JP5045195B2 - 圧電薄膜積層体及び圧電薄膜素子 - Google Patents
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このような強誘電体材料は通常個々の元素からなる酸化物粉末を焼結することにより形成される。
また、固形状の焼結体を薄膜形状に加工することは、経済的、工業的見地からみても現実的な方法とは言い難い。
現在、様々な非鉛圧電材料が研究されているが、その中にニオブ酸リチウムカリウムナトリウム(一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1,0<y<1,0≦z≦0.05,x+y+z=1))がある。このニオブ酸リチウムカリウムナトリウムは、ペロブスカイト構造を有する材料であり、非鉛圧電材料の有力な候補として期待されている。
般に言われている。しかしなから、現状、ニオブ酸リチウムカリウムナトリウム薄膜では、PZTに匹敵する圧電特性は実現されていない。
bO3(0<x<1,0<y<1,0≦z≦0.05,x+y+z=1)て表される圧電
薄膜、及び上部電極を配した圧電薄膜積層体において、前記圧電薄膜が、結晶軸のうち2軸以下のある特定の軸に優先的に配向しており、かつ前記配向している結晶軸のうち少なくとも1つの結晶軸と、前記基板表面の法線との成す角度が、100μm2以上の面積に
渡る平均値で0°〜10゜の範囲内である場所が前記圧電薄膜を形成してある場所の90%以上を占めることを特徴とする圧電薄膜積層体である。
なお、100μm2以上の面積に渡る平均値とは、以下のように定義する。すなわち、
10μm×10μmの領域において、薄膜を構成する[001]配向している結晶粒の面積をAi[001]とし、[110]配向している結晶粒をAi[110]、その他の配向をしている結晶粒をAjとし、[001]配向している結晶粒について、その結晶粒の[001]軸と法線の成す角度をθi[001]とするとき、次式で表わされる角度θaveを面積平均角度とする。
θave=(ΣAi[001]×θi[001])/ΣAi[001]
(ただし、Σ(Ai[001]+Ai[110]+Aj)=100μm2)
D number:32-0822)と同じ単位格子を定義し、リチウム、ナトリウムは、カリウムのサ
イトを置換しているものとする。なお、a軸、b軸、c軸の向きはそれぞれの単位格子をA、B、CとするとC<A<Bとなる向きとする。
RFマグネトロンスパッタリング法を用いてニオブ酸リチウムカリウムナトリウム薄膜を形成する場合、ターゲットから叩き出された原子が飛んでくる方向に結晶軸が配向し易い傾向が認められる。
る。
次に、結晶の配向方向と圧電特性の関係について述べる。圧電材料の圧電変位量は、分極軸方向に最も大きくなることが知られている。従って薄膜の上下に電極を形成して圧電動作をさせる場合、薄膜の上下方向に分極を起こすように配向した薄膜結晶を形成することが望ましく、結晶の配向方向が上下方向より傾くと、その傾きの程度に応じて圧電変位量が小さくなる。ニオブ酸リチウムカリウムナトリウム薄膜を下部電極上にスパッタリング法で形成した場合、基板表面に対して垂直方向に<001>軸、若しくは<110>軸に配向し易い。ニオブ酸リチウムカリウムナトリウムは<001>軸方向に分極して圧電特性を示すため、基板表面に対して垂直方向に<001>軸が配向する薄膜を作製することが望ましい。
これは基板から成長を始めた初期は電極となる基板を構成する元素の結晶構造を引き継ぎやすい為、基板面に垂直に成長した結晶核が形成されるものの、その後、原子の入射角度の影響を強く受けることで軸の成長方向が傾く。この際に生じる歪みにより欠陥が多く形成され、圧電特性を低下させるものと考えられる。
上記の問題を解決するには、基板面内の全面で結晶軸を垂直方向に揃える必要がある。このため、基板面内の全面でターゲットから飛来するスパッタ原料原子の基板入射角度を垂直方向に揃えるような方策を講じる必要が生じる。
本発明の実施の形態の圧電薄膜積層体は、上述した説明及び後述する実施例から、次のような構成とすることが好ましい。
10°の範囲内である場所が前記圧電薄膜を形成してある場所の90%以上を占めるのが好ましい。
上述した態様によれば、次の如き優れた効果を発揮する。
(1)優れた圧電特性を有し、かつ圧電特性の面内均一性にも優れたニオブ酸リチウムカリウムナトリウム薄膜を配した圧電薄膜積層体と、これを用いた圧電薄膜素子を提供できる。
(2)鉛フリー材料で、圧電特性の優れた圧電薄膜素子を提供できる。
成膜条件はPt、Ti共に66.66Pa(0.5Torr)、スパッタリングガスとしてArガスを30sccm導入し、RF電力は200Wとした。基板温度は300℃で、プレスパッタリングは3分とした。
NbO3においてx=0.495、y=0.495、z=0.01として成膜を行った。
cm、20cmとして成膜したLKNN膜の試料の中央部分と端部分とについて、それぞれ逆極点図、極点図をまとめた。測定領域は50×50μm2である。逆極点図はND方
向(Normal Direction:基板に対して垂直方向)から見た場合の結晶方位について、極点図は主に配向している(001)面、(110)面のうち(001)面についてそれぞれ示した。
て面積平均したところ、基板上どの部分についてもその面積平均した角度は0°〜10゜の範囲内であった。また、EBSD測定の結果から、(001)面、(110)面に配向している結晶粒の面積を積算したところ、任意の箇所について全体の80%以上であった。
に抑えることができた。
2 Ti膜
3 Pt膜
4 LKNN膜((NaxKyLiz)NbO3圧電薄膜)
Claims (5)
- 基板上に、少なくとも下部電極、一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1,0<y<1,0≦z≦0.05,x+y+z=1)で表される圧電薄膜、及び上部電極を配した圧電薄膜積層体において、
前記圧電薄膜が、結晶軸のうち2軸以下のある特定の軸に優先的に配向しており、
かつ前記配向している結晶軸のうち少なくとも1つの結晶軸と、前記基板表面の法線との成す角度が、0°〜15°の範囲内である場所が前記圧電薄膜を形成してある場所の90%以上を占める
ことを特徴とする圧電薄膜積層体。 - 基板上に、少なくとも下部電極、一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<xく1,0<y<1,0≦z≦0.05,x+y+z=1)で表される圧電薄膜、及び上部電極を配した圧電薄膜積層体において、
前記圧電薄膜が、結晶軸のうち2軸以下のある特定の軸に優先的に配向しており、
かつ前記配向している結晶軸のうち少なくとも1つの結晶軸と、前記基板表面の法線との成す角度が、100μm2以上の面積に渡る平均値で0°〜10°の範囲内である場所
が前記圧電薄膜を形成してある場所の90%以上を占める
ことを特徴とする圧電薄膜積層体。 - 請求項1及び2記載の圧電薄膜積層体において、前記配向している結晶軸が、[001]あるいは[110]であることを特徴とする圧電薄膜積層体。
- 請求項1及び2記載の圧電薄膜積層体において、前記2軸以下のある特定の軸に優先的に配向した前記圧電薄膜の結晶粒の、前記基板の面内で占める面積の割合が80%以上であることを特徴とする圧電薄膜積層体。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の圧電薄膜積層体を有する圧電薄膜素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106062A JP5045195B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 圧電薄膜積層体及び圧電薄膜素子 |
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JP2008263132A JP2008263132A (ja) | 2008-10-30 |
JP5045195B2 true JP5045195B2 (ja) | 2012-10-10 |
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Family Applications (1)
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JP2007106062A Active JP5045195B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 圧電薄膜積層体及び圧電薄膜素子 |
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---|---|
JP (1) | JP5045195B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5035374B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2012-09-26 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子及びそれを備えた圧電薄膜デバイス |
JP5035378B2 (ja) | 2009-06-22 | 2012-09-26 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子及びその製造方法、並びに圧電薄膜デバイス |
JP5531529B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2014-06-25 | 日立金属株式会社 | 圧電薄膜付基板、圧電薄膜素子、アクチュエータ、及びセンサ |
JP5808262B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2015-11-10 | 株式会社サイオクス | 圧電体素子及び圧電体デバイス |
US9837596B2 (en) | 2014-06-13 | 2017-12-05 | Tdk Corporation | Piezoelectric device, piezoelectric actuator, piezoelectric sensor, hard disk drive, and inkjet printer apparatus |
JP6578866B2 (ja) * | 2015-10-02 | 2019-09-25 | Tdk株式会社 | 圧電薄膜、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、並びにハードディスクドライブ、及びインクジェットプリンタヘッド |
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Publication number | Publication date |
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JP2008263132A (ja) | 2008-10-30 |
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