JP5038657B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1による半導体集積回路装置に搭載される時分割多ポートメモリの構成を示すブロック図である。本実施の形態1による半導体集積回路装置は、周知の半導体製造技術により1つの半導体基板上に形成される。
本発明の実施の形態2は、図1に示した前記実施の形態1に係る時分割多ポートメモリにおいて、時分割制御信号生成回路PCONTの回路構成を変えたものである。
本発明の実施の形態3では、前記実施の形態1とは異なるメモリアドレス指定方法の一例を示す。
本発明の実施の形態4は、図1に示した前記実施の形態1に係る時分割多ポートメモリについて、時分割制御信号生成回路PCONTの回路構成を変えたものである。
本発明の実施の形態5は、前記実施の形態1(図1)とは異なる信号を、ラッチLOUT_1〜3の保持データ出力信号として使う構成のものである。本実施の形態5では、外部へのデータ出力制御信号として、外部クロックを使用している。
本発明の実施の形態6は、前記実施の形態1に対して、ack生成回路(図7)とPCONT(図3)の構成を変えたものである。他の回路構成は前記実施の形態1と同じである。
本発明の実施の形態7は、前記実施の形態1のPCONT(図3)に対して、ack信号のタイミング調整のためのディレイ回路を付加した構成となっている。PCONT以外の構成は実施の形態1の回路と同じ構成である。
本発明の実施の形態8は、前記実施の形態1のPCONT(図3)に対して、ack信号のタイミング調整のためのディレイを、読み出し動作と書き込み動作で選択可能にする回路を付加したものである。PCONT以外の構成は実施の形態1と同じである。
本発明の実施の形態9は、前記実施の形態1のack信号生成回路(図7)に対して、ack信号を遅延させるディレイ回路を1PRAM内部に付加したものである。ack信号生成回路以外の構成は実施の形態1と同じである。
本発明の実施の形態10は、前記実施の形態1のack信号生成回路(図7)に対して、読み出し動作と書き込み動作で異なるack信号のディレイが選択可能な回路を付加したものである。他の回路構成は、前記実施の形態1と同じである。本実施の形態10は、1PRAMの内部に、ack信号の出力タイミングを調整するためのディレイ回路が付加されていることを特徴とする。
本発明の実施の形態11は、前記実施の形態1(図1)に対して、各ポートのデータ保持回路として、ラッチ回路ではなくフリップフロップ回路を使用したものである。
図25は、本発明の実施の形態12による半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
SELECT セレクタ
PCONT 時分割制御信号生成回路
LIN_1〜3 入力データ用ラッチ回路
LOUT_1〜3 出力データ用ラッチ回路
port_1〜3 ポート
LATCH ラッチ回路
SRE_1〜4 シフトレジスタ
and_1 AND(アンド)回路
nan_1 NAND(ナンド)回路
or_1,or_2 OR(オア)回路
nor_1,nor_2 NOR(ノア)回路
inv_1,inv_2 インバータ
padd_1〜3 固定アドレス生成回路
DLY_1 ディレイ回路
nop_ack,nor_ack,dlysele 回路
tr_1 NMOSトランジスタ
tr_2 PMOSトランジスタ
wl ワード線
rpbit レプリカ回路ビット線
rcw レプリカ回路ワード線
a[0〜9] 10ビットアドレス信号
d[0〜11] 12ビット入力データ
q[0〜11] 12ビット出力データ
ck_ext 外部クロック信号
ck_mem 1PRAMの動作制御信号
ack 1PRAMの動作終了信号
s_0〜3 制御信号
clk 1PRAM内部用クロック信号
ce チップイネイブル信号(1PRAMの動作選択信号)
ceb ce反転信号
we ワードイネイブル信号(書き込み動作選択信号)
web we反転信号
re 読み出し動作指定信号
reb re反転信号
woff ワード線立ち下げ信号
ck_shift,nack,dshift 信号
Claims (14)
- メモリ内部に記憶される第1データが入力される第1ポートを有し、前記第1データの書き込み動作の終了を示す第1状態信号を出力するシングルポートメモリと、
外部から第2データが入力される第2ポート及び外部から第3データが入力される第3ポートを有し、前記第2ポートに入力された前記第2データを前記第1ポートに前記第1データとして出力し、前記第3ポートに入力された前記第3データを前記第1ポートに前記第1データとして出力する複数ポート制御回路部とを具備し、
前記第1状態信号は、前記複数ポート制御回路部に入力され、
前記複数ポート制御回路部は、前記第1状態信号に基づいて、前記第1ポートへの前記第2データの出力及び前記第1ポートへの前記第3データの出力を切り替え、
前記複数ポート制御回路部は、前記第2ポート及び前記第3ポートを含めた複数のポートを有し、前記第1ポートに前記第1データとして、前記複数のポートから前記第2データ及び前記第3データを含む複数のデータ信号の出力を行い、
前記複数ポート制御回路部は、前記第1ポートに対して異なる期間に前記第2データ及び前記第3データを出力するための時分割制御信号生成回路と、前記第1ポートに入力する前記第1データとして、前記第2データまたは前記第3データを選択するセレクタとを有し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記セレクタが前記第1データとして、前記複数のデータの何れも選択していないとき、前記第1状態信号に基づき、前記第2データ及び前記第3データを前記複数ポート制御回路部に保持する第3期間制御信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置であって、
