JP5022536B2 - メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたｑｆｐ型の半導体パッケージ - Google Patents
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Description
【０００１】
本発明は、メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたＱＦＰ型の半導体パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化、高密度化、高速化に伴い半導体素子の消費電力が増大し、半導体素子の発熱が問題となっている。
この発熱の問題を解決するために半導体素子を搭載する基板に窒化アルミニウムなどのセラミックス基板が用いられるようになっている。窒化アルミニウム基板は熱伝導性が150W/m・k以上と優れた熱伝導性を有していることから放熱性も良好である。この放熱性を利用して近年では、例えば大電力パワーモジュール用基板やスーパーコンピュータ用パッケージなど各種電子回路基板並びに半導体パッケージに活用されている。
電子回路基板や半導体パッケージを形成する際には、窒化アルミニウム基板上にろう材などのメタライズ層を設けその上に半導体素子をろう付け又は導電性接着剤により接合することになる。このとき、窒化アルミニウム基板上に直接メタライズ層を設けるとメタライズ層とろう材の濡れ性が悪い場合にはメタライズ層に悪影響を与えフクレなどの不具合の原因となっていた。
また、半導体パッケージとして用いる際にリードフレームおよびキャップ部をガラス系封着材により封着することになるが、封着時の熱処理により窒化アルミニウムが分解してしまい窒素ガスが噴出され気密性を劣化させるなどの不具合が発生していた。
【０００３】
このような問題を解決するために従来から窒化アルミニウム基板に酸化膜を設けることが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板は酸化膜を設けることのみに着目していたため酸化膜の膜厚にバラツキが生じていた。酸化膜の膜厚にバラツキがあると、酸化膜の厚い部位と薄い部位が存在してしまい、ろう付け時の熱の伝わり方にバラツキが生じてしまっていた。メタライズ層への熱の伝わり方にバラツキが生じてしまうとメタライズ層であるろう材中の金属粒子が均一に溶解せず、特に酸化膜の凹部に入り込んだ金属粒子が均一に溶解せず凹部中で粒成長してしまい、この粒成長した金属粒子が原因となり酸化膜との間に若干の空隙を形成してしまうことが判明した。このようなメタライズ層を構成する金属粒子の粒成長に伴う空隙はメタライズ層の接合強度を低下させるだけでなく、フクレの原因になってしまうことが判明した。
このような問題を解決するために酸化膜の厚さを厚くすることが考えられるが、酸化膜は熱伝導率があまり良くないため厚くしすぎると熱抵抗となってしまうことから窒化アルミニウムの熱伝導性の良さをいかしきれなくなる。さらに酸化膜が厚すぎると各種熱処理に伴い酸化膜自体が熱膨張を起こし、この熱膨張がメタライズ層などへの不具合の原因にもなっていた。
【０００５】
また、同様に半導体パッケージとしてガラス系封着材により封着する際も酸化膜の膜厚にバラツキがあると、酸化膜の薄い部位のみから窒素ガスが噴出しようとしてしまい不要な応力集中が生じてしまう。さらに、封着部以外からも窒素ガスの噴出が起きてしまい、この噴出した窒素ガスが封着部に悪影響を与えることもある。
このような酸化膜の膜厚のバラツキに基づく不要な応力集中は、外観から判断しずらくメタライズ層を形成した後、半導体素子をろう付けした後、リードフレーム封着後、もしくは半導体素子可動中に窒化アルミニウムとメタライズ層、リードフレーム、ガラス系封着材との熱膨張差から膜剥がれなどの不具合が生じて初めて分かるものである。同様に酸化膜の厚い部位は熱抵抗がその部分のみ高くなってしまうと共に、前述の熱膨張に伴う膜剥がれやフクレなどをさらに増長する結果となっていた。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、窒化アルミニウム基板の全面に酸化膜を設けた基板において、酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下の均一な酸化膜を設けることにより、液相成分の噴出によるメタライズ層のフクレ、リードフレーム等との熱膨張差に伴う膜剥がれなどの不具合を低減した窒化アルミニウム基板およびそれを用いた半導体パッケージを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のメタライズ化された窒化アルミニウム基板は、全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板において、前記メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が０．３μｍ以上２μｍ以下、膜厚の最大値と最小値の差が０．２μｍ以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が２００μｍ以上とされており、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａが０．８μｍ以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲｍａｘが６μｍ以下であり、前記メタライズ層に最大径０．２ｍｍ以上のフクレが存在せず、かつ最大径０．２ｍｍ未満のフクレの個数が１個以下であることを特徴とするものである。
【０００７】
また、酸化膜を設ける前の窒化アルミニウム基板の表面粗さRaが0.8μｍ以下、または表面粗さRmaxが6μｍ以下であることが好ましい。
このような本発明の窒化アルミニウム基板は酸化膜上の少なくとも１部にメタライズ層を設けた形態で使用することが好ましく、メタライズ層を形成した際に実質的にメタライズ層に最大径0.2mm以上のフクレが存在しないことになる。
【０００８】
同様に、本発明のＱＦＰ型の半導体パッケージは、全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板を用いたＱＦＰ型の半導体パッケージにおいて、前記メタライズ層および封着材により封着される個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が０．３μｍ以上２μｍ以下、膜厚の最大値と最小値の差が０．２μｍ以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が２００μｍ以上とされており、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａが０．８μｍ以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲｍａｘが６μｍ以下であり、前記メタライズ層に最大径０．２ｍｍ以上のフクレが存在せず、かつ最大径０．２ｍｍ未満のフクレの個数が１個以下であり、封着される個所はガラス系封着材によりリードフレームを接合しており、リードフレームによる入出力数が１２０本以上であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の窒化アルミニウム基板は、基板全面に酸化膜を設け、メタライズ層を設ける個所もしくは封着材により封着される個所に存在する酸化膜の膜厚を0.3〜2μｍかつ膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下と均一な酸化膜を設けることにより、メタライズ層のフクレ、窒素ガスの噴出などの不具合を低減し、信頼性のある窒化アルミニウム基板もしくは半導体パッケージを実現するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の窒化アルミニウム基板並びにそれを用いた半導体パッケージの実施の形態について説明する。
本発明の窒化アルミニウム基板は例えば図１に示したように全面に酸化膜を設けたものである。図１中、１は窒化アルミニウム基板、２は酸化膜、３はメタライズ層を示す。酸化膜が一部、例えばメタライズ層形成面のみにしか形成されていないとメタライズ層形成時もしくは半導体素子ろう付け時の熱処理により生ずるフクレや窒素ガスの噴出を抑えられなくなる。
【００１１】
また、酸化膜のある部位と無い部位で熱膨張率の差が生じてしまうこともフクレ等の不具合の原因と考えられる。従って、酸化膜を窒化アルミニウム基板の全面に設ける形態が好ましい。
メタライズ層もしくは封着材により封着される個所に存在する酸化膜の平均厚さは0.3μｍ以上2μｍ以下である。酸化膜の厚さが0.3μｍ未満であると、膜厚が薄すぎるため酸化膜を設ける効果が小さく窒素ガスの噴出などの不具合を生じ易い。一方、酸化膜の膜厚が2μｍを超えると、窒素ガスの噴出などは抑えられるものの酸化膜は窒化アルミニウムと比べて熱伝導率が悪いことから基板（または半導体パッケージ）として熱抵抗が悪くなってしまい、窒化アルミニウムの放熱性の良さをいかせなくなってしまう。また、各種熱処理時に酸化膜自体が熱膨張することから酸化膜の厚さが2μｍを超えることは好ましくない。従って、酸化膜の膜厚は0.3μｍ以上2μｍ以下、好ましくは0.5μｍ以上1.5μｍ以下である。
【００１２】
本発明では、所定の酸化膜厚を具備する個所は窒化アルミニウム基板においてはメタライズ層を設ける個所、半導体パッケージにおいてはメタライズ層を設ける個所および封着材により封着される個所としたが、本発明の窒化アルミニウム基板全体に酸化膜を具備するものであり、それ以外の個所については平均膜厚0.3μｍ以上2μｍ以下の範囲内であることが好ましい。同様に、メタライズ層および封着される個所以外の酸化膜厚さの最大値と最小値の差は0.2μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
酸化膜の膜厚および最大値と最小値の差の測定方法は、酸化膜を設ける前の窒化アルミニウム基板の重量と酸化膜を設けた後の窒化アルミニウム基板の重量との差（この重量差が実質的に酸化膜の重量を示す）から平均膜厚を求める方法が有効であり、この方法は窒化アルミニウム基板を酸化性雰囲気にて加熱することにより酸化アルミニウム膜を設けた基板に特に有効である。
【００１４】
また、別の方法では、酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板の断面をFESEM等で分析する方法が有効である。分析する際は、メタライズ層を形成している個所すべてが分析できれば問題ないが、簡易的には長さ２００μｍ以上、好ましくは２０００μｍの範囲について任意の３ヶ所を測定し、その平均値で示す方法を用いても良いこととする。なお、断面を形成する際は、メタライズを形成している面の反対側の面をけがいて切断した方が、メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜の形態を変えないで済むことから好ましい。
【００１５】
さらにFESEM等を用いた方法は、拡大写真を用いることから酸化膜の最大値と最小値の差を測定することにも活用できる。また、後述する半導体パッケージの封着部を設ける個所の酸化膜の膜厚および酸化膜厚の最大値と最小値の差を測定する測定方法も同様の方法にて対応可能である。
【００１６】
酸化膜の材質は、酸化物であれば特に限定されるものではないが、酸化アルミニウムであることが好ましい。酸化膜の材質としては、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化銅などの各種酸化物もしくは複合酸化物が適用可能であるが、酸化アルミニウムであれば後述するように窒化アルミニウム基板を酸化雰囲気中で加熱することにより形成できるため安価に製造できる。
他の酸化物である場合、酸化物を含有したペーストやアルコキシドなどの熱処理により酸化物となる化合物を塗布すると言った工程が必要になり必ずしも製造性が良いとは言えない。同様に、スパッタ法やＣＶＤ法により酸化膜を設けることも可能であるが、いずれも製造コストがかかり必ずしも製造性が良いとは言えない。従って、製造性を考慮すると酸化膜としては酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００１７】
本発明ではこのような酸化膜の膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下に抑えている。酸化膜厚の最大値と最小値が0.2μｍを超えると、酸化膜上に必要以上に凹凸ができてしまい、特に凹部にメタライズ層を形成する金属粒子が入り込んでしまい熱処理時に、凹部に入り込んだ金属粒子が他の金属粒子と溶解せず単独に粒成長してしまうことにより、酸化膜とメタライズ層との間に空隙を形成してしまいフクレの原因となる。
また、酸化膜と窒化アルミニウムの熱膨張差、あるいは酸化膜の厚い部位と薄い部位の熱抵抗の差からくる酸化膜自体の熱膨張の差などに伴う不要な応力集中や窒素ガスの噴出に伴う不要な応力集中を酸化膜厚の薄い部位に起こし易くしてしまう。従って、酸化膜厚の最大値と最小値が0.2μｍ以下、好ましくは0.1μｍ以下である。
【００１８】
また、メタライズ層を形成する金属粒子の粒成長や不要な応力集中を緩和するという概念からすると、酸化膜厚の最大値と最小値を示す部位があまり近くにある形状であると酸化膜の断面形状に急勾配の谷間ができてしまうことから好ましい形態ではない。そのため酸化膜厚の最大値と最小値を示す部位は直線距離で200μｍ以上、さらには1000μｍ以上離れた形状である好ましい。
【００１９】
なお、酸化膜の最大値と最小値の部位の測定方法としては、窒化アルミニウム基板（または半導体パッケージ）のメタライズ層（または封着部）を設ける部分の酸化膜について測定できれば特に問題はないが、簡易的には任意の2000μｍの断面積を３ヶ所調べる方法を用いてもよい。
【００２０】
本発明の窒化アルミニウム基板は膜厚が均一な酸化膜を設けることを特徴とするものである。酸化膜厚を均一に保つには窒化アルミニウム基板の表面粗さも均一な面であることが好ましく、例えば表面粗さRaが0.8μｍ以下、Rmaxが6μｍ以下であることが好ましい。
Raが0.8μｍを超えるまたはRmaxが6μｍを超えると酸化膜の平均膜厚を2μｍを超えた膜厚にしないと酸化膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にし難い。
このような酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下の本発明の窒化アルミニウム基板上にメタライズ層を設けた場合、メタライズ層に最大径0.2mm以上のフクレが実質的に発生しないことになる。
【００２１】
メタライズ層には、Ag、Cu、W、Mo、Au、Ti、Hf、Zr、Pt、Pbの少なくとも１種または２種以上を混合、積層したペースト状、箔状のものを用いてよい。メタライズ層の厚さは10〜30μｍの範囲が好ましく、10μｍ未満ではメタライズ層としての接合強度を保つことができずさらにはフクレが発生し易くなってしまう。一方、30μｍを超えて設けたとしても効果が飽和状態になるだけであり、好ましくは厚さ10〜20μｍの範囲である。
【００２２】
フクレとはメタライズ層に外観上凸部が形成されることであり、このようなフクレが存在すると半導体素子または金属回路板、リードフレームなどを接合する際の接合不良を引き起こす原因となる。特に、最大径0.2mm以上のフクレが接合不良の原因となり易いが、酸化膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下に制御することにより、最大径0.2mm以上のフクレを実質的に無くすことが可能となる。また、微視的に観察するとメタライズ層において最大径200μｍ（0.2mm）未満、さらには最大径20μｍ以下のフクレは単位面積20mm×20mmにおいて0〜２個以下に抑えることが可能となる。なお、フクレの最大径とはメタライズ層を上面または断面を観察して個々のフクレの最も長い対角線を示すものである。
【００２３】
以上のような酸化膜または酸化膜上にメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板は、半導体パッケージにも好適である。
半導体パッケージには、例えば特開平７−２０２１０９号公報に記載されたようにリードフレームを用いたＤＩＰ（ディアルインラインパッケージ）、ＱＦＰ（クァッドフラットパッケージ）やリードピンを用いたＰＧＡ（ピングリッドアレイ）、リードピンをボール形状にしたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、入出力用のランドを用いたＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）などが知られている。例えばリードフレームを用いたパッケージ構造は構造が簡単であるため各種半導体チップに適用されており、特にＱＦＰ型半導体パッケージは入出力信号数の増加にも対応でき、表面実装も可能であることから特に好ましい形態である。本発明の窒化アルミニウム基板はこのような様々なパッケージに適用可能である。
【００２４】
例えば、図２にＱＦＰ型パッケージの断面図の一例を示す。図２中、１は窒化アルミニウム基板、２は酸化膜、３はメタライズ層、４は封止部、５はリードフレーム、６はキャップ部をそれぞれ示す。
ＱＦＰ型半導体パッケージにおいては前述のようにリードフレームにより入出力信号を取り扱うものであり、このリードフレームの数を増やすことがそのままパッケージ並びに半導体チップとしての性能を向上させることになる。このリードフレームは窒化アルミニウム基板およびキャップ部で狭持し、ガラス系封着材で封止することになる。
しかしながら、リードフレームは一般的に、Cu系合金、Fe系合金、Al系合金などの各種合金成分から形成されるものであり、窒化アルミニウムとは熱膨張係数に違いがある。そのため、封着時の熱処理や半導体チップの可動に伴い生ずるリードフレームと窒化アルミニウムの熱膨張差により発生する熱応力により封着部分に亀裂などの未接合部が生じ易く信頼性が十分とは言い難かった。本発明では、この亀裂原因としてリードフレームと窒化アルミニウムの熱膨張差のみに原因があるのではなく、窒化アルミニウム基板上の酸化膜の膜厚のバラツキにもその原因があることを見出したのである。
【００２５】
つまり、窒化アルミニウム基板上の酸化膜の膜厚にバラツキ、具体的には膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍを超えると、前述のように窒素ガスの噴出に伴う不要な応力集中を招いてしまうためリードフレームと窒化アルミニウム基板との熱膨張差に基づく熱応力の影響を必要以上に受けてしまうが、酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下であれば不要な応力集中を防ぐことができるため熱膨張差に基づく熱応力の影響を最小限に抑えることが可能となる。従って、本発明の半導体パッケージにおいては、不要な熱応力を防いでいることから封着部および窒化アルミニウム基板表面からの窒素ガスの発生を実質的になくすことが可能であるから封着部の信頼性を向上させることができる。
同様に、本発明においては半導体素子を窒化アルミニウム基板上にろう付けする際のメタライズ層への不要な応力集中をも防いでいることから、メタライズ層および封着部を具備する半導体パッケージに最適であり、このようなメタライズ層および封着部を具備する半導体パッケージにおいてはメタライズ層のフクレ、封着部の亀裂などの不具合を改善できる。
【００２６】
また、不要な応力集中を防いでいる本発明のパッケージはＱＦＰ型において、例えば単位面積縦40mm×横40mmの窒化アルミニウム基板上にリードフレームによる入出力信号数が１２０本以上、さらには２００本以上とリードフレーム数を増やした場合に特に有効であり、言い換えれば窒化アルミニウム基板の単位面積が40mm×40mm以下の小型のパッケージに特に有効であると言える。
【００２７】
なお、キャップ部については窒化アルミニウム基板と同様に窒化アルミニウム製であることが好ましいが、酸化アルミニウムなどのセラミックスであってもよいし、アルミニウムやインバー合金などの金属製であってもよい。また、キャップ部の酸化膜の有無については、窒化アルミニウム基板に設けたものと同様のものが具備されていることが最も好ましい形態であるが、本発明の酸化膜は窒化アルミニウムを主成分とする基板またはパッケージにおいて特に効果を示すものであるため必ずしも必須の構成ではない。
