上の受動または能動中間装置を介して間接的に接続していることを意味する。「回路」なる用語は、連結して所望の機能を提供する、能動または受動の1つまたは複数の構成部品を意味する。
従来のデジタルビデオプロセッサ(DVP)は、赤色、緑色および青色信号のうちの1つを様々な時間において選択的に読み取ることにより、カラー読み取りラインを処理するために配設されている。言い換えれば、センサアレイ内の画素に関連する1色が1度に処理される。本発明によると、改良された画素センサアレイは従来のDVPと互換性のあるインターフェイスを含む。改良された画素センサアレイは、画素センサアレイ内では画素と呼ばれている垂直受光セルを含む。各受光セルの感度および充てん率は、従来の受光セルに比べて向上する。また、後述するように、各受光セル内の有害なエイリアシング効果は低減する。
本発明はイメージセンサ内に用いられる、改良された垂直受光セルに関する。改良されたセンサ内の既定の色に関するセンサ材料は、隣接するセルからの光子キャリアがまとめられるように、隣接する改良されたセンサ内の同じ色に関するセンサ材料に連結している。センサ材料が連結されると、既定の色に対するセンサ領域が増加する。センサ内の各画素に関するセンサ領域が増加すると、各色に対する感度と充てん率が向上する。イメージセンサアレイ内には、各色の面がパターンでならぶように垂直受光セルが配設されている。パターン内の各センサは中心部分と拡張部分を有する。中心部分および拡張部分はそれぞれアレイ内の画素に関する幾何学的な中心の周りに位置している。
図1は、本発明に用いてもよい垂直受光器の例示的な横断面図である。垂直受光セルは領域120にnタイプ材料、領域130にpタイプ材料を備える。PD1−PD5に示したように、フォトダイオードはnタイプ材料(120)とpタイプ材料(130)の境界に形成される。
操作中、各pタイプ材料領域は、回路の接地線に連結されており、一方でnタイプの材料領域はそれぞれ他の回路(190)に連結されている。受光器は光(150)を表面110の中心部分で受光し、一方で表面(110)の他の部分を覆うために、遮光部材(140)が配設されている。各フォトダイオードは光に対して感度がある。光に伴うエネルギーは、特定の各フォトダイオードが受光した光の強さのレベルに比例した量の光電流がフォトダイオード(PD1−PD5)内を流れるように、シリコン材料に吸収される。各フォトダイオードは半導体材料内で、光の特定の波長に対応する深さに配置されている。例えば、フォトダイオードPD1は青い光の波長の光に感光し、フォトダイオードPD2およびPD3は緑の光の波長の光に感光し、フォトダイオードPD4およびPD5は赤い光の波長の光に感光する。
回路190は、各セットがトランジスタ12、14および16を備えるトランジスタのセットを3セット備える。回路(190)の動作は3段階から成る。動作の第1段階はリセット段階で、様々な接続点の電位が初期化される。動作の第2段階は統合段階で、露光時間間隔の間に光電流が統合されるように、光が受光セルの表面に当たる。動作の第3段階は読み取り段階で、統合段階からの信号レベルが、処理のための他の回路(例えばDVP)へ提供される。読み取りライン160、170および180は、センサに関連する赤、緑および青の強度レベルの読み取りラインに対応する。回路190の動作は、単一のフォトダイオードに関して下記でさらに詳細に説明する。
図2は本発明にしたがって配置された画素アレイの例示的な画素セル(200)の略図である。画素セルは3つのトランジスタを含み、そして以下3−T画素セルと呼ぶ。3−T画素セルはフォトダイオード(PD20)および3つのNMOSトランジスタ(202、204、206)を含む。
トランジスタ202は、RESET信号に連結しているゲート、高出力電源(VCC)に連結しているドレイン、および接続点10でフォトダイオードに連結しているソースを有する。該フォトダイオードは、接続点10に連結しているカソードと、低出力電源(GND)に連結しているアノードを有する。トランジスタ204は、接続点10に連結しているゲート、接続点12に連結しているソース、および高出力電源(VCC)に連結しているドレインを有する。トランジスタ206は、SELECT信号に連結しているゲート、列読み取りラインに連結しているソース、そして接続点12に連結しているドレインを有する。トランジスタ202はRESET信号により動作されたとき、画素セルをリセットするために配設されている。トランジスタ204は、接続点10からの電圧を緩衝するソース・フォロワとして動作する。トランジスタ206は、SELECT信号により動作されたとき、ソース・フォロワ(トランジスタ204)の出力と列読み取りラインを連結させるために配設されている。
