JP5145483B2 - 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、表示装置および照明装置 - Google Patents
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Description
透明基板上に形成された光透過性電極に多数の細孔を形成し、電極上および細孔内に発光層を形成した構造の有機発光素子が、発光層から有機発光素子の外への光取り出し効率を向上させる技術として提案されている。
また特許文献2には、電極表面に凹凸を有し、この電極上および凹凸内に発光層が形成された有機発光素子が開示されている。
また第1貫通部および第2貫通部が、第1電極層の面内において、最大幅が10μm以下の円形形状または多角形形状を有するとともに、第1電極層の任意の面内において、いずれも1mm2中に103〜108個形成されていることが好ましい。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本実施の形態が適用される有機発光素子を説明した部分断面図である。
図1に例示した有機発光素子10は、基板11と、透明な第1電極層として、基板11側を下側とした場合に基板11上に形成され正孔を注入するための陽極層12と、進入した光の進路を変えるとともに、陽極層12と陰極層15の間の少なくとも一部を絶縁する機能を有する誘電体層13と、第2電極層として、電子を注入するための陰極層15が積層された構造を有する。なお、本実施の形態の有機発光素子としては、上記図1の構成に限らず、例えば、透明な第1電極層が陰極層、第2電極層が陽極層であってもよいが、以下、本実施の形態の有機発光素子を図1の構成を例に説明をする。
そして有機発光素子10には、陽極層12を貫通して形成される複数の第1貫通部16が設けられている。また有機発光素子10には、上記複数の第1貫通部16に加えて、陽極層12および誘電体層13の両方を貫通する複数の第2貫通部17が設けられている。そして陽極層12の上面および第1貫通部16内部には誘電体層13が形成されている。さらに第2貫通部17の内部には、少なくとも第2貫通部17の内面を覆って形成される発光層を含む有機化合物層14が形成されている。
本実施の形態では、有機化合物層14は、1層からなるため、有機化合物層14が即ち発光層となっている。そして有機化合物層14が発光を行なうことにより有機発光素子10の発光面を形成する。
基板11の厚さは、要求される機械的強度にもよるが、好ましくは、0.1mm〜10mm、より好ましくは0.25mm〜2mmである。
誘電体層13の屈折率が陽極層12および有機化合物層14の屈折率より小さい場合には光の取り出し効率が特に向上する。このため、誘電体層13を形成する材料としては、単層または複数層から構成される陽極層12および単層または複数層から構成される有機化合物層14のそれぞれ各層を形成するいずれの材料の屈折率より小さい屈折率を有するものを選択することが好ましい。
その結果、誘電体層13の屈折率が、陽極層12の屈折率および有機化合物層14の屈折率のいずれよりも小さいように形成することができる。より詳細には、誘電体層13の屈折率は陽極層12および有機化合物層14の屈折率よりも0.1以上小さいことが好ましく、0.2以上小さいことがより好ましい。
また、発光性高分子化合物としては、MEH−PPV(Poly[2−methoxy−5−(2−ethylhexyloxy)−1,4−phenylenevinylene])などのポリ−p−フェニレンビニレン(PPV)誘導体;ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等のπ共役系の高分子化合物;低分子色素とテトラフェニルジアミンやトリフェニルアミンを主鎖や側鎖に導入したポリマー;等が挙げられる。発光性高分子化合物と発光性低分子化合物とを併用することもできる。
発光層は発光材料とともにホスト材料を含み、ホスト材料中に発光材料が分散されていることもある。このようなホスト材料は電荷輸送性を有していることが好ましく、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物であることが好ましい。
このような正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、公知の材料を使用することができ、例えば、TPD(N,N’−ジメチル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’ジアミン);α−NPD(4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル);m−MTDATA(4、4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)等の低分子トリフェニルアミン誘導体;ポリビニルカルバゾール;上記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物などが挙げられる。上記正孔輸送材料は、1種単独でも、2種以上を混合して用いてもよく、異なる正孔輸送材料を積層して用いてもよい。正孔輸送層の厚さは、正孔輸送層の導電性などに依存するため、一概に限定できないが、好ましくは1nm〜5μm、より好ましくは5nm〜1μm、特に好ましくは10nm〜500nmである。
陰極層15に使用される材料としては、陽極層12と同様に電気伝導性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが好ましい。具体的には、Al、MgAg合金、AlLiやAlCaなどのAlとアルカリ金属の合金等の材料を例示することができる。陰極層15の厚さは10nm〜1μmが好ましく、50nm〜500nmがより好ましい。有機化合物層14から発した光を基板11側から取り出す場合には、陰極層15は不透明材料により形成されていてもよいが、陰極層15側から光を取り出したい場合は、陰極層15は、ITO等の透明材料により形成する必要がある。
第1貫通部16は、陽極層12上の任意の面内において、1mm四方あたりに103〜108個形成されていることが好ましい。この範囲であれば陽極層12内を光取り出し面に対して平行な方向に伝播する光を効率よく有機発光素子10の外部へ取り出すことができる。
第2貫通部17は、誘電体層13上の任意の面内において、1mm四方に103〜108個形成されていることが好ましい。
図2において第2貫通部17内に示した領域Eは有機化合物層14における発光領域を示している。
Aの経路では、発光領域Eから基板11面に対して水平に近い方向で誘電体層13へ入射した光が、有機化合物層14と誘電体層13の界面および、誘電体層13と陽極層12の界面で屈折し、基板11面に対して垂直に近い方向へ曲げられる。このように誘電体層13を通過することによって光は基板11の光取り出し面側である空気との界面で全反射せずに、有機発光素子10の外部へ取り出すことができる。
Bの経路では、発光領域Eから基板11面に対して水平に近い方向で陽極層12へ入射した光が、第1貫通部16内に形成された誘電体層13と陽極層12との界面で屈折し、より基板11の法線方向に近い角度に進路が変わる。その結果、第1貫通部16を設けない場合に比較して、基板11に達した光は、基板11と空気の界面で全反射を生じにくくなり、有機発光素子10の外部へ取り出すことができる。このように、従来の有機発光素子では取り出し効率が十分でなかった光も、第1貫通部16内部に形成された誘電体層13によって外部へ効率よく取り出すことができる。即ち、本実施の形態の有機発光素子10では、第1貫通部16を設けることにより、光の取り出し効率を向上させることができる。
次に、本実施の形態が適用される有機発光素子の製造方法について、図1で説明を行った有機発光素子10の場合を例に取り説明を行う。
図3(a)〜(f)は、本実施の形態が適用される有機発光素子10の製造方法について説明した図である。
まず基板11上に、第1電極層である陽極層12を形成する(図3(a):第1電極層形成工程)。本実施の形態では、基板11として、ガラス基板を使用した。また陽極層12を形成する材料としてITOを使用した。
陽極層12を基板11上に形成するには、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法などのドライ法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などのウェット法を用いることができる。
なお基板11に陽極層12としてITOが既に形成されているいわゆる電極付き基板を用いることで、陽極層12を形成する工程を省略することができる。
陽極層12に第1貫通部16を形成する方法としては、例えば、リソグラフィを用いた方法が使用できる。これを行うには、まず陽極層12の上にレジスト液を塗布し、スピンコート等により余分なレジスト液を除去して、レジスト層を形成し、次に第1貫通部16を形成するための所定のパターンが描画されたマスクをかぶせ、紫外線(UV:Ultra Violet)、電子線(EB:Electron Beam)等により露光を行うと、レジスト層に第1貫通部16に対応した所定のパターンが露光される。そして現像液を用いてレジスト層の露光部分を除去すると、露光されたパターンの部分のレジスト層が除去される。これにより露光されたパターンの部分に対応して、陽極層12の表面が露出する。
次に、残存したレジスト層をマスクとして、露出した陽極層12の部分をエッチング除去する。エッチングとしては、ドライエッチングとウェットエッチングの何れをも使用することができる。またこの際に等方性エッチングと異方性エッチングを組合せることで、第1貫通部16の形状の制御を行うことができる。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチングが利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。最後に残存したレジスト層をレジスト除去液等により除去することで、陽極層12に第1貫通部16が形成される。
第2貫通部17の形成方法は、上述した第1貫通部16の形成に用いる方法と同様な方法を用いられる。この方法においてエッチングを行う際、基板11の表面部分もエッチングして、基板11に穿孔部が形成されてもよい。
また本実施の形態では、最後に残存したレジスト層を除去せずに、次に述べる有機化合物層形成行程に移行することが好ましい。
有機化合物層14を形成するには、陽極層12や誘電体層13を形成したのと同様の手法を使用することができる。ただし有機化合物層14に含まれる各層の成膜には、抵抗加熱蒸着法または塗布法がより好ましく、高分子有機化合物を含む層の成膜を行なうには特に塗布法が好ましい。塗布法により成膜を行なう場合は、成膜を行ないたい層を構成する材料を、有機溶媒や水等の所定の溶媒に分散させた塗布溶液を塗布する。塗布を行う際にはスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング法、インクジェット法、スリットコーティング法、ディスペンサー法、印刷等の種々の方法を使用することができる。塗布を行った後は、加熱あるいは真空引きを行うことで塗布溶液を乾燥させることで成膜を行ないたい層が形成される。
そしてこの際に前述の第2貫通部形成工程において残存したレジスト層を残して有機化合物層14を形成した場合、有機化合物層14を成膜する際に第2貫通部17の内部およびこのレジスト層の上面に、まず有機化合物層14が形成されることになる。そして、次にレジスト層を除去すると、レジスト層の上面の有機化合物層14は共に除去されるが、第2貫通部17の内部の有機化合物層14は、残存する。即ちこの手法により第2貫通部17内部に選択的に有機化合物層14を形成することができる。
陰極層15を形成するには、陽極層12や誘電体層13を形成したのと同様の手法を使用することができる。
