JP5040757B2 - 荷電粒子線走査装置 - Google Patents

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本発明は、SEM(走査電子顕微鏡)やEPMA(電子線マイクロアナライザ)などで利用される電子線やSIM(走査イオン顕微鏡)などで利用されるイオンビームなどの荷電粒子線を1次元的又は2次元的に走査する荷電粒子線走査装置に関し、さらに詳しくは、その荷電粒子線を走査するための偏向磁場を形成する回路に関する。
SEMやEPMAでは、分析対象である試料の励起源として電子線が利用される。図2はSEMやEPMAなどの分析系の概略構成図である。電子銃1から出射された電子線は、集束レンズ3により微小径に集束されて試料4に照射される。偏向コイル2は偏向磁場を形成し、それによって電子線を偏向させる。この電子線の偏向により、試料4上の所定の測定範囲内で電子線の照射位置が1次元的又は2次元的に走査される。試料4上で電子線の照射位置からは2次電子や反射電子が発生するから、検出器5によりこれら電子を検出し、その検出信号に基づいて測定範囲における試料表面の拡大画像を作成してモニタの画面上に表示する。
また、試料4上の電子線照射位置からはそこに含まれる元素に特有のエネルギーを有する特性X線も放出されるため、電子線の照射位置を走査しながら特性X線をX線分析器6で検出してエネルギーを調べることにより、測定範囲内に含まれる元素のマッピングを行うこともできる。
上述したような電子線の走査は偏向コイル2に供給する駆動電流を制御することにより行われる。駆動電流を供給するための偏向コイル駆動回路7においては、一般に、駆動電流の安定化を図るために負帰還制御が行われる。偏向コイルに流れる電流を直接的に検出することはできないため、偏向コイルに直列に電流検出用抵抗器を挿入し、この抵抗器の両端に生じる電圧を検出して、この電圧が目標電圧になるように電圧負帰還制御が行われるのが一般的である。
しかしながら、上述の従来の電圧負帰還型構成による駆動回路では次のような問題がある。即ち、偏向コイルに所望の電流を流すため、この偏向コイルのインダクタンスと電流周波数とによって異なるものの、或る程度、大きな電圧(通常、±数十V程度、EPMA等の大形の装置では±100V程度まで)を偏向コイルに印加する必要がある。一般的に1段の電圧増幅でこのような大きな電圧を得ることは難しいため、複数段の電圧増幅を行う必要がある。ところが、各増幅段でそれぞれ位相変化(位相遅れ)が発生するため、複数の電圧増幅器を縦列的に接続すると位相変化は大きなものとなる。こうした大きな位相変化を持つ増幅回路に対して上記のように負帰還制御を行うと、帰還ループの安定性が乏しく発振が生じ易くなる。
これを避けるために適宜の位相補償回路を付加する必要があるが、動作安定化のためには、こうした位相補償回路の定数を駆動電流のレンジに応じて切り替えることが不可欠である。そのため、回路構成が複雑になる。また、回路パターンレイアウトなどにも配慮が必要であるために、設計が面倒で制約も大きくなる。
特開2006−78424号公報 特開2006−313651号公報
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、偏向コイルを駆動する駆動回路の安定性を高め、駆動電流レンジ毎の位相補償回路定数の切り替えも不要で回路構成を簡素化することができる荷電粒子線走査装置を提供することにある。
上記課題を解決するために成された本発明は、試料に照射する荷電粒子線を、偏向コイルにより形成される偏向磁場を利用して1次元的又は2次元的に走査する荷電粒子線走査装置において、
前記偏向コイルに駆動電流を供給する駆動回路が1段の電圧増幅を用いた電流負帰還型の構成で、且つその電流負帰還ループに含まれる前記偏向コイルに並列に抵抗器が接続されており、前記駆動回路は、
a)制御目標電圧に応じた目標電流と前記偏向コイルに流れる駆動電流との差に対応する誤差電流を抽出する誤差電流検出部と、
b)高いインピーダンス状態を有する後記電流増幅部の入力段を挟むように正極性側と負極性側とにそれぞれ設けられ、該電流増幅部の入力段に前記誤差電流を転写するカレントミラー部と、
c)該カレントミラー部により転写された誤差電流を所定の駆動電流レベルまで増幅する電流増幅部と、
を含むことを特徴としている。
なお、上記抵抗器は、偏向コイルのインダクタンスと寄生容量成分とから構成されるLC共振回路の作用による過渡応答を抑えるためのダンピング抵抗器を利用することができる。