【００２８】
次に製造方法について説明する。製造方法は、本発明の膜厚のバラツキのない酸化膜が得られれば特に限定されるものではないが、例えば次のような方法がある。
まず、窒化アルミニウム基板を公知の方法により用意する。その窒化アルミニウム基板に対し、膜厚3μｍ以上もしくは最終的に設ける酸化膜厚より1μｍ以上厚い酸化膜を設ける。この酸化膜に対してホーニング加工などの研磨処理を施すことにより、膜厚0.3μｍ以上2μｍ以下かつ膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下の酸化膜を得るのである。
【００２９】
研磨方法としては特に限定されるものではないが、例えばホーニング加工、ラップ加工、研磨紙による研磨などが適用可能である。半導体パッケージに用いる窒化アルミニウム基板の場合、断面凹字形状を有している場合が多く、メタライズ層が凹部内側の角部にまで存在するようなときにはラップ加工では研磨処理を行い難い。従って、研磨方法としてはホーニング加工が好ましく、砥粒番数が200番以上、好ましくは200〜700番の細かい砥粒で研磨することである。砥粒番数が200番未満では砥粒が粗すぎるため酸化膜の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にし難い。一方、700番を超えて細かいと確かに酸化膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にできるが研磨時間が必要以上にかかってしまうため必ずしも製造性が良いとはいえない。
【００３０】
また、酸化膜厚の最大値を示す部位と最小値を示す部位が200μｍ未満と近い距離にしないためには砥粒番数が200番以上400番以下のもので研磨した後、400番以上700番以下の砥粒で研磨する２段階研磨が効果的である。このような２段階の研磨によればあまり硬度が高いとは言えない酸化膜を傷つけないで研磨が可能になることから酸化膜厚の最大値と最小値を示す部位（個所）の距離を200μｍ以上、さらには1000μｍ以上とすることができる。
【００３１】
研磨加工を施す個所については、メタライズ層を設ける個所または封着材により封着される個所を研磨することが好ましく、さらに好ましくは窒化アルミニウム基板に施した酸化膜全体を研磨加工することである。
【００３２】
酸化膜の形成方法については、酸素含有雰囲気中で窒化アルミニウム基板を熱処理する方法が好ましい。Ｓｉ化合物や金属アルコキシドなどの熱処理により酸化物となる化合物を塗布する方法、スパッタ法やＣＶＤ法により酸化膜を設ける方法であっても酸化膜を形成することは可能であるが、いずれも製造工程が複雑であり製造コストもかかることから必ずしも製造性が良いとは言えない。
【００３３】
酸素含有雰囲気とは、大気中や酸素を5〜30vol%含む窒素雰囲気などが好適である。また、熱処理条件としては1000℃以上、好ましくは1100℃以上1400℃以下の温度範囲で１時間以上、好ましくは２時間以上５時間以下である。熱処理条件は1000℃未満であっても酸化膜は形成されるが、1000℃未満であると酸化膜が付き難い。一方、熱処理温度が1400℃を超えると酸化膜が厚い酸化膜が形成されすぎてしまい研磨時間が必要以上にかかってしまい必ずしも製造性が良いとは言えない。さらに、熱処理温度が1600℃以上になると窒化アルミニウム基板中の液相成分の移動が激しくなることからメタライズ層のフクレなどをさらに引き起こす原因となる液相成分を基板表面に移動させ易くしてしまう。
【００３４】
さらに、本発明の窒化アルミニウム基板は酸化膜を設ける前の基板表面が表面粗さRaで0.8μｍ以下、Rmaxで6μｍ以下であることが好ましいため、窒化アルミニウム基板表面についても表面研磨することが好ましい。表面研磨についても砥石番数もしくは砥粒番号が200番以上、さらには400番以上と細かい砥石で研磨することが好ましい。
【００３５】
このように本発明の窒化アルミニウム基板は、必要に応じ基板表面を研磨した後に酸化処理を行い、さらに酸化膜を研磨処理することにより得られるものである。その後、半導体素子を搭載するなど必要な個所にメタライズ層を設ける。
また、半導体パッケージとして用いる場合、例えばＱＦＰ型半導体パッケージならリードフレーム、キャップ部をガラス系封着材により封着接合する。
メタライズ層形成方法については、前述のメタライズ組成物を所定の個所に設け、その後大気中もしくは窒素等の不活性雰囲気中で（800℃以上950℃以下）×（5分以上30分以下）程度の熱処理により設ける。熱処理温度が800℃未満ではメタライズ層の十分な接合強度を保てず、950℃を超えた温度ではメタライズ層に対して急激に熱を与えてしまうためメタライズ層中に気孔を形成し易くしてしまう。熱処理時間についても5分未満ではメタライズ層の十分な接合強度を保てず、30分を超えると加熱効果が飽和になってしまうと共に酸化膜凹部に入り込んだメタライズ層を形成する金属粒子が異常粒成長し易くなってしまう。従って、メタライズ形成条件については前記温度および時間が好ましく、さらに好ましくは830〜900℃×7〜20分である。
【００３６】
半導体パッケージにおける封着方法については、ガラス系封着材を所定の個所に塗布し、必要に応じリードフレームやキャップを設ける。その後、大気中もしくは窒素等の不活性雰囲気中で（800℃以上950℃以下）×（10分以上60分以下）程度の熱処理により設ける。このとき、熱処理温度が950℃を超えるまたは熱処理時間が60分を超えると封着部から窒素ガスが噴出し易くなるので好ましくない。
【００３７】
【実施例】
（実施例１〜５、比較例１〜３）
熱伝導率170W/m・kの窒化アルミニウム基板（Ra：0.8μｍ以下、Rmax：6μｍ以下）を大気中で1260℃×3時間を熱処理することにより膜厚3μｍの酸化アルミニウム膜を設けた窒化アルミニウム基板（縦40mm×横40mm×厚さ0.635mm）を作製した。
この酸化膜付き窒化アルミニウム基板全面に対し、砥粒番数300番の砥石を用いてホーニング加工（ショットブラスト）を行い表１に示す膜厚および膜厚の最大値と最小値を有する酸化膜形態に加工した。
その後、窒素雰囲気中820℃×16分でAg-Pb系ろう材を縦20mm×横20mm×厚さ15μmで設けた際のフクレの有無を確認した。その結果を表１に示す。
なお、本実施例においてフクレの有無を測定するにあたり、最大径0.2μｍ以上のものの有無と、最大径0.2ｍｍ未満の個数を測定した。
比較のために、酸化膜厚を本発明より薄くしたものを比較例１、厚くしたものを比較例２、酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍを超えたものを比較例３とした。なお、各実施例および比較例は各１００個作製し、その平均値を示したものとする。
【００３８】
【表１】
【００３９】
表１から分かる通り、本実施例にかかる窒化アルミニウム基板に関しては、最大径0.2mm以上のフクレは発生しなかった。また、最大径0.2mm以下のフクレは０〜２個の範囲であり、実施例４において確認されたフクレは最大径20μｍ以下と小さなものであった。
それに対し、比較例１の薄い酸化膜を設けたものはメタライズ層に0.2mm以上のフクレが１〜３個程度確認された。同様に比較例３のものについては最大径0.2mm以上の大きなフクレは確認されなかったが、最大径0.2mm未満のフクレは20mm×20mmのメタライズ層中に４個程度のフクレが確認された。これは、酸化膜厚の最大値と最小値が0.8μｍと本発明の範囲外であるため、特に最小値を示す部分に主としてメタライズ層を構成する金属粒子（例えばAg粒子）が入り込み溶解されず粒成長してしまったものと考えられる。
一方、酸化膜厚を3.5μｍと厚く設けた比較例２のものに関しても最大径0.2mm以上のフクレ（３〜５個）および最大径0.2mm未満のフクレが発生してしまった。これは酸化膜が厚くさらには最大値と最小値の差が大きいためにメタライズ工程の熱処理により酸化膜が膨張およびメタライズ層を構成する金属粒子が凹部に入り込み金属粒子が溶解せず単独で粒成長してしまった影響が大きいためフクレが多数発生してしまったものと考えられる。
【００４０】
（実施例５〜８、参考例１）
熱伝導率180W/m・kの窒化アルミニウム基板（Ra：0.7μｍ以下、Rmax：5μｍ以下）を酸素20vol%含有した窒素雰囲気中で1230℃×2時間を熱処理することにより膜厚4μｍの酸化アルミニウム膜を設けた窒化アルミニウム基板（縦40mm×横40mm×厚さ0.635mm）を作製した。
この酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板に対し、表２に示すような研磨処理を行うことにより、平均酸化膜厚を0.7〜2.0μｍ、最大値と最小値の差を0.2μｍに統一し、酸化膜厚の最大値を示す個所と最小値を示す個所の距離を変えたものを作製した。
このような窒化アルミニウム基板に対し、Ag-Pb系ろう材メタライズ層を30mm×30mm×18μｍで設け、熱処理条件870℃×20分としたときの最大径20μｍ以下のフクレの有無を確認した。なお、各実施例および参考例は各１００個作製し、その平均値を示したものとする。
【００４１】
【表２】
【００４２】
表２から分かる通り、本実施例にかかるメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板は最大径20μｍ以下のフクレが０〜２個の範囲内であった。特に、200〜400番の砥粒でホーニング加工施した後、400〜700番の砥粒でホーニング加工を施した実施例５および実施例７はいずれも最大径20μｍ以下のフクレは存在しなかった。つまり、フクレそのものが形成されなかった。このように２段階の加工を施したものは酸化膜厚の最大値と最小値との距離が1000μｍ以上と離れた距離に形成されるのでフクレの原因である酸化膜の厚さのバラツキを微視的に改善することが可能であることが分かる。
