JP5043283B2 - 電気化学装置 - Google Patents

電気化学装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5043283B2
JP5043283B2 JP2002570320A JP2002570320A JP5043283B2 JP 5043283 B2 JP5043283 B2 JP 5043283B2 JP 2002570320 A JP2002570320 A JP 2002570320A JP 2002570320 A JP2002570320 A JP 2002570320A JP 5043283 B2 JP5043283 B2 JP 5043283B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor device
gate electrode
organic material
electrochemically active
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002570320A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004529491A (ja
Inventor
モーテン・アルムガルト
トーマス・クーグラー
マグヌス・ベルイグレン
トミ・レモーネン
ダーヴィド・ニルソン
ミアウシアン・チェン
Original Assignee
アクレオ アーベー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アクレオ アーベー filed Critical アクレオ アーベー
Publication of JP2004529491A publication Critical patent/JP2004529491A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5043283B2 publication Critical patent/JP5043283B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/163Operation of electrochromic cells, e.g. electrodeposition cells; Circuit arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K9/00Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
    • C09K9/02Organic tenebrescent materials
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C13/00Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C13/00Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C13/00Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • G11C13/0016RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604Deposition from a gas or vapour
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/40Printed batteries, e.g. thin film batteries
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/20Organic diodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/163Operation of electrochromic cells, e.g. electrodeposition cells; Circuit arrangements therefor
    • G02F2001/1635Operation of electrochromic cells, e.g. electrodeposition cells; Circuit arrangements therefor the pixel comprises active switching elements, e.g. TFT
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/02Materials and properties organic material
    • G02F2202/022Materials and properties organic material polymeric
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2213/00Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/15Current-voltage curve
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/55Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H01L28/56Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、電気化学装置、特に、導電性有機材料に基づく印刷可能な電気化学トランジスタ装置に関する。
現在、半導電性および導電性の有機材料(ポリマー、分子両方)を、たとえば、スマートウィンドウやポリマー電池におけるダイナミック着色材として、広範囲にわたる電子装置、たとえば、電気化学装置に組み込むことに成功している。可動性イオンに影響を与える可逆性ドーピング・デドーピングは、異なったレドックス状態に材料を切り替える。
電界効果トランジスタ(FET)装置の実現のために半導電性ポリマーが使用されてきた。これらの装置のトランジスタ・チャネルは、当該半導電性ポリマーからなり、そして、それらの機能は、外部から印加された電界によって生じる、半導電性ポリマーの電荷担体特性の変化に基づいている。このようなトランジスタにおいて、電界が単にポリマー材料内の変化を再配分するだけという点で、ポリマーは伝統的な半導体として使用されている。このようなトランジスタの1つで、小型化に適しており、全体的にポリマー材料からなる集積回路の製造に使用され得るトランジスタが実現されている(PCT公報W099/10939)。この公報には、トップ・ゲートまたはボトム・ゲート構造を持つサンドイッチ構造の積層体が記載されている。トランジスタのチャネルにおいて半導電性材料として同様にポリマーを使用する同様の構成を備えるトランジスタ装置が、欧州特許出願EP1041653に記載されている。
有機材料に基づく別のタイプのトランジスタ装置では、有機材料における電気化学レドックス反応を利用している。これらの装置は、電解液と、酸化状態と還元状態との間で切り替えられ得る導電性ポリマーとからなる。それ故、これらの酸化状態のうちの1つは、材料における低い、好ましくはゼロの導電率と一致するのに対し、他の酸化状態は、第1の状態に対する高導電率と一致する。電気化学トランジスタ装置は、たとえば、溶液内のオキシダント検出用のセンサとして使用されてきた(検討のために、Baughman and Shacklette, Proceedings of the Sixth Europhysics Industrial Workshop (1990), p 4761を参照されたい)。さらに、電気化学タイプのトランジスタが、Rani等のJ Solid State Electrochem (1998), vol. 2, p 99-101において報告されている。この従来技術によるトランジスタのゲート電極構造は、この引用文献の図1に示されている。
従来技術の電気化学トランジスタ装置に伴う問題には、製造が難しく、高価であるという事実がある。特に、大量生産できる電子化学トランジスタ装置は、開示されていない。さらに、従来技術による電気化学トランジスタ装置の実際の使用は、比較的電力消費量が高いということによって、妨げられてきた。さらに、従来技術による装置において使用される材料は、環境への優しさ、加工性および経済的な製造可能性を欠いている。したがって、新規で改良された電気化学トランジスタ装置に対する要望がある。
それ故、本発明の目的のうちの1つは、電気化学トランジスタ装置の技術を発展させ、従来技術による電気化学トランジスタ装置よりも優れた取扱い性、生産性、廃棄処理性その他の特性を備える装置を提供することによってこの要望に応えることにある。
本発明の別の目的は、普通の印刷方法によって、広範囲にわたる異なった剛性または可撓性の物質上に堆積させることができる電気化学トランジスタ装置を提供することにある。
本発明のまた別の目的は、それを堆積させた任意の支持体と一緒の装置の廃棄処分が取り扱い問題を惹起させず、また、装置の使用時に安全性がなんら制限を受けない環境的に安全な電気化学トランジスタを提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、導電性有機材料を、そのいくつかの異なった性質を組み合わせて使用して新しい可能性ある用途に使用することにある。
本願発明のさらに別の目的は、このような装置の製造方法であって、周知であり、比較的安価であり、容易に規模拡大される普通の印刷方法その他の堆積技術を利用する製造方法を提供することにある。
上記の目的は、特許請求の範囲の独立請求項に定義されたような電気化学トランジスタ装置によって達成される。本発明の特別の実施例が、従属請求項に定義されている。それに加えて、本発明は、以下の詳細な説明から明らかになる他の利点および特徴を有する。
このようにして、支持式または自立式の電気化学トランジスタ装置が提供される。そして、この電気化学トランジスタ装置は、
‐ソース接点、
‐ドレイン接点、
‐少なくとも1つのゲート電極、
‐ソース接点とドレイン接点との間に配置してあり、これらの接点と直接電気接触している電気化学的にアクティブな要素であって、トランジスタ・チャネルを含み、そして、そのレドックス状態の変化を介してその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料を含む材料で作られている電気化学的にアクティブな要素、および、
