JP2004193609A - 感度およびビデオインターフェイスとの互換性が向上した、垂直カラー受光器 - Google Patents
感度およびビデオインターフェイスとの互換性が向上した、垂直カラー受光器 Download PDFInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 30
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101100248200 Arabidopsis thaliana RGGB gene Proteins 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】イメージセンサ内に改良された垂直受光セルを用いる。垂直受光セル内の既定の色に関するセンサ材料は、隣接するセルからの光子キャリアがまとめられるように、隣接する改良されたセンサ内の同じ色に関するセンサ材料に連結している。センサ材料が連結されると、その既定の色についてのセンサ領域の大きさが増大する。センサ内の各画素に関連するセンサ領域が増大すると、各色に対する感度および充てん率が向上する。イメージセンサアレイでは、各色の面がパターンになるように、垂直受光セルが配設される。パターンになっている各センサは、中心部分および拡張部分を有する。中心部分および拡張部分は、それぞれアレイ内の画素の幾何学的な中心の周りに位置している。
【選択図】図4
Description
本発明の他の特徴によると、第1色は赤、緑、および青のうちの一色でよく、第2色は赤、緑、および青のうちの別の一色でよい。
本発明の、他の特徴によると、画素セルのアレイは第1、第2、第3および第4の代替パターンのセットを含む。第1および第3センサの第1代替パターンは、画素セルから第1方向に沿って延びている。第1および第4センサの第2代替パターンは、画素セルから第2方向に沿って延びている。第2および第3センサの第3代替パターンは、画素セルから第1方向に沿って延びている。第2および第3センサの第4代替パターンは、画素セルから第2方向に沿って延びている。
またさらに本発明の他の特徴によると、センサのグループは、第2波長にほぼ一致する波長の光に感度がある第5センサを含む中心部分の輪郭を形成する。第5センサは、中心部分に入射した第2波長に関連する光により生じた光子キャリアを排出するように構成されている。
本発明およびその改良発明について、簡単な説明が以下にある添付の図面、本発明の好適な実施形態について述べた以下の詳細な記述、および添付の請求項を参照するとより詳細が理解できる。
本発明はイメージセンサ内に用いられる、改良された垂直受光セルに関する。改良されたセンサ内の既定の色に関するセンサ材料は、隣接するセルからの光子キャリアがまとめられるように、隣接する改良されたセンサ内の同じ色に関するセンサ材料に連結している。センサ材料が連結されると、既定の色に対するセンサ領域が増加する。センサ内の各画素に関するセンサ領域が増加すると、各色に対する感度と充てん率が向上する。イメージセンサアレイ内には、各色の面がパターンでならぶように垂直受光セルが配設されている。パターン内の各センサは中心部分と拡張部分を有する。中心部分および拡張部分はそれぞれアレイ内の画素に関する幾何学的な中心の周りに位置している。
操作中、各pタイプ材料領域は、回路の接地線に連結されており、一方でnタイプの材料領域はそれぞれ他の回路(190)に連結されている。受光器は光(150)を表面110の中心部分で受光し、一方で表面(110)の他の部分を覆うために、遮光部材(140)が配設されている。各フォトダイオードは光に対して感度がある。光に伴うエネルギーは、特定の各フォトダイオードが受光した光の強さのレベルに比例した量の光電流がフォトダイオード(PD1−PD5)内を流れるように、シリコン材料に吸収される。各フォトダイオードは半導体材料内で、光の特定の波長に対応する深さに配置されている。例えば、フォトダイオードPD1は青い光の波長の光に感光し、フォトダイオードPD2およびPD3は緑の光の波長の光に感光し、フォトダイオードPD4およびPD5は赤い光の波長の光に感光する。
トランジスタ202は、RESET信号に連結しているゲート、高出力電源(VCC)に連結しているドレイン、および接続点10でフォトダイオードに連結しているソースを有する。該フォトダイオードは、接続点10に連結しているカソードと、低出力電源(GND)に連結しているアノードを有する。トランジスタ204は、接続点10に連結しているゲート、接続点12に連結しているソース、および高出力電源(VCC)に連結しているドレインを有する。トランジスタ206は、SELECT信号に連結しているゲート、列読み取りラインに連結しているソース、そして接続点12に連結しているドレインを有する。トランジスタ202はRESET信号により動作されたとき、画素セルをリセットするために配設されている。トランジスタ204は、接続点10からの電圧を緩衝するソース・フォロワとして動作する。トランジスタ206は、SELECT信号により動作されたとき、ソース・フォロワ(トランジスタ204)の出力と列読み取りラインを連結させるために配設されている。
3−T画素セルの一般的な動作は次の通りである。正のバイアス電圧がフォトダイオードPD20のカソードに印加されるように、正のパルスがトランジスタ202のゲートに印加される。フォトダイオードは、フォトダイオードに電圧が印加されている間に電荷が蓄えられる、固有障壁容量(Cd)を有する。トランジスタ202がオフになっても、フォトダイオードPD20は、その障壁容量(Cd)に蓄えられた電荷のために、前記正のバイアス電圧にバイアスがかかったままである。光電流(Ip)は、フォトダイオードが光子(光)を受けたときに、フォトダイオードのカソードからアノードに流れる。光電流(Ip)はフォトダイオードの障壁容量(Cd)を放電し、そしてフォトダイオードPD20の電圧を降下させる。
光電流(Ip)は、統合時間(Ti)の間に、寄生容量(Cp)と一緒に障壁容量(Cd)に統合される。コンデンサに統合される全電荷は、Ip*Tiで決定される。統合間隔の最後に、フォトダイオードの出力電圧(Vd)は、Vs=Ip*Ti/(Cd+Cp)で決定される量(Vs)だけ低減する。したがって、フォトダイオードの出力電圧(Vd)は、Vd=Vi―Vs、ここでViはフォトダイオードに光を当てる前にコンデンサCdに蓄えられていた最初の電圧、により決定される。Vsは、受光した光の強度(Ip)、および露光時間(Ti)の長さに関連しているので信号電圧と呼ばれている。
受光セルは、近くの受光セルに隣接するように配設されている。センサアレイ内の各画素は、3つの受光セル、各色(例えばRGB)に1つずつ、を備える。垂直受光セルはある色の信号(例えば赤)を提供するために、また隣の受光セルは他の色の信号(例えば緑)を提供するために配設されている。
光電流は対応するフォトダイオードに入射光が受光されると各受光セルで発生する。受光セルに当たった入射光の3分の1が直ちにその画素(1色に対応している)で用いられ、一方で入射光の3分の2はその画素に関係がない(他の2色)。各受光セルにおいて、指定色に対する感度は、隣接する画素からの指定色に関する光電流を用いることにより、向上する。図3を参照しながら、改良された垂直受光セルについて、次に述べる。
図3の左半分にある画素は赤色信号(R1)を処理するために、図3の右半分にある画素は緑色信号(G1)を処理するために配設されている。図の右側の赤色感応ダイオードは、図の左側の赤色感応ダイオードにつながっている。赤色画素のための電子回路(310)は緑色画素(右側)により収集された赤色光子を検出する。同様に、図の左側の緑色感応フォトダイオードは図の右側の緑色感応フォトダイオードにつながっている。緑色画素のための電子回路(310)は、赤色画素(左側)により収集された緑色光子を検出する。充てん率および各色に対する感度は、隣接する画素からの光子を収集することにより、イメージセンサで向上する。
図3の点線領域(332)で示したように、図3に示した緑色フォトダイオード領域は、赤色フォトダイオードのための接触プラグと交差できない。隣接する垂直セルからの緑色ダイオード材料間の接続は、後述するように3次元の空間で行われる。同様に、隣接する垂直セルからの青色フォトダイオード材料間の接続は、緑色および赤色フォトダイオードの接触プラグ(図示されていない)と交差できない。
図4に画素センサアレイを示した。画素センサアレイは複数の行と列から構成される。アレイ内の各画素は図1から図3に示したようは垂直受光セルに対応するカラーセンサである。
同じ色を感知する垂直受光セルが1つおきに並ぶように、画素センサアレイは配設されている。例えば第1行目は、センサは赤色センサ(R)そして次に緑色センサ(G)の繰り返しパターンで配設されている。第1列を見ると、センサは赤色センサ(R)そして次に緑色センサ(G)の繰り返しパターンで配設されている。第2列をみると、センサは緑色センサ(G)そして次に青色センサ(B)の繰り返しパターンで配設されている。
センサの4画素グループ(RGGB)は、図4のセンサアレイにおいて共通の位置の近くに配設されている。青色センサおよび緑色センサの領域で受光される赤色光は無視されるので、4画素グループの全領域の4分の1(25%)のみが該画素位置で赤色光を検出する。青色センサおよび赤色センサの領域で受光される緑色光は無視されるので、4画素グループの全領域の4分の2(50%)のみが該画素位置で緑色光を検出する。緑色センサおよび赤色センサの領域で受光される青色光は無視されるので、4画素グループの全領域の4分の1(25%)のみが該画素位置で青色光を検出する。充てん率は、特定の画素位置でのセンサの感度の目安である。図4に示した画素位置の充てん率は、赤色充てん率25%、青色充てん率25%、緑色充てん率50%である。
使用されなかった近隣の垂直受光セルからの光電流を再生することにより、改良された垂直受光セルでは、図4で用いたパターンは変更される。各カラーセンサの領域は図5および図6で示した2つの要因のために増加する。
図5は、図4の各カラーセンサの領域を増加させるために用いてもよい、例示的な画素センサパターンを示している。図は3つの画素センサパターン(510−530)を含み、各々当該画素上に重ねられたパターン(540−560)またはテンプレートを有する。
アレイ510は図4の画素センサアレイを表しており、アレイの上から重ねられた緑色センサのためのテンプレートのサイズが大きくなっている。センサ領域540の境界領域は、緑色センサのnタイプ材料に対応する(図2参照)。パターン540内の黒い実線で示したのは各緑色センサ間の境界を示し、緑色センサ材料間の隙間を示している。パターン540の格子の交点は、各緑色画素センサの中心位置を示しており、それは実質的に図4の緑色画素センサの中心位置に対応する。パターン540は、緑色画素センサの中心に対して45度回転させた四角い領域のセットということがわかる。
各センサについて、領域が増加されるとイメージセンサ内のカラーバランスを提供するために調整することができる。一例では、緑色センサは、領域が増加しており、従来のベイヤーパターンの緑色センサに比べて、約2倍の領域を有する。緑色センサの領域がそのように増加すると、充てん率が向上すると共に感度が向上する(例えば、従来のベイヤーパターンの緑色センサでは50%だった充てん率が100%の充てん率になる)。他の例では、赤色および/または青色センサの領域が従来のベイヤーパターンにおける赤色または青色センサのセンサ領域に比べて約3倍になっている。赤色および/または青色センサの領域がそのように増加すると、充てん率が向上すると共に感度が向上する(例えば従来のベイヤーパターンの赤色および青色センサでは25%であった充てん率が75%の充てん率になる)。充てん率および感度の調整は、必要となる様々な形状/大きさのパターンを用いることにより調整することができる。
上から見た図(610)に示すように、青色センサは最も高い平面に位置し(ページの表面に最も近い)、一方で赤色センサは最も低い平面に位置する。パターン560において、青色センサの充てん率は100%でなく、そして位置580に空の空間がある。一例では、該空の空間は、位置580に入射した青色光により生じた光子キャリアを排出するために構成されたフォトダイオードを含むことができる。位置580における例示的なフォトダイオードは、位置580に入射する光子キャリアが、パターン560により外形が規定されているセンサ領域内に拡散するのを防ぐ。拡散した光子キャリアはイメージ内に誤りのある位置を生じさせることがある。
下から見た図(620)に示したように、赤色センサは最も高い面に配設されており(図のページの表面に最も近い)、一方で青色センサは最も低い面に配設されている。赤色センサは、パターン570において充てん率は100%ではなく、そして位置580に空の空間がある。一例では、該空の空間は、位置580に入射した赤色光により生じた光子キャリアを排出するために構成されたフォトダイオードを含むことができる。位置580における例示的なフォトダイオードは、位置580に入射する光子キャリアが、パターン560により外形が規定されているセンサ領域内に拡散するのを防ぐ。
改良された受光セルでは、各色について全センサ領域において隣接するセルからの追加の光子キャリアが含まれるので、改良された垂直受光器の感度は従来のセンサアレイの感度にくらべて向上する。一例では、改良された垂直受光セルにおいて、ある色についてのセンサ領域は、2つの要因により増加する。他の例では、改良された垂直受光セルにおいて、ある色についてのセンサ領域は、3つの要因により増加する。カラーバランスは、垂直受光セル内のセンサ領域を変えることにより調節できる。
上述の明細書、例およびデータは、本発明の製品および構成の使用について完全な記述を提供するものである。本発明の精神および範囲から外れることなく、多くの実施形態を作成することができるので、本発明は、添付の請求項により示される。
12、14、 16 トランジスタ
110 表面
120 nタイプ材料の領域
130 pタイプ材料の領域
140 遮光部材
150 光
160、170、180 読み取りライン
190 他の回路
200 画素セル
202、204、 206 NMOSトランジスタ
310 電子回路
320 青色感応領域
330 緑色感応領域
332 緑色フォトダイオード領域であって、赤色フォトダイオードのための接触プラグと交差できない部分
340 赤色感応領域
510、520、530 画素センサ配列
540、550、560、570 パターン
580 空の空間
610 上から見た図
620 下から見た図
R1 赤色信号
G1 緑色信号
PD1、PD2、PD3、PD4、PD5、PD20 フォトダイオード
VCC 高出力電源
GND 低出力電源
Claims (20)
- イメージセンサのための画素セルであって、
イメージセンサ内の第1位置の近くに配設されている第1垂直受光セルと、
イメージセンサ内の第2位置の近くに配設されている第2垂直受光セルと、ここで該第2位置は第1位置に隣接し;
第1および第2垂直受光セル内に配設されている第1受光領域と、ここで該第1受光領域は実質的に第1色に対応する光を検出するために配置されており、そして該第1受光領域の幾何学的な中心は第1位置にあり;そして
第1および第2垂直受光セル内に配設されている第2受光領域と、ここで該第2受光領域は実質的に第2色に対応する光を検出するために配置されており、そして該第2受光領域の幾何学的な中心は第2位置にある;
イメージセンサのための画素セル。 - 第1色は、赤、緑および青のうちの一色に対応し、そして第2色は赤、緑、青のうちの別の1色に対応する請求項1に記載の画素セル。
- 第1受光領域は第1面内に配設されており、そして第2受光領域は該第1面とは異なる第2面内に配設されている請求項1に記載の画素セル。
- 第1受光領域は、第2受光領域とは交差していない請求項1に記載の画素セル。
- 第1面は、第1受光領域のほうがイメージセンサの表面に近くなるように第2面の上に配設されており、そして第1受光領域は第1受光領域からイメージセンサの表面へと延びている電気的接触子を介して信号を供給するために配設されている請求項3に記載の画素セル。
- 第1面は、第2受光領域のほうがイメージセンサの表面に近くなるように第2面の下に配設されており、そして第1受光領域は、第2受光領域に接続することなく第1受光領域からイメージセンサの表面へと延びている電気的接触子を介して信号を供給するために配設されている請求項3に記載の画素セル。
- イメージセンサ内の第3位置に配設されている第3垂直受光セルと、ここで該第3位置は第1位置および第2位置に隣接し;
第3垂直受光セル内に配設されている第3受光領域と、ここで該第3受光領域は実質的に第3色に対応する光を検出するために配設されており、そして該第3受光領域の幾何学的な中心は第3位置である;
をさらに備える請求項1に記載の画素セル。 - イメージセンサ内の第4位置に配設されている第4の垂直受光セルと、ここで該第4位置は、第1位置、第2位置および第3位置に隣接し;
第4垂直受光セル内に配設されている第4受光領域と、ここで第3受光領域は実質的に第3色に対応する光を検出するために配設されており、そして該第4受光領域は第4位置に第4の幾何学的中心を有する;
をさらに備える請求項7に記載の画素セル。 - 第1色、第2色および第3色はそれぞれ赤色、青色そして緑色に対応する請求項8に記載の画素セル。
- 第1、第2、第3および第4垂直受光セルが、センサセルを画定するグループとして配設されている請求項8に記載の画素セル。
- 画素セルのアレイとして配設されているイメージセンサであって、
波長が第1波長におおよそ一致する光に対して感度がある第1センサと、ここで該第1センサはアレイ内の第1画素位置を中心とし;
波長が第2波長におおよそ一致する光に対して感度がある第2センサと、ここで該第2センサはアレイ内の第2画素位置を中心とし;
波長が第3波長におおよそ一致する光に対して感度がある第3センサと、ここで該第3センサはアレイ内の第3画素位置を中心とし;
波長が第4波長におおよそ一致する光に対して感度がある第4センサと、ここで該第4センサはアレイ内の第4画素位置を中心とし;
第1、第2、第3および第4センサから選択した1つのセンサに関連するセンサ材料と、ここで該センサ材料は中心部分と拡張部分を含み、ここで該中心部分は垂直受光セル内に配設されており、そして該拡張部分は垂直受光セルに隣接する他の垂直受光セル内に配設されており、ここで該中心部分は、選択したセンサの感度を上げるために隣接する垂直受光セルから光子キャリアを集めるように拡張部分に連結している;
を備える画素セルのアレイとして配設されているイメージセンサ。 - 画素セルのアレイは、画素セルから第1方向に沿って延びている、第1および第3センサの第1代替パターンと、画素セルから第2方向に沿って延びている、第1および第4センサの第2代替パターンと、画素セルから第1方向に沿って延びている、第2および第3センサの第3代替パターンと、画素セルから第2方向に沿って延びている、第2および第4センサの第4代替パターンを含む、請求項11に記載のイメージセンサ。
- センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、ここで該成形されたパターンは、アレイ内の画素を実質的に中心とする四角形である請求項11に記載のイメージセンサ。
- センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、ここで該成形されたパターンは、センサから選択した1つのセンサに関連するセンサ材料がアレイ内の画素に関連する領域の実質的に2倍の効果的な領域を有するように、アレイ内の画素を実質的に中心とする四角形に対応する請求項13に記載のイメージセンサ。
- センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、そして該成形されたパターンはアレイの画素に対して45度の角度をなす四角形に相当する請求項11に記載のイメージセンサ。
- 画素のアレイは、センサが第1波長に関連する色に対して約100%の充てん率を有するように、画素内の各画素に対して45度の角度をなす四角形に対応する成形されたパターンにそれぞれが配設されている第1センサのグループを含む請求項11に記載のイメージセンサ。
- センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、センサ材料の拡張部分はセンサ材料の中心に直交する軸のセットに沿って延びている請求項11に記載のイメージセンサ。
- センサから選択した1つのセンサは、センサ材料の中心部分および拡張部分により画定される成形されたパターンに構成され、ここでセンサ材料の拡張部分は、センサから選択した1つのセンサに関連するセンサ材料がアレイ内の画素に関連する領域の実質的に3倍の効果的な領域を有するように、センサ材料の中心に直交する軸のセットに沿って延びている請求項11に記載のイメージセンサ。
- 画素のアレイは、センサ材料の拡張部分はセンサ材料の中心に直交する軸のセットに沿って延びるように、それぞれがセンサ材料の中心部分と拡張部分により画定される形を成形するパターンに配設されている第2センサのグループを含み、ここで第2センサのグループは第2波長におおよそ対応する光に敏感な第5センサを含む中心部分の外形を示し、ここで該第5センサは中心部分に入射する第2の波長に関連した光により生じた光子キャリアを排出するように構成されている請求項11に記載のイメージセンサ。
- 第1垂直受光セルから第1光子キャリアを収集するように構成されている、光子キャリアを収集するための第1手段と、ここで該第1光子キャリアは第1色に関連し;
第1垂直受光セルに隣接するように配設されている第2垂直受光セルから第2光子キャリアを収集するように構成されている、光子キャリアを収集するための第2手段と、ここで該第2光子キャリアは第2色に関連し;
第2垂直受光セルから第1光子キャリアを収集するように構成されている、光子キャリアを収集するための第3手段と;
垂直受光セルおよび隣接する垂直受光セルからの第1色に関連する光子キャリアをまとめて、センサ内の第1色に対する感度を上げるために、第1手段により集められた第1光子キャリアに第2手段により集められた第1光子キャリアを連結するように構成されている連結手段;
を備えるイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/313,674 | 2002-12-05 | ||
US10/313,674 US6753585B1 (en) | 2002-12-05 | 2002-12-05 | Vertical color photo-detector with increased sensitivity and compatible video interface |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004193609A true JP2004193609A (ja) | 2004-07-08 |
JP5047451B2 JP5047451B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=32392935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003408052A Expired - Lifetime JP5047451B2 (ja) | 2002-12-05 | 2003-12-05 | 感度およびビデオインターフェイスとの互換性が向上した、垂直カラー受光器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6753585B1 (ja) |
JP (1) | JP5047451B2 (ja) |
CN (1) | CN100575896C (ja) |
DE (1) | DE10356850A1 (ja) |
TW (1) | TWI292039B (ja) |
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JP2014195310A (ja) * | 2011-07-15 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
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US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
WO2011160130A2 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Sionyx, Inc | High speed photosensitive devices and associated methods |
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2002
- 2002-12-05 US US10/313,674 patent/US6753585B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-05 JP JP2003408052A patent/JP5047451B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-05 CN CN200310121689A patent/CN100575896C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-05 DE DE10356850A patent/DE10356850A1/de not_active Withdrawn
- 2003-12-05 TW TW092134370A patent/TWI292039B/zh active
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US9659983B2 (en) | 2011-07-15 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
US10304878B2 (en) | 2011-07-15 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040108565A1 (en) | 2004-06-10 |
CN100575896C (zh) | 2009-12-30 |
JP5047451B2 (ja) | 2012-10-10 |
US6753585B1 (en) | 2004-06-22 |
TWI292039B (en) | 2008-01-01 |
CN1519546A (zh) | 2004-08-11 |
DE10356850A1 (de) | 2004-06-24 |
TW200416384A (en) | 2004-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120518 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5047451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |