JP5044295B2 - 単結晶引上方法 - Google Patents
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Description
コントローラ16により、石英ガラスルツボ3の回転数、上昇速度、引上速度を制御して、テール部を育成する(S6)。
育成した単結晶を取出す(S8)。
炉内を解体し、清掃する(S9)。
しかる後、S1の工程を繰返し、新たな単結晶の引上げを行う。
(目的) 調芯機能及び制振機能を備えた芯出手段のとして機能するXYテーブル機構、磁場印加するマグネットを備えた図1に示す本発明に単結晶引上装置を用い、図3に示す引上げフローに基づき、引上げを行った。
(方法) 磁場強度500Gaussとする以外は、実施例1と同様の条件で試験を行った。
(方法) 操作でクラウン育成中にワイヤ振れを発生させ、クラウン片側約30mm振れたタイミングで芯出手段の制振機能を動作開始させ、クラウン育成終了と同時に停止させ、振れが収束しきれない場合、XYテーブル移動範囲のX、Yそれぞれの中央値を軸芯として自動で微調整する以外は、実施例1と同様の条件で試験を行った。
実施例1、3と同じ条件で、芯出手段のない引上装置を用いて引上げを実施した。
2 チャンバ
2b フランジ部
2A 上部チャンバ
2Aa 監視窓
2B メインチャンバ
3 石英ルツボ
4a サイドヒータ
4b ボトムヒータ
5 ルツボ上昇回転機構
6 ルツボ軸
9 取付基材
10 Yテーブル機構
11 ワイヤ巻取り装置
12 ワイヤ
14 レーザセンサ
15 マグネット
16 コントローラ
17 XYテーブル
17x Xテーブル
17y Yテーブル
18 サーボ機構
18x Xサーボモータ
18y Yサーボモータ
Claims (4)
- 炉本体に内装されたルツボ中の原料溶液にワイヤに取付けられた種結晶を浸漬して単結晶を引上げるチョクラルスキー法を用いた単結晶引上方法において、
少なくとも単結晶のクラウンあるいは直胴部育成時、原料溶液に磁場を印加しながら、結晶の芯出し位置を確定する芯出しを行い、
前記芯出しは、レーザセンサがワイヤの位置を検知し、コントローラにより結晶軸とルツボ軸の軸芯とのずれを演算し、結晶軸とルツボ軸の軸芯とを一致させる軸芯合わせをクラウン育成時に行なう調芯機能と、単結晶育成中にワイヤが所定振幅以上の振れが生じたとき、レーザセンサがワイヤの振れを検知し、前記調芯機能により、ワイヤを水平面内で移動させて振れを収束させる制振機能とを有する芯出手段を用いて行うことを特徴とする単結晶引上方法。 - 前記調芯機能は、前記ワイヤの位置をレーザセンサで検知し、予め記憶されたルツボ軸芯情報と結晶軸芯情報を比較して、結晶軸芯がルツボ軸芯とずれている場合には、結晶軸芯とルツボ軸芯を一致させ、
前記制振機能は、前記ワイヤ振れが発生し、レーザセンサを介して得られた変位情報から演算されるワイヤ振れ周波数が共振周波数に等しくなった場合、逆位相の変位と速度でワイヤの支点を移動させ、ワイヤの振れを抑制あるいは停止させることを特徴とする請求項1に記載の単結晶引上方法。 - 単結晶の育成開始から完了まで常時軸芯のずれを補正することを特徴とする請求項1または2に記載の単結晶引上方法。
- 前記磁場は水平磁場であって、1000−5000Gaussであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の単結晶引上方法。
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