3−T画素セルの一般的な動作は次の通りである。正のバイアス電圧がフォトダイオードPD20のカソードに印加されるように、正のパルスがトランジスタ202のゲートに印加される。フォトダイオードは、フォトダイオードに電圧が印加されている間に電荷が蓄えられる、固有障壁容量(Cd)を有する。トランジスタ202がオフになっても、フォトダイオードPD20は、その障壁容量(Cd)に蓄えられた電荷のために、前記正のバイアス電圧にバイアスがかかったままである。光電流(Ip)は、フォトダイオードが光子(光)を受けたときに、フォトダイオードのカソードからアノードに流れる。光電流(Ip)はフォトダイオードの障壁容量(Cd)を放電し、そしてフォトダイオードPD20の電圧を降下させる。
画素セル200の接続点10には浮遊容量および寄生容量(Cp)が生じる。浮遊容量および寄生容量(Cp)は、トランジスタ204(ソース・フォロワ)のゲートからの寄生容量とトランジスタ202(リセットトランジスタ)のソースからの寄生容量により実質的に決まる。最初にフォトダイオードに印加されるバイアス電圧は容量CpとCdの組み合わせに蓄えられる。
光電流(Ip)は、統合時間(Ti)の間に、寄生容量(Cp)と一緒に障壁容量(Cd)に統合される。コンデンサに統合される全電荷は、Ip*Tiで決定される。統合間隔の最後に、フォトダイオードの出力電圧(Vd)は、Vs=Ip*Ti/(Cd+Cp)で決定される量(Vs)だけ低減する。したがって、フォトダイオードの出力電圧(Vd)は、Vd=Vi―Vs、ここでViはフォトダイオードに光を当てる前にコンデンサCdに蓄えられていた最初の電圧、により決定される。Vsは、受光した光の強度(Ip)、および露光時間(Ti)の長さに関連しているので信号電圧と呼ばれている。
出力電圧(Vd)は、接続点12における信号が(Vd―Vt)、ここでVtはトランジスタ203のスレショルド電圧、に対応するように、ソース・フォロワを動作させるトランジスタ204のゲートに印加される。トランジスタ206のソースで、読み取り電圧(Vd−Vt)が列読み取りラインに連結されるように、SELECT信号を介して正のパルスがトランジスタ206(SELECTトランジスタ)のゲートに印加される。列読み取りラインは、オフセット電圧により、フォトダイオードの出力電圧(Vd)に関連している読み取り電圧を受ける。オフセット電圧は、トランジスタ204の閾値電圧(Vt)に対応する。
改良された垂直受光セル
受光セルは、近くの受光セルに隣接するように配設されている。センサアレイ内の各画素は、3つの受光セル、各色(例えばRGB)に1つずつ、を備える。垂直受光セルはある色の信号(例えば赤)を提供するために、また隣の受光セルは他の色の信号(例えば緑)を提供するために配設されている。
光電流は対応するフォトダイオードに入射光が受光されると各受光セルで発生する。受光セルに当たった入射光の3分の1が直ちにその画素(1色に対応している)で用いられ、一方で入射光の3分の2はその画素に関係がない(他の2色)。各受光セルにおいて、指定色に対する感度は、隣接する画素からの指定色に関する光電流を用いることにより、向上する。図3を参照しながら、改良された垂直受光セルについて、次に述べる。
図3に示した、改良された受光セルは2つの隣接する画素を示している。各画素は、青色感応領域(320)、緑色感応領域(330)、赤色感応領域(340)、および垂直受光器からの信号を処理するために配設されている電子回路(310)を有する垂直受光セルを含む。1つの例では、赤色および青色感応フォトダイオードが埋め込まれている。埋め込まれたフォトダイオードには、打ち込まれた「プラグ」を用いてデバイスの表面から接触可能である。青色デバイスはシリコンの表面に打ち込まれている。対応する色に応じて、入射光により生成された光子キャリアを収集するために、フォトダイオードが配設されている。
図3の左半分にある画素は赤色信号(R1)を処理するために、図3の右半分にある画素は緑色信号(G1)を処理するために配設されている。図の右側の赤色感応ダイオードは、図の左側の赤色感応ダイオードにつながっている。赤色画素のための電子回路(310)は緑色画素(右側)により収集された赤色光子を検出する。同様に、図の左側の緑色感応フォトダイオードは図の右側の緑色感応フォトダイオードにつながっている。緑色画素のための電子回路(310)は、赤色画素(左側)により収集された緑色光子を検出する。充てん率および各色に対する感度は、隣接する画素からの光子を収集することにより、イメージセンサで向上する。
図3に示した各フォトダイオード領域は、はめ込み方法(例えば青色のハッシュパターン)を含む単純化した略図で、様々なフォトダイオード領域を示している。しかし、影の付いた各部分は、実際には、pタイプおよびnタイプ半導体材料の接合部として画定される(図1参照)。ある例では、はめ込まれた領域は画定された領域内に打ち込まれたnタイプ材料として表され、pタイプ材料が各nタイプ材料領域を分けている。この例の場合、nタイプ接触プラグはデバイスの表面から、埋め込まれた被接触領域へと延びている。
図3の点線領域(332)で示したように、図3に示した緑色フォトダイオード領域は、赤色フォトダイオードのための接触プラグと交差できない。隣接する垂直セルからの緑色ダイオード材料間の接続は、後述するように3次元の空間で行われる。同様に、隣接する垂直セルからの青色フォトダイオード材料間の接続は、緑色および赤色フォトダイオードの接触プラグ(図示されていない)と交差できない。
画素センサアレイ構成
図4に画素センサアレイを示した。画素センサアレイは複数の行と列から構成される。アレイ内の各画素は図1から図3に示したようは垂直受光セルに対応するカラーセンサである。
同じ色を感知する垂直受光セルが1つおきに並ぶように、画素センサアレイは配設されている。例えば第1行目は、センサは赤色センサ(R)そして次に緑色センサ(G)の繰り返しパターンで配設されている。第1列を見ると、センサは赤色センサ(R)そして次に緑色センサ(G)の繰り返しパターンで配設されている。第2列をみると、センサは緑色センサ(G)そして次に青色センサ(B)の繰り返しパターンで配設されている。
各センサセルで3色が処理されるので、4つの画素の各グループはx−y座標格子上の共通の中心位置を画定する。図4に示したように、4つの垂直受光セルから成る各グループは赤色センサ(R)を1つ、緑色センサ(G)を2つ、青色センサ(B)を1つ含む。センサセルは、図4から図6に示したようなイメージセンサアレイを形成するために、パターンで繰り返すことができる。
センサの4画素グループ(RGGB)は、図4のセンサアレイにおいて共通の位置の近くに配設されている。青色センサおよび緑色センサの領域で受光される赤色光は無視されるので、4画素グループの全領域の4分の1(25%)のみが該画素位置で赤色光を検出する。青色センサおよび赤色センサの領域で受光される緑色光は無視されるので、4画素グループの全領域の4分の2(50%)のみが該画素位置で緑色光を検出する。緑色センサおよび赤色センサの領域で受光される青色光は無視されるので、4画素グループの全領域の4分の1(25%)のみが該画素位置で青色光を検出する。充てん率は、特定の画素位置でのセンサの感度の目安である。図4に示した画素位置の充てん率は、赤色充てん率25%、青色充てん率25%、緑色充てん率50%である。
図4に示した4画素グループ(RGGB)の配置は、通常「ベイヤーパターン」と呼ばれている。本発明とは異なり、従来のベイヤーパターンセンサアレイは、カラーフィルタを用いている。しかし、従来のDVPを利用して、ベイヤーパターンで配置された垂直受光セルからの情報を容易に処理できる。
使用されなかった近隣の垂直受光セルからの光電流を再生することにより、改良された垂直受光セルでは、図4で用いたパターンは変更される。各カラーセンサの領域は図5および図6で示した2つの要因のために増加する。
性能が向上した画素センサアレイパターンの例
図5は、図4の各カラーセンサの領域を増加させるために用いてもよい、例示的な画素センサパターンを示している。図は3つの画素センサパターン(510−530)を含み、各々当該画素上に重ねられたパターン(540−560)またはテンプレートを有する。
アレイ510は図4の画素センサアレイを表しており、アレイの上から重ねられた緑色センサのためのテンプレートのサイズが大きくなっている。センサ領域540の境界領域は、緑色センサのnタイプ材料に対応する(図2参照)。パターン540内の黒い実線で示したのは各緑色センサ間の境界を示し、緑色センサ材料間の隙間を示している。パターン540の格子の交点は、各緑色画素センサの中心位置を示しており、それは実質的に図4の緑色画素センサの中心位置に対応する。パターン540は、緑色画素センサの中心に対して45度回転させた四角い領域のセットということがわかる。
