JP5035248B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5035248B2
JP5035248B2 JP2008534284A JP2008534284A JP5035248B2 JP 5035248 B2 JP5035248 B2 JP 5035248B2 JP 2008534284 A JP2008534284 A JP 2008534284A JP 2008534284 A JP2008534284 A JP 2008534284A JP 5035248 B2 JP5035248 B2 JP 5035248B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light
emitting layer
light emitting
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008534284A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008032557A1 (ja
Inventor
光 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2008534284A priority Critical patent/JP5035248B2/ja
Publication of JPWO2008032557A1 publication Critical patent/JPWO2008032557A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5035248B2 publication Critical patent/JP5035248B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133606Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/30Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating

Description

本発明は、白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置に関する。
発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子(以下有機EL素子とする)は、発光材料を選択することによって適当な色彩に発光させることができる。また、発光材料を適当に組み合わせることにより白色光を得ることもできるため、液晶表示装置において照明装置であるバックライト、また低消費電力かつ高輝度であるため蛍光灯やタングステン球に代わる照明光源として利用することが期待されている。
有機EL素子が液晶表示装置のバックライトとして用いられる場合、液晶パネルの裏面に配置され、その照射光が液晶パネルの液晶層によって変調されることで画像表示がなされる。バックライトとしては、有機EL素子の他に発光ダイオード(以下LEDとする)や陰極管が現在広く用いられている。LEDは点光源、陰極管は線光源であるため、これらの光源から発した光を導光板によって液晶パネルの背面に導く必要があり、装置が厚くなる、光量にムラを生じる、などの欠点がある。しかし、有機EL素子は面光源であるため、導光板は不要であり、また光量にムラがなく一様な照射光が得られる。
ここで、図20を用いて一般的な有機EL素子の構成について説明する。有機EL素子110は、ガラスなどからなる透明基板111に、第1の電極112、発光層114および第2の電極115が順に設けられている。第1の電極112は、透明基板111にスパッタリングなどによってITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)膜を成膜して形成した、透明なものである。発光層114は、第1の電極112に有機発光材料を成膜して形成する。第2の電極115は、発光層114に真空蒸着法などによって金属を蒸着して形成する。
発光層114では、第1の電極112と第2の電極115との間に電圧を印加することによって陽極である第1の電極112から注入された正孔と陰極である第2の電極115から注入された電子とが再結合して発光する。この光が第1の電極112および透明基板111を透過することで、使用者には有機EL素子110が発光して見える。発光層114は添加するドーパントによって発する光の波長を変化させることが可能である。
有機EL素子110で白色の光を得る方法としては、2波長の光を混合する方法(2波長型)と、3波長の光を混合する方法(3波長型)とがある。
2波長型としては、
1.発光層114に青色およびその補色である橙色を発光させる方法(EL+EL)
2.青色に発光する単層の発光層114の近傍にその発光を吸収して橙色の蛍光を発する蛍光体またはリン光を発するリン光体を設ける方法(EL+PL)
とが挙げられる。1.のEL+ELの場合、発光層114は、各色に発光する層を別の層としてもよいし、単層に各色に発光するドーパントを混合して、2色の光の混合により白色に発光するものとしてもよい。なお、ELはElectro Luminescenceを、PLはPhoto Luminescenceを意味する。
3波長型としては、
1.発光層114に青色、緑色および赤色を発光させる方法(EL+EL+EL)
2.青色に発光する単層の発光層114の近傍にその発光を吸収して緑色および赤色に発光する蛍光体またはリン光体を設ける方法(EL+PL+PL)
3.紫外線を発する単層の発光層114の近傍にその発光を吸収して青色、緑色および赤色に発光する蛍光体またはリン光体を設ける方法(EL+PL+PL+PL)
とが挙げられる。1.のEL+EL+ELの場合、発光層114は、各色に発光する層を別の層としてもよいし、単層に各色に発光するドーパントを混合して、3色の光の混合により白色に発光するものとしてもよい。
また、演色性を向上させるために青色、緑色、赤色の3色に青緑色を加える4波長型なども考えられる。
発光層114の発光には、添加するドーパントによって一般に蛍光とリン光の2種類があるが、現在の技術水準において、それぞれ発する色の発光効率および発光寿命について表1に示すような特徴がある。表1において、「可」は「優良」、「良好」よりは劣るが実用は不可能ではないレベルであることを示している。
Figure 0005035248
表1から分かるように、蛍光、リン光とも緑色の発光については他の色と比べて発光効率、発光寿命ともほぼ優れている。しかし、蛍光では青色の発光寿命、赤色の発光効率および発光寿命については緑色より劣っており、リン光では青色の発光寿命が他の色と比べて非常に短い。
有機EL素子の場合、発光輝度と電流密度がほぼ比例するため、発光輝度を高めるためには印加電圧を高くし、注入電流を増やして電流密度を上げればよい。しかし、発光寿命は電流密度の1.5〜2乗に反比例して悪くなるため、できるだけ電流密度を下げて、すなわち印加電圧を低くして、発光した光はできるだけ効率よく使いたいという要求がある。
また、液晶表示装置のバックライトには、一般に2000〜4000cd/m程度の正面輝度が必要である。しかし、白色光源としての有機EL素子では前述のように各色の発光効率、発光寿命にばらつきがあるため、十分な発光寿命が得られる電流密度とした場合、1000〜1500cd/m程度の正面輝度しか得られないという問題があった。
図20の有機EL素子110のような層構成を備える有機EL素子は、発光層114で発生した光のうち透明基板111から外部に出ることができるものの割合、すなわち光の取り出し効率が15〜20%程度と非常に少ないという問題がある。これは、臨界角以上の角度で透明基板111と空気との界面、すなわち観察面に入射する光は全反射を起こすため透明基板111の観察面からは外部に出られないことや、透明基板111と第1の電極112との界面および第1の電極112と発光層114との界面でも入射角の大きな光が全反射によって第1の電極112および発光層114で導波して透明基板111の観察面から外部に出られず、有機EL素子110の側面方向に逃げるためと考えられている。
この光の取り出し効率を向上させる方法として、特許文献1では透明基板の光を導出する面を多数の凸レンズ形状として透明基板に集光性を付与する方法、特許文献2では発光層の光取り出し側の反対側にミラーを設ける方法が提案されている。これらの方法では、微少な素子においては凸レンズ形状の形成が困難、薄い発光層にテーパー上の加工を施してミラーを形成するのが困難といった問題点がある。また、特許文献3では基板上に透明電極と、第1の誘電体層と、発光層と、第2の誘電体層と背面電極とを順次積層した有機EL素子において透明電極と第1の誘電体層の間に両者の中間の屈折率を有する第3の誘電体層を設けて外部への光の透過率を改善する方法が提案されているが、全反射を防ぐことができない。
これらの問題を解決すべく、特許文献4では、上述の有機EL素子における透明基板と第1の電極との界面、第1の電極と発光層との界面などに回折格子を形成し、回折格子で臨界角以上の入射角の光の出射角を臨界角以下に変化させることによって光の取り出し効率を向上させる方法が提案されている。
また、特許文献5では背面金属電極上に発光層と透明導電性膜とガラス板とを順に備えた有機EL素子において透明導電性膜とガラス板との間に低屈折率体を設け、低屈折率体およびガラス板からの光の取り出し率を向上させる方法が提案されている。
特開昭63−314795号公報(第2頁、第1図) 特開平1−220394号公報(第2頁、第3頁、第1図) 特開昭62−172691号公報(第2頁、第3頁、第1図) 特開平11−283751号公報(第3頁、第4頁、図2) 特開2001−202827号公報(第2頁〜第5頁、図3)
特許文献5で提案された有機EL素子では、界面の全反射により光が閉じこめられやすい高い屈折率を有する有機層と透明電極層の合わせた層厚を、光の波長よりも十分に小さくしないと、効果が現れにくく、有機層の設計の自由度が失われるという欠点がある。
また、特許文献4で提案された有機EL素子において用いられた回折格子は、その格子の形状および格子定数によって決定される特定の波長範囲の光だけ回折を起こすため、広い範囲の波長の光が同時に発する白色光源としての有機EL素子に用いられた場合、光の取り出し効率が特定の波長だけ突出してしまい、色のバランスが崩れ、白色の品位を低下させてしまう可能性がある。
また、白色光源の有機EL素子としては、前述のように2波長型または3波長型のものがある。液晶のバックライトなどで使用する際の演色性を考慮すると、最低でも赤色・緑色・青色の3色以上の混色により白色を得ることが望ましい。
ここで、図3に示す発光スペクトルを有し、白色に発光する有機EL素子に、1次元の回折格子を設けて、回折により複数の波長の光の取り出し効率を向上させる場合について説明する。図3のスペクトルでは、630nm(赤色)、520nm(緑色)、475nm(青緑色)、450nm(青色)の近傍に発光強度の極大値を有する。よって、回折させても白色の品位を低下させないため、これらの全ての極大値での波長の光について取り出し効率を向上させるには、発光層で発生した光が有機EL素子中で感じる実効屈折率が1.7である場合、例えば、
