JP5035621B2 - 押圧接触による変位反応センサー - Google Patents

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Description

本発明は、センサーに関し、特に、製造及び取り付けが容易な押圧接触による変位反応センサーに関する。
一般的に、広い意味でセンサー(sensor)とは、ある物理量を他の物理量に変換する装置を意味する。
すなわち、物理的な刺激がある場合、それに対応する一定の反応を起こす装置を意味し、センサーには様々な種類があり、継続的に新しいセンサーが開発されている。
このようなセンサーは、大きく分けて、ある対象物に直接接触して物体の有無を感知する接触式センサーと、ある対象物の近くで直接接触せずに物体の有無を感知する非接触式センサーがある。
ここで、接触式センサーとしてはリミットスイッチが代表的であり、これは、ほこりの多い環境でも動作に信頼性があり、爆発に対する安定性が求められる場合に適し、磁場の影響を受けにくいというメリットを有しており、非接触式センサーよりも幅広く使用されている。
ところが、従来の接触式センサーではリミットスイッチを使用することから、リミットスイッチの大きさより小さな装置に取り付けることは難しい。また、リミットスイッチをある装置に取り付けて動作させるためには、リミットスイッチが破損しないようにし、リミットスイッチを押すための別途の装置をリミットスイッチとともにさらに設ける必要がある。そのため、従来の接触式センサーは、多様な形状の装置に取り付けるにはある程度の制約があるという問題点がある。
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、様々な形状に製造することができ、多様な装置に自由に取り付けることができるようにした押圧接触による変位反応センサーを提供することである。
上記目的を達成するためになされた本発明による押圧接触による変位反応センサーは、押圧接触による変位反応センサーにおいて、導電物質を含み、抵抗値Rxが設定される伸縮性を有する半導電性層が形成され、前記半導電性層の上面に導電物質を含有する第1導体層が形成され、前記半導電性層の下面に導電物質を含有する第2導体層が形成される接触部を備え、前記第1導体層に接続されて電源側に接続される第1抵抗と、前記第2導体層に接続されて一側が接地される第2抵抗と、ロー(Low)側の−端子が前記第1導体層に接続されて設けられる第1電圧比較器と、ハイ(High)側の+端子が前記第2導体層に接続されて設けられる第2電圧比較器と、一側が電源に接続され、他側が前記第1電圧比較器のハイ側の+端子に接続されて設けられる第3抵抗と、一側が前記第1電圧比較器の+端子に接続され、他側が前記第2電圧比較器の−端子に接続されて設けられる第4抵抗と、一側が接地され、他側が前記第2電圧比較器の−端子に接続されて設けられる第5抵抗と、前記第1電圧比較器及び第2電圧比較器に接続されてその出力によって信号を出力するオアゲートとから構成されることを特徴とする。
したがって、接触部が導電物質を含有し、伸縮性に優れた合成樹脂または軟質のゴム材やシリコン材などで形成されており、接触部に外部からの押圧接触が生じると、半導電性層が収縮して半導電性層の導電物質の密度が大きくなって押圧を感知することができる。また、軟質の材料で製造されており、多様な形状に形成し、取り付けることが容易であり、電動回転ドア、自動スライディングドア、車両のバンパ、軌道車の前後及び側面などに取り付けることができ、圧力計や重量計などにも取り付けることができる。さらに、気体を使用する装置やパイプなどに取り付けて、気体圧力、液体圧力の測定など、様々な分野に使用することができる。
本発明の押圧接触による変位反応センサーによれば、接触部11が導電物質を含有し、伸縮性に優れた合成樹脂または軟質のゴム材やシリコン材などで形成されることから、接触部11に外部からの押圧接触が生じると、半導電性層14が収縮して半導電性層14の導電物質15の密度が大きくなって押圧を感知することができる。また、軟質の材料で製造されており、多様な形状に形成し、取り付けることが容易であり、電動回転ドアD、自動スライディングドアD、車両のバンパ、軌道車の前後及び側面などに取り付けることができ、圧力計や重量計などにも取り付けることができる。さらに、気体を使用する装置やパイプなどに取り付けて気体圧力、液体圧力の測定など、様々な分野に使用することができるという効果がある。
添付した図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明することによって本発明のいろいろな特徴及び効果を明らかにしたい。
図1は、本発明の押圧接触による変位反応センサーの構成を示す概略的回路図である。これは接触部11を備え、該接触部11は、半導電性層14と、第1導体層12と、第2導体層13とから構成されている。
半導電性層14は、導電物質15を含み、伸縮性を有する軟質の材料で形成され、第1導体層12と第2導体層13の間に設けられて抵抗値Rxが設定される。
ここで、半導電性層14は、スポンジ材質だけでなく、フレキシブルなゴム材質や軟質の合成樹脂材、合成ゴム、ウレタン、シリコンなどで発泡、または、非発泡状態に形成することも可能である。
第1導体層12は、導電物質を15を含み、フレキシブルなゴム材や耐久性に優れたウレタン、シリコン、合成ゴム、合成樹脂材などで形成され、半導電性層14の上面に設けられる。
第2導体層13は、第1導体層12と同一の材料で形成され、半導電性層14の下面に設けられる。
そして、第1導体層12は、一側が第1導体層12に接続され、他側が電源に接続される第1抵抗19を備えている。
第2導体層13は、一側が接地され、他側が第2導体層13に接続される第2抵抗21を備えている。