前記複数ポート制御回路部は、第1期間に前記第2データを前記第1ポートに出力し、第2期間に前記第3データを前記第1ポートに出力し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記第1ポートに対して異なる期間に前記第2データ及び前記第3データを出力するように前記第1期間を示す第1期間制御信号及び前記第2期間を示す第2期間制御信号を生成し、
前記セレクタは、前記第1期間制御信号及び前記第2期間制御信号に基づき、前記第1ポートに入力する前記第1データとして、前記第2データまたは前記第3データを選択し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記第1期間制御信号を前記セレクタに入力している場合において、前記第1状態信号が入力された際に、前記第1期間制御信号の出力を停止し、前記第2期間制御信号の出力を開始することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2に記載の半導体集積回路装置であって、
前記複数ポート制御回路部は、前記第2ポートに接続され、前記第2データが入力される第1データラッチ回路と、前記第3ポートに接続され、前記第3データが入力される第2データラッチ回路とを有し、
前記複数ポート制御回路部は、さらに、第3データラッチ回路を含めた複数のデータラッチ回路を有し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記セレクタが前記第1データとして、前記複数のデータの何れも選択していないとき、前記第1状態信号に基づき、前記複数のデータ信号が並列に前記複数のデータラッチ回路に入力される第3期間を示す前記第3期間制御信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - メモリ内部に記憶される第1データが入力される第1ポートを有し、前記第1データの書き込み動作の終了を示す第1状態信号を出力するシングルポートメモリと、
外部から第2データが入力される第2ポート及び外部から第3データが入力される第3ポートを有し、前記第2ポートに入力された前記第2データを前記第1ポートに前記第1データとして出力し、前記第3ポートに入力された前記第3データを前記第1ポートに前記第1データとして出力する複数ポート制御回路部とを具備し、
前記第1状態信号は、前記複数ポート制御回路部に入力され、
前記複数ポート制御回路部は、前記第1状態信号に基づいて、前記第1ポートへの前記第2データの出力及び前記第1ポートへの前記第3データの出力を切り替え、
前記複数ポート制御回路部は、第1期間に前記第2データを前記第1ポートに出力し、第2期間に前記第3データを前記第1ポートに出力し、
前記複数ポート制御回路部は、さらに、前記第1ポートに対して異なる期間に前記第2データ及び前記第3データを出力するように前記第1期間を示す第1期間制御信号及び前記第2期間を示す第2期間制御信号を生成する時分割制御信号生成回路と、前記第1期間制御信号及び前記第2期間制御信号に基づき、前記第1ポートに入力する前記第1データとして、前記第2データまたは前記第3データを選択するセレクタとを有し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記第1期間制御信号を前記セレクタに入力している場合において、前記第1状態信号が入力された際に、前記第1期間制御信号の出力を停止し、前記第2期間制御信号の出力を開始し、
前記複数ポート制御回路部は、前記第2ポートに接続され、前記第2データが入力される第1データラッチ回路と、前記第3ポートに接続され、前記第3データが入力される第2データラッチ回路とを有し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記セレクタが前記第1データとして、前記第2データ及び前記第3データを選択していないとき、前記第2データが前記第1データラッチ回路に入力され前記第3データが前記第2データラッチ回路に入力される第3期間を示す第3期間制御信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項3に記載の半導体集積回路装置であって、
前記時分割制御信号生成回路は、第1シフトレジスタと、前記第1状態信号に基づき前記第1シフトレジスタからの入力値を出力値として出力する第2シフトレジスタとを有し、
前記第1シフトレジスタの出力値に基づき前記第1期間制御信号を生成し、前記第1状態信号が前記時分割制御信号生成回路に入力された際に、前記第1シフトレジスタに保持された値は前記第2シフトレジスタに転送され、前記第2シフトレジスタの出力値に基づき前記第2期間制御信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - メモリ内部に記憶される第1データが入力される第1ポートを有し、前記第1データの書き込み動作の終了を示す第1状態信号を出力するシングルポートメモリと、
外部から第2データが入力される第2ポート及び外部から第3データが入力される第3ポートを有し、前記第2ポートに入力された前記第2データを前記第1ポートに前記第1データとして出力し、前記第3ポートに入力された前記第3データを前記第1ポートに前記第1データとして出力する複数ポート制御回路部とを具備し、
前記第1状態信号は、前記複数ポート制御回路部に入力され、
前記複数ポート制御回路部は、前記第1状態信号に基づいて、前記第1ポートへの前記第2データの出力及び前記第1ポートへの前記第3データの出力を切り替え、
前記複数ポート制御回路部は、第1期間に前記第2データを前記第1ポートに出力し、第2期間に前記第3データを前記第1ポートに出力し、
前記複数ポート制御回路部は、さらに、前記第1ポートに対して異なる期間に前記第2データ及び前記第3データを出力するように前記第1期間を示す第1期間制御信号及び前記第2期間を示す第2期間制御信号を生成する時分割制御信号生成回路と、前記第1期間制御信号及び前記第2期間制御信号に基づき、前記第1ポートに入力する前記第1データとして、前記第2データまたは前記第3データを選択するセレクタとを有し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記第1期間制御信号を前記セレクタに入力している場合において、前記第1状態信号が入力された際に、前記第1期間制御信号の出力を停止し、前記第2期間制御信号の出力を開始し、
前記複数ポート制御回路部は、前記第2ポートに接続され、前記第2データが入力される第1データラッチ回路と、前記第3ポートに接続され、前記第3データが入力される第2データラッチ回路とを有し、
前記時分割制御信号生成回路は、第1シフトレジスタと、前記第1状態信号に基づき前記第1シフトレジスタからの入力値を出力値として出力する第2シフトレジスタとを有し、
前記第1シフトレジスタの出力値に基づき前記第1期間制御信号を生成し、前記第1状態信号が前記時分割制御信号生成回路に入力された際に、前記第1シフトレジスタに保持された値は前記第2シフトレジスタに転送され、前記第2シフトレジスタの出力値に基づき前記第2期間制御信号を生成し、
前記時分割制御信号生成回路は、前記セレクタが、前記第1シフトレジスタ及び前記第2シフトレジスタの出力値に基づいて、前記第1ポートに入力する第1データとして前記第2データ及び前記第3データを選択していないとき、前記第2データが前記第1データラッチ回路に入力され前記第3データが前記第2データラッチ回路に並列に入力される第3期間を示す第3期間制御信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2に記載の半導体集積回路装置であって、
前記時分割制御信号生成回路は、第1シフトレジスタと、前記第1状態信号に基づき前記第1シフトレジスタに保持された値が転送される第2シフトレジスタとを有し、
前記第1シフトレジスタ及び前記第2シフトレジスタはリングカウンタを形成し、
前記第1シフトレジスタの出力値に基づき前記第1期間制御信号を生成し、前記第1状態信号が前記時分割制御信号生成回路に入力された際に、前記第1シフトレジスタに保持された値は前記第2シフトレジスタに転送され、前記第2シフトレジスタの出力値に基づき前記第2期間制御信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置であって、
前記複数ポート制御回路部は、前記第1ポートに前記第1データとして前記第2データが出力される場合には、前記シングルポートメモリに入力する入力アドレス信号の特定のビット値を第1の値に固定し、前記第1ポートに前記第1データとして前記第3データが出力される場合には、前記入力アドレス信号の前記特定のビット値を第2の値に固定し、前記第1の値と前記第2の値は互いに異なることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置であって、
前記複数ポート制御回路部は、外部クロックが入力されるクロック入力部を有し、前記クロック入力部から入力される前記外部クロックに基づいて、前記第1ポートに入力する前記第1データの出力を開始することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項9に記載の半導体集積回路装置であって、
前記複数ポート制御回路部の外部からデータが入力されるポートは前記第2ポート及び前記第3ポートを含めた複数のポートで構成され、
前記第1ポートに前記第1データとして前記複数のポートからデータを出力する時間は前記外部クロックの周期より短いことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項3に記載の半導体集積回路装置であって、
前記時分割制御信号生成回路は、前記第1状態信号を遅延する遅延回路を有し、
前記遅延回路は、前記第1状態信号が入力され、前記第1乃至第3期間のうち、いずれか1つ以上の期間を遅延させることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項3に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第1データラッチ回路は、前記複数ポート制御回路部の外部から入力されるデータを保持する回路と、前記シングルポートメモリから読み出され、前記第1ポートを経由し外部へ出力されるデータを保持する回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置であって、
前記シングルポートメモリはSRAMであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置であって、
前記シングルポートメモリは、前記メモリ内における読み出しおよび書き込み時にワードドライバによって駆動されるワード線と、前記ワード線により活性化したメモリセルから信号が伝達されるビット線と、前記ビット線から伝達された信号を増幅するセンスアンプとを有し、
前記第1状態信号は、前記ワード線の立ち下げ信号、又は前記センスアンプの駆動信号に基づいて生成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
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