(1)格子定数d=4.08μmで11次、13次、14次、15次
(2)格子定数d=7.78μmで21次、25次、28次、29次
(3)格子定数d=21.86μmで59次、71次、77次、83次
の回折を用いる方法が考えられる。なお、この場合の回折とは、素子を構成している各々の層のいずれかの層間界面で全反射することによって素子外に取り出すことができない光を、屈折率周期構造により基板に垂直な方向に回折させることをいう。この場合、各次数に対応する波長は各々の場合の各次数について前述の順に、
(1)630nm、533nm、495nm、462nm
(2)630nm、529nm、473nm、456nm
(3)630nm、524nm、483nm、448nm
となる。
この方法では、
1.かなり大きな次数の回折を利用しているので、大きな回折効率が期待できない上に、より次数の低い回折による不要な回折光が多く、光取り出しの効果が少ない、
2.1次元格子であるため、光の進む方向が屈折率変調の方向(格子に垂直な方向)からずれるにしたがって、回折される波長もずれ、回折効率も落ちる上に、光の進む方向が屈折率変調の方向に対して垂直な方向(格子と平行な方向)になると、回折そのものが起きなくなる、
といった欠点がある。
そこで、本発明は、可視光領域で3色以上の波長の光に強く作用する2次元回折格子を設けることによって、高輝度、高品位の白色光を得ることのできる白色有機EL素子並びにこれを備えた表示装置及び照明装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、前記基板の内部の前記第1の電極の近傍、前記基板と前記第1の電極との界面、前記第1の電極と前記発光層との界面および前記発光層と前記第2の電極との界面のうち1個以上の部分に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させることを特徴とする。
また本発明は、白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、前記基板の内部の前記第1の電極の近傍および前記基板と前記第2の電極との間の各層間の界面のうち、1個以上の部分に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させることを特徴とする。
また本発明は、白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、前記基板と前記第2の電極との間に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させることを特徴とする。
本発明によると、白色光を発する有機EL素子において、内部に設けた2次元の並進対称性を有する屈折率分布の周期性により、これらの界面に臨界角以上の入射角で入射する発光層からの光のうち可視光領域の3個以上の波長の光を回折させることで、白色光の品位を下げることなく輝度を向上させることができる。
また本発明によると、上記構成の有機EL素子を備えることによって、高輝度、長寿命の照明装置を得ることができる。また、液晶パネルと上記構成の有機EL素子を備えることによって、高輝度、長寿命のバックライトを備えた表示装置を得ることができる。
この照明装置または表示装置において、有機EL素子の液晶パネルに対向する面に複屈折性を有するシートおよび光の拡散性を有するシートのうち少なくとも一方を設けること、または有機EL素子の透明基板が複屈折性と光の拡散性のうち少なくとも一方を有するものとすることによって、液晶パネルによって有機EL素子からの光が偏光しても白色のバランスが崩れないため、表示装置の表示画像を鮮明なものとすることができる。
は、本発明の第1の実施形態にかかる有機EL素子の概略構成図である。 は、本発明の第1の実施形態にかかる斜交格子の回折格子の拡大した部分平面図である。 は、回折格子を設けていない有機EL素子の発光スペクトルである。 は、図3の発光スペクトルを510nm近傍で規格化したものである。 は、本発明の第2の実施形態にかかる正方格子の回折格子の拡大した部分平面図である。 は、本発明の第2の実施形態にかかる別の正方格子の回折格子の拡大した部分平面図である。 は、本発明の第3の実施形態にかかる三角格子の回折格子の拡大した部分平面図である。 は、本発明の別の実施形態にかかる単純長方格子の回折格子の拡大した部分平面図である。 は、本発明の別の実施形態にかかる面心長方格子の回折格子の拡大した部分平面図である。 は、本発明の別の実施形態にかかる有機EL素子の概略構成図である。 は、本発明の別の実施形態にかかる有機EL素子の概略構成図である。 は、本発明の別の実施形態にかかる有機EL素子の概略構成図である。 は、本発明にかかる表示装置の斜視図である。 は、本発明にかかる照明装置の斜視図である。 は、実施例にかかる有機EL素子の概略構成図である。 は、参照用の有機EL素子の発光スペクトルである。 は、実施例1にかかる有機EL素子と参照用の有機EL素子の発光スペクトルである。 は、実施例2にかかる有機EL素子と参照用の有機EL素子の発光スペクトルである。 は、実施例3にかかる有機EL素子と参照用の有機EL素子の発光スペクトルである。 は従来の有機EL素子の概略構成図である。
符号の説明
10 有機EL素子
11 透明基板
12 第1の電極
13 回折格子
14 発光層
15 第2の電極
20 液晶表示装置
21 液晶パネル
22 バックライト
40 照明装置
41 枠体
〈第1の実施形態〉
本発明の第1の実施形態について、図を用いて説明する。図1は、第1の実施形態にかかる有機EL素子の概略構成図、図2は回折格子の拡大した部分平面図である。
まず、有機EL素子10の構成について説明する。図1に示すように、有機EL素子10は、透明基板11に、第1の電極12、回折格子13、発光層14および第2の電極15が順に設けられている。
透明基板11としては、透明であればガラスや樹脂などの材料を用いることができる。ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はないが、好ましく用いられるものとしては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましいものは、有機EL素子10にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が0.01g/m・day・atm以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、酸素透過度10−3g/m/day以下、水蒸気透過度10−5g/m/day以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
該バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
該バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができるが、特開2004−68143号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
陽極である第1の電極12としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、ITO(Indium Tin Oxide)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。第1の電極12はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、透明基板11上に薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ等の手法で所望の形状のパターンを形成する。第1の電極12より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。また、第1の電極12には、発光層14との界面に回折格子13が形成されている。
陰極である第2の電極15としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。第2の電極15はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
発光層14は、第1の電極12、第2の電極15、後述する電子輸送層及び正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して燐光もしくは蛍光を発する層であり、発光する部分は発光層14の層内であっても発光層14と隣接層との界面であってもよい。
近年、プリンストン大から励起三重項からの燐光発光を用いる有機EL素子の報告がされて以来(M.A.Baldo et al.,nature、395巻、151〜154頁(1998年))、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている(例えば、M.A.Baldo et al.,nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)、米国特許第6,097,147号明細書等)。励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が最大4倍となり、発光効率を著しく向上させることができる。
The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)では、燐光性化合物についていくつかの報告がなされている。例えば、Ikaiらはホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホストとして用いている。また、M.E.Tompsonらは各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。更に、Tsutsuiらはホールブロック層の導入により高い発光効率を得ている。
燐光性化合物のホスト化合物については、例えば、C.Adachi et al.,Appl.Phys.Lett.,77巻、904頁(2000年)等に詳しく記載されている。
また、ホスト化合物、及びドーパント化合物として燐光性化合物を各々含有する発光層を有する素子において、前記ホスト化合物としてカルバゾール誘導体を適用した例としては、4,4′−N,N′−dicarbazole−biphenyl(CBP)等が最も一般的である。CBP以外のカルバゾール誘導体としては、特開2001−257076号公報、同2002−105445号公報等に高分子タイプが、同2001−313179号公報、同2002−75645号公報等、中でも特定構造を有するカルバゾール誘導体が記載されている。
これら従来の化合物においては、発光輝度および耐久性を両立しうる構成が課題で、特に、緑色より短波な発光については緑より長波長に比べて発光効率が低いことが課題となっている。
本発明の有機EL素子10の発光層14においても、以下に示すホスト化合物とリン光性化合物(リン光発光性化合物ともいう)が含有されることが好ましい。