それに対し、参考例１のものは砥石番数が200番未満であるため、酸化膜厚および酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下であったとしても、酸化膜厚の最大値と最小値を示す個所の距離が200μｍ未満となってしまい易いことから最大径20μｍ以下のフクレが２個を超えた個数発生してしまうことが分かった。なお、実施例５〜８および参考例１のメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板に関しては最大径0.2μｍ以上のフクレはいずれも観測されなかった。
【００４３】
（実施例９〜１３、比較例４〜５）
熱伝導率190W/m・k以上の窒化アルミニウム基板（Ra：0.6μｍ以下、Rmax：5μｍ以下）およびキャップ部を用いたＱＦＰ型半導体パッケージにおいてリードフレームによる入出力数を160本にし、銅合金製リードフレームと窒化アルミニウム基板並びにキャップ部をガラス系封着材により封着した。
パッケージを作製するにあたり、窒化アルミニウム基板およびキャップ部を酸化処理および研磨加工を施し、表３に設けた酸化膜を得た後、封着処理として880℃×30分の熱処理を施した。その際の窒素ガスの発生などによる封着部の未接合部の割合を確認した。その結果を表３に示す。
なお、未接合部の割合については窒化アルミニウム基板側の封着部の任意の３ヶ所を測定し、その平均値で示した。
【００４４】
【表３】
【００４５】
表３から分かる通り、本実施例にかかる半導体パッケージはいずれも未接合部が1％以下であった。
それに対し、比較例４のものは酸化膜厚が薄いことから窒素ガスが噴出してしまい未接合部が３％と非情に高かった。また、比較例５においては酸化膜が厚いことから窒素ガスの噴出は確認されなかったが、酸化膜の熱膨張が激しいことから未接合部が５％と大きくなってしまった。
【００４６】
（実施例１４〜１８、比較例６）
実施例５および実施例６のメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板を実施例１０のＱＦＰ型半導体パッケージに用いた。その際に銅合金製リードフレームによる入出力数を表４のように変えた場合のメタライズ層における最大径20μｍ以下のフクレの数、および封着部の未接合部の割合を確認した。比較例６として実施例１８のＱＦＰ型半導体パッケージにおいてメタライズ層形成部および封着部以外に形成された酸化膜を研磨により削除したものを用意し、同様の測定を行った。なお、各実施例および比較例は各１００個作製し、その平均値を示したものとする。その結果を表４に示す。
【００４７】
【表４】
【００４８】
表４から分かる通り、本実施例にかかる半導体パッケージはリードフレームによる入出力数が１６０本以上となったとしても最大径20μｍ以下のフクレの数は０〜１個の範囲内であることが分かった。
一方、封着部の未接合部の割合についてはリードフレームの数が２４０本まで増えたとしても劣化することがないことが分かった。
それに対し、比較例６のように窒化アルミニウム基板の全面に酸化膜を設けていないものはフクレの数および未接合部の割合が共に劣化してしまった。これは全面に酸化膜を設けていないため、酸化膜の熱膨張または窒素ガスの噴出による影響を抑制することができなかったため窒化アルミニウム基板に熱膨張の歪みが発生してしまったためであると考えられる。
このような本発明の半導体パッケージにかかればリードフレームによる入出力数が１２０本以上と多入出力数化を行ったとしても優れた封着性を保つことが可能となる。
【００４９】
（実施例１９〜２１、参考例２）
次に、熱伝導率180W/m・kの窒化アルミニウム基板を用い、表面研磨を施すことにより表面粗さを変えた窒化アルミニウム基板を作製した。各窒化アルミニウム基板に対し、大気中で1200℃×２時間にて膜厚5μｍの酸化膜を設けた後、
200番の砥粒によりホーニング加工を施した後、400番の砥粒によりホーニング加工を施した。各ホーニング加工を施した後の酸化膜の膜厚、酸化膜厚の最大値と最小値の差を測定した。その結果を表５に示す。
【００５０】
【表５】
【００５１】
表５から分かる通り、Raが0.8μｍ以下かつRmaxが5μｍ以下の実施例１９ないし実施例２１は酸化膜の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にできた。
一方、RaおよびRmaxが本発明の好ましい範囲でない参考例２は、酸化膜厚が本発明の範囲内にしたときに酸化膜の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にし難いことが判明した。このような結果から本発明の窒化アルミニウム基板並びに半導体パッケージにおいてはRaが0.5μｍ以下、Rmaxが5μｍ以下の窒化アルミニウム基板であることが好ましいことが分かった。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のように、窒化アルミニウム基板全面に酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板において、メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜の膜厚が0.3〜4μｍかつ膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下と均一な酸化膜を設けることにより、最大径0.2μｍ以上のフクレを無くすことが可能となる。さらに、メタライズ層における最大径20μｍ以下の微小なフクレをも単位面積20mm×20mmあたりに２個以下と制御することが可能となる。
また、半導体パッケージの封着部に同様の酸化膜を設けることにより、封着時の窒素ガスの噴出および酸化膜の熱膨張による未接合部の発生を極力抑えることが可能となる。特に、リードフレームによる入出力数が１２０本以上と多入出力型のＱＦＰ型半導体パッケージにおいては特に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のＱＦＰ型半導体パッケージの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１…窒化アルミニウム基板
２…酸化膜
３…メタライズ層
４…封着部
５…リードフレーム
６…キャップ
７…半導体素子
本発明は、メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたＱＦＰ型の半導体パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化、高密度化、高速化に伴い半導体素子の消費電力が増大し、半導体素子の発熱が問題となっている。
この発熱の問題を解決するために半導体素子を搭載する基板に窒化アルミニウムなどのセラミックス基板が用いられるようになっている。窒化アルミニウム基板は熱伝導性が150W/m・k以上と優れた熱伝導性を有していることから放熱性も良好である。この放熱性を利用して近年では、例えば大電力パワーモジュール用基板やスーパーコンピュータ用パッケージなど各種電子回路基板並びに半導体パッケージに活用されている。
電子回路基板や半導体パッケージを形成する際には、窒化アルミニウム基板上にろう材などのメタライズ層を設けその上に半導体素子をろう付け又は導電性接着剤により接合することになる。このとき、窒化アルミニウム基板上に直接メタライズ層を設けるとメタライズ層とろう材の濡れ性が悪い場合にはメタライズ層に悪影響を与えフクレなどの不具合の原因となっていた。
また、半導体パッケージとして用いる際にリードフレームおよびキャップ部をガラス系封着材により封着することになるが、封着時の熱処理により窒化アルミニウムが分解してしまい窒素ガスが噴出され気密性を劣化させるなどの不具合が発生していた。
【０００３】
このような問題を解決するために従来から窒化アルミニウム基板に酸化膜を設けることが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板は酸化膜を設けることのみに着目していたため酸化膜の膜厚にバラツキが生じていた。酸化膜の膜厚にバラツキがあると、酸化膜の厚い部位と薄い部位が存在してしまい、ろう付け時の熱の伝わり方にバラツキが生じてしまっていた。メタライズ層への熱の伝わり方にバラツキが生じてしまうとメタライズ層であるろう材中の金属粒子が均一に溶解せず、特に酸化膜の凹部に入り込んだ金属粒子が均一に溶解せず凹部中で粒成長してしまい、この粒成長した金属粒子が原因となり酸化膜との間に若干の空隙を形成してしまうことが判明した。このようなメタライズ層を構成する金属粒子の粒成長に伴う空隙はメタライズ層の接合強度を低下させるだけでなく、フクレの原因になってしまうことが判明した。
このような問題を解決するために酸化膜の厚さを厚くすることが考えられるが、酸化膜は熱伝導率があまり良くないため厚くしすぎると熱抵抗となってしまうことから窒化アルミニウムの熱伝導性の良さをいかしきれなくなる。さらに酸化膜が厚すぎると各種熱処理に伴い酸化膜自体が熱膨張を起こし、この熱膨張がメタライズ層などへの不具合の原因にもなっていた。
【０００５】
また、同様に半導体パッケージとしてガラス系封着材により封着する際も酸化膜の膜厚にバラツキがあると、酸化膜の薄い部位のみから窒素ガスが噴出しようとしてしまい不要な応力集中が生じてしまう。さらに、封着部以外からも窒素ガスの噴出が起きてしまい、この噴出した窒素ガスが封着部に悪影響を与えることもある。
このような酸化膜の膜厚のバラツキに基づく不要な応力集中は、外観から判断しずらくメタライズ層を形成した後、半導体素子をろう付けした後、リードフレーム封着後、もしくは半導体素子可動中に窒化アルミニウムとメタライズ層、リードフレーム、ガラス系封着材との熱膨張差から膜剥がれなどの不具合が生じて初めて分かるものである。同様に酸化膜の厚い部位は熱抵抗がその部分のみ高くなってしまうと共に、前述の熱膨張に伴う膜剥がれやフクレなどをさらに増長する結果となっていた。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、窒化アルミニウム基板の全面に酸化膜を設けた基板において、酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下の均一な酸化膜を設けることにより、液相成分の噴出によるメタライズ層のフクレ、リードフレーム等との熱膨張差に伴う膜剥がれなどの不具合を低減した窒化アルミニウム基板およびそれを用いた半導体パッケージを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のメタライズ化された窒化アルミニウム基板は、全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板において、前記メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が０．３μｍ以上２μｍ以下、膜厚の最大値と最小値の差が０．２μｍ以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が２００μｍ以上とされており、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａが０．８μｍ以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲｍａｘが６μｍ以下であり、前記メタライズ層に最大径０．２ｍｍ以上のフクレが存在せず、かつ最大径０．２ｍｍ未満のフクレの個数が１個以下であることを特徴とするものである。
【０００７】
また、酸化膜を設ける前の窒化アルミニウム基板の表面粗さRaが0.8μｍ以下、または表面粗さRmaxが6μｍ以下であることが好ましい。
このような本発明の窒化アルミニウム基板は酸化膜上の少なくとも１部にメタライズ層を設けた形態で使用することが好ましく、メタライズ層を形成した際に実質的にメタライズ層に最大径0.2mm以上のフクレが存在しないことになる。
【０００８】
同様に、本発明のＱＦＰ型の半導体パッケージは、全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板を用いたＱＦＰ型の半導体パッケージにおいて、前記メタライズ層および封着材により封着される個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が０．３μｍ以上２μｍ以下、膜厚の最大値と最小値の差が０．２μｍ以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が２００μｍ以上とされており、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａが０．８μｍ以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲｍａｘが６μｍ以下であり、前記メタライズ層に最大径０．２ｍｍ以上のフクレが存在せず、かつ最大径０．２ｍｍ未満のフクレの個数が１個以下であり、封着される個所はガラス系封着材によりリードフレームを接合しており、リードフレームによる入出力数が１２０本以上であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の窒化アルミニウム基板は、基板全面に酸化膜を設け、メタライズ層を設ける個所もしくは封着材により封着される個所に存在する酸化膜の膜厚を0.3〜2μｍかつ膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下と均一な酸化膜を設けることにより、メタライズ層のフクレ、窒素ガスの噴出などの不具合を低減し、信頼性のある窒化アルミニウム基板もしくは半導体パッケージを実現するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の窒化アルミニウム基板並びにそれを用いた半導体パッケージの実施の形態について説明する。
本発明の窒化アルミニウム基板は例えば図１に示したように全面に酸化膜を設けたものである。図１中、１は窒化アルミニウム基板、２は酸化膜、３はメタライズ層を示す。酸化膜が一部、例えばメタライズ層形成面のみにしか形成されていないとメタライズ層形成時もしくは半導体素子ろう付け時の熱処理により生ずるフクレや窒素ガスの噴出を抑えられなくなる。
【００１１】
また、酸化膜のある部位と無い部位で熱膨張率の差が生じてしまうこともフクレ等の不具合の原因と考えられる。従って、酸化膜を窒化アルミニウム基板の全面に設ける形態が好ましい。
メタライズ層もしくは封着材により封着される個所に存在する酸化膜の平均厚さは0.3μｍ以上2μｍ以下である。酸化膜の厚さが0.3μｍ未満であると、膜厚が薄すぎるため酸化膜を設ける効果が小さく窒素ガスの噴出などの不具合を生じ易い。一方、酸化膜の膜厚が2μｍを超えると、窒素ガスの噴出などは抑えられるものの酸化膜は窒化アルミニウムと比べて熱伝導率が悪いことから基板（または半導体パッケージ）として熱抵抗が悪くなってしまい、窒化アルミニウムの放熱性の良さをいかせなくなってしまう。また、各種熱処理時に酸化膜自体が熱膨張することから酸化膜の厚さが2μｍを超えることは好ましくない。従って、酸化膜の膜厚は0.3μｍ以上2μｍ以下、好ましくは0.5μｍ以上1.5μｍ以下である。
【００１２】
本発明では、所定の酸化膜厚を具備する個所は窒化アルミニウム基板においてはメタライズ層を設ける個所、半導体パッケージにおいてはメタライズ層を設ける個所および封着材により封着される個所としたが、本発明の窒化アルミニウム基板全体に酸化膜を具備するものであり、それ以外の個所については平均膜厚0.3μｍ以上2μｍ以下の範囲内であることが好ましい。同様に、メタライズ層および封着される個所以外の酸化膜厚さの最大値と最小値の差は0.2μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
酸化膜の膜厚および最大値と最小値の差の測定方法は、酸化膜を設ける前の窒化アルミニウム基板の重量と酸化膜を設けた後の窒化アルミニウム基板の重量との差（この重量差が実質的に酸化膜の重量を示す）から平均膜厚を求める方法が有効であり、この方法は窒化アルミニウム基板を酸化性雰囲気にて加熱することにより酸化アルミニウム膜を設けた基板に特に有効である。
【００１４】
また、別の方法では、酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板の断面をFESEM等で分析する方法が有効である。分析する際は、メタライズ層を形成している個所すべてが分析できれば問題ないが、簡易的には長さ２００μｍ以上、好ましくは２０００μｍの範囲について任意の３ヶ所を測定し、その平均値で示す方法を用いても良いこととする。なお、断面を形成する際は、メタライズを形成している面の反対側の面をけがいて切断した方が、メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜の形態を変えないで済むことから好ましい。
【００１５】
さらにFESEM等を用いた方法は、拡大写真を用いることから酸化膜の最大値と最小値の差を測定することにも活用できる。また、後述する半導体パッケージの封着部を設ける個所の酸化膜の膜厚および酸化膜厚の最大値と最小値の差を測定する測定方法も同様の方法にて対応可能である。
【００１６】
酸化膜の材質は、酸化物であれば特に限定されるものではないが、酸化アルミニウムであることが好ましい。酸化膜の材質としては、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化銅などの各種酸化物もしくは複合酸化物が適用可能であるが、酸化アルミニウムであれば後述するように窒化アルミニウム基板を酸化雰囲気中で加熱することにより形成できるため安価に製造できる。
他の酸化物である場合、酸化物を含有したペーストやアルコキシドなどの熱処理により酸化物となる化合物を塗布すると言った工程が必要になり必ずしも製造性が良いとは言えない。同様に、スパッタ法やＣＶＤ法により酸化膜を設けることも可能であるが、いずれも製造コストがかかり必ずしも製造性が良いとは言えない。従って、製造性を考慮すると酸化膜としては酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００１７】
本発明ではこのような酸化膜の膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下に抑えている。酸化膜厚の最大値と最小値が0.2μｍを超えると、酸化膜上に必要以上に凹凸ができてしまい、特に凹部にメタライズ層を形成する金属粒子が入り込んでしまい熱処理時に、凹部に入り込んだ金属粒子が他の金属粒子と溶解せず単独に粒成長してしまうことにより、酸化膜とメタライズ層との間に空隙を形成してしまいフクレの原因となる。
また、酸化膜と窒化アルミニウムの熱膨張差、あるいは酸化膜の厚い部位と薄い部位の熱抵抗の差からくる酸化膜自体の熱膨張の差などに伴う不要な応力集中や窒素ガスの噴出に伴う不要な応力集中を酸化膜厚の薄い部位に起こし易くしてしまう。従って、酸化膜厚の最大値と最小値が0.2μｍ以下、好ましくは0.1μｍ以下である。
【００１８】
また、メタライズ層を形成する金属粒子の粒成長や不要な応力集中を緩和するという概念からすると、酸化膜厚の最大値と最小値を示す部位があまり近くにある形状であると酸化膜の断面形状に急勾配の谷間ができてしまうことから好ましい形態ではない。そのため酸化膜厚の最大値と最小値を示す部位は直線距離で200μｍ以上、さらには1000μｍ以上離れた形状である好ましい。
【００１９】
なお、酸化膜の最大値と最小値の部位の測定方法としては、窒化アルミニウム基板（または半導体パッケージ）のメタライズ層（または封着部）を設ける部分の酸化膜について測定できれば特に問題はないが、簡易的には任意の2000μｍの断面積を３ヶ所調べる方法を用いてもよい。
【００２０】
本発明の窒化アルミニウム基板は膜厚が均一な酸化膜を設けることを特徴とするものである。酸化膜厚を均一に保つには窒化アルミニウム基板の表面粗さも均一な面であることが好ましく、例えば表面粗さRaが0.8μｍ以下、Rmaxが6μｍ以下であることが好ましい。
Raが0.8μｍを超えるまたはRmaxが6μｍを超えると酸化膜の平均膜厚を2μｍを超えた膜厚にしないと酸化膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にし難い。
このような酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下の本発明の窒化アルミニウム基板上にメタライズ層を設けた場合、メタライズ層に最大径0.2mm以上のフクレが実質的に発生しないことになる。