‐電気化学的にアクティブな要素および前記少なくとも1つのゲート電極と直接的に電気接触しており、電気化学的にアクティブな要素および前記ゲート電極間の電子の流れを阻止するようにそれらの間に介在する凝固電解液
からなり、
それによって、
ソース接点、ドレイン接点間の電子の流れが、前記ゲート電極に印加された電圧によって制御可能となる。
本発明による電気化学トランジスタ装置の構造は、ほんの少しの層、例えば、導電性有機材料からなる1つのパターン化された材料層を有する積層トランジスタ装置の実現を可能にし、この材料層が、ソース接点、ドレイン接点およびゲート電極ならびに電気化学的にアクティブな要素を含むという点で有利である。それ故、ソース、ドレイン接点および電気化学的にアクティブな要素は、前記材料の1つの連続した部片によって形成されると好ましい。あるいは、ソース、ドレイン接点は、電気化学的にアクティブな要素と直接的に電気接触している別の導電性材料から形成してもよい。ゲート電極は、また、他の導電性材料で作ってもよい。必要な電気化学反応を行わせ、それによって、アクティブな要素の導電率を変えるために、凝固電解液は、アクティブな要素およびゲート電極の両方と直接的に電気接触するように配置される。
好ましい実施例において、ソース、ドレイン接点およびゲート電極ならびにアクティブな要素は、すべて、共通平面に位置するように配置され、通常の印刷方法によって装置の製造をさらに簡略化することができる。したがって、本発明のこの実施例による電気化学
装置は、横方向装置構造を使用する。凝固電解液の層は、少なくとも部分的にゲート電極を覆うと共に、電気化学的にアクティブな要素を覆うように配置されると有利である。凝固電解液のこの層は、2つの主タイプのトランジスタ構造のどちらを実現しようとしているかに部分的に依存して、連続的であってもよいし、非連続的であってもよい(以下を参照)。
本発明による電気化学トランジスタ装置では、ソース、ドレイン接点間の電子流の制御が可能となる。電気化学的にアクティブな要素のトランジスタ・チャネルの導電率は、有機材料のレドックス状態を変えることで変更可能である。これは、電解液に電界を発生させる、ゲート電極への電圧印加によって達成される。電解液と電気化学的にアクティブな要素との接触領域において、電気化学レドックス反応が生じ、これが有機材料の導電率を変える。トランジスタ・チャネルにおける有機材料は、前記レドックス反応の結果として導電状態から非電導状態まで変えられるか、または、非電導状態から導電状態に変えられる。
当業者には容易にわかるように、普通の電界効果トランジスタと同様に、本発明の電気化学トランジスタ装置は、ゲート電極およびソース接点の短絡またはゲート電極およびドレイン接点の短絡によって、ダイオード装置として機能するように容易に作ることができる。これの1つの非限定的な例を以下に説明する。しかしながら、このやり方でダイオードとして、電気化学トランジスタ装置の任意の構成を使用できることは当然である。
導電性有機材料および電解液を正確にパターン化することに応じて、本発明の電気化学トランジスタ装置は、双安定性タイプでもダイナミック・タイプのいずれでもよい。双安定トランジスタ実施例においては、ゲート電極に印加される電圧は、外部回路が壊れたとき、すなわち、印加電圧が除去されたときに維持されるトランジスタ・チャネルの導電率における変化の原因となる。電気化学的にアクティブな要素およびゲート電極が互いに直接的に電気接触しておらず、電解液により分離されているので、印加電圧によって誘起された電気化学反応が逆転することはない。この実施例において、トランジスタ・チャネルは、ほんの小さい過渡ゲート電圧を使用して、非導電状態と導電状態と間で切替えられ得る。双安定トランジスタは、誘起されたレドックス状態に、何日も、最も好ましい理想的な場合には、無限に維持され得る。
したがって、本発明の双安定トランジスタ実施例は、ゲート電極に印加されたほんの短い電圧パルスを使用してオン、オフすることができるという点で、メモリ機能を提供する。印加電圧が除去された後でさえ、トランジスタは、導電または非導電のレドックス状態にとどまる。このような双安定トランジスタによるさらなる利点は、ゲートに印加された短い電圧パルスが、対応するダイナミック装置の操作に必要とされるゲート電圧の数分の一以下であればよいので、ゼロに近いパワー動作が可能となるということにある。
ダイナミック・トランジスタ実施例においては、材料のレドックス状態の変化は、ゲート電圧の除去の際に自動的に逆転する。この逆転は、電気化学的にアクティブな要素におけるトランジスタ・チャネルに隣接してレドックス・シンク・ボリュームを設けることで得られる。また、第2のゲート電極が設けられ、2つのゲート電極が、電気化学的にアクティブな要素の両側(片側はトランジスタ・チャネルに近く、他方の側はレドックス・シンク・ボリュームに近い)に位置するように配置される。両方のゲート電極は、電解液によって電気化学的にアクティブな要素から分離されている。2つのゲート電極間に電圧を印加することで、電気化学的にアクティブな要素が分極され、それによって、レドックス反応が生じ、トランジスタ・チャネルにおける有機材料が還元される一方でレドックス・シンク・ボリュームにおける有機材料が酸化するか、または、その逆となる。トランジスタ・チャネルおよびレドックス・シンク・ボリュームが互いに直接的に電気接続している
ので、ゲート電圧の除去により、レドックス反応の自動的な逆転が生じ、その結果、トランジスタ・チャネルの初期導電率が再確立される。従来技術の電気化学トランジスタとは対照的に、本発明のこの実施例によるダイナミック・トランジスタが、逆転バイアスを必要とすることなく自動的に初期導電率状態に戻ることは強調されるべきであろう。
本発明による電気化学トランジスタ装置は、また、支持体(たとえば、ポリマーフィルムまたは紙)に容易に実現され得るという点で、特に有利である。したがって、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷またはナイフ・コーティング、ドクター・ブレード・コーティング、押出成形コーティングおよびカーテン・コーティングのようなコーティング技術のような普通の印刷技術によって、異なった構成要素が支持体上に設置され得る。これは、たとえば、「Modern Coating and Drying Technology」(1992), eds E D Cohen and E B Gutoff, VCH Publishers Inc, New York, NY, USAに記載されている。有機材料(材料仕様については以下を参照)として導電性ポリマーを利用する本発明のこれらの実施例においては、この材料は、また、電気重合、紫外線重合、熱重合、化学重合のような方法によって、現場重合を介して堆積され得る。構成要素のパターン化のためのこれらの付加的な技術の代わりに、化学エッチングまたはガス・エッチングによる、または、スクラッチング、スコーリング、スクレーピング、ミリングのような機械的手段による、または、この技術分野で知られている任意他の減法的方法による材料の局所的破壊のような減法的技術を使用することも可能である。本発明の1つの態様は、ここに特定された材料から電気化学トランジスタ装置を製造するためのこのような方法を提供する。
しかしながら、本発明は、接点、電極、電気化学的にアクティブな要素および電解液が互いに支え合うように配置され得るので、支持式装置に限定されない。したがって、本発明の或る実施例は、自立式装置を提供する。
本発明の好ましい実施例によれば、電気化学トランジスタ装置は、その保護のために、部分的にまたは全体的に封入される。この封入により、たとえば、凝固電解液が機能するのに必要な溶媒を保持し、そして、酸素が装置内の電気化学反応を妨げないようにすることができる。封入は、液相プロセスを介して達成され得る。したがって、スプレー・コーティング、ディップ・コーティングのような方法または上記の普通の印刷技術のうち任意の技術を使用して液相ポリマーまたは有機モノマーを装置上に堆積させることができる。堆積後、封入材は、たとえば、紫外線照射または赤外線照射によって、または、溶媒蒸発によって、または、冷却によって、または、エポキシ接着剤のような二成分系を使用することによって、硬化させることができる。二成分系の場合、成分は堆積の直前に混ぜ合わせる。あるいは、封入は、電気化学トランジスタ装置上へ固体フィルムを積層することによっても達成される。電気化学トランジスタ装置の構成要素を支持体上に配置した本発明の好ましい実施例においては、この支持体はボトム封入材として機能し得る。この場合、シートのトップのみが液相封入材で覆われるか、固体フィルムで積層されるだけでよいので、封入がより便利に行われる。
以下、本発明を、その特別な実施例および特別な材料を参照しながらさらに説明する。この詳細な説明は、例示の目的を意図したものであり、特許請求の範囲に記載した発明の範囲をいかなる意味でも限定することを意図したものではない。
好ましい実施例の詳細な説明
定義
双安定電気化学トランジスタ:ゲート電圧が除去されたときに、トランジスタ・チャネルがそのレドックス状態(それ故、その導電率特性)を保持する電気化学トランジスタ装置。
ダイナミック電気化学トランジスタ:ゲート電圧が除去されたときに、トランジスタ・チャネルが自動的にその初期レドックス状態(それ故、その初期導電率特性)に戻る電気化学トランジスタ装置。
ソース接点:トランジスタ・チャネルに電荷担体を提供する電気接点。
ドレイン接点:トランジスタ・チャネルから電荷担体を受け入れる電気接点。
ゲート電極:その表面積の任意の数分の一が凝固電解液と直接的に電気接触しており、したがって、電気化学的にアクティブな要素とイオン接触している電気接点。
電気化学的にアクティブな要素:本発明による「電気化学的にアクティブな要素」は、前記有機材料のレドックス状態の変化を通じて電気化学的に変化し得る導電率を有する有機材料からなる材料の部片である。この電気化学的にアクティブな要素は、凝固電解液を経て少なくとも1つのゲート電極とイオン接触している。電気化学的にアクティブな要素は、さらに、個別にソース、ドレイン接点(同じ材料または異なった材料からなる)の各々と一体にしてもよいし、それら両方と一体にしてもよい。本発明の電気化学トランジスタ装置における電気化学的にアクティブな要素は、トランジスタ・チャネルを含み、さらに、レドックス・シンク・ボリュームを含んでいてもよい。
トランジスタ・チャネル:電気化学的にアクティブな要素の「トランジスタ・チャネル」は、ソース、ドレイン接点間の電気接触を確立する。