アレイ520および530は、それぞれ赤色および緑色センサのテンプレートのサイズが大きくなっている、図4の画素センサアレイを示している。センサ領域のこれらのテンプレートは、アレイ上に重ねられる。赤色センサはセンサ領域550で示したように増加している。青色センサはセンサ領域560で示したように増加している。センサ領域550および560の境界のあるそれぞれの領域は、赤色センサおよび青色センサにおけるnタイプ材料に対応する(図2参照)。パターン550および560の黒い太い実線はそれぞれ赤色センサおよび青色センサの間の境界線を示し、センサ材料の隙間を表す。パターン550および560の格子の交差点は、それぞれ赤色画素センサおよび青色画素センサの中心位置を示しており、それは実質的に図4の画素センサの中心位置に対応する。パターン550および560は、中心部分および拡張部分を含む交差タイプのパターンであることがわかる。中心部分は、画素センサの中心部分の近くに位置する。拡張部分は、中心部分から外向きに延びている部分である。図5に示した例では、拡張部分は、中心四角領域から縦方向に外向きに直交する方向で(例えばx軸およびy軸に沿って)プラス記号(+)のような状態で延びている。
パターン540は、四角領域として示しているが、他のパターンもまた満足のいく性能を提供することができるはずである。例えば、円形、楕円形、長方形、および他の多角形領域を緑色センサとして用いてよい。1つの例では、パターン540は、六角形のパターンの連続として配設されていてよい。全パターンの組み合わせに関して、領域の充てん率とカラーバランスを最適化できる。
各センサについて、領域が増加されるとイメージセンサ内のカラーバランスを提供するために調整することができる。一例では、緑色センサは、領域が増加しており、従来のベイヤーパターンの緑色センサに比べて、約2倍の領域を有する。緑色センサの領域がそのように増加すると、充てん率が向上すると共に感度が向上する(例えば、従来のベイヤーパターンの緑色センサでは50%だった充てん率が100%の充てん率になる)。他の例では、赤色および/または青色センサの領域が従来のベイヤーパターンにおける赤色または青色センサのセンサ領域に比べて約3倍になっている。赤色および/または青色センサの領域がそのように増加すると、充てん率が向上すると共に感度が向上する(例えば従来のベイヤーパターンの赤色および青色センサでは25%であった充てん率が75%の充てん率になる)。充てん率および感度の調整は、必要となる様々な形状/大きさのパターンを用いることにより調整することができる。
図6は、例示的なアレイにおけるパターン540から560の位置について示している。図610は上から見た図、図620は下から見た図である。それぞれの図は、生じた画素アレイのためのx−y座標系を示す格子線を含んでいる。図は半導体内のセンサの3次元の深度および位置を示し、各層は材料内の異なる深度を示す。
上から見た図(610)に示すように、青色センサは最も高い平面に位置し(ページの表面に最も近い)、一方で赤色センサは最も低い平面に位置する。パターン560において、青色センサの充てん率は100%でなく、そして位置580に空の空間がある。一例では、該空の空間は、位置580に入射した青色光により生じた光子キャリアを排出するために構成されたフォトダイオードを含むことができる。位置580における例示的なフォトダイオードは、位置580に入射する光子キャリアが、パターン560により外形が規定されているセンサ領域内に拡散するのを防ぐ。拡散した光子キャリアはイメージ内に誤りのある位置を生じさせることがある。
下から見た図(620)に示したように、赤色センサは最も高い面に配設されており(図のページの表面に最も近い)、一方で青色センサは最も低い面に配設されている。赤色センサは、パターン570において充てん率は100%ではなく、そして位置580に空の空間がある。一例では、該空の空間は、位置580に入射した赤色光により生じた光子キャリアを排出するために構成されたフォトダイオードを含むことができる。位置580における例示的なフォトダイオードは、位置580に入射する光子キャリアが、パターン560により外形が規定されているセンサ領域内に拡散するのを防ぐ。
改良された垂直受光セルは、図の格子線で示されているx−y座標系に沿ったアレイとして形成されている。生成されたアレイの中心位置は、実質的に従来のセンサアレイの中心位置と同じである。アレイ内の各センサの中心位置を同じに維持することにより、生成されたイメージデータに、従来のイメージアルゴリズム(例えばカラー補間)を行ってよい。