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001−257076号公報、特開2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
リン光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8族〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
発光層14は上記化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
本発明においては、発光層14は発光極大波長が各々430〜480nm、490〜540nm、600〜640nmの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも3層以上の層を含む。発光極大波長が430〜480nmにある層を青色および青緑色発光層、490〜540nmにある層を緑色発光層、600〜640nmの範囲にある層を赤色発光層と以下称する。発光層の積層順としては、特に制限はなく、また各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも一つの青色および青緑色発光層が、全発光層中最も第1の電極12に近い位置に設けられていることが好ましい。
発光層14の膜厚の総和は特に制限はないが、通常2nm〜5μm、好ましくは2〜200nmの範囲で選ばれる。本発明においては、更に10〜20nmの範囲にあるのが好ましい。
個々の発光層の膜厚は、好ましくは2〜100nmの範囲で選ばれ、2〜20nmの範囲にあるのが更に好ましい。青色および青緑色、緑色、赤色の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、3発光層中、青色および青緑色発光層(複数層ある場合はその総和)が最も厚いことが好ましい。
また、本発明に用いられる封止手段としては、例えば封止部材(不図示)と、透明基板11と第1の電極12と第2の電極、とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子10の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。
また、本発明にかかる有機EL素子10の構成として、上記のものの他に、例えば陽極/発光層ユニット/電子輸送層/陰極からなるもの、陽極/正孔輸送層/発光層ユニット/電子輸送層/陰極からなるもの、陽極/正孔輸送層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなるもの、陽極/正孔輸送層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなるもの、陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなるものが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、正孔注入層、中間層、電子輸送層、電子注入層等のその他の層を備えていてもよい。
ここで、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、必要に応じて設けられる。電子注入層(陰極バッファー層)と正孔注入層(陽極バッファー層)があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
正孔阻止(ホールブロック)層は、上記の如く、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよいが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、等を用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
図1では有機EL素子として透明基板11側から光が出射するボトムエミッションタイプのものを示しているが、透明または不透明の基板上に金属からなる陽極、発光層、透明な陰極を順に備え、透明な陰極から光が出射するトップエミッションタイプのものであってもよい。
有機EL素子10は、第1の電極12と第2の電極15との間に電圧を印加することによって、第1の電極12から注入された正孔と第2の電極15から注入された電子とが発光層14で再結合して発光する。
透明基板11として屈折率が1.5程度のガラス、第1の電極12として屈折率が2.0程度のITO、発光層14として屈折率が1.9程度の有機物質が用いられた場合、発光層14で発生した光が有機EL素子10中で感じる実効屈折率nは1.7程度となる。よって、この屈折率が1.7であるとき、発光層14で発生した光の有機EL素子10中での実効波長λaと空気中での波長λbとの関係は、λa=λb/n=λb/1.7となる。ここで、実効波長とは伝搬媒質すなわち有機EL素子10の透明基板11、第1の電極12および発光層14内での光の波長をいう。また、実効屈折率nは、各部に用いる材料等によって変化し、ここで用いる値である1.7は一例である。nは通常1.6〜1.9程度の値を取り得るものであり、好ましくは1.7〜1.8である。
回折格子13は、図2に示すように第1の電極12と発光層14との界面の、斜交格子(平行四辺形格子)の各格子点上に形成された円柱状、角柱状などの形状の凹凸からなる2次元的な周期屈折率分布を有する、表面レリーフ型と呼ばれるものであり、凹凸は第1の電極12側が突出していても、発光層14側が突出していても構わない。
ここで、有機EL素子10と同じ構成であり、回折格子13が設けられていない点のみが異なる有機EL素子の可視光領域での発光スペクトルを図3に示す。これは、演色性に優れる白色の一般的なスペクトルであり、630nmの赤色、510nmの緑色、475nmの青緑色、450nmの青色近傍にそれぞれ極大値を持つ。白色を得るには、赤色、緑色、青色の三原色で足りるが、演色性を向上させるために青緑色の光も加えている。
図2に示す回折格子13は、a=438nm、b=379nm、c=313nmの斜交格子であり、A=77.9°、B=57.8°、C=44.3°である。ここで、図2に示すようにx軸、y軸およびベクトルp、ベクトルqを定義すると、ベクトルp、ベクトルqはこの斜交格子の基本並進ベクトルであり、
ベクトルp=(p,p)=(ccosB,csinB)
=(313cos57.8°,313sin57.8°)
=(167,265)、
ベクトルq=(q,q)=(bcosC,−bsinC)
=(379cos44.3°,−379sin44.3°)
=(271,−265)
となる。
ここで、ベクトルp、ベクトルqおよび整数M、Nを用いて回折格子13上の変調構造の周期dMNを表すことができる。この周期dMNは、回折格子13上の(M,N)で表される線の間隔であり、
MN=|p−p|/√{(Mq−Np+(Np−Mq
と表すことができる。
例えば、図2において(0,1)線は、ベクトルpに平行かつ格子点を通る直線であり、その間隔d01
01=|167×(−265)−265×271|/√{(0×(−265)−1×265)+(1×167−0×271)}=371nm
である。
同様に、図2において(1,0)線は、ベクトルqに平行かつ格子点を通る直線であり、その間隔d10は306nmである。また、(1,−1)線は、図2のx軸に平行かつ格子点を通る直線であり、その間隔d1−1は265nmである。以下、(M,N)で表される線の周期性を(M,N)次の周期性と呼ぶこととする。したがってdMNは(M,N)次の周期性の周期である。
発光層14で発生した光のうち第1の電極12との界面への入射角の小さいものは、第1の電極12および透明基板11を透過し、有機EL素子10の外部に出てくる。入射角の大きいものは、回折格子13がない場合は、透明基板11と第1の電極12との界面で全反射されるが、回折格子13があることにより、次に説明するように回折格子13で回折され、第1の電極12および透明電極11を透過し、有機EL素子10の外部に出てくる。
ここで、発光層14と第1の電極12との界面への入射角の大きい光のうち実効波長λa=d01のものが、図2において矢印D方向に進行する場合を考える。この光は、回折格子13の(0,1)次の周期性を感じて、ブラッグ条件を満たすことにより進行方向に対して180°反対方向(矢印D1方向)に回折される。同時に、回折格子13に対して垂直な方向すなわち図2において紙面に垂直な方向にもブラッグ条件を満たし、回折されるため、回折格子13がない場合には第1の電極12との界面で全反射して発光層14内部を導波し、有機EL素子10の側面方向に逃げてしまっていた光を有機EL素子10の透明基板11の観察面から外部に取り出すことができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
したがって、上記の(0,1)次の周期性は、周期d01=371nmであることから、有機EL素子10中での実効波長λaが371nm近傍の光、すなわち空気中での波長λb=λa×1.7=d01×n=371×1.7=630nmの近傍の赤色の光を回折させ取り出し効率を向上させることができる。
有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nが1.7である場合、同様に、(1,0)次および(1,−1)次の周期性は、d10×n=306×1.7=520nm、d1−1×n=265×1.7=450nmより、それぞれ空気中での波長λbが520nm近傍の緑色の光および450nm近傍の青色の光の取り出し効率を向上させることができる。これらの波長は、図3のスペクトルに示す4つの極大値のうち、3つの極大値の波長の近傍である。すなわち、回折格子13を設けることによって、混合により白色を構成する3色の光の取り出し効率を向上させることができる。したがって、白色光源である、有機EL素子10において、白色の品位を低下させることなく輝度を向上させることができる。
なお、実効屈折率nが波長によって異なる場合、例えば上記の場合で有機EL素子10中での実効波長λaが371nm、306nm、265nmの光の実効屈折率をそれぞれn01、n10、n1−1とすると、これらの光の空気中での波長λbはそれぞれ、371×n01、306×n10、265×n1−1となる。実際は、実効屈折率nは材料の屈折率分散があるので波長によって若干異なるものの、大きな差はなく実用上ほぼ同一と見なせる。
ここで、回折格子13により回折させる光の波長について考える。例えば、図3に示す発光スペクトルを有する有機EL素子の場合、4つの極大値の波長各々に相当する周期性をもつ回折格子13を構成するのは困難である。しかし、発明者らの研究によれば、極大値近傍の、極大値の波長の光の強度の65%以上の強度を有する波長領域の光であれば、回折格子によって回折させることにより有機EL素子の輝度を向上させることができることが確認されている。
これを図4を用いて具体的に説明する。図4は、図3のスペクトルの510nmの極大値を規格化したものである。図4によれば510nm近傍の、510nmの光の強度の65%以上の強度を有する光の波長領域は約485〜535nmである。したがって、回折格子によってこの波長領域の光の取り出し効率を上げることにより、510nmの極大値を含むこの近傍の光の輝度を向上させ、有機EL素子の輝度を向上させることができる。