レドックス・シンク・ボリューム:本発明の或る実施例では、電気化学的にアクティブな要素は、さらに、「レドックス・シンク・ボリューム」を含む。これは、トランジスタ・チャネルに隣接し、そして、トランジスタ・チャネルと直接的に電気接触しており、トランジスタ・チャネルへ電子を与えたり、または、トランジスタ・チャネルから電子を受け入れたりすることができる電気化学的にアクティブな要素の一部である。したがって、トランジスタ・チャネル内の任意のレドックス反応は、レドックス・シンク・ボリューム内の対向する反応によって補完される。
レドックス状態:電気化学的にアクティブな要素の「レドックス状態」の変化に言及したとき、これは、電気化学的にアクティブな要素における有機材料が酸化されたか、または、還元されたかしたケースならびに電気化学的にアクティブな要素内の電荷の再配分があり、その結果、一端(たとえば、トランジスタ・チャネル)が還元され、他端(例えば、レドックス・シンク・ボリューム)が酸化されたケースを含むことを意図している。後者のケースでは、電気化学的にアクティブな要素は、全体として、その全体的なレドックス状態を保持するが、電荷担体の内部的再配分により、そのレドックス状態が、ここで使用した定義に従って変化する。
直接的な電気接触:インタフェースを介して電荷の交換を行える、2つの相(たとえば、電極と電解液)の間での直接的な物理的接触(共通インタフェース)。インタフェースを介しての電荷交換は、導電性相間の電子移動、イオンによる導電性相間のイオン移動、または、たとえば、電極、電解液間または電解液、電気化学的にアクティブな要素間のインタフェースでの電気化学反応による、または、このようなインタフェースでのヘルムホルツ層の荷電による容量性電流の発生による電子流、イオン流間の転換を含み得る。
凝固電解液:発明の目的のために、「凝固電解液」とは、それが使用される温度で、充分に剛性があり、その本体内の粒子/薄片が電解液の高い粘性/剛性によって実質的に固
定され、流れたり、漏れたりすることがない電解液を意味する。好ましいケースにおいては、このような電解液は、適切な流動学的な性質を有し、一体シートまたはパターンとして支持体上にこの材料を容易に装着することができる。堆積後、電解液は、溶媒の蒸発の際に凝固し、または、化学的試薬の添加または紫外、赤外線またはマイクロ波の照射、冷却のような物理的効果または任意他の手段によってもたらされる化学架橋反応のために凝固しなければならない。凝固電解液は、好ましくは、ゼラチンまたは重合ゲルのような水様または有機溶媒含有ゲルからなる。しかしながら、固体の重合電解液も考えられ、それも本発明の範囲内にある。さらに、この定義は、また、適切なマトリクス材料、たとえば、紙、ファブリックまたは多孔性ポリマーに吸収させた電解溶液またはこのようなマトリクス材料が主役となる任意他の方法での電解溶液も含む。本発明の或る種の実施例においては、この材料は、実際に、電気化学トランジスタ装置を配置した支持体であり、その結果、支持体が装置の一体の作動部分となる。
材料
好ましくは、凝固電解液は、バインダを含む。このバインダは、ゲル化特性を有すると好ましい。バインダは、好ましくは、ゼラチン、ゼラチン誘導体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ(ビニルピロリドン)、多糖類、ポリアクリルアミド、ポリウレタン、ポリプロピレン酸化物、ポリエチレン酸化物、ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(ビニルアルコール)およびそれらの塩およびコポリマーからなるグループから選択されると好ましい。そして、場合によっては架橋結合されていてもよい。凝固電解液は、好ましくは、さらに、イオン塩、好ましくは、使用されるバインダがゼラチンである場合にはマグネシウム硫酸塩を含む。凝固電解液は、好ましくは、さらに、水分を維持するために塩化マグネシウムのような吸湿性塩を含む。
本発明に用いられる有機材料は、好ましくは、少なくとも1つの酸化状態において導電性となるポリマーを含み、場合によっては、さらにポリアニオン化合物を含む。ポリマー・ブレンドのような2つ以上のポリマー材料の組み合わせ、または、いくつかのポリマー材料層(この場合、異なった層が同じポリマーまたは異なったポリマーからなる)からなる有機材料も考えられる。本発明の電気化学トランジスタ装置で用いられる導電性ポリマーは、好ましくは、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリイソチアナフタレン、ポリフェニレン・ビニレンおよびそれらのコポリマーからなるグループから選択される。これは、たとえば、J C Gustafsson et al in Solid State Ionics, 69, 145-152 (1994)、Handbook of Oligo- and Polythiophenes, Ch 10.8, Ed D Fichou, Wiley-VCH, Weinhem (1999)、P Schottland et al in Macromolecules, 33, 7051-7061 (2000)、Technology Map Conductive Polymers, SRI Consulting (1999)、M Onoda in Journal of the Electrochemical Society, 141, 338-341 (1994)、M Chandrasekar in Conducting Polymers, Fundamentals and Applications、a Practical Approach, Kluwer Academic Publishers, Boston (1999)およびA J Epstein et al in Macromol Chem, Macromol Symp, 51, 217-234 (1991)に記載されている。特に好ましい実施例においては、有機材料は、3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマーまたはコポリマーであり、この場合、前記2つのアルコキシル基のグループは、同じであってもよいし、異なっていてもよいし、または、場合によっては置換されたオキシ−アルキレン−オキシ・ブリッジを一緒に表していてもよい。最も好ましい実施例においては、ポリマーは、ポリ(3,4−メチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−メチレンジオキシチオフェン)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)誘導体、ポリ(3,4−プロピレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−プロピレンジオキシチオフェン)誘導体、ボリ(3,4−ブチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ブチレンジオキシチオフェン)誘導体およびそれらとのコポリマーからなるグループから選択された3、4−ジアルコキシチオフェンのポリマーまたはコポリマーである。それ故、ポリアニオン化合物も、好ましくは、ポリ(スチレン・スルホン酸塩)である。
本発明の電気化学トランジスタ装置のいくつかの実施例における支持体は、好ましくは、ポリエチレン・テレフタル酸塩、ポリエチレン・ナフタレン・ジカルボキシレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、紙、コート紙(たとえば、樹脂、ポリエチレンまたはポリプロピレンでコーティングしたもの)、積層紙、ボール紙、段ボール、ガラスおよびポリカーボネートからなるグループから選択される。
主要な装置構造
電気化学的にアクティブな要素の有機材料のパターン化および接点、電極、電解液を異なった方法でパターン化することによって、2つの主要なタイプの電気化学トランジスタ装置を実現できる。これらの主要なタイプ、すなわち、双安定電気化学トランジスタ装置およびダイナミック電気化学トランジスタ装置を、それらの図およびそれらの作動原理の概略を参照しながら以下に説明する。
双安定トランジスタ(タイプ1):図1A、1Bは、双安定トランジスタの一実施例を概略的に示している。このトランジスタは、ソース接点1、ドレイン接点2、電気化学的にアクティブな要素3を含む。これらは、すべて、有機材料の連続部片から形成してある。ソース、ドレイン両接点は、外部電源と電気的に接触しており、この電源は、接点間に電圧Vdsを印加することができる。トランジスタは、さらに、ゲート電極4を含み、このゲート電極は、ソース、ドレイン接点および電気化学的にアクティブな要素と同じ有機材料から形成することができる。ゲート電極4は、外部電源と電気的に接触しており、この外部電源は、ゲート電極と電気化学的にアクティブな要素との間の電圧Vgを印加することができる。これは、ゲート4とソース接点1またはドレイン接点2の間に、または、ゲート4と電気化学的にアクティブな要素3との間に直接的にVgを印加することによって実現できる。これらの有機材料の構成要素は、すべて、支持体6上に1枚の層として堆積してある。ゲート電極4の一部およびアクティブな要素3を覆っているこの層のトップには、ゲル電解液層5がある。さらに、ゲル電解液層5は、溶媒の蒸発を防ぐために密封層7で覆われている。
図1に示すVgの極性についての作動原理において、酸化状態で導電性となり、その中立状態に還元されたときに、すなわち、ゲート電圧Vgがゲート電極4と電気化学的にアクティブな要素3との間に印加されたときに非導電性となる有機材料において、ゲート電極は、正に分極され(陽極)、電気化学的にアクティブな要素は、負に分極される(陰極)。これにより、電気化学的にアクティブな要素における、そして、ゲート電極のところでの電気化学作用が開始することになり、酸化反応がゲート電極のところで生じると同時に、トランジスタ・チャネルにおける有機材料が還元される。トランジスタ・チャネルにおける還元された材料は、急激に低下した導電率を示し、その結果、トランジスタ・チャネルが閉じ、所定のソース・ドレイン電圧Vdsについてソース、ドレイン間の電流が事実上低減する。すなわち、トランジスタが、「オフ」モードとなる。ゲート電極および電気化学的にアクティブな要素に電圧を供給している外部回路が壊れたとき、トランジスタ・チャネルの酸化状態が維持される。ゲート電極4、電気化学的にアクティブな要素3間の電子流が電解液5によって中断するために、電気化学反応の逆転はあり得ない。