第1導体層12及び第2導体層13は、それぞれ第1電圧比較器16及び第2電圧比較器17を備えており、第1電圧比較器16は、ロー(Low)側の−端子が第1導体層12に接続されて設けられ、第2電圧比較器17は、ハイ(High)側の+端子が第2導体層13に接続されて設けられる。
そして、第1電圧比較器16と第2電圧比較器17には、第3抵抗22、第4抵抗23、第5抵抗24が接続されている。
ここで、第3抵抗22は、一側が電源に接続され、他側は第1電圧比較器16のハイ側の+端子に接続されている。
第4抵抗23は、一側が第3抵抗22及び第1電圧比較器16の+端子に接続され、他側は後で述べる第5抵抗24及び第2電圧比較器17のロー側の−端子に接続されている。
第5抵抗24は、一側が接地され、他側は第2電圧比較器17の−端子に接続されている。
第1電圧比較器16と第2電圧器17は、第1電圧比較器16と第2電圧比較器17の出力値に応じて信号を出力するオアゲート18を含む。
このような構成の本発明の押圧接触による変位反応センサーは、初期センサー10はノーマル状態を維持しており、まず、半導電性層14の抵抗値Rxは、大略第1抵抗19 Rと第2抵抗21 Rの抵抗値の2倍の抵抗値を持つ。
これにより、第1電圧比較器16の−端子であるAl(第1電圧比較器の+端子をAh、−端子をAlとし、第2電圧比較器17の+端子をBh、−端子をBlとする。)がR、Rx、Rの抵抗値の3/4の位置である第1導体層に接続されるので、第1電圧比較器16のAlの入力値が3/4Vccとなる。
そして、第2電圧比較器17のBhはR、Rx、R抵抗値の1/4の位置の第2導体層13に接続されるので、第2電圧比較器17のBhの入力値が1/4Vccとなる。
また、例えば、第3抵抗22 Rと第4抵抗23 R、第5抵抗24 Rは、その抵抗値がすべて同一になるように設定され、第1電圧比較器16及び第2電圧比較器17の一側に設けられており、第3抵抗22 Rと第4抵抗23 Rの間に接続された第1電圧比較器16のAhは、その入力値が2/3Vccとなる。そして、第5抵抗24 Rに接続される第2電圧比較器17のBlの入力値は1/3Vccとなる。
これにより、第1電圧比較器16のAhは、その入力値が2/3Vcc、Alの入力値が3/4Vccとなり、Ahの入力値よりAlの入力値がより大きくなるに伴って、第1電圧比較器16の出力値はロー(Low)となり、第2電圧比較器17のBhは、その入力値が1/4Vcc、Blの入力値が1/3Vccとなり、Bhの入力値よりBlの入力値がより大きくなるに伴って、第2電圧比較器17の出力値はロー(Low)となる。
したがって、第1電圧比較器16の出力値と第2電圧比較器17の出力値がすべてローになることから、第1電圧比較器16及び第2電圧比較器17の出力値に応じて出力が決定されるオアゲート18の出力値はロー、すなわち、「0」となり、押圧接触による変位反応センサー10はノーマル状態が維持される。
このように、ノーマル状態の押圧接触による変位反応センサー10に外部衝撃がかかると、半導電性層14が外部の力によって押されて圧縮され、半導電性層14に含まれた導電物質15の密度が大きくなり、半導電性層14の導電率が高くなって半導電性層14の抵抗値は「0」に近づく。
半導電性層14の抵抗値が「0」に近づくと、第1導体層12に接続された第1電圧比較器16のAlと、第2導体層13に接続された第2電圧比較器17のBhの入力値は1/2Vccに近づく。
これにより、初期設定値が3/4VccであったAlの入力値がAhの固定された入力値である2/3Vcc以下に減少することからAlとAhの値が反転してAhの入力値がAlの入力値より大きくなるので、第1電圧比較器16の出力値がハイ(High)となる。
そして、初期設定値が1/4VccであったBhの入力値がBlの固定された入力値である1/3Vcc以上に増加することからBhとBlの値が反転してBhの入力値がBlの入力値より大きくなるので、第2電圧比較器17の出力値がハイとなる。
したがって、第1電圧比較器16と第2電圧比較器17の出力値がハイとなることからオアゲート18の出力値がハイとなり、センサー10の押圧が検出される。
上記のような作用により押圧接触による変位反応センサー10の検出感度を高めるためには、第3抵抗22 R、第4抵抗23 R、第5抵抗24 Rの抵抗値を調節して第1電圧比較器16のAhとAlのレベル差を小さくしたり、または、第2電圧比較器17のBh、Blのレベル差を小さく設定する。
このような本発明の押圧接触による変位反応センサーにおいて、導電物質または半導電物質を弾性を有する物質に添加し、弾性とともに半導電性を有する物質を導電物質と導電物質の間に位置させ、導電物質と導電物質の間に電極を印加した状態で一部分でも外部から圧力がかかるとセンサー10が動作する。
そして、第1電圧比較器16側または第2電圧比較器17側のうちのいずれか一方が動作するとオアゲート18が動作するため、第1電圧比較器16、第2電圧比較器17のうちのいずれか1つが動作しない場合でもオアゲート18を動作させ、センサー10の信頼性を確保することができる。
また、電動回転ドアDや自動スライディングドアDの側面と底の角部周囲に図2〜図4に示すような多様な方法で取り付けて使用することができる。電動回転ドアDの角部と壁体の間、または、電動回転ドアDの底角部と底の間に人の手や足が挟まると、センサー10が押されてセンサー10によって回転する電動自動ドアDを停止させることができる。
なお、自動スライディングドアDのドアとドアの間に人の手や足が挟まると、センサー10が押されてそれを感知し、自動スライディングドアDが再び開くようにすることができる。
そして、子供用玩具の車両や実際車両の前後バンパに取り付けて使用することができ、軌道車の前、後、側面に取り付けて使用することも可能で、車両、軌道車の駆動部を制御するために、あるいは、動力連結部を制御するために、あるいは、ブレーキを動作させるために設けることで、車両どうし、車両と障害物、車両と人との接触時及び衝突時、さらに、軌道車どうし、軌道車と障害物、軌道車と人との接触時及び衝突時に車両及び軌道車が止まるようにすることができる。