【００２１】
メタライズ層には、Ag、Cu、W、Mo、Au、Ti、Hf、Zr、Pt、Pbの少なくとも１種または２種以上を混合、積層したペースト状、箔状のものを用いてよい。メタライズ層の厚さは10〜30μｍの範囲が好ましく、10μｍ未満ではメタライズ層としての接合強度を保つことができずさらにはフクレが発生し易くなってしまう。一方、30μｍを超えて設けたとしても効果が飽和状態になるだけであり、好ましくは厚さ10〜20μｍの範囲である。
【００２２】
フクレとはメタライズ層に外観上凸部が形成されることであり、このようなフクレが存在すると半導体素子または金属回路板、リードフレームなどを接合する際の接合不良を引き起こす原因となる。特に、最大径0.2mm以上のフクレが接合不良の原因となり易いが、酸化膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下に制御することにより、最大径0.2mm以上のフクレを実質的に無くすことが可能となる。また、微視的に観察するとメタライズ層において最大径200μｍ（0.2mm）未満、さらには最大径20μｍ以下のフクレは単位面積20mm×20mmにおいて0〜２個以下に抑えることが可能となる。なお、フクレの最大径とはメタライズ層を上面または断面を観察して個々のフクレの最も長い対角線を示すものである。
【００２３】
以上のような酸化膜または酸化膜上にメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板は、半導体パッケージにも好適である。
半導体パッケージには、例えば特開平７−２０２１０９号公報に記載されたようにリードフレームを用いたＤＩＰ（ディアルインラインパッケージ）、ＱＦＰ（クァッドフラットパッケージ）やリードピンを用いたＰＧＡ（ピングリッドアレイ）、リードピンをボール形状にしたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、入出力用のランドを用いたＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）などが知られている。例えばリードフレームを用いたパッケージ構造は構造が簡単であるため各種半導体チップに適用されており、特にＱＦＰ型半導体パッケージは入出力信号数の増加にも対応でき、表面実装も可能であることから特に好ましい形態である。本発明の窒化アルミニウム基板はこのような様々なパッケージに適用可能である。
【００２４】
例えば、図２にＱＦＰ型パッケージの断面図の一例を示す。図２中、１は窒化アルミニウム基板、２は酸化膜、３はメタライズ層、４は封止部、５はリードフレーム、６はキャップ部をそれぞれ示す。
ＱＦＰ型半導体パッケージにおいては前述のようにリードフレームにより入出力信号を取り扱うものであり、このリードフレームの数を増やすことがそのままパッケージ並びに半導体チップとしての性能を向上させることになる。このリードフレームは窒化アルミニウム基板およびキャップ部で狭持し、ガラス系封着材で封止することになる。
しかしながら、リードフレームは一般的に、Cu系合金、Fe系合金、Al系合金などの各種合金成分から形成されるものであり、窒化アルミニウムとは熱膨張係数に違いがある。そのため、封着時の熱処理や半導体チップの可動に伴い生ずるリードフレームと窒化アルミニウムの熱膨張差により発生する熱応力により封着部分に亀裂などの未接合部が生じ易く信頼性が十分とは言い難かった。本発明では、この亀裂原因としてリードフレームと窒化アルミニウムの熱膨張差のみに原因があるのではなく、窒化アルミニウム基板上の酸化膜の膜厚のバラツキにもその原因があることを見出したのである。
【００２５】
つまり、窒化アルミニウム基板上の酸化膜の膜厚にバラツキ、具体的には膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍを超えると、前述のように窒素ガスの噴出に伴う不要な応力集中を招いてしまうためリードフレームと窒化アルミニウム基板との熱膨張差に基づく熱応力の影響を必要以上に受けてしまうが、酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下であれば不要な応力集中を防ぐことができるため熱膨張差に基づく熱応力の影響を最小限に抑えることが可能となる。従って、本発明の半導体パッケージにおいては、不要な熱応力を防いでいることから封着部および窒化アルミニウム基板表面からの窒素ガスの発生を実質的になくすことが可能であるから封着部の信頼性を向上させることができる。
同様に、本発明においては半導体素子を窒化アルミニウム基板上にろう付けする際のメタライズ層への不要な応力集中をも防いでいることから、メタライズ層および封着部を具備する半導体パッケージに最適であり、このようなメタライズ層および封着部を具備する半導体パッケージにおいてはメタライズ層のフクレ、封着部の亀裂などの不具合を改善できる。
【００２６】
また、不要な応力集中を防いでいる本発明のパッケージはＱＦＰ型において、例えば単位面積縦40mm×横40mmの窒化アルミニウム基板上にリードフレームによる入出力信号数が１２０本以上、さらには２００本以上とリードフレーム数を増やした場合に特に有効であり、言い換えれば窒化アルミニウム基板の単位面積が40mm×40mm以下の小型のパッケージに特に有効であると言える。
【００２７】
なお、キャップ部については窒化アルミニウム基板と同様に窒化アルミニウム製であることが好ましいが、酸化アルミニウムなどのセラミックスであってもよいし、アルミニウムやインバー合金などの金属製であってもよい。また、キャップ部の酸化膜の有無については、窒化アルミニウム基板に設けたものと同様のものが具備されていることが最も好ましい形態であるが、本発明の酸化膜は窒化アルミニウムを主成分とする基板またはパッケージにおいて特に効果を示すものであるため必ずしも必須の構成ではない。
【００２８】
次に製造方法について説明する。製造方法は、本発明の膜厚のバラツキのない酸化膜が得られれば特に限定されるものではないが、例えば次のような方法がある。
まず、窒化アルミニウム基板を公知の方法により用意する。その窒化アルミニウム基板に対し、膜厚3μｍ以上もしくは最終的に設ける酸化膜厚より1μｍ以上厚い酸化膜を設ける。この酸化膜に対してホーニング加工などの研磨処理を施すことにより、膜厚0.3μｍ以上2μｍ以下かつ膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下の酸化膜を得るのである。
【００２９】
研磨方法としては特に限定されるものではないが、例えばホーニング加工、ラップ加工、研磨紙による研磨などが適用可能である。半導体パッケージに用いる窒化アルミニウム基板の場合、断面凹字形状を有している場合が多く、メタライズ層が凹部内側の角部にまで存在するようなときにはラップ加工では研磨処理を行い難い。従って、研磨方法としてはホーニング加工が好ましく、砥粒番数が200番以上、好ましくは200〜700番の細かい砥粒で研磨することである。砥粒番数が200番未満では砥粒が粗すぎるため酸化膜の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にし難い。一方、700番を超えて細かいと確かに酸化膜厚の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にできるが研磨時間が必要以上にかかってしまうため必ずしも製造性が良いとはいえない。
【００３０】
また、酸化膜厚の最大値を示す部位と最小値を示す部位が200μｍ未満と近い距離にしないためには砥粒番数が200番以上400番以下のもので研磨した後、400番以上700番以下の砥粒で研磨する２段階研磨が効果的である。このような２段階の研磨によればあまり硬度が高いとは言えない酸化膜を傷つけないで研磨が可能になることから酸化膜厚の最大値と最小値を示す部位（個所）の距離を200μｍ以上、さらには1000μｍ以上とすることができる。
【００３１】
研磨加工を施す個所については、メタライズ層を設ける個所または封着材により封着される個所を研磨することが好ましく、さらに好ましくは窒化アルミニウム基板に施した酸化膜全体を研磨加工することである。
【００３２】
酸化膜の形成方法については、酸素含有雰囲気中で窒化アルミニウム基板を熱処理する方法が好ましい。Ｓｉ化合物や金属アルコキシドなどの熱処理により酸化物となる化合物を塗布する方法、スパッタ法やＣＶＤ法により酸化膜を設ける方法であっても酸化膜を形成することは可能であるが、いずれも製造工程が複雑であり製造コストもかかることから必ずしも製造性が良いとは言えない。
【００３３】
酸素含有雰囲気とは、大気中や酸素を5〜30vol%含む窒素雰囲気などが好適である。また、熱処理条件としては1000℃以上、好ましくは1100℃以上1400℃以下の温度範囲で１時間以上、好ましくは２時間以上５時間以下である。熱処理条件は1000℃未満であっても酸化膜は形成されるが、1000℃未満であると酸化膜が付き難い。一方、熱処理温度が1400℃を超えると酸化膜が厚い酸化膜が形成されすぎてしまい研磨時間が必要以上にかかってしまい必ずしも製造性が良いとは言えない。さらに、熱処理温度が1600℃以上になると窒化アルミニウム基板中の液相成分の移動が激しくなることからメタライズ層のフクレなどをさらに引き起こす原因となる液相成分を基板表面に移動させ易くしてしまう。
【００３４】
さらに、本発明の窒化アルミニウム基板は酸化膜を設ける前の基板表面が表面粗さRaで0.8μｍ以下、Rmaxで6μｍ以下であることが好ましいため、窒化アルミニウム基板表面についても表面研磨することが好ましい。表面研磨についても砥石番数もしくは砥粒番号が200番以上、さらには400番以上と細かい砥石で研磨することが好ましい。
【００３５】
このように本発明の窒化アルミニウム基板は、必要に応じ基板表面を研磨した後に酸化処理を行い、さらに酸化膜を研磨処理することにより得られるものである。その後、半導体素子を搭載するなど必要な個所にメタライズ層を設ける。
また、半導体パッケージとして用いる場合、例えばＱＦＰ型半導体パッケージならリードフレーム、キャップ部をガラス系封着材により封着接合する。