したがって、この双安定トランジスタは、メモリ機能を有する。すなわち、ゲートに印加されたゲート電圧(Vg)の短いパルスでトランジスタ・チャネルをオン、オフすることが可能になる。ゲート電圧が除去されたとき、それぞれの導電状態が残る(ゼロパワー装置)。電気化学的にアクティブな要素における導電特性をさらに調節するかまたはリセットして初期の高い導電率モードにすることは、ゲート電極へ異なった電圧を印加することによって実施され得る。
概要において先に説明したように、本発明のトランジスタ装置は、ダイオードとして機能するように容易に作ることができる。このことは、たとえば、図1Cに概略的に示すようなトランジスタ装置構成によって達成される。図1Aに関連して先に説明した装置と比較して、代わりに、ゲート電圧が、ゲート電極4、ソース接点1間に印加される。電圧Vgの負極性について位置間に電位差はないが、この位置の変えることで、Vgをコンダクタと取り替えることによってゲート電極およびソース接点を短絡させることが可能になる。このような短絡により、正の電圧をソース接点1に印加したとき、ゲート電極4も確実に分極されることになる。したがって、上記したように、電気化学的にアクティブな要素3における還元または酸化の際にトランジスタ・チャネル内に抵抗が生じ、この抵抗が、電気化学的にアクティブな要素を通しての電荷移動を妨げることになる。チャネルにおいて抵抗が生じると、「共通の」ソース、ゲートに供給される電流がゲート電極に増大しながら通ることになり、電気化学反応をさらに増進させることになり、したがって、トランジスタ・チャネルにおける抵抗をさらに上昇させることになる。ソース・ドレイン電圧の極性が逆転する場合、反対の状況が生じ、その結果、電気化学的にアクティブな要素が導電状態となる。したがって、ソースおよびゲートがこのように接続されたとき、装置は、一方向における電流を許すが、反対方向においては許さず、実際にダイオードとして機能する。
ダイナミック・トランジスタ:図2A、2Bは、ダイナミック・トランジスタを概略的に示している。このトランジスタは、ソース接点1、ドレイン接点2、電気化学的にアクティブな要素3からなり、これらは、すべて、有機材料の連続部片から形成されている。電気化学的にアクティブな要素3は、トランジスタ・チャネル3aおよびレドックス・シンク・ボリューム3bを含む。ソース、ドレイン両接点は、外部電源と電気的に接触しており、この外部電源は、これらの接点間に電圧Vdsを印加することができる。トランジスタは、さらに、電気化学的にアクティブな要素3の両側に配置された2つのゲート電極4a、4bを備える。ゲート電極は、ソース、ドレイン接点および電気化学的にアクティブな要素と同じ有機材料で形成することができる。ゲート電極は、外部電源と電気的に接触しており、この外部電源は、これらのゲート電極間に電圧Vgを印加することができる。これら有機材料の構成要素は、すべて、支持体6上に1枚の層として堆積されている。ゲート電極4a、4bの一部およびアクティブな要素3を覆っているこの層のトップには、ゲル電解液層5がある。さらに、このゲル電解液層5は、溶媒の蒸発を防ぐために封入層7で覆われている。
図2に示すVgの極性のための作動原理において、その酸化状態において導電性となり、その中立状態に還元されたとき、すなわち、ゲート電圧Vgがゲート電極4a、4b間に印加されたときに非導電性となる有機材料の場合、ゲート電極4aは、正に分極され(陽極)、ゲート電極4bは、負に分極される(陰極)。これにより、電気化学的にアクティブな要素における電気化学作用が開始し、トランジスタ・チャネル3a(ゲート電極4aと隣接している)における有機材料が還元され、一方、レドックス・シンク・ボリューム3b(ゲート電極4bと隣接している)における有機材料が酸化されることになる。これらの電気化学反応は、電気化学的にアクティブな要素内での電子の内部移動を必要とする。レドックス・シンク・ボリュームにおける酸化反応で放出される電子は、トランジスタ・チャネルに移動する。そこにおいて、電子は、電気化学的にアクティブな要素のこの部分において生じる有機材料の還元で消費される電子を補給する。トランジスタ・チャネルにおける還元されたボリュームは、急激に低下した導電率を示し、これが、トランジスタ・チャネルを閉ざし、所定のソース・ドレイン電圧Vdsについてのソース・ドレイン電流の効果的低下を招く。すなわち、トランジスタが「オフ」となる。ゲート電極4a、4bに電圧を印加している外部回路が壊れたとき、自動的な放電が生じ、電子がトランジスタ・チャネルにおける還元された材料からレドックス・シンク・ボリュームにおける酸化された材料まで流れ、最終的に、電気化学的にアクティブな要素内で当初のレドックス状態が再確立される。全体的な電荷の中立性を維持するために、電気化学的にアクティブな要素内のこの電子流は、凝固電解液内のイオン流を伴う。
双安定トランジスタ(タイプ2):図3A、3Bは、双安定トランジスタの他の実施例を概略的に示している。この構造は、直ぐ前に説明したダイナミック・トランジスタ構造に基づいている。図3A、3Bを参照して、双安定トランジスタのこの実施例は、前記ダイナミック・トランジスタと同じ構成要素を有するが、凝固電解液層5が、パターン化されており、2つの個別の電解液セグメント5a、5bを形成している点で異なる。このパターン化は、電解液内のイオン流を中断する効果を有する。この中断は、電気化学反応の自動的な逆転がトランジスタ・チャネル3aとレドックス・シンク・ボリューム3bとの間でまったく生じ得ないということを意味する。上述した第1の双安定トランジスタ装置の場合と同様に、外部回路(ここでは、ゲート電極に電圧を供給している外部回路)が壊れたときにトランジスタ・チャネルにおける酸化状態が維持される。
実験1(材料および方法)
双安定(タイプ1)トランジスタおよびダイナミック・トランジスタは、対イオンとしてポリ(スチレンスルホン酸塩)を有する部分的に酸化されたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)のフィルム(本明細書では、しばしば、PEDOT:PSSと呼ぶ)をT字形の構造へパターン化することによって実現された。設計は、それぞれ、図1、2に示す双安定トランジスタおよびダイナミック・トランジスタの概略的な図面に従った。その当初の、部分的に酸化された状態において、PEDOT:PSSフィルムは、導電性であり、電気化学的にPEDOT:PSSを還元することによってトランジスタ・チャネルにおける電流を変調する機会を提供する。すべての処理および材料処理は、周囲大気内で行われた。
スクリーン印刷によるパターン化:PEDOT:PSSは、ポリエステル・キャリア、すなわち、AGFAによって提供されるようなOrgaconTM EL−300Ω/平方上の薄いフィルムとして適用された。導電性パターンは、スクリーン印刷された非活性化ペーストを用いて生成された。AGFAによって提供されるようなOrgacon-Strupasゲルを次亜塩素酸ナトリウム水溶液と混ぜ合わせて、アクティブ劣化剤を約1.2%の濃度とした。印刷は、77ライン/cmメッシュのスクリーンを使用する手動スクリーン印刷ボード(Schneidlerから購入したMovivis)を用いて行った。1分後、大量の水で徹底的に洗浄することによって、非活性化ペーストをPEDOT:PSSフィルムから除去した。
ソース、ドレイン接点およびゲート電極の堆積:PEDOT:PSSフィルムのパターン化後、銀ペースト(DU PONT 5000 Conductor)をドレイン、ソース接点およびゲート電極を形成しているPEDOT:PSS領域のトップに印刷した。あるいは、トランジスタは、これらの領域上でPEDOTPSS溶液(BayerからのBaytronTM)をドライイン(dry-in)することによって、ゲート、ソースおよびドレイン領域におけるPEDOT:PSSの層厚さを局所的に増大させることによって全体的に有機材料で作ってもよい。これらすべての有機トランジスタは、ポリエステル・フォイル上で成功裏に実現された。
ゲル化電解液の堆積:塩化カルシウム(2%)、イソプロパノール(35%)およびゼラチン(10%)(Extracoのゼラチン粉末719-30)を、約50℃で脱イオン水に溶解した(括弧内は、こうして得たゲルの重量パーセンテージ)。パターン化したPEDOT:PSSフィルム上にゲル化電解液構造物を、PEDOT:PSSフィルムのトップにゲルを印刷することによって形成した。ゲル化電解液の厚さは、20〜100μmの範囲であった。ゲル化電解液構造物は、300μmまでのライン幅で実現された。ゲル化電解液のスクリーン印刷を、32メッシュ・スクリーンを使用して実行した。ドレイン、ソース接点間の距離は、代表的には、1〜2mmであった。
封入:ゲル化電解液を、防水コーティング、たとえば、プラスチック塗料またはフォイルでコーティングして装置を封入した。数カ月の保管寿命が得られた。
電気特性決定:すべてのテストを、室温で周囲大気において実施した。外部のHP E3631A電源と組み合わせて、HP Parameter Analyzer 4155 Bで、電流・電圧(I−V)トランジスタ曲線を測定した。
実験1(結果)
双安定トランジスタ:図1A、1Bに概略的に示した双安定トランジスタを実現した。この双安定トランジスタは、600μmのトランジスタ・チャネル幅および800μmのゲル幅を有し、トランジスタ・チャネルは0.48cm2であった。しかしながら、反応性イオン・プラズマ・エッチングと組み合わせて、フォトリソグラフ・フォトレジスト・パターン化を使用してより小さい寸法のテストも成功した。これらの装置は、5〜20μmのチャネル幅と20μmのゲル幅を持っていた。
代表的には、ゲート電極に印加されたゲート電圧Vgは、0Vと0.7Vの間の間隔であった。ドレイン・ソース特性は、0Vから2Vまでのソース・ドレイン電圧を掃引することによって決定した。その結果得たI−V曲線が、図4に示してある。
導電率変調のための特性切り替え時間は、正方形変調電圧(0Vと1Vの間で変化する)を印加し、その結果得られた電流変化を測定することによって決定した。代表的な上昇、低下時間(電流レベルの90%増減に必要な時間として定義した)は、それぞれ、0.1秒および0.2秒と決定した。
オン/オフ比(Vg=0V(オン)、Vg=0.7V(オフ)について2Vのソース・ドレイン電圧Vdsでの電流比Idsmax/Idsminとして定義した)は、15000に達した。図4は、双安定トランジスタの出力特性(異なったゲート電圧についてのIds対Vds)を示している。
図4の挿入図は、一定のソース・ドレイン電圧Vds(Vds=2V)についてのゲート電圧Vgの関数としてソース・ドレイン電流Idsを示している。これらの曲線から、重要なパラメータ、すなわち、相互コンダクタンスgmが評価され得る。gmは、
m=δIds/δVg(Vds=常数)
この双安定トランジスタ装置の相互コンダクタンスの値は、−1.2mA/Vであるとわかった。
ダイナミック・トランジスタ:図2A、2Bに概略的に示すようなダイナミック・トランジスタを実現した。このダイナミック・トランジスタは、250μmのチャネル幅および900μmのゲル幅を有し、トランジスタ・チャネルは0.23cm2であった。しかしながら、フォトリソグラフ・パターン化を用いて4μmまでのより小さい寸法のPEDOTおよびゲル・パターンに達するのにも成功した。これらの装置は、4〜20μmのチャネル幅と、20μmのゲル幅を所有していた。
代表的には、ゲート電極に印加されたゲート電圧Vgは、0V〜3Vの間隔にわたった。オン/オフ比(Vg=0V(オン)、Vg=3V(オフ)について2Vのソース・ドレイン電圧Vdsでの電流比Idsmax/Idsminとして定義した)は、1000に達した。図5は、ダイナミック・トランジスタの出力特性、すなわち、異なったゲート電圧についてのIds対Vdsを示している。
図5の挿入図は、一定のソース・ドレイン電圧Vds(Vds=2V)についてのゲート電圧Vgの関数としてソース・ドレイン電流Idsを示している。これらの曲線から、このダイナミック・トランジスタ装置の相互コンダクタンスの値が、−0.10mA/Vであるとわかった。
実験2(材料および方法)
双安定(タイプ1)トランジスタを、ポリアニリンのフィルムをパターン化することによって実現した。設計は、図1A、1Bに示した双安定トランジスタの概略的な図面に従った。
蒸発およびドクター・ブレードによるパターン化:トルエンのまたはm−クレゾールの溶液内に、いずれの場合にも、10mg/mlの濃度で、PanipolTM F(市販のポリアニリン)を入れた。2つのポリアニリン溶液の各々から出発して1つのトランジスタを作った。溶媒を蒸発させ、ポリアニリンから薄いフィルムをプラスチック・キャリア(普通の透明フィルム)上に形成した。導電パターンを、ドクター・ブレードを使用して作った。
ソース・ドレイン接点およびゲート電極の堆積:ポリアニリン・フィルムのパターン化後、ドレイン、ソース接点を形成したポリアニリン領域のトップに銀ペースト(DU PONT 5000 Conductor)を印刷した。電源との良好な接触を確保するために、銀ペースト(DU PONT 5000 Conductor)は、ゲート電極上の電解液で覆われていない領域に印刷した。あるいは、トランジスタは、これらの領域上にポリアニリン溶液(たとえば、PanipolTM)をドライインすることによって、ゲート、ソースおよびドレイン領域におけるポリアニリンの層厚さを局所的に増大させることによって全体的に有機材料で作ってもよい。
ゲル化電解液の堆積:当初トルエンに溶解したポリアニリンを使用するトランジスタにおいて、ゼラチン(Extracoのゼラチン粉末719-30)を、その10重量%のゲルとなる量で、約50℃で脱イオン水に溶解した。それを電解液として使用した。m−クレゾールに当初溶解したポリアニリンを使用するトランジスタにおいて、ゲル化電解液として、BlagelTM(Apoteksbolaget(スウェーデン)から購入した)を使用した。それぞれのパターン化したポリアニリン・フィルム上のゲル化電解液の構造物は、ブラシでポリアニリン・フィルムのトップにゲルを塗布することによって形成した。ゲル化電解液の厚さは、100〜300μmであった。ドレイン、ソース接点間の距離は、代表的には、1〜2cmであった。
電気特性決定:すべてのテストを、室温で周囲大気内において実施した。外部のHP E3631A電源と組み合わせて、HP Parameter Analyzer 4155 Bで、電流・電圧(I−V)トランジスタ曲線を測定した。
実験2(結果)
図1A、1Bに概略的に示すような双安定トランジスタを実現した。この双安定トランジスタは、3mmのトランジスタ・チャネル幅および4mmのゲル幅を有し、トランジスタ・チャネルは、12m2であった。代表的に、ゲート電極に印加されたゲート電圧Vgは、−15V〜15Vの間隔であった。ドレイン・ソース特性は、0V〜10Vのソース・ドレイン電圧を掃引することによって決定した。その結果得たI−V曲線が、図6(トルエン溶液として供給されたポリアニリン)および図7(m−クレゾール溶液として供給されたポリアニリン)に示してある。
オン/オフ比(Vg=0V(オン)、Vg=4V(オフ)について2Vのソース・ドレイン電圧Vdsでの電流比Idsmax/Idsminとして定義した)は、正負両方のゲート電圧について100に達した。
本発明による双安定トランジスタの一実施例の概略構造で、上面図を示す。 本発明による双安定トランジスタの一実施例の概略構造で、1AのI−Iに沿った横断面を示す。 本発明による双安定トランジスタの一実施例の概略構造で、Vgの印加のための異なった位置での上面図を示す。 本発明によるダイナミック・トランジスタの概略構造で、上面図を示す。 本発明によるダイナミック・トランジスタの概略構造で、2AのI−Iに沿った横断面を示す。 本発明による双安定トランジスタの他の実施例の概略構造で、上面図を示す。 本発明による双安定トランジスタの他の実施例の概略構造で、3AのI−Iに沿った横断面を示す。 図1に示すような双安定PEDOT−PSSトランジスタ上で実施した実験についての、種々のゲート電圧におけるIds対Vds特性である。挿入図は、一定電圧VdsでのIds対Vg(Vds=2.0V)を示す。 ダイナミック・トランジスタ上で実施した実験についての、種々のゲート電圧におけるIds対Vds特性である。挿入図は、一定VdsにおけるIds対Vg(Vds=2.0V)を示す。 図1に示すような双安定ポリアニリン・トランジスタ上で実施した実験についての、種々のゲート電圧におけるIds対Vds特性である。ポリアニリンは、トルエン溶液として供給された。全般的な特性を示す。 図1に示すような双安定ポリアニリン・トランジスタ上で実施した実験についての、種々のゲート電圧におけるIds対Vds特性である。ポリアニリンは、トルエン溶液として供給された。6Aに示されるダイアグラムの一部をY軸展開したものを示す。 図1に示すような双安定ポリアニリン・トランジスタ上で実施した実験についての、種々のゲート電圧におけるIds対Vds特性である。ポリアニリンは、m−クレゾール溶液として供給された。

Claims (25)

  1. −そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料の層(1,2,3);
    −前記有機材料の層(1,2,3)から空間的に分離された導電性材料からなるゲート電極(4);および、
    −前記ゲート電極(4)と前記有機材料の層(1,2,3)の少なくとも一部分と直接電気的に接触している、凝固電解液(5)の層;
    を含む電気化学トランジスタ装置であって、
    前記電解液(5)が前記有機材料の層の一部分(3)のみを覆っていることを特徴とし、
    当該有機材料の層はソース接点(1)と、ドレイン接点(2)と、前記ソース接点とドレイン接点(1,2)の間に配置され、これらを電気的に接続しているトランジスタ・チャネルを有する電気化学的にアクティブな要素(3)とを含み、そして、
    前記トランジスタ・チャネルにおける電流は前記ゲート電極(4)に印加された電圧によって制御することができ、
    ここで、前記有機材料はポリマーであり、当該ポリマー材料は、3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマーまたはコポリマーであり、当該2つのアルコキシル基は、同じであっても異なっていてもよいし、または、場合によっては置換されたオキシ−アルキレン−オキシ・ブリッジを一緒に表すものであってもよく、そして、当該有機材料は、さらにポリアニオン化合物を含んでいる、
    電気化学トランジスタ装置。
  2. 前記ソース、ドレイン接点、ゲート電極および電気化学的にアクティブな要素が、1つの共通平面に配置されている、請求項1に記載の電気化学トランジスタ装置。
  3. 前記凝固電解液の連続したまたは中断した層が、電気化学的にアクティブな要素を覆っており、そして、前記ゲート電極を少なくとも部分的に覆っている、請求項2に記載の電気化学トランジスタ装置。
  4. 前記ソース、ドレイン接点およびゲート電極のうち少なくとも1つが、電気化学的にアクティブな要素と同じ材料から形成されている、請求項1〜3のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  5. 前記ソース、ドレイン接点およびゲート電極のすべてが、電気化学的にアクティブな要素と同じ材料から形成されている、請求項4に記載の電気化学トランジスタ装置。
  6. ソース、ドレイン接点および電気化学的にアクティブな要素が、有機材料からなる前記材料の連続部片から形成されている、請求項4または5による電気化学トランジスタ装置。
  7. 前記トランジスタ・チャネルが、ゲート電圧除去の際にそのレドックス状態を保つ、請求項1〜6のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  8. 前記トランジスタ・チャネルが、ゲート電圧除去の際に自動的にその初期レドックス状態に戻る、請求項1〜6のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  9. 電気化学的にアクティブな要素が、さらに、トランジスタ・チャネルに隣接したレドックス・シンク・ボリュームを含み、装置が、電気化学的にアクティブな要素の両側に配置された少なくとも2つのゲート電極を含み、1つのゲート電極がトランジスタ・チャネルに近く、1つのゲート電極がレドックス・シンク・ボリュームに近くなっている、請求項8に記載の電気化学トランジスタ装置。
  10. 3,4−ジアルコキシチオフェンの前記ポリマーまたはコポリマーが、ポリ(3,4−メチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−メチレンジオキシチオフェン)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)誘導体、ポリ(3,4−プロピレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−プロピレンジオキシチオフェン)誘導体、リ(3,4−ブチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ブチレンジオキシチオフェン)誘導体およびそれらとのコポリマーからなるグループから選択される、請求項1〜9のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  11. 前記ポリアニオン化合物が、ポリ(スチレンスルホン酸)またはその塩である、請求項1〜10のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  12. 前記凝固電解液が、バインダを含む、請求項1〜11のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  13. 前記バインダが、ゼラチン、ゼラチン誘導体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ(ビニルピロリドン)、多糖類、ポリアクリルアミド、ポリウレタン、ポリプロピレン酸化物、ポリエチレン酸化物、ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(ビニルアルコール)およびそれらの塩およびコポリマーからなるグループから選択されたゲル化剤である、請求項12による電気化学トランジスタ装置。
  14. 前記凝固電解液が、イオン塩を含む、請求項1〜13のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  15. 支持式である、請求項1〜14のいずれか1つによる電気化学トランジスタ装置。
  16. 持体が、ポリエチレン・テレフタル酸塩、ポリエチレン・ナフタレン・ジカルボキシレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、紙、コート紙、樹脂-コート紙、紙積層体、ボール紙、波形ボードおよびガラスからなるグループから選択される、請求項15による電気化学トランジスタ装置。
  17. −そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料の層(1,2,3)を支持体上に堆積させ;
    −導電性の材料からなるゲート電極(4)を前記有機材料の層(1,2,3)から空間的に分離されるように支持体上に堆積させ;そして、
    −凝固電解液の層(5)を前記ゲート電極(4)と前記有機材料の層(1,2,3)の一部分と直接電気的に接触するように堆積させる;
    工程を含む、支持式電気化学トランジスタ装置を製造する方法であって、
    −前記電解液(5)が、ソース接点(1)と、ドレイン接点(2)と、前記ソース接点とドレイン接点(1,2)の間に配置され、これらを電気的に接続しているトランジスタ・チャネルを有する電気化学的にアクティブな要素(3)とを含む前記有機材料の層の一部分(3)のみを覆うように、前記電解液の層を堆積させる工程により特徴づけられ、そして、
    前記トランジスタ・チャネルにおける電流は前記ゲート電極(4)に印加された電圧によって制御することができるものであり、
    ここで、前記有機材料はポリマーであり、当該ポリマー材料は、3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマーまたはコポリマーであり、当該2つのアルコキシル基は、同じであっても異なっていてもよいし、または、場合によっては置換されたオキシ−アルキレン−オキシ・ブリッジを一緒に表すものであってもよく、そして、当該有機材料は、さらにポリアニオン化合物を含んでいる、
    支持式電気化学トランジスタ装置の製造方法。
  18. 前記接点、電極、電気化学的にアクティブな要素および/または電解液が印刷技術によって堆積される、請求項17による方法。
  19. 前記接触、電極、電気化学的にアクティブな要素および電解液が、コーティング技術によって堆積される、請求項17による方法。
  20. 前記有機材料が、ポリマーを含み、現場重合を介しての支持体上への前記ポリマーの堆積を含む、請求項1719のいずれか1つによる方法。
  21. 減法的方法を用いて前記接点、電極および電気化学的にアクティブな要素のいずれか1つをパターン化する、請求項1720のいずれか1つによる方法。
  22. 前記パターン化が、化学エッチングを通じて実施される、請求項21による方法。
  23. 前記パターン化が、ガス・エッチングを通じて実施される、請求項21による方法。
  24. 前記パターン化が、スクラッチング、スコーリング、スクレーピング、ミリングを含む機械式手段によって実施される、請求項21による方法。
  25. 前記支持式電気化学トランジスタ装置が、請求項2〜16のいずれか1つに記載されたものである、請求項1724のいずれか1つによる方法。
JP2002570320A 2001-03-07 2002-03-07 電気化学装置 Expired - Fee Related JP5043283B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0100748-3 2001-03-07
SE0100748A SE520339C2 (sv) 2001-03-07 2001-03-07 Elektrokemisk transistoranordning och dess tillverkningsförfarande
US27621801P 2001-03-16 2001-03-16
US60/276,218 2001-03-16
PCT/SE2002/000406 WO2002071505A1 (en) 2001-03-07 2002-03-07 Electrochemical device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010052470A Division JP5268075B2 (ja) 2001-03-07 2010-03-10 電気化学トランジスタ装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004529491A JP2004529491A (ja) 2004-09-24
JP5043283B2 true JP5043283B2 (ja) 2012-10-10

Family

ID=20283223

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002570320A Expired - Fee Related JP5043283B2 (ja) 2001-03-07 2002-03-07 電気化学装置
JP2010052470A Expired - Fee Related JP5268075B2 (ja) 2001-03-07 2010-03-10 電気化学トランジスタ装置およびその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010052470A Expired - Fee Related JP5268075B2 (ja) 2001-03-07 2010-03-10 電気化学トランジスタ装置およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6806511B2 (ja)
EP (1) EP1374321A1 (ja)
JP (2) JP5043283B2 (ja)
CN (1) CN100352077C (ja)
SE (1) SE520339C2 (ja)
WO (1) WO2002071505A1 (ja)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7012306B2 (en) * 2001-03-07 2006-03-14 Acreo Ab Electrochemical device
US6756620B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-29 Intel Corporation Low-voltage and interface damage-free polymer memory device
US6624457B2 (en) 2001-07-20 2003-09-23 Intel Corporation Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same
DE10300521A1 (de) * 2003-01-09 2004-07-22 Siemens Ag Organoresistiver Speicher
US7179534B2 (en) * 2003-01-31 2007-02-20 Princeton University Conductive-polymer electronic switch
US7163734B2 (en) * 2003-08-26 2007-01-16 Eastman Kodak Company Patterning of electrically conductive layers by ink printing methods
US20050129977A1 (en) 2003-12-12 2005-06-16 General Electric Company Method and apparatus for forming patterned coated films
US7695756B2 (en) * 2004-04-29 2010-04-13 Zettacore, Inc. Systems, tools and methods for production of molecular memory
US7358113B2 (en) * 2004-01-28 2008-04-15 Zettacore, Inc. Processing systems and methods for molecular memory
US6972427B2 (en) * 2004-04-29 2005-12-06 Infineon Technologies Ag Switching device for reconfigurable interconnect and method for making the same
ATE500923T1 (de) * 2004-04-29 2011-03-15 Zettacore Inc Molekularspeicher sowie verarbeitungssysteme und verfahren dafür
DE102004024271A1 (de) * 2004-05-15 2005-12-01 H.C. Starck Gmbh Verbindungen enthaltend 3,4-Methylendioxythiophen-Einheiten
US7791290B2 (en) 2005-09-30 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Ultra-small resonating charged particle beam modulator
US7626179B2 (en) 2005-09-30 2009-12-01 Virgin Island Microsystems, Inc. Electron beam induced resonance
US7586097B2 (en) 2006-01-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures using at least one director
EP1648040B1 (en) * 2004-08-31 2016-06-01 Osaka University Thin-layer chemical transistors and their manufacture
JP4858804B2 (ja) * 2004-08-31 2012-01-18 国立大学法人大阪大学 薄層化学トランジスター及びその製造方法
US7642546B2 (en) * 2005-12-01 2010-01-05 Zettacore, Inc. Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods
US7443358B2 (en) 2006-02-28 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Integrated filter in antenna-based detector
US7876793B2 (en) 2006-04-26 2011-01-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Micro free electron laser (FEL)
US7646991B2 (en) 2006-04-26 2010-01-12 Virgin Island Microsystems, Inc. Selectable frequency EMR emitter
US20090116275A1 (en) * 2006-04-28 2009-05-07 Leenders Luc Conventionally printable non-volatile passive memory element and method of making thereof
US7741934B2 (en) 2006-05-05 2010-06-22 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling a signal through a window
US7986113B2 (en) 2006-05-05 2011-07-26 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US8188431B2 (en) 2006-05-05 2012-05-29 Jonathan Gorrell Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit
US7656094B2 (en) * 2006-05-05 2010-02-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electron accelerator for ultra-small resonant structures
US7732786B2 (en) 2006-05-05 2010-06-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam
US7728397B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupled nano-resonating energy emitting structures
US7723698B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Top metal layer shield for ultra-small resonant structures
US7710040B2 (en) 2006-05-05 2010-05-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Single layer construction for ultra small devices
US7728702B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material
US7718977B2 (en) 2006-05-05 2010-05-18 Virgin Island Microsystems, Inc. Stray charged particle removal device
US7746532B2 (en) 2006-05-05 2010-06-29 Virgin Island Microsystems, Inc. Electro-optical switching system and method
US7679067B2 (en) 2006-05-26 2010-03-16 Virgin Island Microsystems, Inc. Receiver array using shared electron beam
US7655934B2 (en) 2006-06-28 2010-02-02 Virgin Island Microsystems, Inc. Data on light bulb
GB2449926A (en) 2007-06-08 2008-12-10 Seiko Epson Corp Method for manufacturing an electrolyte pattern
GB2449927A (en) 2007-06-08 2008-12-10 Seiko Epson Corp Electrolyte gated TFT
GB2449928A (en) 2007-06-08 2008-12-10 Seiko Epson Corp Electrochemical thin-film transistor
US7990336B2 (en) 2007-06-19 2011-08-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays
KR20100053536A (ko) 2007-06-29 2010-05-20 아트피셜 머슬, 인코퍼레이션 감각적 피드백을 부여하는 전기활성 고분자 변환기
TWI392087B (zh) * 2007-07-26 2013-04-01 Ind Tech Res Inst 固態電解質記憶元件及其製造方法
US7791053B2 (en) * 2007-10-10 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures
US7724499B2 (en) * 2007-11-13 2010-05-25 Industrial Technology Research Institute Electrolyte transistor
PT103998B (pt) * 2008-03-20 2011-03-10 Univ Nova De Lisboa Dispositivos electrónicos e optoelectrónicos de efeito de campo compreendendo camadas de fibras naturais, sintéticas ou mistas e respectivo processo de fabrico
PT103999B (pt) 2008-03-20 2012-11-16 Univ Nova De Lisboa Processo de utilização e criação de papel à base de fibras celulósicas naturais, fibras sintéticas ou mistas como suporte físico e meio armazenador de cargas elétricas em transístores de efeito de campo com memória autossustentáveis usando óxidos sem
EP2120107A1 (en) 2008-05-05 2009-11-18 Acreo AB Device for integrating and indicating a parameter over time
EP2143768A1 (en) 2008-07-11 2010-01-13 Acreo AB Waterbased casting or printing composition
US7948151B1 (en) 2009-04-09 2011-05-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electroactive polymer-based artificial neuromuscular unit
EP2239793A1 (de) 2009-04-11 2010-10-13 Bayer MaterialScience AG Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung
US8067875B1 (en) 2009-04-13 2011-11-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Networked structure of electroactive polymer-based artificial neuromuscular units
DE102010026098A1 (de) * 2010-07-05 2012-01-05 Forschungszentrum Jülich GmbH Ionisch gesteuertes Dreitorbauelement
EP2606491A4 (en) 2010-08-20 2015-08-26 Rhodia Operations FOILS WITH ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMERS
US9709867B2 (en) 2010-10-05 2017-07-18 Rise Acreo Ab Display device
EP2681748B1 (en) 2011-03-01 2016-06-08 Parker-Hannifin Corp Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
US9195058B2 (en) 2011-03-22 2015-11-24 Parker-Hannifin Corporation Electroactive polymer actuator lenticular system
KR101993852B1 (ko) 2011-04-05 2019-09-30 린텍 코포레이션 전극 표면의 자가 배열 전해질에 기반한 전기 화학적 장치의 제조 방법
US20150009009A1 (en) * 2011-04-07 2015-01-08 Bayer Intellectual Property Gmbh Conductive polymer fuse
US10671192B2 (en) * 2011-07-08 2020-06-02 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Process for the production of a layered body and layered bodies obtainable therefrom
US9653159B2 (en) 2012-01-18 2017-05-16 Xerox Corporation Memory device based on conductance switching in polymer/electrolyte junctions
EP2828901B1 (en) 2012-03-21 2017-01-04 Parker Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
WO2013192143A1 (en) 2012-06-18 2013-12-27 Bayer Intellectual Property Gmbh Stretch frame for stretching process
US9590193B2 (en) 2012-10-24 2017-03-07 Parker-Hannifin Corporation Polymer diode
US9484601B2 (en) * 2013-07-30 2016-11-01 Elwha Llc Load-managed electrochemical energy generation system
US9893369B2 (en) 2013-07-30 2018-02-13 Elwha Llc Managed access electrochemical energy generation system
US9343783B2 (en) 2013-07-30 2016-05-17 Elwha Llc Electrochemical energy generation system having individually controllable cells
EP3038177B1 (en) * 2014-12-22 2019-12-18 Nokia Technologies Oy Modular electronics apparatuses and methods
US10497866B1 (en) * 2018-06-19 2019-12-03 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Ionic floating-gate memory device
CN109638166A (zh) * 2018-12-19 2019-04-16 福州大学 一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法
CN111063260B (zh) * 2019-12-27 2021-12-24 武汉天马微电子有限公司 一种显示装置及其弯折方法
CN114583050B (zh) * 2022-02-18 2023-07-25 电子科技大学 一种可拉伸有机电化学晶体管及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4936956A (en) * 1984-11-23 1990-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Microelectrochemical devices based on inorganic redox active material and method for sensing
DE3721793A1 (de) * 1986-07-01 1988-04-07 Mitsubishi Electric Corp Elektrisches element mit verwendung von oxidations-reduktions-substanzen
JPH01202866A (ja) * 1988-02-09 1989-08-15 Seiko Epson Corp 分子素子
EP0418504B1 (en) * 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method
JP3169617B2 (ja) * 1989-12-27 2001-05-28 日本石油化学株式会社 電気伝導度制御方法
DE59010247D1 (de) * 1990-02-08 1996-05-02 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
JPH0575127A (ja) * 1991-09-17 1993-03-26 Canon Inc 薄膜半導体装置
SE517720C2 (sv) 1996-08-08 2002-07-09 Olle Inganaes Elektrokemiska komponenter baserade på polymerer
EP0968537B1 (en) 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
US6207034B1 (en) * 1997-12-05 2001-03-27 Massachusetts Institute Of Technology Method of manufacture of polymer transistors with controllable gap
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6387727B1 (en) * 1999-03-29 2002-05-14 Agere Systems Guardian Corp. Device comprising n-channel semiconductor material
US6444400B1 (en) * 1999-08-23 2002-09-03 Agfa-Gevaert Method of making an electroconductive pattern on a support

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010177678A (ja) 2010-08-12
JP5268075B2 (ja) 2013-08-21
US20020158295A1 (en) 2002-10-31
CN100352077C (zh) 2007-11-28
US6806511B2 (en) 2004-10-19
JP2004529491A (ja) 2004-09-24
SE0100748D0 (sv) 2001-03-07
WO2002071505A1 (en) 2002-09-12
SE520339C2 (sv) 2003-06-24
SE0100748L (sv) 2002-09-08
EP1374321A1 (en) 2004-01-02
CN1494743A (zh) 2004-05-05
WO2002071505A8 (en) 2004-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5043283B2 (ja) 電気化学装置
US20100230731A1 (en) Circuitry and method
JP4776165B2 (ja) 電気化学的デバイス
JP4256163B2 (ja) 電気化学ピクセル装置
JP4532908B2 (ja) 電気化学デバイス
Nilsson et al. Bi‐stable and dynamic current modulation in electrochemical organic transistors
JP4133336B2 (ja) エレクトロクロミックデバイス
EP2618393B1 (en) Memory device based on conductance switching in polymer/electrolyte junctions
WO2003046540A1 (en) Electrochemical sensor
JP2004522189A5 (ja)
EP3226271B1 (en) Electrochemical device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090406

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100310

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100511

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20100611

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111228

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120604

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees