JPS59131152A - 還元性ガスセンサ - Google Patents
還元性ガスセンサInfo
- Publication number
- JPS59131152A JPS59131152A JP571183A JP571183A JPS59131152A JP S59131152 A JPS59131152 A JP S59131152A JP 571183 A JP571183 A JP 571183A JP 571183 A JP571183 A JP 571183A JP S59131152 A JPS59131152 A JP S59131152A
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- Japan
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- thin film
- reducing gas
- film
- thin metallic
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/002—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the work function voltage
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はモノシラン（ＳｉＨ４）−７オスフイン（Ｐ）
（３）、アルシン（ＡｓＨｉ）、−酸化炭素（ＣＯ）
。
（３）、アルシン（ＡｓＨｉ）、−酸化炭素（ＣＯ）
。
水素（馬）等のいわゆる還元性ガスを検出するところの
還元性ガスセンサに関する。例えば半導体製造プロセス
において使用されるガスは一般に人体に対し強い毒性或
いは爆発性を有するものが多い。還元性ガスセンサは主
にこれらのガスの漏洩警報のための検知手段として用い
られる。
還元性ガスセンサに関する。例えば半導体製造プロセス
において使用されるガスは一般に人体に対し強い毒性或
いは爆発性を有するものが多い。還元性ガスセンサは主
にこれらのガスの漏洩警報のための検知手段として用い
られる。
この種のガス検知手段として従来は、光イオン化検出法
、炎光々度法、原子吸光法等の原理を利用したものがあ
るが、これらはいずれも価格的に非常に高く、仮に各室
毎にそれらの検知手段を設けるとなると相当な設備投資
を余儀なくされるものであるし、また一般的に応答が遅
＜（２０−１２０秒）、危険防止の面でも不充分である
という欠点がある。
、炎光々度法、原子吸光法等の原理を利用したものがあ
るが、これらはいずれも価格的に非常に高く、仮に各室
毎にそれらの検知手段を設けるとなると相当な設備投資
を余儀なくされるものであるし、また一般的に応答が遅
＜（２０−１２０秒）、危険防止の面でも不充分である
という欠点がある。
一方、最近、半導体の焼結体を使用した安価な検知セン
サが市販されているが、それらは一般にガスに対する選
択性が少なく、前記ＰＨ，，Ａ８Ｈ，。
サが市販されているが、それらは一般にガスに対する選
択性が少なく、前記ＰＨ，，Ａ８Ｈ，。
ＳｉＨ，等の半導体プロセス用ガスに適用されておらず
、又、その基本的な原理は、本質的に半導体の性質を利
用していることから、温度や湿度の影響をうけやすいと
いった欠点が多いつ 本発明はこのような点にあって、低価格で量産が可能で
あり、応答が速く、しかも温度及び湿度の影響を受けに
くいといった極めて有用な還元性ガスセンサを提供する
ものである。
、又、その基本的な原理は、本質的に半導体の性質を利
用していることから、温度や湿度の影響をうけやすいと
いった欠点が多いつ 本発明はこのような点にあって、低価格で量産が可能で
あり、応答が速く、しかも温度及び湿度の影響を受けに
くいといった極めて有用な還元性ガスセンサを提供する
ものである。
次に本発明の実施例を図面に基づき説明する。
第１図は還元性ガスセンサの全体平面図、第２図は側断
面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図を示し、ｌは絶縁
性材料若しくは半導体（この実施例では半導体結晶ウェ
ハ）又は金属からなる基体で、その上に順に金属薄膜２
、絶縁性薄膜若しくは半導体薄膜３、金属薄膜４が層状
に形成されている。
面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図を示し、ｌは絶縁
性材料若しくは半導体（この実施例では半導体結晶ウェ
ハ）又は金属からなる基体で、その上に順に金属薄膜２
、絶縁性薄膜若しくは半導体薄膜３、金属薄膜４が層状
に形成されている。
５は最上層の金属薄膜４を基体ｌの一端まで延長して形
成したポンディングパッドで、この部分に電極リード線
６がボンディングされている。７は最下層の金属薄膜２
にボンディングされた電極リード線、８はモールディン
グ樹脂で、還元性ガスに接触する最上層の金属薄膜４０
部分を残して全体を覆っている。
成したポンディングパッドで、この部分に電極リード線
６がボンディングされている。７は最下層の金属薄膜２
にボンディングされた電極リード線、８はモールディン
グ樹脂で、還元性ガスに接触する最上層の金属薄膜４０
部分を残して全体を覆っている。
前記基体ｌは薄膜形成を容易にし、かつセンサの機械的
強度を高める機能を果す。従って、基体ｌの厚みはこの
観点から０．３〜３ｍ程度とするのがよい。基体ｌを構
成する材料として具体的にはガラス板、石英板、アルミ
ナセラミック、シリコン結晶、銅、ニッケル、金、白金
、チタン、タンタル、モリブデン、ニオブ、アルミニウ
ム、パラジウム、合金等を用いるのが良い。金属薄膜２
は例えば金、白金、チタン、タンタル、モリブデン、ニ
オブ、アルミニウム、パラジウム、合金等で構成でき、
厚みは数ミクロンとするのがよい。
強度を高める機能を果す。従って、基体ｌの厚みはこの
観点から０．３〜３ｍ程度とするのがよい。基体ｌを構
成する材料として具体的にはガラス板、石英板、アルミ
ナセラミック、シリコン結晶、銅、ニッケル、金、白金
、チタン、タンタル、モリブデン、ニオブ、アルミニウ
ム、パラジウム、合金等を用いるのが良い。金属薄膜２
は例えば金、白金、チタン、タンタル、モリブデン、ニ
オブ、アルミニウム、パラジウム、合金等で構成でき、
厚みは数ミクロンとするのがよい。
最上層の金属薄膜４も前記金属薄膜２に列挙した金属と
同じ金属を用いることができる。その場合、金属薄膜２
と同種の金属で構成してもよく、或いは異なった金属で
構成してもよい。しかし。
同じ金属を用いることができる。その場合、金属薄膜２
と同種の金属で構成してもよく、或いは異なった金属で
構成してもよい。しかし。
厚みは、還元性ガスの接触によって金属膜の仕事関数が
変化し、その結果金属−絶縁体接合の電位障壁の変化を
敏感に検知できる厚みとする必要がある。通常は１００
λ〜１ミクロン程度とするのがよい。
変化し、その結果金属−絶縁体接合の電位障壁の変化を
敏感に検知できる厚みとする必要がある。通常は１００
λ〜１ミクロン程度とするのがよい。
絶縁性薄膜若しくは半導体薄膜３は、ＴｉＯ□、Ｓｉｎ
、 、Ａｔ、Ｏ，、’ｒａ、ｏ、、Ｓｉ、Ｎ４、プラズ
マ重合膜、フタロシアニン等の絶縁材料、半導体材料で
構成できるが、膜厚はトンネル効果を生じるのに必要な
薄さとする必要がある。即ち、トンネル効果とは電位障
壁の高さよりも低い運動エネルギをもった粒子が電位障
壁を突き抜けて相手側に移動する現象をいう。粒子の移
動の度合は電位障壁の高さ及び後述するように幅に関係
する。従って本発明の場合、十分なトンネル電流値を得
るため、□及び仕事関数の変化を鋭敏にとらえるために
、絶縁性薄膜若しくけ半導体薄膜の膜厚は十分な薄さと
しなければならない。仁の膜厚は通常２０人〜１μｍの
範囲とすればよい。尚、薄膜３として絶縁性薄膜のみな
らず、半導体薄膜も使用可能としているのは、半導体も
トンネル効果を生じさせるのに所要の条件を備えていれ
ばその限りにおいて使用できるというのが理由であり、
半導体としての一般的特性を利用するためのものではな
い。つまり電位障壁の山が鋭く立ち上っており、その高
さがガス濃度によって鋭敏に変化しうる条件を満たすも
のであればよい。ポンディングパッド５は上記金属薄膜
４と同じ金属で構成できる。但し、厚みはリード線６の
ボンディングが可能でかつ電流損失を十分少なくできる
厚み、通常数ミクロンとする必要がある。又、このポン
ディングパッド５の下に位置する絶縁性薄膜若しくは半
導体薄膜部分９は前記薄膜３と同種材料で構成できるが
、厚みは十分厚く、通常数μｍにする必要がある。ガス
接触面以外の部分で、トンネル効果によって不要な電流
が流れるのを防止するためである。モールディング樹脂
８としてはエポキシ系樹脂等が使用できる。この樹脂８
はガス接触面以外の部分をカバーすることによって、感
応部以外が雰囲気ガスもしくは湿度によって影響を受け
るのを防ぐ作用をなす。リード線６，７としては金、銅
等のボンディングが容易に行なえ、かつ電流損失の少な
い導線が用いられる。
、 、Ａｔ、Ｏ，、’ｒａ、ｏ、、Ｓｉ、Ｎ４、プラズ
マ重合膜、フタロシアニン等の絶縁材料、半導体材料で
構成できるが、膜厚はトンネル効果を生じるのに必要な
薄さとする必要がある。即ち、トンネル効果とは電位障
壁の高さよりも低い運動エネルギをもった粒子が電位障
壁を突き抜けて相手側に移動する現象をいう。粒子の移
動の度合は電位障壁の高さ及び後述するように幅に関係
する。従って本発明の場合、十分なトンネル電流値を得
るため、□及び仕事関数の変化を鋭敏にとらえるために
、絶縁性薄膜若しくけ半導体薄膜の膜厚は十分な薄さと
しなければならない。仁の膜厚は通常２０人〜１μｍの
範囲とすればよい。尚、薄膜３として絶縁性薄膜のみな
らず、半導体薄膜も使用可能としているのは、半導体も
トンネル効果を生じさせるのに所要の条件を備えていれ
ばその限りにおいて使用できるというのが理由であり、
半導体としての一般的特性を利用するためのものではな
い。つまり電位障壁の山が鋭く立ち上っており、その高
さがガス濃度によって鋭敏に変化しうる条件を満たすも
のであればよい。ポンディングパッド５は上記金属薄膜
４と同じ金属で構成できる。但し、厚みはリード線６の
ボンディングが可能でかつ電流損失を十分少なくできる
厚み、通常数ミクロンとする必要がある。又、このポン
ディングパッド５の下に位置する絶縁性薄膜若しくは半
導体薄膜部分９は前記薄膜３と同種材料で構成できるが
、厚みは十分厚く、通常数μｍにする必要がある。ガス
接触面以外の部分で、トンネル効果によって不要な電流
が流れるのを防止するためである。モールディング樹脂
８としてはエポキシ系樹脂等が使用できる。この樹脂８
はガス接触面以外の部分をカバーすることによって、感
応部以外が雰囲気ガスもしくは湿度によって影響を受け
るのを防ぐ作用をなす。リード線６，７としては金、銅
等のボンディングが容易に行なえ、かつ電流損失の少な
い導線が用いられる。
次に上記ガスセンサの動作を説明する。先ず、金属薄膜
４にガスが接触せず、しかも両金属薄膜２，４間にバイ
アスがかかつていない場合には、第４図に示すようなエ
ネルギー状態となる。図中ｐｆはフェルミ準位、ψ１は
金属薄膜４の電位障壁の高さ、ψ２は金属薄膜２の電位
障壁の高さである。
４にガスが接触せず、しかも両金属薄膜２，４間にバイ
アスがかかつていない場合には、第４図に示すようなエ
ネルギー状態となる。図中ｐｆはフェルミ準位、ψ１は
金属薄膜４の電位障壁の高さ、ψ２は金属薄膜２の電位
障壁の高さである。
尚、この図は金属薄膜２と４が異種金属の場合のエネル
ギー状態を示しているが同種金属の場合はψ１＝ψ２と
して同様に考えることができる。次に、上記状態で金属
薄膜２．４間に第５図（ａ）に示すようにバイアスを加
えると、金属薄膜４の側のフェルミレベルＥｆが押し上
げられ、同図（′ｂ）に示すようなエネルギー状態とな
る。
ギー状態を示しているが同種金属の場合はψ１＝ψ２と
して同様に考えることができる。次に、上記状態で金属
薄膜２．４間に第５図（ａ）に示すようにバイアスを加
えると、金属薄膜４の側のフェルミレベルＥｆが押し上
げられ、同図（′ｂ）に示すようなエネルギー状態とな
る。
この状態で両極間に流れるトンネル電Ｉｔ Ｊ １は次
式で与えられる。
式で与えられる。
続いてこの状態において最上層の金属薄膜４に第６図（
ａ）に示すように還元性ガスを接触させると、該薄膜４
の表面に付着している酸素が還元性ガスによって奪い取
られるため、金属薄膜４の仕事関数が低下し、同図（ｂ
）に示すように電位障壁がψ、からψ１′に下がる。こ
のときの電流をＪ２とすると、次式であられされる。
ａ）に示すように還元性ガスを接触させると、該薄膜４
の表面に付着している酸素が還元性ガスによって奪い取
られるため、金属薄膜４の仕事関数が低下し、同図（ｂ
）に示すように電位障壁がψ、からψ１′に下がる。こ
のときの電流をＪ２とすると、次式であられされる。
但し、バイアス電圧Ｖは０〈ｖ＜γ８の範囲にあるとす
る。また、ｅは電子の電荷、ｈはブランク定数、Ｓは絶
縁層の厚さ、ｍは電子の質量である。上式において、ψ
、′以外は定数と考えられ、他方、ψ、′は還元性ガス
が金属薄膜４に接触したことを起因して変化し、しかも
ガスの接触量が多ければそれだけψ１′の変化も大きい
から、結局、式（１）と式（２）との差 ｂＪ＝Ｊ１−Ｊ、 ・・・・・・
（３）を検出することによって還元性ガスの濃度を検出
することができる。尚、詳細な説明は省略するが、バイ
アス電圧は上記とは逆極性で加えても同様にトンネル効
果によってガス濃度を検出するととができるものである
。
る。また、ｅは電子の電荷、ｈはブランク定数、Ｓは絶
縁層の厚さ、ｍは電子の質量である。上式において、ψ
、′以外は定数と考えられ、他方、ψ、′は還元性ガス
が金属薄膜４に接触したことを起因して変化し、しかも
ガスの接触量が多ければそれだけψ１′の変化も大きい
から、結局、式（１）と式（２）との差 ｂＪ＝Ｊ１−Ｊ、 ・・・・・・
（３）を検出することによって還元性ガスの濃度を検出
することができる。尚、詳細な説明は省略するが、バイ
アス電圧は上記とは逆極性で加えても同様にトンネル効
果によってガス濃度を検出するととができるものである
。
第７図から第９図に上記ガスセンサの特性を示す実測デ
ータを揚げる。第７図はトンネル効果におけるバイアス
電圧と絶縁性薄膜の抵抗率の関係を示す。このデータは
金属薄膜２としてチタン（厚さ数μ）、金属薄膜４とし
て金（厚さ２００人）、絶縁性薄膜３としてＴｉＯ□を
用い、空気中で２５’Ｃの下で実測したものである。第
８図はモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを空気中にて０〜１
００ Ｆまで変化させた時の電流値の実測値を示す。第
９図は空気を満たした容器内にセンサを入れ、モノシラ
ンを１０〇−相当量、注射器にて採取し、容器に注入し
た時のセンサの応答特性を示す。但し、容器内はファン
にて撹拌した状態としている。
ータを揚げる。第７図はトンネル効果におけるバイアス
電圧と絶縁性薄膜の抵抗率の関係を示す。このデータは
金属薄膜２としてチタン（厚さ数μ）、金属薄膜４とし
て金（厚さ２００人）、絶縁性薄膜３としてＴｉＯ□を
用い、空気中で２５’Ｃの下で実測したものである。第
８図はモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを空気中にて０〜１
００ Ｆまで変化させた時の電流値の実測値を示す。第
９図は空気を満たした容器内にセンサを入れ、モノシラ
ンを１０〇−相当量、注射器にて採取し、容器に注入し
た時のセンサの応答特性を示す。但し、容器内はファン
にて撹拌した状態としている。
第１０図は上記センサを警報器に用いる場合の構成を示
し、図中、１１は還元性ガスセンサ、１２はセンサ用バ
イアス電源、１６はプリアンプ、１７はメータドライバ
ー、１８はＬＥＤからなるレベルメータである。センサ
１１で検出されるガス濃度はこのレベルメータ１８によ
って概略的に指示される。１９はアラームレベルに設定
された基準電圧、加はとの基′準電圧１９とセンサ１１
の出力信号とを比較する比較部、２１はタイマー、ｎは
一致回路、２３はブザー、Ｕはリレー接点等の外部回路
であり、タイマー２１によって、外部ノイズ等によって
信号が現われた時に誤って警報が出ることを防ぐ。−回
信号が現われり後、タイマー２１によってセットされた
一定時間後に、引き続き信号が現われておれば真の信号
と判断して警報が出される。
し、図中、１１は還元性ガスセンサ、１２はセンサ用バ
イアス電源、１６はプリアンプ、１７はメータドライバ
ー、１８はＬＥＤからなるレベルメータである。センサ
１１で検出されるガス濃度はこのレベルメータ１８によ
って概略的に指示される。１９はアラームレベルに設定
された基準電圧、加はとの基′準電圧１９とセンサ１１
の出力信号とを比較する比較部、２１はタイマー、ｎは
一致回路、２３はブザー、Ｕはリレー接点等の外部回路
であり、タイマー２１によって、外部ノイズ等によって
信号が現われた時に誤って警報が出ることを防ぐ。−回
信号が現われり後、タイマー２１によってセットされた
一定時間後に、引き続き信号が現われておれば真の信号
と判断して警報が出される。
第１１図、第１２図は夫々ガスセンサの設置例を示した
もので、第１１図はダクト用警報器として使用する場合
の例である。即ち、この場合はダクト２５中のガスはダ
クト用プローブ２６によって採取し、保護フィルタ２７
を通じてガスセンサ１１に供給するようにしている。図
中、器は流量制御用のキャピラリー、器は吸引ポンプで
ある。第１２図はモノシランラインのシステムの中でガ
スセンサを設置する例を示したもので、（資）はモノシ
ランボンベ、３１はドーピング装置、３２は排ガス処理
装置である。
もので、第１１図はダクト用警報器として使用する場合
の例である。即ち、この場合はダクト２５中のガスはダ
クト用プローブ２６によって採取し、保護フィルタ２７
を通じてガスセンサ１１に供給するようにしている。図
中、器は流量制御用のキャピラリー、器は吸引ポンプで
ある。第１２図はモノシランラインのシステムの中でガ
スセンサを設置する例を示したもので、（資）はモノシ
ランボンベ、３１はドーピング装置、３２は排ガス処理
装置である。
ガスセンサ１１けボンベ庫お、クリーンルーム３４とダ
クト２５中のガス濃度を夫々検知している。
クト２５中のガス濃度を夫々検知している。
尚、上記実施例では基体上に順に
（ａ） 金属薄膜
（１）） 絶縁性薄膜又は半導体薄膜（ｅ） 金属
薄膜を層状に形成しであるが、基体を金属とした場合に
は、その基体上に順に （ａ） 絶縁性薄膜又は半導体薄膜 （ｂ）金属薄膜を層状に形成したものでよい。その一実
施例を第１３図に示す。同図において１００は基体と第
２電極とを兼ねほつリード用の脚１０１を備えた金網、
１０２は絶縁性薄膜又は半導体薄膜、１０３は第１電極
を構成する金属薄膜である。
薄膜を層状に形成しであるが、基体を金属とした場合に
は、その基体上に順に （ａ） 絶縁性薄膜又は半導体薄膜 （ｂ）金属薄膜を層状に形成したものでよい。その一実
施例を第１３図に示す。同図において１００は基体と第
２電極とを兼ねほつリード用の脚１０１を備えた金網、
１０２は絶縁性薄膜又は半導体薄膜、１０３は第１電極
を構成する金属薄膜である。
本発明は上述した構成よりなるから次のような効果があ
る。
る。
■ 絶縁材料等の基体を用い、その上に薄膜を形成する
ようにしているから、いわゆるＩＣ製造プロセスによっ
てセンサを製造することができ、量産が可能となる。
ようにしているから、いわゆるＩＣ製造プロセスによっ
てセンサを製造することができ、量産が可能となる。
■ 従来の半導体型検知センサのように、特性のばらつ
き、劣化現象を生じることがない。
き、劣化現象を生じることがない。
■ 第９図に示したように応答が速いだめ、効果的に危
険防止措置をとるととができ、ガス漏洩警報器の検知手
段として極めて有用である。
険防止措置をとるととができ、ガス漏洩警報器の検知手
段として極めて有用である。
■ ２つの金属薄膜間に加えるバイアス電工は逆極性に
してもガス検知を行なえるので、非常に使いやすい。
してもガス検知を行なえるので、非常に使いやすい。
図は本発明の一実施例を示し、第１図は全体平面図、第
２図は全体側面断面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図
、第４図乃至第６図は動作原理を説明する図、第７図乃
至第９図はセンサの各特性を示す図、第１０図は本発明
センサを用いた警報器の構成例を示すブロック図、第１
１図、第１２図は本発明センサの設置例を示す図、第１
３図は本発明の別実施例を示す要部断面図である。 １ 、１００・・・基体、２・・・金属薄膜、３ 、１
０２・・・絶縁性薄膜若しくは半導体薄膜、４ 、１０
３・・・最上層の金属薄膜。 自発手続補正書 昭和５８年２月１７日 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第５７１１ 号２、発明の名称
還元性ガスセンサ ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市南区吉祥院宮の来町２香地氏 名（名称
）株式会社スタンダードテクノロジ代表者堀場雅夫 ４、代理人 別紙の通り提出致します。
２図は全体側面断面図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面図
、第４図乃至第６図は動作原理を説明する図、第７図乃
至第９図はセンサの各特性を示す図、第１０図は本発明
センサを用いた警報器の構成例を示すブロック図、第１
１図、第１２図は本発明センサの設置例を示す図、第１
３図は本発明の別実施例を示す要部断面図である。 １ 、１００・・・基体、２・・・金属薄膜、３ 、１
０２・・・絶縁性薄膜若しくは半導体薄膜、４ 、１０
３・・・最上層の金属薄膜。 自発手続補正書 昭和５８年２月１７日 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第５７１１ 号２、発明の名称
還元性ガスセンサ ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 京都市南区吉祥院宮の来町２香地氏 名（名称
）株式会社スタンダードテクノロジ代表者堀場雅夫 ４、代理人 別紙の通り提出致します。
Claims (2)
- （１） 絶縁性材料もしくは半導体もしくは金属を基
体として、その上に順に （ａ） 金属薄膜 （ｂ）絶縁性薄膜又は半導体薄膜 （０） 金属薄膜 、を層状に形成した構造からなり、最上層の金属薄膜に
還元性ガスが接触することによる仕事関数の変化からガ
スの濃度を検知することを特徴とする還元性ガスセンサ - （２）金属を基体として、その上に順に（ａ） 絶縁
性薄膜又は半導体薄膜 （ｂ） 金属薄膜 を層状に形成した構造からなり、最上層の金属薄膜に還
元性ガスが接触することによる仕事関数の変化からガス
の濃度を検知することを特徴とする還元性ガスセンサ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571183A JPS59131152A (ja) | 1983-01-16 | 1983-01-16 | 還元性ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571183A JPS59131152A (ja) | 1983-01-16 | 1983-01-16 | 還元性ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59131152A true JPS59131152A (ja) | 1984-07-27 |
| JPH0358060B2 JPH0358060B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=11618700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP571183A Granted JPS59131152A (ja) | 1983-01-16 | 1983-01-16 | 還元性ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131152A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61117443A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ガス状水素化物の検知方法 |
| JPS61116651A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ガス状水素化物の検出方法 |
| EP0488352A2 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-03 | Mitsui Mining Company, Limited | Semiconductor gas sensor |
| EP0658761A1 (en) * | 1993-12-06 | 1995-06-21 | Motorola Inc. | Gas vapor sensor element and method of forming |
| WO2006083095A1 (en) * | 2005-02-05 | 2006-08-10 | Seung Hyuk Park | A displacement response sensor by pushing contact |
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