本発明に係る荷電粒子線走査装置における駆動回路では、電流負帰還ループに挿入される増幅部は1段だけであるので、その増幅段による位相遅れは最大でも90°である。偏向コイルのインダクタンス成分によっても位相遅れが生じるが、偏向コイルには抵抗器が並列に接続されているため、この並列回路による位相遅れは90°よりも小さくなる。したがって、電流負帰還ループにおける位相遅れは最大でも180°より小さくなり、高い安定性を持った動作を保証することができる。また、電圧増幅では1段の増幅器では十分に高い電圧振幅を確保することが困難であるが、本発明では、カレントミラー部と高いインピーダンス状態を持つ電流増幅部とを組み合わせているため、1段の増幅でも十分に高い電圧振幅を確保することができ、十分な駆動電圧を偏向コイルに供給することができる。
本発明に係る荷電粒子線走査装置によれば、偏向コイルに駆動電流を供給する駆動回路を安定的に動作させ、発振などの不所望の現象の発生を防止することができる。また、動作安定化のために位相補償回路の付加も不要であり、その位相補償の定数の切り替えも不要である。そのため、回路構成が簡素になり、回路パターンレイアウトの自由度も大きくなる。
本発明の一実施例である電子線走査装置の偏向コイル駆動回路について、添付図面を参照して説明する。図1は本実施例による偏向コイル駆動回路の概略構成図である。
この駆動回路は、大別して、入力バッファ部10、カレントミラー部12、電流増幅部14、及び、偏向コイル2を含む磁気回路部16、から成り、全体としては電流負帰還型増幅器の構成である。
入力バッファ部10は、ダイオード接続されたトランジスタQ1、Q2と、これらとそれぞれベース端子が接続されたトランジスタQ3、Q4を含み、トランジスタQ1、Q2のエミッタは直結され、図示しない制御回路から与えられる制御目標電圧Vcntが印加される。他のトランジスタQ3、Q4のエミッタも直結され、偏向コイル2に流れる駆動電流を検出する電流検出用抵抗器R7の一端が接続され、その他端は接地される。この入力バッファ部10は、制御目標電圧Vcntを電流に変換する電圧/電流変換機能と、その電流と偏向コイル2に流れる駆動電流Idとの差に対応する誤差電流Ie、Ie’を抽出する誤差抽出機能と、を有する。
正極性側及び負極性側にそれぞれ設けられたカレントミラー部12は、ダイオード接続されたトランジスタQ5、Q7と、これらとそれぞれベース端子が接続されたトランジスタQ6、Q8と、各トランジスタQ5〜Q8のエミッタと正負電源ライン±Vccとの間に挿入される抵抗器R1、R2、R3、R4とを含み、動作点がレベルシフトされた電流増幅部14の入力段に上記誤差電流Ie、Ie’を転写する。
電流増幅部14はトランジスタQ11、Q12などを含み、電圧増幅度は1である一方、大きな電流増幅度を持つ。この電流増幅部14の入力端のインピーダンスZtは、図示するように、接地に対する等価的な直流抵抗Rtと寄生容量Ctとの並列接続であるとみなすことができるが、これは非常に大きい。そのため、カレントミラー部12により転写された電流Ie、Ie’の差分成分がこのインピーダンスZtに流れると、大きな電圧に変換される。電流増幅部14の電圧増幅度は1であるため、この入力端の大きな電圧がほぼそのまま出力に現れる。
磁気回路部16にあって、偏向コイル2には抵抗器Rが直列に接続され、さらにこれに並列にダンピング抵抗器R6が並列接続されている。容量Ccは偏向コイル2の浮遊容量である。ダンピング抵抗器R6は、偏向コイル2のインダクタンス成分と浮遊容量Ccとで形成されるLC共振回路による振動特性を抑制(ダンピング)するために挿入されているものである。上述のように電流増幅部14から供給される駆動電流Idはこの磁気回路部16に流れ、さらに入力バッファ部10に負帰還されることになる。
上記偏向コイル駆動回路では、或る制御目標電圧Vcntが与えられると、そのときに磁気回路部16に流れている駆動電流Idと制御目標電圧Vcntに対応した目標電流との誤差電流Ie、Ie’の大きさの差異が縮小する方向に駆動電流Idの値が修正される。磁気回路部16を駆動するには或る程度大きな電流容量が必要になるが、電流増幅部14での電流増幅によって、必要な電流容量を確保することができる。また、電流増幅部14の入力段で大きな電圧振幅が得られるので、必要となる大きな電圧を磁気回路部16に印加することができる。