改良された受光セルでは、各色について全センサ領域において隣接するセルからの追加の光子キャリアが含まれるので、改良された垂直受光器の感度は従来のセンサアレイの感度にくらべて向上する。一例では、改良された垂直受光セルにおいて、ある色についてのセンサ領域は、2つの要因により増加する。他の例では、改良された垂直受光セルにおいて、ある色についてのセンサ領域は、3つの要因により増加する。カラーバランスは、垂直受光セル内のセンサ領域を変えることにより調節できる。
変調伝達関数(MTF)は、正弦波パターンがイメージシステム内をどのように伝わるかを表す関数である。通常MTFが大きくノイズが少ないと、高いイメージ品質が観測される。改良された垂直受光セルにおいて、センサ領域が増加すると、使用しているイメージセンサに関するMTFが減少する。MTFが減少すると、カラーイメージ(例えば赤、青、緑)に特有の空間的なローパスフィルタが、イメージ内に高い空間周波数が存在する場合、色のエイリアシングを低減する結果となる。イメージセンサに特有の光学的ローパスフィルタにより、エイリアシングによる色のアーチファクトが回避されるので、イメージの品質は向上する。
上述の明細書、例およびデータは、本発明の製品および構成の使用について完全な記述を提供するものである。本発明の精神および範囲から外れることなく、多くの実施形態を作成することができるので、本発明は、添付の請求項により示される。
垂直受光器の例示的な横断面図。 画素アレイからの例示的な画素セルの略図。 改良した垂直受光セルの部分断面図。 画素センサの例示的なパターンを示している。 領域が増加した、画素センサの例示的なパターンを示している。 本発明による、領域が増加した、画素センサの他の例示的なパターンを示している。
符号の説明
10、12 接続点
12、14、 16 トランジスタ
110 表面
120 nタイプ材料の領域
130 pタイプ材料の領域
140 遮光部材
150 光
160、170、180 読み取りライン
190 他の回路
200 画素セル
202、204、 206 NMOSトランジスタ
310 電子回路
320 青色感応領域
330 緑色感応領域
332 緑色フォトダイオード領域であって、赤色フォトダイオードのための接触プラグと交差できない部分
340 赤色感応領域
510、520、530 画素センサ配列
540、550、560、570 パターン
580 空の空間
610 上から見た図
620 下から見た図
R1 赤色信号
G1 緑色信号
PD1、PD2、PD3、PD4、PD5、PD20 フォトダイオード
VCC 高出力電源
GND 低出力電源

Claims (20)

  1. イメージセンサの表面に平行な面内において互いに隣接する位置を占め、異なる色の光を検出するためにイメージセンサ内の種々の深さに配設された複数の受光領域の中の1つの受光領域を利用して各々光を検出する第1および第2垂直受光セルを具備し、
    複数の受光領域は、
    第1垂直受光セルのために第1色に対応する光を検出する第1受光領域と、
    第2垂直受光セルのために第2色に対応する光を検出する第2受光領域とを具備し、
    イメージセンサの表面に平行な面内において、第1受光領域は前記第1および第2垂直受光セルの領域を占め、第2受光領域は前記第2垂直受光セルの領域を占め、第1受光領域の幾何学的中心は第1垂直受光セルに位置し、第2受光領域の幾何学的中心は第2垂直受光セルに位置する、
    イメージセンサのための画素セル。
  2. 第1色は、赤、緑および青のうちの一色に対応し、そして第2色は赤、緑、青のうちの別の1色に対応する請求項1に記載の画素セル。
  3. 第1受光領域はイメージセンサの表面に平行な第1面内に配設されており、そして第2受光領域はイメージセンサの表面に平行であり、かつ、該第1面とは異なる第2面内に配設されている請求項1に記載の画素セル。
  4. 第1受光領域は、第2受光領域とは交差していない請求項1に記載の画素セル。
  5. 第1面は、第1受光領域のほうがイメージセンサの表面に近くなるように第2面の上に配設されており、そして第1受光領域は第1受光領域からイメージセンサの表面へと延びている電気的接触子を介して信号を供給するために配設されている請求項3に記載の画素セル。
  6. 第1面は、第2受光領域のほうがイメージセンサの表面に近くなるように第2面の下に配設されており、そして第1受光領域は、第2受光領域に接続することなく第1受光領域からイメージセンサの表面へと延びている電気的接触子を介して信号を供給するために配設されている請求項3に記載の画素セル。