なお有機発光素子10を長期安定的に用い、有機発光素子10を外部から保護するための保護層や保護カバー(図示せず)を装着することが好ましい。保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素、酸化ケイ素等のシリコン化合物などを用いることができる。そして、これらの積層体も用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属などを用いることができる。この保護カバーは、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法を採ることが好ましい。またこの際に、スペーサを用いることで所定の空間を維持することができ、有機発光素子10が傷つくのを防止できるため好ましい。そして、この空間に窒素、アルゴン、ヘリウムのような不活性なガスを封入すれば、上側の陰極層15の酸化を防止しやすくなる。特にヘリウムを用いた場合、熱伝導が高いため、電圧印加時に有機発光素子10より発生する熱を効果的に保護カバーに伝えることができるため、好ましい。更に酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより上記一連の製造工程で吸着した水分が有機発光素子10にダメージを与えるのを抑制しやすくなる。
次に、以上詳述した有機発光素子を備える表示装置について説明を行う。
図4は、本実施の形態における有機発光素子10を用いた表示装置の一例を説明した図である。
図4に示した表示装置200は、いわゆるパッシブマトリクス型の表示装置であり、表示装置基板202、陽極配線204、陽極補助配線206、陰極配線208、絶縁膜210、陰極隔壁212、有機発光素子10、封止プレート216、シール材218とを備えている。
次に、本実施の形態の有機発光素子を用いた照明装置について説明を行う。
図5は、本実施の形態における有機発光素子10を備える照明装置の一例を説明した図である。
図5に示した照明装置300は、上述した有機発光素子10と、有機発光素子10の基板11(図1参照)に隣接して設置され陽極層12(図1参照)に接続される端子302と、基板11に隣接して設置され有機発光素子10の陰極層15(図1参照)に接続される端子303と、端子302と端子303とに接続し有機発光素子10を駆動するための点灯回路301とから構成される。
WO2010−16512号公報に記載された方法に従って下記の燐光発光性高分子化合物(A)を合成した。高分子化合物(A)の重量平均分子量は52,000、各繰り返し単位のモル比はk:m:n=6:42:52であった。
有機発光素子として、図1に示した有機発光素子10を、以下の方法により作製した。
まず基板11として石英ガラスからなるガラス基板(25mm角、厚さ1mm)上に、スパッタ装置(キヤノンアネルバ株式会社製E−401s)を用いて、陽極層12としてITOの薄膜(屈折率1.8)を150nm形成した。
まず実施例1と同様にしてガラス基板上に陽極層としてITO膜を形成した。次に陽極層の上面にSOG液(東京応化工業株式会社製、OCD T−7)をスピンコート法により塗布した後、加熱処理(空気中、80℃で3分間、その後150℃で3分間、その後200℃で3分間)を行うことで、誘電体層として50nmの厚さのSOG膜を形成した。
次に実施例1と同様にして溶液Aの塗布、レジスト残渣の除去を行って上記貫通孔内に有機化合物層を形成した後、陰極バッファ層および陰極層を成膜して有機発光素子を作製した。
以上の工程により実施例1で作製した有機発光素子10に対し、第1貫通部16を設けない有機発光素子を作製した。
フォトレジスト層のパターニングに用いるマスクBの替わりにマスクAを用いた以外は、比較例1と同様にして有機発光素子を作製した。これにより比較例1で作製した有機発光素子に対し、貫通孔のピッチが2μmとなる有機発光素子を作製した。
実施例1、および比較例1、2で作製した有機発光素子に、定電圧電源電流計(ケイスレーインスツルメンツ株式会社製SM2400)を用いて段階的に電圧を印加し、有機発光素子の発光強度を輝度計(株式会社トプコン製BM−9)で計測した。そして、電流密度に対する発光強度の比から発光効率を決定した。
結果を以下の表1に示す。発光効率については、示した数値が大きいほど発光効率が良好であることを意味する。
Claims (7)
- 基板上に形成される透明な第1電極層と、
前記第1電極層を貫通して形成される第1貫通部と、
前記第1電極層の上面および前記第1貫通部の内面を覆って形成される誘電体層と、
前記第1電極層および前記誘電体層を貫通して形成される第2貫通部と、
少なくとも前記第2貫通部の内面を覆って形成される発光層を含む有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成される第2電極層と、
を含み、
前記誘電体層の屈折率が、前記第1電極層の屈折率よりも小さい有機発光素子。 - 前記誘電体層は、上面が平面状に形成される請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記誘電体層の屈折率が、前記有機化合物層の屈折率よりも小さい請求項1または2に記載の有機発光素子。
- 前記第1貫通部および前記第2貫通部が、前記第1電極層の面内において、最大幅が10μm以下の円形形状または多角形形状を有するとともに、
前記第1電極層の任意の面内において、いずれも1mm2中に103〜108個形成されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機発光素子。 - 基板上に第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層を貫通する第1貫通部を形成する第1貫通部形成工程と、
前記第1電極層の上面および前記第1貫通部の内面を誘電体で覆う誘電体層形成工程と、
前記第1電極層および前記誘電体層を貫通する第2貫通部を形成する第2貫通部形成工程と、
少なくとも前記第2貫通部の内面を覆って形成される発光層を含む有機化合物層を形成する有機化合物層形成工程と、
前記有機化合物層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
を含む有機発光素子の製造方法。 - 請求項1乃至4の何れか1項に記載の有機発光素子を備える表示装置。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の有機発光素子を備える照明装置。
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