メタライズ層形成方法については、前述のメタライズ組成物を所定の個所に設け、その後大気中もしくは窒素等の不活性雰囲気中で（800℃以上950℃以下）×（5分以上30分以下）程度の熱処理により設ける。熱処理温度が800℃未満ではメタライズ層の十分な接合強度を保てず、950℃を超えた温度ではメタライズ層に対して急激に熱を与えてしまうためメタライズ層中に気孔を形成し易くしてしまう。熱処理時間についても5分未満ではメタライズ層の十分な接合強度を保てず、30分を超えると加熱効果が飽和になってしまうと共に酸化膜凹部に入り込んだメタライズ層を形成する金属粒子が異常粒成長し易くなってしまう。従って、メタライズ形成条件については前記温度および時間が好ましく、さらに好ましくは830〜900℃×7〜20分である。
【００３６】
半導体パッケージにおける封着方法については、ガラス系封着材を所定の個所に塗布し、必要に応じリードフレームやキャップを設ける。その後、大気中もしくは窒素等の不活性雰囲気中で（800℃以上950℃以下）×（10分以上60分以下）程度の熱処理により設ける。このとき、熱処理温度が950℃を超えるまたは熱処理時間が60分を超えると封着部から窒素ガスが噴出し易くなるので好ましくない。
【００３７】
【実施例】
（実施例１〜５、比較例１〜３）
熱伝導率170W/m・kの窒化アルミニウム基板（Ra：0.8μｍ以下、Rmax：6μｍ以下）を大気中で1260℃×3時間を熱処理することにより膜厚3μｍの酸化アルミニウム膜を設けた窒化アルミニウム基板（縦40mm×横40mm×厚さ0.635mm）を作製した。
この酸化膜付き窒化アルミニウム基板全面に対し、砥粒番数300番の砥石を用いてホーニング加工（ショットブラスト）を行い表１に示す膜厚および膜厚の最大値と最小値を有する酸化膜形態に加工した。
その後、窒素雰囲気中820℃×16分でAg-Pb系ろう材を縦20mm×横20mm×厚さ15μmで設けた際のフクレの有無を確認した。その結果を表１に示す。
なお、本実施例においてフクレの有無を測定するにあたり、最大径0.2μｍ以上のものの有無と、最大径0.2ｍｍ未満の個数を測定した。
比較のために、酸化膜厚を本発明より薄くしたものを比較例１、厚くしたものを比較例２、酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍを超えたものを比較例３とした。なお、各実施例および比較例は各１００個作製し、その平均値を示したものとする。
【００３８】
【表１】
表１から分かる通り、本実施例にかかる窒化アルミニウム基板に関しては、最大径0.2mm以上のフクレは発生しなかった。また、最大径0.2mm以下のフクレは０〜２個の範囲であり、実施例４において確認されたフクレは最大径20μｍ以下と小さなものであった。
それに対し、比較例１の薄い酸化膜を設けたものはメタライズ層に0.2mm以上のフクレが１〜３個程度確認された。同様に比較例３のものについては最大径0.2mm以上の大きなフクレは確認されなかったが、最大径0.2mm未満のフクレは20mm×20mmのメタライズ層中に４個程度のフクレが確認された。これは、酸化膜厚の最大値と最小値が0.8μｍと本発明の範囲外であるため、特に最小値を示す部分に主としてメタライズ層を構成する金属粒子（例えばAg粒子）が入り込み溶解されず粒成長してしまったものと考えられる。
一方、酸化膜厚を3.5μｍと厚く設けた比較例２のものに関しても最大径0.2mm以上のフクレ（３〜５個）および最大径0.2mm未満のフクレが発生してしまった。これは酸化膜が厚くさらには最大値と最小値の差が大きいためにメタライズ工程の熱処理により酸化膜が膨張およびメタライズ層を構成する金属粒子が凹部に入り込み金属粒子が溶解せず単独で粒成長してしまった影響が大きいためフクレが多数発生してしまったものと考えられる。
【００４０】
（実施例５〜８、参考例１）
熱伝導率180W/m・kの窒化アルミニウム基板（Ra：0.7μｍ以下、Rmax：5μｍ以下）を酸素20vol%含有した窒素雰囲気中で1230℃×2時間を熱処理することにより膜厚4μｍの酸化アルミニウム膜を設けた窒化アルミニウム基板（縦40mm×横40mm×厚さ0.635mm）を作製した。
この酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板に対し、表２に示すような研磨処理を行うことにより、平均酸化膜厚を0.7〜2.0μｍ、最大値と最小値の差を0.2μｍに統一し、酸化膜厚の最大値を示す個所と最小値を示す個所の距離を変えたものを作製した。
このような窒化アルミニウム基板に対し、Ag-Pb系ろう材メタライズ層を30mm×30mm×18μｍで設け、熱処理条件870℃×20分としたときの最大径20μｍ以下のフクレの有無を確認した。なお、各実施例および参考例は各１００個作製し、その平均値を示したものとする。
【００４１】
【表２】
表２から分かる通り、本実施例にかかるメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板は最大径20μｍ以下のフクレが０〜２個の範囲内であった。特に、200〜400番の砥粒でホーニング加工施した後、400〜700番の砥粒でホーニング加工を施した実施例５および実施例７はいずれも最大径20μｍ以下のフクレは存在しなかった。つまり、フクレそのものが形成されなかった。このように２段階の加工を施したものは酸化膜厚の最大値と最小値との距離が1000μｍ以上と離れた距離に形成されるのでフクレの原因である酸化膜の厚さのバラツキを微視的に改善することが可能であることが分かる。
それに対し、参考例１のものは砥石番数が200番未満であるため、酸化膜厚および酸化膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下であったとしても、酸化膜厚の最大値と最小値を示す個所の距離が200μｍ未満となってしまい易いことから最大径20μｍ以下のフクレが２個を超えた個数発生してしまうことが分かった。なお、実施例５〜８および参考例１のメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板に関しては最大径0.2μｍ以上のフクレはいずれも観測されなかった。
【００４３】
（実施例９〜１３、比較例４〜５）
熱伝導率190W/m・k以上の窒化アルミニウム基板（Ra：0.6μｍ以下、Rmax：5μｍ以下）およびキャップ部を用いたＱＦＰ型半導体パッケージにおいてリードフレームによる入出力数を160本にし、銅合金製リードフレームと窒化アルミニウム基板並びにキャップ部をガラス系封着材により封着した。
パッケージを作製するにあたり、窒化アルミニウム基板およびキャップ部を酸化処理および研磨加工を施し、表３に設けた酸化膜を得た後、封着処理として880℃×30分の熱処理を施した。その際の窒素ガスの発生などによる封着部の未接合部の割合を確認した。その結果を表３に示す。
なお、未接合部の割合については窒化アルミニウム基板側の封着部の任意の３ヶ所を測定し、その平均値で示した。
【００４４】
【表３】
表３から分かる通り、本実施例にかかる半導体パッケージはいずれも未接合部が1％以下であった。
それに対し、比較例４のものは酸化膜厚が薄いことから窒素ガスが噴出してしまい未接合部が３％と非情に高かった。また、比較例５においては酸化膜が厚いことから窒素ガスの噴出は確認されなかったが、酸化膜の熱膨張が激しいことから未接合部が５％と大きくなってしまった。
【００４６】
（実施例１４〜１８、比較例６）
実施例５および実施例６のメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板を実施例１０のＱＦＰ型半導体パッケージに用いた。その際に銅合金製リードフレームによる入出力数を表４のように変えた場合のメタライズ層における最大径20μｍ以下のフクレの数、および封着部の未接合部の割合を確認した。比較例６として実施例１８のＱＦＰ型半導体パッケージにおいてメタライズ層形成部および封着部以外に形成された酸化膜を研磨により削除したものを用意し、同様の測定を行った。なお、各実施例および比較例は各１００個作製し、その平均値を示したものとする。その結果を表４に示す。
【００４７】
【表４】
表４から分かる通り、本実施例にかかる半導体パッケージはリードフレームによる入出力数が１６０本以上となったとしても最大径20μｍ以下のフクレの数は０〜１個の範囲内であることが分かった。
一方、封着部の未接合部の割合についてはリードフレームの数が２４０本まで増えたとしても劣化することがないことが分かった。
それに対し、比較例６のように窒化アルミニウム基板の全面に酸化膜を設けていないものはフクレの数および未接合部の割合が共に劣化してしまった。これは全面に酸化膜を設けていないため、酸化膜の熱膨張または窒素ガスの噴出による影響を抑制することができなかったため窒化アルミニウム基板に熱膨張の歪みが発生してしまったためであると考えられる。
このような本発明の半導体パッケージにかかればリードフレームによる入出力数が１２０本以上と多入出力数化を行ったとしても優れた封着性を保つことが可能となる。
【００４９】
（実施例１９〜２１、参考例２）
次に、熱伝導率180W/m・kの窒化アルミニウム基板を用い、表面研磨を施すことにより表面粗さを変えた窒化アルミニウム基板を作製した。各窒化アルミニウム基板に対し、大気中で1200℃×２時間にて膜厚5μｍの酸化膜を設けた後、
200番の砥粒によりホーニング加工を施した後、400番の砥粒によりホーニング加工を施した。各ホーニング加工を施した後の酸化膜の膜厚、酸化膜厚の最大値と最小値の差を測定した。その結果を表５に示す。
【００５０】
【表５】
表５から分かる通り、Raが0.8μｍ以下かつRmaxが5μｍ以下の実施例１９ないし実施例２１は酸化膜の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にできた。
一方、RaおよびRmaxが本発明の好ましい範囲でない参考例２は、酸化膜厚が本発明の範囲内にしたときに酸化膜の最大値と最小値の差を0.2μｍ以下にし難いことが判明した。このような結果から本発明の窒化アルミニウム基板並びに半導体パッケージにおいてはRaが0.5μｍ以下、Rmaxが5μｍ以下の窒化アルミニウム基板であることが好ましいことが分かった。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のように、窒化アルミニウム基板全面に酸化膜を設けた窒化アルミニウム基板において、メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜の膜厚が0.3〜4μｍかつ膜厚の最大値と最小値の差が0.2μｍ以下と均一な酸化膜を設けることにより、最大径0.2μｍ以上のフクレを無くすことが可能となる。さらに、メタライズ層における最大径20μｍ以下の微小なフクレをも単位面積20mm×20mmあたりに２個以下と制御することが可能となる。
また、半導体パッケージの封着部に同様の酸化膜を設けることにより、封着時の窒素ガスの噴出および酸化膜の熱膨張による未接合部の発生を極力抑えることが可能となる。特に、リードフレームによる入出力数が１２０本以上と多入出力型のＱＦＰ型半導体パッケージにおいては特に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のメタライズ層を設けた窒化アルミニウム基板の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のＱＦＰ型半導体パッケージの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１…窒化アルミニウム基板
２…酸化膜
３…メタライズ層
４…封着部
５…リードフレーム
６…キャップ
７…半導体素子
Claims (2)
- 全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板において、
前記メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が０．３μｍ以上２μｍ以下、膜厚の最大値と最小値の差が０．２μｍ以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が２００μｍ以上とされており、
酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａが０．８μｍ以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲｍａｘが６μｍ以下であり、
前記メタライズ層に最大径０．２ｍｍ以上のフクレが存在せず、かつ最大径０．２ｍｍ未満のフクレの個数が１個以下であることを特徴とするメタライズ化された窒化アルミニウム基板。 - 全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板を用いたＱＦＰ型の半導体パッケージにおいて、
前記メタライズ層および封着材により封着される個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が０．３μｍ以上２μｍ以下、膜厚の最大値と最小値の差が０．２μｍ以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が２００μｍ以上とされており、
酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａが０．８μｍ以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さＲｍａｘが６μｍ以下であり、
前記メタライズ層に最大径０．２ｍｍ以上のフクレが存在せず、かつ最大径０．２ｍｍ未満のフクレの個数が１個以下であり、
封着される個所はガラス系封着材によりリードフレームを接合しており、リードフレームによる入出力数が１２０本以上であることを特徴とするＱＦＰ型の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260286A JP5022536B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたｑｆｐ型の半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260286A JP5022536B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたｑｆｐ型の半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076192A JP2002076192A (ja) | 2002-03-15 |
| JP5022536B2 true JP5022536B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=18748322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000260286A Expired - Fee Related JP5022536B2 (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたｑｆｐ型の半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5022536B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6819933B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2021-01-27 | 日本電気硝子株式会社 | 気密パッケージ及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773150B2 (ja) * | 1984-09-30 | 1995-08-02 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム系セラミックス基板 |
| JPS6184037A (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 |
| JPS61288447A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子塔載用基板 |
| JPH0725617B2 (ja) * | 1985-08-22 | 1995-03-22 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 |
| JPS63170289A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-14 | 新日本化学工業株式会社 | 表面に酸化層を有する窒化アルミニウム基板 |
| JP2949294B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1999-09-13 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質基板及びその製造方法 |
| JPH03205890A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Hitachi Ltd | セラミック基板 |
| JPH05129458A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板 |
| JP3228625B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2001-11-12 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
| JP2506270B2 (ja) * | 1994-10-24 | 1996-06-12 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性回路基板及び高熱伝導性外囲器 |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000260286A patent/JP5022536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002076192A (ja) | 2002-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050428 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070815 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070815 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070815 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090904 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101001 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101001 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101001 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110314 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110405 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110705 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110713 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20110902 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120319 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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