  7. イメージセンサの表面に平行な面内において第1垂直受光セルおよび第2垂直受光セルと隣接する位置を占め、前記複数の受光領域の中の1つの受光領域を利用して光を検出する第3垂直受光セルを具備し、
    前記複数の受光領域は、第3垂直受光セルのために第3色に対応する光を検出する第3受光領域をさらに具備し、
    イメージセンサの表面に平行な面において、第3受光領域の幾何学的中心は第3垂直受光セルに位置する請求項1に記載の画素セル。
  8. イメージセンサの表面に平行な面内において第1垂直受光セル、第2垂直受光セルおよび第3垂直受光セルと隣接する位置を占め、前記複数の受光領域の中の1つの受光領域を利用して光を検出する第4垂直受光セルをさらに具備し、
    前記複数の受光領域は、第4垂直受光セルのために第3色に対応する光を検出する第4受光領域とをさらに具備し、
    イメージセンサの表面に平行な面において、第4受光領域の幾何学的中心は第4垂直受光セルに位置する請求項7に記載の画素セル。
  9. 第1色、第2色および第3色はそれぞれ赤色、青色そして緑色に対応する請求項8に記載の画素セル。
  10. 第1、第2、第3および第4垂直受光セルが、4つの画素からなる1つのグループを構成する請求項8に記載の画素セル。
  11. 画素セルのアレイとして配設されているイメージセンサであって、
    アレイ内の第1画素位置を中心とし、波長が第1波長に一致する光に対して感度がある第1センサと、
    アレイ内の第2画素位置を中心とし、波長が第2波長に一致する光に対して感度がある第2センサと、
    アレイ内の第3画素位置を中心とし、波長が第3波長に一致する光に対して感度がある第3センサと、
    アレイ内の第4画素位置を中心とし、波長が第3波長に一致する光に対して感度がある第4センサと、
    を具備し、
    第1、第2、第3および第4センサの各々は、イメージセンサ内の種々の深さに配設された複数のセンサ材料の中の1つを利用して光を検出する垂直受光セルを含み、
    第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサの垂直受光セルは、中心部分と拡張部分を含むセンサ材料を利用して光を検出するものであり、中心部分は当該選択したセンサの垂直受光セル内に配設されており、拡張部分は当該選択したセンサの垂直受光セルに隣接する他の垂直受光セル内に配設されており、当該中心部分は、選択したセンサの感度を上げるために隣接する垂直受光セルから光子キャリアを集めるように拡張部分に連結しているイメージセンサ。
  12. 画素セルのアレイは、画素セルから第1方向に延びる第1および第3センサの第1の繰り返しパターンと、画素セルから第2方向に延びる第1および第4センサの第2の繰り返しパターンと、画素セルから第1方向に延びる第2および第3センサの第3の繰り返しパターンと、画素セルから第2方向に延びる第2および第4センサの第4の繰り返しパターンを含む、請求項11に記載のイメージセンサ。
  13. 第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、該成形されたパターンは、アレイ内の画素の位置を中心とする四角形である請求項11に記載のイメージセンサ。
  14. 第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、該選択した1つのセンサのための光を検出するセンサ材料の面積が、アレイ内の画素の面積の2倍になるように、成形されたパターンがアレイ内の画素の近くに中心を位置させている請求項13に記載のイメージセンサ。
  15. 第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、該成形されたパターンはアレイの画素の並びに対して45度の角度をなすように傾いた四角形に相当する請求項11に記載のイメージセンサ。
  16. 画素のアレイは、第1波長の光を検出する第1センサのグループを含み、第1センサのグループの各第1センサは、アレイの画素の並びに対して45度傾いた四角形に成形されたパターンをなしており、第1センサの四角形のパターンは、隣接するものと四角形の辺を近接させて配列されている請求項11に記載のイメージセンサ。
  17. 第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、センサ材料の拡張部分は、選択したセンサのセンサ材料の中心を通過し、かつ、アレイ内の画素の並びに平行な水平軸および垂直軸に沿って延びている請求項11に記載のイメージセンサ。