一方、センサー10は伸縮性に優れた軟質の樹脂及びスポンジ、ウレタン、シリコン、合成ゴムなどで形成されるので、様々な形態に製造することが容易で、どこにも簡単に取り付けることができ、外部からの衝撃を緩和することができる。
このように、センサー10を外部に露出して取り付ける場合には、センサー10全体に絶縁体を被せて保護膜を形成することによって、センサー10をほこり、湿気、熱気などから保護することができる。
そして、車道の交差点の地面に埋設設置して交通量を測定し、信号体系の変更資料のような交通管制システム資料として使用することもでき、駐車場の駐車ラインが引かれた地面に埋設設置したり、センサー10の一部が突出するように設置し、駐車エリアーに車両が正しく駐車することができるように誘導することができる。
また、自動車運転免許試験場のコースラインに取り付けて、試験車両がコースを脱離したか、正常的にコースを走っているかを確認することができる。
本発明の押圧接触による変位反応センサーは、センサー10の形状を図5のように円柱形状に形成することもできる。これは、ガスパイプなどの周りに巻くようにして取り付け、泥棒のような不法侵入者が建物のガスパイプをつたわって侵入しようとするとき、ガスパイプを手で握るとセンサー10の押されを感知して警報を鳴らすようにし、建物内の不法侵入を防止することができるという効果がある。
本発明の押圧接触による変位反応センサーは、図6のように自動スライディングドアDの出入口の地面にセンサー10を足マットとして取り付けることもでき、図7のように、自動回転ドアDの出入口の地面にセンサー10を足マットとして取り付けることができる。
これにより、自動スライディングドアDや自動回転ドアDの出入口を通過する人が地面に設けられたセンサー10上に乗ると、センサー10の押されを感知して自動スライディングドアDが開かれ、自動回転ドアDが回転するように動作させることが可能となる。
一方、上記と異なり、エレベータ搭乗の待ち場所、すなわち、エレベータドアの前に取り付けられて、搭乗待ち場所に人がいるときはドアが開き、搭乗者が搭乗待ち場所からエレベータ内に入ってからドアが閉まるようにする目的で設けることができる。電車または他の軌道車の場合には、プラットホームの端から安全限界線まで取り付けて、搭乗しようとする乗客や下車する乗客を感知し、乗客がいるときは発車しないようにする目的で設けることも可能である。
図8は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略斜視図である。半導電性層34の上部に水平ライン形態の水平導電体32が等間隔で連続形成され、半導電性層34の下部に水平導電体32と交差する垂直の位置に等間隔で連続形成される垂直導電体33を設けることでセンサー30を構成することも可能である。
これは、水平導電体(R)Rmを回路に接続される接続線L1mに接続し、垂直導電体(C)Cnを回路に接続される接続線L2に接続することによって1個の位置の押圧接触を認知するようになり、RとCの組み合せによる接点位置は、図示するように、3個のR、4個のCの場合3×4=12と12個の位置となり、12個の位置のうちのいずれか一部分が押されると、それに対応する位置を認知するようになる。
したがって、このようにして形成されるセンサー30は、モニタなどに取り付けてタッチスクリーンとして使用したり、キーボードなどに取り付けて有用に使用することができる。
図9は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略斜視図である。
中央に絶縁層41が形成され、絶縁層41の上面には水平導電体Rが形成され、下側面には垂直導電体Cが形成されている。
そして、水平導電体Rの上部には第1半導電性層44が形成され、第1半導電性層44の上部には第1導電性層42が形成されている。
垂直導電体Cの下部には第2半導電性層44'が形成され、第2半導電性層44'の下部には第2導電性層42'が形成され、第1導電性層42、水平導電体R、第2導電性層42'、垂直導電体Cなどには回路に接続される接続線がそれぞれ接続されている。
これは、第1導電性層42を接続線L1nに接続し、m個の水平導電体Rのうちの1個の水平導電体Rを1個のL2nに接続して、1個の水平導電体Rの位置の押圧接触を認知する。
一方、1個の第2導電性層42'を接続線L1'に接続し、n個の垂直導電体Cのうちの1個の垂直導電体Cを接続線L2'に接続して、1個の垂直導電体Cの位置の押圧接触を認知する。
したがって、m個の水平導電体Rの位置の押圧接触と、n個の垂直導電体Cの位置の押圧接触の組み合わせ(m、n)による押圧接触の位置を認知するようになる。
図10は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略回路図である。これは、センサーの端末部と比較回路部の間の断線を感知できるように構成する概略回路図である。センサー50の第1電圧比較器56の−端子であるAlと、第2電圧比較器57の+端子であるBhに接続される断線チェック抵抗70がさらに設けられている。
これは、感度の影響を受けにくい、すなわち、半導電性層54の抵抗値Rxより断線チェック抵抗70 Rchがより大きくなるように設置した場合、常時は第1電圧比較器56のAhの入力値がAlの入力値より小さくて第1電圧比較器56はロー(Low)状態であり、第2電圧比較器57のBhの入力値がBlの入力値より小さくて第2電圧比較器57はロー状態であるので、オアゲート58の出力値はロー、つまり、「0」となって押圧接触による変位反応センサー50はノーマル状態となる。
このような状態で、L1の断線時、第1電圧比較器56のAlと第2電圧比較器57のBhの入力値がほぼ同じレベルとなることから、第1電圧比較器56のAhの入力値がAlの入力値より大きな値を持つようになって第1電圧比較器56の出力はハイ(High)となり、これによって、オアゲート58の出力はハイとなって断線したことが感知される。
L2の断線時には、第2電圧比較器57のBhと第1電圧比較器56のAlの入力値がほぼ同じレベルになることから、第2電圧比較器57のBhの入力値がBlの入力値より大きな値を持つようになって第2電圧比較器57の出力はハイとなり、これによって、オアゲート58の出力はハイとなって断線したことが感知される。
そして、L1及びL2がすべて断線する場合は、第1電圧比較器56のAlの入力値と第2電圧比較器57のBhは、第1電圧比較器56及び第2電圧比較器57の内部抵抗によっていずれも1/2Vccに近くなることから、第1電圧比較器56のAhの入力値はAlの入力値より大きくなり、第2電圧比較器57のBhの入力値はBlの入力値より大きくなって、1電圧比較器56と第2電圧比較器57の出力はいずれもハイとなり、これによって、オアゲート58の出力はハイとなって断線したことが感知される。
したがって、第1電圧比較器56のAlと第2電圧比較器57のBhに接続される断線チェック抵抗70がさらに接続されて設けられることから、接触部51の第1導体層52及び第2導体層53と、第1電圧比較器56及び第2電圧比較器57を接続する接続線L1、L2のうちのいずれか1つが断線したり、すべて断線した場合でも、断線したことを感知できるようになる。
図11は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略回路図である。これは、センサーの端末部と比較回路部の間の断線を感知できるように構成する概略回路図であり、センサー80の第1抵抗89に+端子であるOP1hが接続されるように第3電圧比較器96が設けられ、第2抵抗91に−端子であるOP2lが接続されるように第4電圧比較器97が設けられている。
そして、一側が電源に接続され、他側が第3電圧比較器96の−端子であるOP1lに接続される第6抵抗100が設けられ、一側が前記第3電圧比較器96の−端子に接続され、他側が第4電圧比較器97の+端子であるOP2hに接続される第7抵抗101が設けられ、一側が接地されて他側が第4電圧比較器97の+端子であるOP2hに接続される第8抵抗102が設けられている。
第3電圧比較器96と第4電圧比較器97の一側にはこれらに接続される第2オアゲート98がさらに設けられる。
これは、第3電圧比較器96のOP1hの入力値が第1電圧比較器86のAlと同一の入力値である3/4Vccであり、第4電圧比較器のOP2lの入力値が第2電圧比較器87のBhと同一の入力値である1/4Vccである。
そして、第6抵抗100 R、第7抵抗101 R、第8抵抗102 Rの抵抗値を必要に応じて異なるように設けることができる。例えば、各抵抗値の割合をR:R:R=1:3:1と設ける場合、第3電圧比較器96のOP1lの入力値は4/5Vccとなり、第4電圧比較器97のOP2hの入力値は1/5Vccとなる。
これにより、常時は第3電圧比較器96のOP1hの入力値がOP1lの入力値より小さな値を持つので第3電圧比較器96の出力はロー(Low)となり、第4電圧比較器97のOP2hの入力値がOP1lの入力値より小さな値を持つので第4電圧比較器97の出力はローとなる。
このような状態で、L1の断線時、第3電圧比較器96のOP1hは、第1抵抗89と接続されて電源がそのまま伝達され、OP1hの入力値は1VccとなってOP1hの入力値がOP1lの入力値より大きな値を持つので第3電圧比較器96の出力はハイ(High)となる。
L2の断線時には、第4電圧比較器97のOP2lは、第2抵抗91と接続されてOP2lの値は0電位となり、OP2hの入力値がOP2lの入力値より大きな値を持つので第4電圧比較器97の出力はハイ(High)となる。
これによって、L1、L2がすべて断線する場合にも第3電圧比較器96と第4電圧比較器97の出力はいずれもハイとなり、第3電圧比較器96及び第4電圧比較器97を通じて第2オアゲート98はL1、L2が断線したことを認知する。
したがって、センサー80に第3電圧比較器96、第4電圧比較器97、第6抵抗100、第7抵抗101、第8抵抗102をさらに設けることによって、センサー80の接続線が断線したことが直ちに識別され、そのため、センサー80の接続線が断線すると、直ちにセンサー80を修理及び交替することができるようになる。
図12は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略ブロック回路構成図で、センサーの押圧接触具合をアナログ結果値として得られるようにした概略的回路図である。
これは、図12に示すように、センサー110の第1導体層111に非反転入力部(+)が接続される第1ボルテージフォロワ(Voltage follower)113が設けられ、第2導体層112に非反転入力部(+)が接続される第2ボルテージフォロワ114が設けられている。
そして、第1ボルテージフォロワ113反転入力部(−)接続される第1位相反転器115が設けられ、第2ボルテージフォロワ114反転入力部(−)接続される第2位相反転器116が設けられている。
第1位相反転器115及び第2位相反転器116の一側にはこれらに接続される差動増幅器117が設けられ、差動増幅器117の一側には差動増幅器117に接続されて差動増幅器117から伝達される電流電圧の量を視覚的に表示する負荷装置118が設けられている。ここで、負荷装置118としてモータ、発光ランプなどを使用することができる。
このような押圧接触による変位反応センサー110は、外部の力によってセンサー110が押されると、第1ボルテージフォロワ113及び第2ボルテージフォロワ114で出力インピーダンスを次段の入力インピーダンスに合うように充分に低くなるように、つまり、電気量を大きくする。
そして、第1ボルテージフォロワ113及び第2ボルテージフォロワ114を介した2つの信号を第1位相反転器115及び第2位相反転器116に入力し、センサー110動作時に2つの信号が中性点に向かうのを位相反転させて、2つの信号差が大きくなるようにする。
位相反転された2つの信号は、差動増幅器117に入力され、差動増幅器117は、負荷装置118の電圧レベルとインピーダンスに合う信号に増幅する。
差動増幅器117によって増幅された信号が負荷装置118に伝達されると、伝達された信号によって負荷装置118の動作具合が変わり、負荷装置118を通じてセンサー110の押圧程度を肉眼で識別することができる。
したがって、センサー110に第1ボルテージフォロワ113及び第2ボルテージフォロワ114、第1位相反転器115及び第2位相反転器116、差動増幅器117、負荷装置118が接続されて設けられることで、センサー110が圧力計や重量計のようなアナログタイプの計器、及び、様々な測定機器のような装置に取り付けられ、圧力、重量によってセンサー110の押圧具合を把握し、圧力の程度、重量等を測定することができるようになる。
ここで、センサー110を重量計などに取り付ける場合には、センサー110の第1導体層111及び第2導体層112に軟質ではない硬質を使用することも可能である。
また、食器乾燥機のように気体を用いる装置に取り付けて気体の圧力を測定するときに使用することもでき、パイプなどの内部に取り付けてパイプ内の液体圧力を測定するときに使用することもできる。
図13は、本発明の押圧接触による変位反応センサー120のまた他の実施例を示す概略ブロック図で、センサーの押圧接触具合をデジタル結果値として得られるようにした概略回路図である。
これは、図13に示すように、センサー120の第1導体層121に接続される第1ボルテージフォロワ123に第1A/Dコンバータ125が接続され、第2導体層122に接続される第2ボルテージフォロワ124に第2A/Dコンバータ126が接続されて設けられる。
そして、第1A/Dコンバータ125及び第2A/Dコンバータ126に減算器127が接続され、減算器127にインバータ128が接続されて設けられ、インバータ128にはシフトレジスタ129が接続されて設けられる。
このような押圧接触による変位反応センサー120は、センサー120が押されると、センサー120の押圧具合の値がデジタル化されて図14のような数値を得ることができる。センサー120が押されると、第1ボルテージフォロワ123及び第2ボルテージフォロワ124で出力インピーダンスを次段のインピーダンスに合うように充分に低くなるように、すなわち、電気量を大きくし、出力される信号を第1A/Dコンバータ125及び第2A/Dコンバータ126を介してデジタル値に変換する。
そして、2つの信号によるデジタル数値を減算器127で減算すると、常時の数値よりも押されたときの数値が小さくなり、小さくなった数値は、反転器128を通過すると常時の数値よりも押された時の数値が大きくなる。
この時、反転器128までの値が常に偶数のものをシフトレジスタ129を介して1ビット(bit)右に移動させることによって最小測定値の間隔を1として所望の結果値を得ることができ、その効果は上記と同様である。
図15は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略回路図で、半導電性層に流れる電流の強さで押圧接触を判別する方法及び断線を判別できるようにした概略回路図である。
これは、センサー130の第1導体層131に電流ドライバー134が接続されて設けられる。
電流ドライバー134には電流ドライバー134が動作するようにするスイッチ135が接続されて設けられ、第2導体層132には第2導体層132に−端子が接続され、電流の変化を電圧の変化に変換する電流-電圧変換器136が接続されて設けられる。
そして、電流-電圧変換器136に−端子が接続される第1電圧比較判別器137が接続されて設けられ、電流-電圧変換器136に+端子が接続される第2電圧比較判別器138が接続されて設けられる。
このような押圧接触による変位反応センサーは、まず、スイッチ135を閉じて電流ドライバー134 IDを動作させて、第1導体層131と電流ドライバー134を接続する接続線L1と、半導電性層133の抵抗値Rx、第2導体層132と電流-電圧変換器136を接続する接続線L2を経由するIRx電流が流れるようにする。
この時、例えば、IRxを調節して電流-電圧変換器136の出力を1/2Vccとなるようにし、第1電圧比較器137の+端子に接続される接点であるVcpを1/4Vccと設定する場合、半導電性層133の抵抗値Rxが押されてRxの抵抗値が小さくなると、上記の電流IRxが増加して電流電圧変換器136を通過して電流電圧変換器136によって電流IRxが電圧Vivに変換され、その値は1/4Vccより小さくなる。
そのため、第1電圧比較器137のロー(Low)側の−端子に1/4Vccより小さな値が入力されて1/4VccであるVcPがより大きな値を持つことから、第1電圧比較器137の出力はハイとなり、半導電性層133が押されることを認知するようになる。
一方、第2電圧比較器138の−端子に接続される接点であるVopの値を3/4Vccと設定した場合、L1またはL2が断線したり、L1、L2がすべて断線すると電流Ir2は0となり、0の値をもつIr2が電流電圧変換器136を通過しながら電流Ir2が電圧Vivに変換される。
変換された電圧値は3/4Vccより大きくなり、その値が第2電圧比較器138のハイ(High)側の+端子に入力される。
これにより、3/4Vccの値を有する第2電圧比較器138のVopの電圧値より+端子の入力電圧値がより大きくなることから、第2電圧比較器138の出力がハイとなり、L1またはL2が断線したり、L1、L2がすべて断線したことが認知される。
これは、半導電性層133に流れる電流の強さで押圧接触を判別、及び、L1、L2の断線を判別することができ、その効果は上記と同様である。
図16は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略回路図で、同相雑音を除去して同相雑音による誤動作を解決する方法、及び断線を判別できるようにする概略回路図である。
これは、第1抵抗145に+端子が接続される第1ボルテージフォロワ148が設けられ、第2抵抗147に+端子が接続される第2ボルテージフォロワ149が設けられている。
第1ボルテージフォロワ148及び第2ボルテージフォロワ149には第1ボルテージフォロワ148及び第2ボルテージフォロワ149の出力が入力される差動増幅器150が設けられている。
そして、差動増幅器150に−端子が接続される第1電圧比較器151が設けられ、差動増幅器150に+端子が接続される第2電圧比較器152が設けられている。
このような押圧接触による変位反応センサーは、第1抵抗145R、L1、Rx、L2、第2抵抗147 Rを介して回路に引入された同相雑音、及び第1ボルテージフォロワ148、第2ボルテージフォロワ149などの回路に引入された同相雑音は、差動増幅器150を通過しながら除去され、差動増幅器150の利得をnと仮定する場合、差動増幅器150の出力Vdfa=n(Vf1−Vf2)となるので、これはRxの変位による信号のみを得るようになる。
1つの例として、R:Rx:R=1:2:1と設定し、第1電圧比較器151の+端子に接続される接点であるVcPの値を1/3Vccと設定した場合、常時は第1ボルテージフォロワ148の値が3/4Vccで、第2ボルテージフォロワ149の値が1/4Vccで、差動増幅器150の電圧利得が1である場合、差動増幅器150の出力Vdfaの値は1/2Vccとなる。
これにより、差動増幅器150の出力がVcPの値である1/3Vccより大きな値をもつので、第1電圧比較器151の出力はロー(Low)状態となる。
このような状態で半導電性を有する半導電性層144の押圧によってRxが減少してR:Rx:R=2:1:2となる場合、第1ボルテージフォロワ148の値は3/5Vcc、第2ボルテージフォロワ149の値は2/5Vccとなり、差動増幅器150の出力Vdfaの値は1/5Vccとなる。
これにより、差動増幅器150の出力Vdfaの値がVcPの値1/3Vccより小さな値をもつので、第1ボルテージフォロワ148の出力はハイ(High)となり、半導電性層144が押圧されたことを認知する。
一方、第2ボルテージフォロワ149の−端子に接続される接点であるVopの値を2/3Vccと設定した状態で、L1またはL2が断線したり、L1とL2がすべて断線した場合、第1ボルテージフォロワ148に入力されるVf1iはVccとなり、第2ボルテージフォロワ149に入力されるVf2iは0となる。
これにより、第1ボルテージフォロワ148の出力Vf1はVccとなり、第2ボルテージフォロワ149の出力Vf2は0となり、差動増幅器150の出力Vdfa=Vcc-0=Vccとなり、差動増幅器150の出力Vdfaの値がVopの値より大きな値をもつので、第2電圧比較器152の出力はハイとなり、L1またはL2が断線したり、L1とL2がすべて断線したことを認知するようになる。
これは、センサー140の端末部が外部に設けられて不要な電流が回路内部に流れ込んで発生する同相雑音が差動増幅器150によって除去されて、センサー140のRxの変位による信号のみを得てセンサー140接触部の押圧を認知することができるようになる。
図17は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略回路図で、主回路と副回路を併設し、同相雑音の除去及び設定された押圧接触具合にヒステリシス特性を適用して断線を判別できるようにした概略回路図である。
これは、スイッチ165が設けられ、スイッチ165の一側に接続される電流駆動器164を備え、この電流駆動器164は、接続線L1によってセンサー160の第1導体層161と接続されている。
そして、接続線L2によってセンサー160の第2導体層162と接続される第1電流-電圧変換器166が設けられ、第1電流-電圧変換器166の一側には第1位相反転器168が接続されて設けられ、第1位相反転器168は、差動増幅器173に接続され、差動増幅器173の一側には押圧検出器174が接続されて設けられ、押圧検出器174には一側が押圧検出器174の出力側に接続され、他側が押圧検出器174の+側に接続されるヒステリシス(histerisis)抵抗Rhisが接続されている。
また、接続線L2'によって第1導体層161 Rxの常時の抵抗値Rxと同一値の抵抗Rx'を経由して接続される第2電流-電圧変換器167が設けられ、第2電流-電圧変換器167の一側には第2位相反転器169が接続されて設けられ、第2位相反転器169は、その出力側が差動増幅器173と接続されている。
第1位相反転器168と差動増幅器173の間には、−端子が接続される第1断線判別器171が接続されて設けられ、第2位相反転器169と差動増幅器173との間には−端子が接続される第2断線判別器172が接続されて設けられる。
このように接続された回路において、差動増幅器173の出力電圧Vdfaは常時は0の値を持ち、センサー160が押圧されるとRxの値が小くなり、IR2が増加すると第1位相反転器168の出力電圧VmainとVsubの差が大きくなって差動増幅器173の出力電圧Vdfaは増加するようになる。
例えば、VcPを1/3Vccと設定する場合、差動増幅器173の出力電圧Vdfaの値が増加してVdfaの値が1/3Vccより大きくなると、押圧検出器174の出力はHighとなって押圧接触を認知する。
その後、RhisによりVdfaに正軌還されることによるヒステリシス(histerisis)特性を持たせる。
一方、L2の断線でIRxが0になると、第1位相反転器168の出力電圧Vmainは最小値となる。
第1断線判別器171の断線判別電圧Vop1をVmainの最小値より少し上回るように設定する場合、第1断線判別器171の出力はHighとなってL1の断線を認知する。
そして、L2'の断線によってIR2'が0となると、Vsubは最小値となる。
第2断線判別器172の断線判別電圧Vop2を第2位相反転器169の出力電圧Vsubの最小値より少し上回るように設定する場合、第2断線判別器172の出力はHighとなってL2'の断線を認知する。
図18〜図22は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す斜視図で、センサーの形状が異なっている斜視図である。
図18に示すように、第1半導電性層181及び第2半導電性層182が形成され、第1半導電性層181と第2半導電性層182の間に導電性層183が形成され、第1半導電性層181上部に水平導電体Rが複数形成され、第2半導電性層182の下部に垂直導電体Cが複数形成されるようにセンサー180の形状及び構造を異なるようにすることができる。これは、タッチスクリーン、キーボードなどに取り付けて使用することができる。
図19に示すように、第1半導電性層191及び第2半導電性層192が形成され、1半導電性層191の下部に第1導電性層193が形成され、第2半導電性層192の下部に第2導電性層192が形成され、第1半導電性層191の上部に水平導電体Rが複数形成され、第2半導電性層192の上部に垂直導電体Cが複数形成され、第1導電性層193と第2半導電性層194の間に絶縁層195が形成されるようにセンサー190の形状及び構造を異なるようにすることができる。その効果は上記と同様である。
図20に示すように、センサー200の全体形状が円柱形状に形成され、第1半導電性層201及び第2半導電性層202が形成され、第1半導電性層201の上部に円板形状の第1導電性層203が形成され、第1半導電性層201の下部にターゲット形状の第2導電性層204が形成され、第2半導電性層202の上部にターゲット形状の第3導電性層205が形成され、第2半導電性層202の下部に円板形状の第4導電性層206が形成され、第2導電性層204と第3導電性層205の間に絶縁層207が形成されるようにセンサー200の形状及び構造を異なるようにすることができ、ピストル射撃場や洋弓場などでターゲットボードとして使用することができる。
図21に示すように、センサー210の全体形状が円柱形状に形成され、ターゲット形状の1導電性層211及び第2導電性層212が形成され、第1導電性層211及び第2導電性層212の間に半導電性層213が形成されるようにセンサー210の形状及び構造を異なるようにすることができ、その効果は上記と同様である。
図22に示すように、センサー220の全体形状が円柱形状に形成され、第1半導電性層221及び第2半導電性層222が形成され、第1半導電性層221の上部にターゲット形状の1導電性層223が形成され、第2半導電性層222の下部にターゲット形状の第2導電性層224が形成され、第1半導電性層221と第2半導電性層222の間に第3導電性層225が形成されるようにセンサー220の形状及び構造を異なるようにすることができ、その効果は上記と同様である。
図23は、本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例を示す概略回路図で、図示するように、押圧接触具合を検出する方法として、主回路とともに副回路を併設し、2つの回路に外部から流れ込む同相雑音を差動増幅器で除去して、純粋な押圧接触による導電率の変化程度を取り出すように設計されている。
本発明の押圧接触による変位反応センサーの構成を示す概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーが設けられる実施例を示す概略断面図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーが設けられる実施例を示す概略断面図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーが設けられる実施例を示す概略断面図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーの他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その取り付け状態が異なっている概略平面図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その取り付け状態が異なっている概略平面図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、センサーの端末部と比較回路部の間の断線を感知するように構成される概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、センサーの端末部と比較回路部の間の断線を感知するように構成される概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、センサーの押圧接触具合をアナログ結果値として得られるようにした概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、センサーの押圧接触具合をデジタル結果値として得られるようにした概略回路図。 図13の回路構成によって得られる結果値を示す減算図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、半導電性層に流れる電流の強さで押圧接触を判別する方法及び断線を判別できるようにした概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、同相雑音を除去して同相雑音による誤動作を解決する方法及び断線を判別できるようにした概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、主回路と副回路を併設し、同相雑音の除去及び設定された押圧接触具合にヒステリシス特性を適用して断線を判別できるようにした概略回路図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、その形状が異なっている概略斜視図。 本発明の押圧接触による変位反応センサーのまた他の実施例として、主回路と副回路を併設し、センサー接触部の電圧信号を主回路と副回路を経由して差動増幅器に印加することによって同相雑音を除去できるようにした概略回路図。
符号の説明
10 センサー
11 接触部
12 第1導体層
13 第2導体層
14 半導電性層
15 導電物質
16 第1電圧比較器
17 第2電圧比較器
18 オアゲート
19 第1抵抗
21 第2抵抗
22 第3抵抗
23 第4抵抗
24 第5抵抗

Claims (7)

  1. 押圧接触による変位反応センサーにおいて、
    導電物質15を含有し、抵抗値Rxが設定される伸縮性を有する半導電性層14が形成され、
    前記半導電性層14の上面に導電物質15を含有した第1導体層(12、111、131)が形成され、
    前記半導電性層14の下面に導電物質15を含有した第2導体層(13、112、132)が形成される接触部11が設けられ、
    前記第1導体層12に接続されて電源側に接続される第1抵抗(19、89)と、
    前記第2導体層13に接続されて一側が接地される第2抵抗(21、91)と、
    ロー(Low)側の−端子が前記第1導体層12に接続されて設けられる第1電圧比較器(16、56)と、
    ハイ(High)側の+端子が前記第2導体層13に接続されて設けられる第2電圧比較器(17、57)と、
    一側が電源に接続され、他側が前記第1電圧比較器16のハイ側+端子に接続されて設けられる第3抵抗22と、
    一側が前記第1電圧比較器16の+端子に接続され、他側が前記第2電圧比較器17の−端子に接続されて設けられる第4抵抗23と、
    一側が接地され、他側が前記第2電圧比較器17の−端子に接続されて設けられる第5抵抗24と、
    前記第1電圧比較器16及び第2電圧比較器17に接続され、その出力によって信号を出力するオアゲート(18、88)とで構成されることを特徴とする押圧接触による変位反応センサー。
  2. 一側が前記第1電圧比較器56の−端子に接続され、他側が前記第2電圧比較器57の+端子に接続される断線チェック抵抗70がさらに設けられることを特徴とする請求項1に記載の押圧接触による変位反応センサー。
  3. 前記第1抵抗89に+端子が接続されるように設けられる第3電圧比較器96と、
    前記第2抵抗91に−端子が接続されるように設けられる第4電圧比較器97と、
    一側が電源に接続され、他側が前記第3電圧比較器96の−端子に接続される第6抵抗100と、
    一側が前記第3電圧比較器96の−端子に接続され、他側が前記第4電圧比較器97の+端子に接続される第7抵抗101と、
    一側が接地され、他側が前記第4電圧比較器97の+端子に接続される第8抵抗102と、
    前記第3電圧比較器96と第4電圧比較器97に接続される第2オアゲート98がさらに設けられることを特徴とする請求項1に記載の押圧接触による変位反応センサー。
  4. 前記第1導体層111に非反転入力部(+)が接続される第1ボルテージフォロワ113と、
    前記第2導体層112に非反転入力部(+)が接続される第2ボルテージフォロワ114と、
    前記第1ボルテージフォロワ113に反転入力部(−)が接続される第1位相反転器115と、
    前記第2ボルテージフォロワ114に反転入力部(−)が接続される第2位相反転器116と、
    前記第1位相反転器115及び第2位相反転器116に接続される差動増幅器117と、
    前記差動増幅器117に接続され、前記差動増幅器117から伝達される電流電圧の量を視覚的に表示する負荷装置118とが設けられることを特徴とする請求項1に記載の押圧接触による変位反応センサー。
  5. 前記センサーの第1導体層に接続される第1ボルテージフォロワ123に第1A/Dコンバータ125が接続され、
    前記センサーの第2導体層に接続される第2ボルテージフォロワ124に第2A/Dコンバータ126が接続され、
    前記第1A/Dコンバータ125及び第2A/Dコンバータ126に減算器127が接続され、
    前記減算器127にインバータ128が接続され、
    前記インバータ128にシフトレジスタ129が接続されて設けられることを特徴とする請求項1に記載の押圧接触による変位反応センサー。
  6. 前記第1導体層131に電流ドライバー134が接続されて設けられ、
    前記電流ドライバー134に電流ドライバー134が動作するようにするスイッチ135が接続されて設けられ、
    前記第2導体層132に−端子が接続され、電流を電圧に変換する電流-電圧変換器136が接続されて設けられ、
    前記電流-電圧変換器136に−端子が接続される第1電圧比較判別器137が接続されて設けられ、
    前記電流-電圧変換器136に+端子が接続される第2電圧比較判別器138が接続されて設けられることを特徴とする請求項1に記載の押圧接触による変位反応センサー。
  7. 前記第1抵抗145に+端子が接続される第1ボルテージフォロワ148が設けられ、
    前記第2抵抗147に+端子が接続される第2ボルテージフォロワ149が設けられ、
    前記第1ボルテージフォロワ148及び第2ボルテージフォロワ149の出力が入力される差動増幅器150が設けられ、
    前記差動増幅器150に−端子が接続される第1電圧比較器151が設けられ、
    前記差動増幅器150に+端子が接続される第2電圧比較器152が設けられることを特徴とする請求項1に記載の押圧接触による変位反応センサー。
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