ここで、上記電流負帰還ループにおける位相遅れを考えてみると、増幅段での位相変化は電流増幅部14の入力端のインピーダンスZtにより発生する。その位相遅れは信号の周波数に依存するが、原理的に最大でも90°の位相遅れだけで済み、従来の多段電圧増幅のように90°を超える位相遅れとなることはない。
これとは別に磁気回路部16でも位相変化が発生する。ダンピング抵抗器R6を除いて考えると、直流では磁気回路部16は単純な抵抗成分とみなせるため位相変化はゼロであり、周波数が増加するに従い偏向コイル2のインダクタンス成分が大きくなるため位相遅れは最大で90°になる。このときの周波数は例えば1MHz程度までである。一般に、これ以下の周波数範囲で電流制御は行われる。
磁気回路部16で90°の位相遅れが発生してしまうと、負帰還ループの位相遅れは最大180°となり、適切な負帰還が行われないので発振するおそれがある。それに対し、本実施例の偏向コイル駆動回路では、偏向コイル2にダンピング抵抗器R6が並列接続されているため、磁気回路部16での位相遅れは90°よりも小さい範囲に抑えられる。そのため、負帰還ループ全体の位相遅れは最大でも180°に達せず、安定した電流負帰還制御を行うことができる。
以上のように、本実施例における偏向コイル駆動回路では、煩雑な位相補償回路を付加しなくても、発振を起こすことなく、偏向コイルに供給する駆動電流を安定的に制御することが可能となる。それにより、1次元的又は2次元的な電子線走査の精度を高めることができ、SEMやEPMAの空間分解能の向上などに寄与する。
なお、上記実施例は本発明の一例であり、本発明の趣旨の範囲で適宜変形、修正、追加を行っても本願特許請求の範囲に包含されることは当然である。例えば上記実施例は本発明を電子線走査装置に適用したものであるが、磁場により偏向が可能であるイオンビームなどの荷電粒子線を走査する装置全般に適用できることは明らかである。
本発明の一実施例による偏向コイル駆動回路の概略構成図。 本発明の適用対象であるSEMやEPMAなどの分析系の概略構成図。
符号の説明
2…偏向コイル
10…入力バッファ部
12…カレントミラー部
14…電流増幅部
16…磁気回路部
R6…ダンピング抵抗器
R7…電流検出用抵抗器

Claims (1)

  1. 試料に照射する荷電粒子線を、偏向コイルにより形成される偏向磁場を利用して1次元的又は2次元的に走査する荷電粒子線走査装置において、
    前記偏向コイルに駆動電流を供給する駆動回路が1段の電圧増幅を用いた電流負帰還型の構成で、且つその電流負帰還ループに含まれる前記偏向コイルに並列に抵抗器が接続されており、前記駆動回路は、
    a)制御目標電圧に応じた目標電流と前記偏向コイルに流れる駆動電流との差に対応する誤差電流を抽出する誤差電流検出部と、
    b)高いインピーダンス状態を有する後記電流増幅部の入力段を挟むように正極性側と負極性側とにそれぞれ設けられ、該電流増幅部の入力段に前記誤差電流を転写するカレントミラー部と、
    c)該カレントミラー部により転写された誤差電流を所定の駆動電流レベルまで増幅する電流増幅部と、
    を含むことを特徴とする荷電粒子線走査装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3776129B2 (ja) * 1996-10-14 2006-05-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ダンピングインピーダンス補償付き偏向回路
WO1998017055A2 (en) * 1996-10-14 1998-04-23 Philips Electronics N.V. Deflection with low offset
JP4428174B2 (ja) * 2004-09-13 2010-03-10 株式会社島津製作所 走査電子顕微装置
JP4581824B2 (ja) * 2005-05-06 2010-11-17 株式会社島津製作所 粒子線顕微鏡、及び真空分析装置用部材移動機構
JP2007150380A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Hitachi High-Technologies Corp 演算増幅器及びそれを用いた走査電子顕微鏡

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