  18. 第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、センサ材料の拡張部分は、第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサのために光を検出するセンサ材料の面積がアレイ内の画素の面積の3倍になるように、センサ材料の中心を通過し、かつ、アレイの画素の並びに平行な水平軸および垂直軸に沿って延びている請求項11に記載のイメージセンサ。
  19. 画素のアレイは、センサ材料が中心部分と拡張部分により画定される形に成形されたパターンを有する第2センサのグループであって、センサ材料の拡張部分がセンサ材料の中心を通過し、かつ、アレイの画素の並びに平行な水平軸および垂直軸に沿って延びた第2センサのグループを含み、第2センサのグループは第2波長に対応する光を検出する第5センサを含む中心部分を囲み、該第5センサは中心部分に入射する第2の波長の光により生じた光子キャリアを排出するように構成されている請求項11に記載のイメージセンサ。
  20. 光子キャリアを収集するための第1手段であって、イメージセンサ内の種々の深さに配設された複数のセンサ材料の中の1つのセンサ材料を利用して光を検出するように構成された第1垂直受光セルから、該第1垂直受光セルにより第1色の検出光に基づいて生成された第1光子キャリアを収集するように構成された第1手段と、
    光子キャリアを収集するための第2手段であって、第1垂直受光セルに隣接して配設され、前記イメージセンサ内の種々の深さに配設された複数のセンサ材料の中の他の1つのセンサ材料を利用して光を検出する第2垂直受光セルから、該第2垂直受光セルにより第2色の検出光に基づいて生成された第2光子キャリアを収集するように構成された第2手段と、
    第2垂直受光セルから第1光子キャリアを収集するように構成された第3手段と、
    垂直受光セルおよび隣接する垂直受光セルからの第1色の検出光に基づいて生成された光子キャリアが結合されてセンサの第1色に対する感度が増加するように、第1手段により集められた第1光子キャリアに第3手段により集められた第1光子キャリアを連結するように構成されている連結手段とを備えるイメージセンサ。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US20040178463A1 (en) 2002-03-20 2004-09-16 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group with carrier-collection elements of different size and method for fabricating such a sensor group
US6998660B2 (en) * 2002-03-20 2006-02-14 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group array that emulates a pattern of single-layer sensors with efficient use of each sensor group's sensors
US7339216B1 (en) 2003-01-31 2008-03-04 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group array with full-resolution top layer and lower-resolution lower layer
US6894265B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-17 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group and semiconductor integrated circuit fabrication method for fabricating same
CN100505321C (zh) * 2004-05-27 2009-06-24 佛文恩股份有限公司 含非晶硅半导体的垂直滤色片传感器组及其制造方法
WO2007061565A2 (en) * 2005-11-22 2007-05-31 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group array with full-resolution top layer and lower-resolution lower layer
KR20070087847A (ko) * 2005-12-28 2007-08-29 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP5223225B2 (ja) * 2007-04-05 2013-06-26 株式会社ニコン 固体撮像装置
US20090160981A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Micron Technology, Inc. Apparatus including green and magenta pixels and method thereof
WO2009111327A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 Sionyx, Inc. Vertically integrated light sensor and arrays
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
EP2583312A2 (en) 2010-06-18 2013-04-24 Sionyx, Inc. High speed photosensitive devices and associated methods
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
JP2014525091A (ja) 2011-07-13 2014-09-25 サイオニクス、インク. 生体撮像装置および関連方法
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジcmos画像センサおよび関連づけられた方法
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
CN109976441B (zh) * 2019-04-02 2023-05-12 南京吉相传感成像技术研究院有限公司 一种可实现高精度光输入的光电计算装置
CN112629655A (zh) * 2019-10-09 2021-04-09 北京小米移动软件有限公司 移动终端

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971065A (en) 1975-03-05 1976-07-20 Eastman Kodak Company Color imaging array
JPS5752275A (en) * 1980-09-12 1982-03-27 Hitachi Ltd Solid image pickup element
JPS61183958A (ja) * 1985-02-12 1986-08-16 Fuji Photo Film Co Ltd 固体光検出装置
JPH01134966A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JPH01146560A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Kokuritsu Shintai Shiyougaishiya Rihabiriteeshiyon Center Souchiyou 固体電解質膜型生体刺激電極
JPH01146560U (ja) * 1988-03-31 1989-10-09
US6646682B1 (en) * 1998-12-18 2003-11-11 Syscan (Shenzhen) Technology Co., Limited Linear tri-color image sensors
US6727521B2 (en) * 2000-09-25 2004-04-27 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group and array
JP4154165B2 (ja) * 2002-04-05 2008-09-24 キヤノン株式会社 光電変換素子及びそれを用いた固体撮像装置、カメラ及び画像読み取り装置

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