同様に、図3の発光スペクトルにおいて、各極大値の波長の強度の65%以上の強度の波長領域は、630nmの赤色では約605〜660nm、475nmの青緑色では約450〜500nm、450nmの青色では約435〜465nmである。
これらのことから、赤色領域(605〜660nm)で1つ以上、青色〜緑色領域(435〜535nm)で2つ以上の波長の光を、回折格子13の周期性により回折させることができれば、図3の発光スペクトルを有する有機EL素子において、白色の品位を低下させることなく白色光全体の輝度を向上させることができることがわかる。
このように、回折格子13を斜交格子として格子定数を適切に選択することにより、特定の次数の回折により、白色を構成する赤色、緑色、青色の光の取り出し効率を1個の回折格子だけで向上させ、白色の品位を低下させることなく有機EL素子10の輝度を向上させることができる。また、有機EL素子10に印加する電圧を低くしても十分な輝度を得られるため、有機EL素子10を長期間に渡って使用可能とすることができる。
回折格子13の斜交格子は図2に示されたものに限られず、基本並進ベクトルであるベクトルpとベクトルqの大きさが異なり、ベクトルpとベクトルqとがなす角が90°以外であればよい。ベクトルpとベクトルqの大きさが等しい場合、後述する正方格子や三角格子、面心長方格子の場合に相当する。ベクトルpとベクトルqとがなす角が90°の場合、正方格子や単純長方格子の場合に相当する。
なお、発明者らの実験によると、白色光を構成する光を回折させるのに用いる回折格子13の次数M、Nは6以上では光の取り出し効率向上の効果が小さいことがわかっている。したがって、M、Nは|M|≦5かつ|N|≦5を満たすことが好ましい。
また、1次元格子の場合、光の進む方向が屈折率変調の方向に対して垂直な方向だと回折が起きなくなったが、2次元格子では例えば図2の(0,1)次の周期性に垂直な方向に進む630nm近傍の光でも、より高次の周期性において回折を生じるため、全く回折が生じなくなることはない。
〈第2の実施形態〉
本発明の第2の実施形態について図を用いて説明する。図5は、第2の実施形態にかかる回折格子の拡大した部分平面図である。第2の実施形態は、第1の実施形態と有機EL素子10の構成は同様であるが、回折格子が正方格子である点で異なり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。
本実施形態では、図5に示すように回折格子13は正方格子である。ここで、この正方格子の格子定数をrとし、図5に示すようにx軸、y軸および基本並進ベクトルであるベクトルp、ベクトルqを定義すると、
ベクトルp=(r,0)
ベクトルq=(0,r)
となる。
したがって、斜交格子で用いた回折格子13上の変調構造の周期dMNを表す式に、(p,p)=(r,0)、(q,q)=(0,r)を代入すると、
MN=r/√(M+N
となる。
例えば、図5の正方格子の格子定数rを772nmとし、有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nを1.7とすると、図5に示す(2,0)次の周期性の周期d20は、d20=772/√(2+0)=386nmであり、同様に(2,2)次および(3,0)次の周期性の周期はそれぞれd22=273nmおよびd30=257nmである。
図5の回折格子13は正方格子であり、その対称性により、(2,0)次の周期性の周期d20は(−2,0)次、(0,2)次、(0,−2)次の周期性の周期d−20、d02、d0−2と等しい。よって、本実施形態ではこれらの周期性をまとめて(2,0)次系の周期性と呼ぶこととする。なお、(−2,0)次、(0,−2)次の周期性はそれぞれ(2,0)次、(0,2)次の周期性と方向が反対である。
同様に、周期がd22に等しい(2,2)次、(−2,2)次、(−2,−2)次、(2,−2)次の周期性をまとめて(2,2)次系と呼び、周期がd30に等しい(3,0)次、(−3,0)次、(0,3)次、(0,−3)次の周期性をまとめて(3,0)次系と呼ぶこととする。
(2,0)次系、(2,2)次系および(3,0)次系の周期性は、それぞれ有機EL素子10中での実効波長λaが386nm、273nmおよび257nm近傍の光、すなわち空気中での波長λbが657nm近傍の赤色の光、465nm近傍の緑色の光および438nm近傍の青色の光の取り出し効率を向上させることができる。すなわち、混合により白色を構成する3色の光の取り出し効率を向上させることができる。したがって、白色光源である、有機EL素子10において、白色の品位を低下させることなく輝度を向上させることができる。
また、本実施形態において、正方格子の格子定数rを842nmとし、有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nを1.7とする。この場合、図6に示す(2,1)次の周期性の周期d21は、d21=842/√(2+1)=376nmであり、同様に(3,1)次の周期性の周期d31はd31=266nmである。
周期d21は正方格子の対称性により、図6に示す(−2,1)次、(1,2)次、(−1,2)次の周期性およびこれらと方向が反対の(−2,−1)次、(2,−1)次、(−1,−2)次、(1,−2)次の周期性の周期と等しい。よって、本実施形態ではこれらの周期性をまとめて(2,1)次系の周期性と呼ぶこととする。
同様に、周期d31は(−3,1)次、(1,3)次、(−1,3)次の周期性およびこれらと方向が反対の(−3,−1)次、(3,−1)次、(−1,−3)次、(1,−−3)次の周期性の周期と等しい。よって、本実施形態ではこれらの周期性をまとめて(3,1)次系の周期性と呼ぶこととする。(2,2)次系および(3,0)次系の周期性の周期はそれぞれd22=298nmおよびd30=281nmである。
(2,1)次系、(2,2)次系、(3,0)次系および(3,1)次系の周期性は、それぞれ有機EL素子10中での実効波長λaが376nm、298nm、281nmおよび266nm近傍の光、すなわち空気中での波長λbが640nm近傍の赤色の光、506nm近傍の緑色の光、477nm近傍の青緑色の光および453nm近傍の青色の光の取り出し効率を向上させることができる。すなわち、混合により白色を構成する4色の光の取り出し効率を向上させることができる。したがって、白色光源である、有機EL素子10において、白色の品位を低下させることなく輝度を向上させることができるのみならず、演色性も向上させることができる。
本実施形態において、M、Nは斜交格子の場合と同様に、|M|≦5かつ|N|≦5を満たすことが好ましい。表2には有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nを1.7とした場合の正方格子の格子定数rと周期性の次数(M,N)と、その次数によって取り出し効率を向上させることができる中心波長を示す。下線を付した波長が赤色領域(605〜660nm)または青色〜緑色領域(435〜535nm)に属する波長である。また、格子定数rは表2の最下段に記載している。波長および格子定数の単位はnmである。なお、表2中のLはL=M+Nであり、Lの大きいものほど周期dMNが小さくなる。
表2において、r=371nmおよび524nmの場合、下線を付した波長が赤色領域で1つ、青色〜緑色領域で1つの合計2つしかない。したがって、この格子定数の回折格子13では有機EL素子の輝度を向上させることができるものの、白色の品位は低下してしまう。そのため、赤、青、緑のドーパントのバランスを調整して、元の白色バランスを調整するなどの、余分な調整が必要となる。それ以外の格子定数の場合、赤色領域で1つ以上、青色〜緑色領域で2つ以上の波長の光を回折させることができるため、白色の品位を低下させることなく有機EL素子10の輝度を向上させることができる。
Figure 0005035248
〈第3の実施形態〉
本発明の第3の実施形態について図を用いて説明する。図7は、第2の実施形態にかかる回折格子の拡大した部分平面図である。第3の実施形態は、第1の実施形態と有機EL素子10の構成は同様であるが、回折格子が三角格子である点で異なり、実質上同一の部分には同一の符号を付してある。
本実施形態では、図7に示すように回折格子13は三角格子である。ここで、この三角格子の格子定数rとし、図7に示すようにx軸、y軸および基本並進ベクトルであるベクトルp、ベクトルqを定義すると、
ベクトルp=(r,0)
ベクトルq=(−r/2,√3×r/2)
となる。
したがって、斜交格子で用いた回折格子13上の変調構造の周期dMNを表す式に、(p,p)=(r,0)、(q,q)=(−r/2,√3×r/2)を代入すると、
MN=√3×r/{2×√(M+MN+N)}
となる。
例えば、図7の三角格子の格子定数rを894nmとし、有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nを1.7とすると、図7に示す(2,0)次の周期性の周期d20は、d20=1.73×894/{2×√(2+2×0+0)}=387nmであり、同様に(2,1)次および(3,0)次の周期性の周期はそれぞれd21=292nmおよびd30=258nmである。
図7の回折格子13は三角格子であり、その対称性により、(2,0)次の周期性の周期d20は図7に示す(−2,2)次、(0,2)次の周期性およびこれらの周期性と方向が反対の(−2,0)次、(2,−2)次および(0,−2)次の周期性の周期d−22、d02、d−20、d2−2、d0−2と等しい。よって、本実施形態ではこれらの周期性をまとめて(2,0)次系の周期性と呼ぶこととする。
同様に、周期がd21に等しい(−2,3)次、(1,2)次、(−3,2)次、(3,−1)次、(−1,3)次の周期性およびこれらの周期性と方向が反対の(−2,−1)次、(2,−3)次、(−1,−2)次、(3,−2)次、(−3,1)次、(1,−3)次の周期性をまとめて(2,1)次系と呼び、周期がd30に等しい(3,0)次、(−3,3)次、(0,3)次の周期性およびこれらの周期性と方向が反対の(−3,0)次、(3,−3)次、(0,−3)次の周期性をまとめて(3,0)次系と呼ぶこととする。
(2,0)次系、(2,1)次系および(3,0)次系の周期性は、それぞれ有機EL素子10中での実効波長λaが387nm、292nmおよび258nm近傍の光、すなわち空気中での波長λbが658nm近傍の赤色の光、497nm近傍の青緑色の光および439nm近傍の青色の光の取り出し効率を向上させることができる。すなわち、混合により白色を構成する3色の光の取り出し効率を向上させることができる。したがって、白色光源である、有機EL素子10において、白色の品位を低下させることなく輝度を向上させることができる。
また、本実施形態において、三角格子の格子定数rを1132nmとし、有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nを1.7とする。この場合、図7に示す(2,1)次の周期性の周期d21は、d21=1.73×1132/{2×√(2+2×1+1)}=370nmであり、同様に(2,2)次および(3,1)次の周期性の周期はd22=283nm、d31=272nmである。
周期d21は、前述のように(2,1)次系の周期性である、(−2,3)次、(1,2)次、(−3,2)次、(3,−1)次、(−1,3)次の周期性およびこれらの周期性と方向が反対の(−2,−1)次、(2,−3)次、(−1,−2)次、(3,−2)次、(−3,1)次、(1,−3)次の周期性の周期と等しい。
同様に、周期d22は(2,−4)次、(−4,2)次の周期性およびこれらと方向が反対の(−2,−2)次、(−2,4)次、(4,−2)次の周期性の周期と等しい。よって、本実施形態ではこれらの周期性をまとめて(2,2)次系の周期性と呼ぶこととする。
周期d31についても、(−3,4)次、(1,3)次、(−4,3)次、(4,−1)次、(−1,4)次の周期性およびこれらの周期性と方向が反対の(−3,−1)次、(3,−4)次、(−1,−3)次、(4,−3)次、(−4,1)次、(1,−4)次の周期性の周期と等しく、本実施形態ではこれらの周期性をまとめて(3,1)次系の周期性と呼ぶ。
(2,1)次系、(2,2)次系および(3,1)次系の周期性は、それぞれ有機EL素子10中での実効波長λaが370nm、282nmおよび271nm近傍の光、すなわち空気中での波長λbが630nm近傍の赤色の光、481nm近傍の緑色の光および462nm近傍の青色の光の取り出し効率を向上させることができる。すなわち、混合により白色を構成する3色の光の取り出し効率を向上させることができる。したがって、白色光源である、有機EL素子10において、白色の品位を低下させることなく輝度を向上させることができる。
本実施形態において、M、Nは斜交格子の場合と同様に、|M|≦5かつ|N|≦5を満たすことが好ましい。表3には有機EL素子10から発せられる白色光の全波長域で、各光が感じる実効屈折率nを1.7とした場合の三角格子の格子定数rと周期性の次数(M,N)と、その次数によって回折させることができる波長を示す。下線を付した波長が赤色領域(605〜660nm)または青色〜緑色領域(435〜535nm)に属する波長である。また、格子定数rは表3の最下段に記載している。波長および格子定数の単位はnmである。なお、表3中のLはL=M+MN+Nであり、Lの大きいものほど周期dMNが小さくなる。
表3において、r=428nmおよび741nmの場合、下線を付した波長が赤色領域で1つ、青色〜緑色領域で1つの合計2つしかない。したがって、この格子定数の回折格子13では有機EL素子10の輝度を向上させることができるものの、白色の品位は低下してしまう。そのため、赤、青、緑のドーパントのバランスを調整して、元の白色バランスを調整するなどの、余分な調整が必要となる。それ以外の格子定数の場合、赤色領域で1つ以上、青色〜緑色領域で2つ以上の波長の光を回折させることができるため、白色の品位を低下させることなく有機EL素子10の輝度を向上させることができる。
Figure 0005035248
上述の第1〜第3の実施形態では、回折格子13が斜交格子、正方格子または三角格子の場合について説明したが、回折格子13は並進対称性を持つものであればよいため、他に図8に示す単純長方格子や図9に示す面心長方格子であってもよい。
図8に示す単純長方格子の場合、図8に示すように格子定数をrおよびsとし、x軸、y軸および基本並進ベクトルであるベクトルp、ベクトルqを定義すると、
ベクトルp=(r,0)
ベクトルq=(0,s)
となる。したがって、斜交格子で用いた回折格子13上の変調構造の周期dMNを表す式に、(p,p)=(r,0)、(q,q)=(0,s)を代入すると、
MN=rs/√{M+N
となる。
同様に、図9に示す面心長方格子の場合、図9に示すように格子定数をrおよびsとし、x軸、y軸および基本並進ベクトルであるベクトルp、ベクトルqを定義すると、
ベクトルp=(r/2,s/2)
ベクトルq=(−r/2,s/2)
となる。したがって、変調構造の周期dMNは、
MN=rs/√{(M−N)+(M+N)
となる。
これらの場合においても、次数(M,N)の周期性によって回折する光の空気中での波長λbは
λb=n×dMN
である。
また、第1〜第3の実施形態では回折格子13を第1の電極12と発光層14との界面に設けた場合について説明したが、回折格子13は図10に示すように透明基板11と第1の電極12との界面に設けられていても構わない。また、発光層14と第2の電極15との界面、または透明基板11の内部の第1の電極12の近傍に設けられていても構わない。回折格子13の各格子点上に形成された凹凸は、いずれの側が突出するものであっても構わない。さらに、図11および図12に示すように、これらの界面のうち2つ以上に設けられていても構わない。図11は回折格子13を透明基板11と第1の電極12との界面、第1の電極12と発光層14との界面および発光層14と第2の電極15との界面の3箇所に設けた場合の有機EL素子10の概略構成図であり、図12は回折格子13を第1の電極12と発光層14との界面および発光層14と第2の電極15との界面の2箇所に設けた場合の有機EL素子10の概略構成図である。
(有機EL素子の使用例)
上述の実施形態における有機EL素子を装置に使用した例を以下に示す。なお、本例においては、バックライトとして有機EL素子を設置した液晶表示装置を例に挙げる。図13は、この有機EL素子をバックライトの白色光源として備えた液晶表示装置の斜視図である。液晶表示装置20は液晶パネル21およびバックライト22を備えるものである。液晶パネル21は、一対の電極付き基板間(各基板には必要に応じて、配光膜、絶縁膜、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、偏光素子などが設けられる)に液晶層を挟持してなる透過型あるいは半透過型のものである。上下基板の各電極間に電圧を印加して、液晶層をスイッチングするための駆動回路も備えている。バックライト22は上述の実施形態で説明した有機EL素子10からなり、透明基板11が液晶パネル21側になるように設けられている。このように構成することにより、バックライト22からの高輝度の白色光が液晶パネル21から透過して、液晶パネル21の表示画像を鮮明にすることができる。また、バックライト22は有機EL素子であるため、長寿命である。この液晶表示装置20では、バックライト22として有機EL素子を備えることで、白色光源に使用する電力が抑制されるので、その結果、装置全体の消費電力を抑制することができる。
なお、液晶表示装置20に用いるバックライト22において、透明基板11として屈折率異方性と光の拡散性とを有するものを用いるか、透明基板11の液晶パネル21に対向する面に光の偏光の方向を変化させることができる複屈折性を有するシートおよび光の拡散性を有するシートうち少なくとも一方を貼り付けるのが好ましい。この理由について説明する。
バックライト22を構成している電極層、有機層、基板などの層間の全反射によりバックライト22の中に閉じこめられている光には、S偏光の光とP偏光の光とが存在している。S偏光の光は、その電界成分が、進行方向に垂直かつ透明基板11に平行な方向にしか存在しない光であり、P偏光の光は、その磁界成分が、進行方向に対して垂直かつ透明基板11に平行な方向にしか存在しない光である。回折格子13で回折されてバックライト22の外に取り出された光は、反応した周期性の方向に応じて偏光している。偏光の方向は、S偏光の場合は周期の変調方向に垂直な方向であり、P偏光の場合は周期の変調方向に平行な方向である。したがって、回折格子13によって外部に取り出される光は、波長に応じて、それぞれ、異なる方向の、異なる周期性に反応しているため、外部に取り出されたとき、波長ごとに偏光方向に偏りが生じてしまう。よって、この偏光の方向が液晶パネル21の偏光方向と垂直な場合、液晶パネル21を透過しないため、バックライト22の白色のバランスが崩れることとなる。
この問題を解決するためには、何らかの手段を用いて偏光の向きを変えることが必要となる。偏光の向きを変えるとは、この場合、直線偏光の偏光方向が変わることや、直線偏光が例えば楕円偏光や円偏光といった直線偏光以外の偏光に変わること、楕円偏光や円偏光といった直線偏光以外の偏光が直線偏光に変わることを指す。このような偏光の向きを変える方法としては、複屈折性を利用する方法や、散乱を利用する方法が考えられる。そこで、透明基板11として光の偏光の方向を変化させることができる複屈折性と光の拡散性のうち少なくとも一方を有するものを用いるか、光出射面である透明基板11の液晶パネル21に対向する面に上述の複屈折性を有するシートおよび光の拡散性を有するシートのうち少なくとも一方を貼り付けることによって、液晶パネル21に進入する光の偏光が解消され、白色のバランスを崩すことなく液晶パネル21の表示画像を鮮明にすることができる。この回折格子13による偏光は対称性の低い斜交格子で特に顕著であるため、このシートの貼り付け等は回折格子13が斜交格子の場合により効果的である。
本例において、液晶表示装置のバックライトに有機EL素子を使用した場合を説明したが、これに限ることなく、例えば有機EL素子を所望の大きさに形成して、室内や野外で用いられる、高輝度、長寿命の白色の照明装置として使用しても構わない。この場合、図14の照明装置の外観斜視図に示すように、所望の大きさの有機EL素子10に枠体41を設けて照明装置40を構成し、例えば室内の天井に取り付けて使用することができる。この場合も、透明基板11として光の偏光の方向を変化させることができる複屈折性と光の拡散性のうち少なくとも一方を有するものを用いるか、光出射面である透明基板11の液晶パネル21に対向する面に上述の複屈折性を有するシートおよび光の拡散性を有するシートのうち少なくとも一方を貼り付けてもよい。
また、液晶表示装置だけでなく他の表示装置のバックライトとしても用いることができる。例えば、特開2003−200612号公報に示されるような高分子電解質膜からなる可動部を機械的に動かして透過光の透過および遮断を行うようなタイプの表示装置にもバックライトとして用いることができる。
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、特に断りない限り、実施例中の「%」は「膜厚比(%)」を表す。また、実施例で用いる化合物の構造を以下に示す。
実施例の有機EL素子について説明する前に、参照用の有機EL素子について説明する。
参照用の有機EL素子として、図15に示す構成の有機EL素子30を用いる。まず、縦、横30mm×30mm、厚さ0.7mmで屈折率が1.52のガラス基板からなる透光性基板31の上に、厚さ約120nmのITO(インジウム−スズ酸化物)からなる透明な正孔注入電極32を形成する。正孔注入電極32が形成された透光性基板31をイソプロピルアルコールで超音波洗浄した後、これを乾燥窒素ガス中で乾燥させ、さらにUVオゾン洗浄を5分間行う。
そして、UVオゾン洗浄を施した透光性基板31を真空蒸着装置内にセットし、真空度4×10−6Paの条件で、上記の正孔注入電極32の上に、m−MTDATAからなる厚さ40nmの正孔注入層33aと、α−NPDからなる厚さ40nmのホール輸送層33bと、97重量%のホスト化合物Aに3重量%のドーパントAがドープされた厚さ15nmの青色および青緑色発光層34aと、化合物Bからなる厚さ5nmの第1中間層35aと、92重量%のCBPからなるホスト化合物に8重量%のドーパントBがドープされた厚さ10nmの赤色発光層34bと、CBPからなる厚さ3nmの第2中間層35bと、95重量%のCBPからなるホスト化合物に5重量%のドーパントCがドープされた膜厚が3nmの緑色発光層34cと、化合物Cからなる厚さ10nmの第3中間層35cと、Alq3からなる厚さ20nmの電子輸送層36aと、LiFからなる厚さ1nmの電子注入層36bとを形成した後、この電子注入層36bの上にアルミニウムからなる厚さ110nmの電子注入電極37を形成して有機EL素子30を作製した。その後、窒素雰囲気下において、この有機EL素子30の露出部をガラスケース(図示せず)で被覆した。
上述の各層の材料および厚さを表4に示す。
Figure 0005035248
表4中の化合物の化学式は次の通りである。m−MTDATA(化1)、α−NPD(化2)、化合物A(化3)、ドーパントA(化4)、化合物B(化5)、CBP(化6)、ドーパントB(化7)、ドーパントC(化8)、Alq3(化9)。
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
Figure 0005035248
そして、このように作製した参照用の有機EL素子の分光特性を市販の分光放射輝度計で測定した結果、図16に示すような発光スペクトルを得た。
次に実施例1にかかる有機EL素子について説明する。実施例1にかかる有機EL素子は、透光性基板31の正孔注入電極32に対向する面に回折格子が形成されている点を除いて、参照用の有機EL素子と同様の図15の有機EL素子30に示す構成である。回折格子は、図2で示した、a=438nm、b=379nm、c=313nmの格子定数を有する斜交格子であり、透光性基板31の格子点に相当する位置に深さ180nmの円孔が設けられている。
このようにして作成した実施例1にかかる有機EL素子について、参照用の有機EL素子と同様に分光特性を市販の分光放射輝度計で測定した結果、図17に示すような発光スペクトルを得た。図17において、実線が実施例1の素子、点線が参照用の素子の発光スペクトルである。また、電流輝度特性を測定したところ、1.35倍の輝度向上が確認された。
次に実施例2にかかる有機EL素子について説明する。実施例2にかかる有機EL素子は、回折格子が正方格子である点を除いて実施例1にかかる有機EL素子と同様の構成である。回折格子は、格子定数が772nmの正方格子であり、透光性基板31の格子点に相当する位置に深さ180nmの円孔が設けられている。
このようにして作成した実施例2にかかる有機EL素子について、参照用の有機EL素子と同様に分光特性を市販の分光放射輝度計で測定した結果、図18に示すような発光スペクトルを得た。図18において、実線が実施例1の素子、点線が参照用の素子の発光スペクトルである。また、電流輝度特性を測定したところ、1.65倍の輝度向上が確認された。
次に実施例3にかかる有機EL素子について説明する。実施例3にかかる有機EL素子は、回折格子が正方格子である点を除いて実施例1にかかる有機EL素子と同様の構成である。回折格子は、格子定数が842nmの正方格子であり、透光性基板31の格子点に相当する位置に深さ180nmの円孔が設けられている。
このようにして作成した実施例2にかかる有機EL素子について、参照用の有機EL素子と同様に分光特性を市販の分光放射輝度計で測定した結果、図19に示すような発光スペクトルを得た。図19において、実線が実施例1の素子、点線が参照用の素子の発光スペクトルである。また、電流輝度特性を測定したところ、1.52倍の輝度向上が確認された。
本発明は、白色光源としての有機EL素子一般に用いることができる。

Claims (4)

  1. 白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    基板と、
    前記基板上に形成された第1の電極と、
    前記第1の電極上に形成された発光層と、
    前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、
    前記基板の内部の前記第1の電極の近傍、前記基板と前記第1の電極との界面、前記第1の電極と前記発光層との界面および前記発光層と前記第2の電極との界面のうち1個以上の部分に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させ
    前記屈折率分布の2次元の並進対称性が格子定数rの正方格子で、基本並進ベクトルがベクトルp=(r,0)、ベクトルq=(0,r)であり、前記発光層で発生した光が前記基板、前記第1の電極、前記発光層および前記第2の電極の内部で実効的に感じる屈曲率をn、任意の整数をM、Nとしたとき、
    λ=n×r/√(M +N
    で表される数値λが、異なる(M,N)の組に対して赤色領域の波長に1個以上、緑色から青色領域の波長に2個以上存在することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    基板と、
    前記基板上に形成された第1の電極と、
    前記第1の電極上に形成された発光層と、
    前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、
    前記基板の内部の前記第1の電極の近傍、前記基板と前記第1の電極との界面、前記第1の電極と前記発光層との界面および前記発光層と前記第2の電極との界面のうち1個以上の部分に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させ、
    前記屈折率分布の2次元の並進対称性が格子定数rの三角格子で、基本並進ベクトルがベクトルp=(r,0)、ベクトルq=(−r/2,√3×r/2)であり、前記発光層で発生した光が前記基板、前記第1の電極、前記発光層および前記第2の電極の内部で実効的に感じる屈曲率をn、任意の整数をM、Nとしたとき、
    λ=n×√3×r/{2×√(M +MN+N )}
    で表される数値λが、異なる(M,N)の組に対して赤色領域の波長に1個以上、緑色から青色領域の波長に2個以上存在することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    基板と、
    前記基板上に形成された第1の電極と、
    前記第1の電極上に形成された発光層と、
    前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、
    前記基板の内部の前記第1の電極の近傍、前記基板と前記第1の電極との界面、前記第1の電極と前記発光層との界面および前記発光層と前記第2の電極との界面のうち1個以上の部分に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させ、
    前記屈折率分布の2次元の並進対称性が格子定数r、sの単純長方格子で、基本並進ベクトルがベクトルp=(r,0)、ベクトルq=(0,s)であり、前記発光層で発生した光が前記基板、前記第1の電極、前記発光層および前記第2の電極の内部で実効的に感じる屈曲率をn、任意の整数をM、Nとしたとき、
    λ=n×rs/√{M +N
    で表される数値λが、異なる(M,N)の組に対して赤色領域の波長に1個以上、緑色から青色領域の波長に2個以上存在することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 白色光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    基板と、
    前記基板上に形成された第1の電極と、
    前記第1の電極上に形成された発光層と、
    前記発光層上に形成された第2の電極と、を備え、
    前記基板の内部の前記第1の電極の近傍、前記基板と前記第1の電極との界面、前記第1の電極と前記発光層との界面および前記発光層と前記第2の電極との界面のうち1個以上の部分に、2次元の並進対称性を有する屈折率分布を設け、前記屈折率分布の周期性により、前記発光層において発した白色光に含まれる可視光領域の3個以上の波長の光を回折させ、
    前記屈折率分布の2次元の並進対称性が格子定数r、sの面心長方格子で、基本並進ベクトルがベクトルp=(r/2,s/2)、ベクトルq=(−r/2,s/2)であり、前記発光層で発生した光が前記基板、前記第1の電極、前記発光層および前記第2の電極の内部で実効的に感じる屈曲率をn、任意の整数をM、Nとしたとき、
    λ=n×rs/√{(M−N) +(M+N)
    で表される数値λが、異なる(M,N)の組に対して赤色領域の波長に1個以上、緑色から青色領域の波長に2個以上存在することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2008534284A 2006-09-12 2007-08-28 有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置 Expired - Fee Related JP5035248B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008534284A JP5035248B2 (ja) 2006-09-12 2007-08-28 有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006246941 2006-09-12
JP2006246941 2006-09-12
PCT/JP2007/066613 WO2008032557A1 (fr) 2006-09-12 2007-08-28 Élément à électroluminescence organique, ainsi que dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage prévus avec l'élément à électroluminescence organique
JP2008534284A JP5035248B2 (ja) 2006-09-12 2007-08-28 有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008032557A1 JPWO2008032557A1 (ja) 2010-01-21
JP5035248B2 true JP5035248B2 (ja) 2012-09-26

Family

ID=39183621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008534284A Expired - Fee Related JP5035248B2 (ja) 2006-09-12 2007-08-28 有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7973469B2 (ja)
JP (1) JP5035248B2 (ja)
WO (1) WO2008032557A1 (ja)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032557A1 (fr) 2006-09-12 2008-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément à électroluminescence organique, ainsi que dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage prévus avec l'élément à électroluminescence organique
KR100900288B1 (ko) 2007-10-29 2009-05-29 엘지전자 주식회사 발광 소자
US20090152533A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 Winston Kong Chan Increasing the external efficiency of light emitting diodes
WO2010065163A2 (en) * 2008-06-05 2010-06-10 Soraa, Inc. Highly polarized white light source by combining blue led on semipolar or nonpolar gan with yellow led on semipolar or nonpolar gan
US20090309127A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Soraa, Inc. Selective area epitaxy growth method and structure
US8847249B2 (en) * 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US8767787B1 (en) 2008-07-14 2014-07-01 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated laser diodes with quality facets on GaN substrates
US8805134B1 (en) 2012-02-17 2014-08-12 Soraa Laser Diode, Inc. Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
WO2010017148A1 (en) 2008-08-04 2010-02-11 Soraa, Inc. White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors
JP5019638B2 (ja) * 2008-08-22 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機el表示装置
JP5118659B2 (ja) * 2009-02-24 2013-01-16 パナソニック株式会社 発光素子
US8633497B2 (en) * 2009-03-25 2014-01-21 The Regents Of The University Of Michigan Concave-hemisphere-patterned organic top-light emitting device
DE112010001615T5 (de) * 2009-04-13 2012-08-02 Soraa, Inc. Stuktur eines optischen Elements unter Verwendung von GaN-Substraten für Laseranwendungen
US8837545B2 (en) 2009-04-13 2014-09-16 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8634442B1 (en) 2009-04-13 2014-01-21 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US9829780B2 (en) * 2009-05-29 2017-11-28 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US8427590B2 (en) * 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US10108079B2 (en) * 2009-05-29 2018-10-23 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US20110056429A1 (en) * 2009-08-21 2011-03-10 Soraa, Inc. Rapid Growth Method and Structures for Gallium and Nitrogen Containing Ultra-Thin Epitaxial Structures for Devices
US8355418B2 (en) * 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US8750342B1 (en) 2011-09-09 2014-06-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with scribe structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8451876B1 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Soraa, Inc. Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum
US8816319B1 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region
US9048170B2 (en) 2010-11-09 2015-06-02 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
US9595813B2 (en) 2011-01-24 2017-03-14 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a substrate member
US9093820B1 (en) 2011-01-25 2015-07-28 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for laser devices using optical blocking regions
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
KR101819617B1 (ko) * 2011-04-29 2018-01-18 미래나노텍(주) 유기전계발광소자
JP5145483B2 (ja) * 2011-05-19 2013-02-20 昭和電工株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、表示装置および照明装置
JP2013008016A (ja) 2011-05-24 2013-01-10 Sony Corp 表示装置
EP2527910B1 (en) 2011-05-24 2017-08-09 Sony Corporation Display
WO2013002198A1 (ja) * 2011-06-27 2013-01-03 昭和電工株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、表示装置および照明装置
EP2728967B1 (en) * 2011-07-01 2019-09-18 Oji Holdings Corporation Organic light-emitting diode manufacturing method, organic light-emitting diode, image display device, illumination device, and substrate
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
US8659221B2 (en) * 2011-08-26 2014-02-25 3M Innovative Properties Company OLED light extraction film with multi-periodic zones of nanostructures
US8971370B1 (en) 2011-10-13 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices using a semipolar plane
US9020003B1 (en) 2012-03-14 2015-04-28 Soraa Laser Diode, Inc. Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates
US9343871B1 (en) 2012-04-05 2016-05-17 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
KR101387918B1 (ko) * 2012-04-30 2014-04-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
EP2966669A4 (en) * 2013-03-06 2016-11-09 Jx Nippon Oil & Energy Corp METHOD FOR MANUFACTURING AN ELEMENT HAVING A RELIEF STRUCTURE, AND ELEMENT HAVING A RELIEF STRUCTURE MADE THEREBY
KR20140131473A (ko) * 2013-05-03 2014-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
EP3033778A4 (en) * 2013-08-12 2017-03-29 3M Innovative Properties Company Emissive article with light extraction film
WO2015128909A1 (ja) 2014-02-28 2015-09-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
JP2016034013A (ja) * 2014-02-28 2016-03-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
WO2015137205A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子、照明装置、および電界発光素子の製造方法
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
JP6569856B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置および内視鏡
US10031276B2 (en) 2015-03-13 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display apparatus including photoluminescent layer
US10182702B2 (en) 2015-03-13 2019-01-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including photoluminescent layer
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
JP2017003697A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
WO2017017852A1 (ja) * 2015-07-30 2017-02-02 パイオニア株式会社 発光装置
US10359155B2 (en) 2015-08-20 2019-07-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
US9787963B2 (en) 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
JP6719094B2 (ja) 2016-03-30 2020-07-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
US10551728B1 (en) 2018-04-10 2020-02-04 Soraa Laser Diode, Inc. Structured phosphors for dynamic lighting
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109749A (ja) * 2001-09-25 2003-04-11 Korea Advanced Inst Of Science & Technol 高発光効率の光結晶有機発光素子
JP2006114432A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
JP2006128011A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
JP2006190573A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2006237306A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置
JP2006236655A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機電界発光装置
WO2006092964A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766856B2 (ja) 1986-01-24 1995-07-19 株式会社小松製作所 薄膜el素子
JP2670572B2 (ja) 1987-06-18 1997-10-29 株式会社小松製作所 薄膜el素子
JPH01220394A (ja) 1988-02-29 1989-09-04 Hitachi Ltd 高輝度el素子
JP2991183B2 (ja) 1998-03-27 1999-12-20 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6762553B1 (en) 1999-11-10 2004-07-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Substrate for light emitting device, light emitting device and process for production of light emitting device
JP4279971B2 (ja) 1999-11-10 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 発光素子
US6485884B2 (en) * 2001-04-27 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Method for patterning oriented materials for organic electronic displays and devices
GB0119176D0 (en) * 2001-08-06 2001-09-26 Ocuity Ltd Optical switching apparatus
JP3902186B2 (ja) * 2003-04-21 2007-04-04 日東電工株式会社 帯電防止型光学フィルム、その製造方法、及び画像表示装置
WO2008032557A1 (fr) 2006-09-12 2008-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément à électroluminescence organique, ainsi que dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage prévus avec l'élément à électroluminescence organique

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109749A (ja) * 2001-09-25 2003-04-11 Korea Advanced Inst Of Science & Technol 高発光効率の光結晶有機発光素子
JP2006114432A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
JP2006128011A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Konica Minolta Holdings Inc 面発光素子
JP2006190573A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2006236655A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機電界発光装置
JP2006237306A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置
WO2006092964A1 (ja) * 2005-03-03 2006-09-08 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20090066241A1 (en) 2009-03-12
JPWO2008032557A1 (ja) 2010-01-21
US7973469B2 (en) 2011-07-05
WO2008032557A1 (fr) 2008-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5035248B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれを備えた照明装置及び表示装置
EP2463930B1 (en) Organic electroluminescent device, display and illuminating device
JP5098645B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
TWI440239B (zh) 具有微腔之有機發光裝置
JP4830374B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP2006236748A (ja) 有機電界発光装置
JP4517910B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにこれを備えた照明装置および表示装置
JP5735162B1 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
JP2007027620A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP2007180277A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2015099804A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
WO2007043321A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JPWO2014148512A1 (ja) 透明導電体、及び、電子デバイス
WO2013042533A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5664715B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007059118A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置
JP2006236655A (ja) 有機電界発光装置
JP4978034B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015032367A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
JP6119606B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5708677B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
JPWO2006092964A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP6182838B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007221028A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007080890A (ja) 面発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120605

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120618

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5035248

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees