JP5022004B2 - エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法及びエレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法及びエレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDFInfo
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Description
本実施形態において、表示装置は、具体的にはアクティブマトリクス型の有機EL表示装置であり、複数の画素を備える表示部がELパネル100に形成されている。図1は、この実施形態に係るアクティブマトリクス型EL表示装置の等価回路の一例を示す図である。ELパネル100の表示部には、マトリクス状に複数の画素が配置され、マトリクスの水平(H)走査方向(行方向)には、順次選択信号が出力される選択ライン(ゲートラインGL)10が形成されており、垂直(V)走査方向(列方向)には、データ信号(Vsig)が出力されるデータライン12(DL)と、被駆動素子である有機EL素子(以下、単に「EL素子」という)18に、駆動電源PVDDを供給するための電源ライン16(VL)が形成されている。
y行x列マトリクスのELパネル100に対し、1水平ブランキング期間に所定の1検査行(n行目)を選択し、かつ所定の1列(k列目)の画素に検査用信号を供給してそのときのカソード電流を検出する。この作業を順次選択行を変更して繰り返すことで1フレーム(1垂直(V)走査)期間でk列目の全画素についてのカソード電流検出を実行することができる。この処理を全列に対して実行することで、ELパネル100の全画素に対する検出処理が完了する。ELパネル100がVGA型のサイズである場合、480行×640列の画素が存在し、上記方式では、1フレーム60Hzで、合計約10.7秒(=1/60秒×640列)で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。
1垂直ブランキング期間中、所定の1検査行(n行目)に属する全画素に、順次、検査用信号を供給し、そのときのカソード電流を検出する。この手順を垂直ブランキング期間毎に検査行を変更して実行し全行に対して行うことで、全画素のカソード電流を得る。この方式では、上記同様のVGAパネルの場合、合計約8秒(=1/60秒×480行)で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。
1垂直ブランキング期間中に所定の1検査行(n行目)の全画素に、それぞれ検査用信号を供給し、各列におけるカソード電流を検出する。この手順を垂直ブランキング期間毎に検査行を変更して実行し全行に対して行うことで、全画素のカソード電流を得る。この方式では、上記同様のVGAパネルの場合、合計約8秒(=1/60秒×480行)で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。
次に、本実施形態に係るばらつき補正機能を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の構成例について図3及び図4を参照して説明する。図3は、エレクトロルミネッセンス表示装置の全体的な構成の一例を示している。この表示装置は、上述のような画素を備える表示部が形成されたELパネル100と、表示部での表示及び動作を制御する駆動部200を備え、駆動部200は、概略して、表示制御部210と、ばらつき検出部300を備える。
V(ΔIcv):検査対象画素のオンオフカソード電流値(電圧データ)
V(ΔIcvref):基準オンオフカソード電流値(電圧データ)
Vsigon:検査用オン表示信号の階調レベル
γ:表示パネルの発光効率特性(定数値)
検査用オン表示信号の階調レベル[Vsigon]を、例えば240(0〜255)に設定した場合、この階調レベル240、検査対象画素のオンオフカソード電流値[V(ΔIcv)]、基準のオンオフカソード電流値[V(ΔIcvref)]、定数の発光効率特性γに基づいて、上記式(1)から各画素の基準に対する動作しきい値ずれVth(i)を求めることができる。例えば、A〜Eの画素について、以下のようにそれぞれ基準からのしきい値ずれ量Vth(i)が得られたとする。
Vth(B)=13.4
Vth(C)=17.0
Vth(D)=3.2
Vth(E)=20.7
上記例では、画素Eのしきい値Vthずれが最大であり、各画素に同一階調レベルのデータ信号を供給すると、画素Eが表示部の中で最も低輝度で発光することとなる。一方で、各画素に供給できるデータ信号の最大値には限度がある。そこで、このVth(i)maxの画素Eを基準にデータ信号の最大値Vsigmaxを決定する。つまり、得られた各画素のVth(i)の中から、最大値Vth(i)maxを求め、このVth(i)maxに対する他の画素のVthの差ΔVth(i)をそれぞれ得る。さらに、その画素に供給すべきデータ信号の最大値Vsigmax(i)として、Vsigmaxから得られたΔVth(i)を減算することで求め[Vsigmax−ΔVth(i)]、後述する式(2)の補正値を反映した初期補正データRSFT(init)としてばらつき補正部250に供給する。
次に、上記原理に基づくカソード電流の検査を実行する表示装置の駆動方法について説明する。以下の駆動方法では、検査行の画素に対し、検査用表示信号Vsigとして、検査用オン表示信号(EL発光)と検査用オフ表示信号(EL非発光)とを連続して印加する高速検査方式を採用した場合を例に説明する。なお、検査用のオン表示信号とオフ表示信号の順番は特に限定されないが、以下の例では、オフ、オンの順番としている。
駆動方式1では、上述のようにカソード電極を全画素共通とし、水平ブランキング期間中にカソード電流の検出を実行する。図7は、y行x列のマトリクスのELパネル100を概念的に示し、図8は、駆動方式1におけるタイミングチャートを示している。
図9は、駆動方式2に係るタイミングチャートを示している。駆動方式2では、上記図7に示すようにカソード電極が各画素共通で、1垂直ブランキング期間中に1検査行に属する全画素に対するカソード電流検出を実行する。
次に、図10及び図11を参照して駆動方式3について説明する。本方式では、図10に示すパネル構成例のように、カソード電極を列毎に分割しており、カソード電極ラインCVLがCVL[1]〜CVL[x]だけ設けられている。また、カソード電流の検出は、図11に示すように、n回目の1垂直走査期間の1Vブランキング期間に、1検査行(n行目)を選択し、このn行目の全画素(1列目〜x列目の画素)について、上記列毎のカソード電極ラインCVLを利用して、同時にそれぞれのカソード電流(ΔIcv)を検出する。
図13は、上述の駆動方式3において、カソード電流検査時に、行方向に設けられる各ライン(ゲートライン10、容量ライン14、電源ライン16)を制御するための検査用の制御信号発生回路222を示しており、この回路222は、例えばVドライバ220V等に内蔵することが可能である。また、図14は、図13に示す回路の動作を説明するタイミングチャートである。
次に、電流検出アンプ332の構成例について説明する。図4に示す電流検出アンプ332に代えて、図16に示すようなアンプを採用することによってもカソード電流を検出することができる。図16のアンプは、いわゆるインスツルメンテーション・アンプ型の構成を有しており、3つのオペアンプA1、A2、A3を備える。オペアンプA1とA2とによって差動回路が構成され、オペアンプA3がオペアンプA1、A2の差動出力を増幅する差動増幅回路として機能している。このようなインスツルメンテーションアンプを電流検出アンプに用いることで、ノイズの影響を受けに難く、カソード電流を高い精度で検出することが容易となる。
なお、以上において説明した各方式、構成においては、リアルタイムで各画素のカソード電流検出を行う場合について説明したが、この電流検出と補正処理は、表示装置の起動時においても実行しても良いし、もちろん、工場出荷時に各画素のカソード電流(ΔIcv)を測定し、予め補正データを記憶しておき、随時更新する又は特性の経時変化を検出しながらリアルタイムで補正をしても良い。
Claims (10)
- エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法であって、
前記表示装置は、表示部にマトリクス配置された画素を備え、
各画素は、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、
データ信号に応じて前記素子駆動トランジスタのゲート電位を保持するための保持容量であって、前記保持容量の第1電極は前記素子駆動トランジスタのゲートに接続され、該保持容量の第2電極は、行毎に設けられた容量ラインに接続された保持容量と、
を備え、
ブランキング期間において、
所定の検査行の画素に、検査用信号として、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給し、かつ、前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させて、前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出し、
該カソード電流の値に基づいて、対応する画素に供給する前記データ信号を補正し、
前記検査行の画素に対し、前記検査用信号の供給後、該ブランキング期間の終了までに、前記検査用信号の供給前における該画素のデータ信号を該画素に供給し、
前記検査行の画素の容量ラインの電位は、前記検査用信号の書き込み期間中に、前記データ信号では前記素子駆動トランジスタを非動作とする第1電位とし、該ブランキング期間の終了までの前記データ信号の再書き込み期間中に、前記素子駆動トランジスタを動作可能とする第2電位とするとともに、
前記ブランキング期間、前記表示部の前記検査行以外の全行の容量ラインは、前記第1電位に固定することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。 - エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法であって、
前記表示装置は、表示部にマトリクス配置された画素を備え、
各画素は、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、
ブランキング期間において、
所定の検査行の画素に対し、該画素の前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させ、かつ、検査用信号として、該画素に、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号と、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号と、を供給し、
前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流とのオンオフ電流差を検出し、
前記オンオフ電流差を基準値と比較して、動作させた画素の特性ばらつきを検出し、
前記検出した特性ばらつきに応じて、対応する画素に供給する前記データ信号を補正し、
前記検査行の画素に対し、前記検査用信号の供給後、該ブランキング期間の終了までに、前記検査用信号の供給前における該画素のデータ信号を該画素に供給し、
前記検査行の画素の容量ラインの電位は、前記検査用信号の書き込み期間中に、前記データ信号では前記素子駆動トランジスタを非動作とする第1電位とし、該ブランキング期間の終了までの前記データ信号の再書き込み期間中に、前記素子駆動トランジスタを動作可能とする第2電位とするとともに、
前記ブランキング期間、前記表示部の前記検査行以外の全行の容量ラインは、前記第1電位に固定することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法において、
前記ブランキング期間は、水平ブランキング期間であり、
所定の水平ブランキング期間中に、前記検査行の画素に前記検査用信号を供給し、該水平ブランキング期間が終了する前に、前記検査行の画素に前記検査用信号が供給される前に保持されていたデータ信号を再書き込みすることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法において、
前記ブランキング期間は、垂直ブランキング期間であり、
前記垂直ブランキング期間中に、前記検査行の各画素に、順次、前記検査用信号を供給し、該垂直ブランキング期間が終了する前に、前記検査行の各画素に対し、前記検査用信号が供給される前に保持されていたデータ信号を再書き込みすることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法において、
前記表示装置は、前記各画素の前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電極にカソード電源を供給するためのカソード電源ラインを、列毎に有し、
前記ブランキング期間は、垂直ブランキング期間であり、
前記垂直ブランキング期間中に、前記検査行の各画素に、前記検査用信号を供給し、前記カソード電源ラインから、対応する画素の前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出し、
前記垂直ブランキング期間が終了する前に、前記検査行の各画素に対し、前記検査用信号が供給される前に保持されていたデータ信号を再書き込みすることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法において、
前記表示装置は、前記各画素の前記エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極側に駆動電力を供給するための駆動電源ラインを、行毎に有し、
前記検査行の画素に対し、前記検査用信号の供給後、該ブランキング期間の終了までに、前記検査用信号の供給前における該画素のデータ信号を該画素に供給し、
前記検査行の前記駆動電源ラインのみ、前記ブランキング期間の前記データ信号の再書き込み期間中において、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光とするための電源電位とすることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の駆動方法。 - エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
マトリクス配置された複数の画素を備える表示部と、外部より供給される映像信号に基づいて前記表示部の動作を制御するための駆動部とを備え、
前記駆動部は、前記表示部の行方向の駆動及び列方向の駆動を行うドライバと、各画素での表示ばらつきの検査結果を検出するばらつき検出部と、表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、
前記表示部の前記複数の画素のそれぞれは、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、
前記ばらつき検出部は、検査行の画素に供給する検査用信号を発生して該画素に供給する検査用信号発生部と、前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出する電流検出アンプを備え、
ブランキング期間中に、前記ドライバによって所定の検査行の画素が選択され、かつ、該画素に、前記検査用信号として、そのエレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給した時の前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を、前記電流アンプが検出し、
前記補正部は、前記検出したカソード電流値に応じ、外部から供給される映像信号に対する補正を実行し、
前記検査行の画素に対し、前記検査用信号の供給後、該ブランキング期間の終了までに、前記検査用信号の供給前における該画素のデータ信号を該画素に供給し、
前記検査行の画素の容量ラインの電位は、前記検査用信号の書き込み期間中に、前記データ信号では前記素子駆動トランジスタを非動作とする第1電位とし、該ブランキング期間の終了までの前記データ信号の再書き込み期間中に、前記素子駆動トランジスタを動作可能とする第2電位とするとともに、
前記ブランキング期間、前記表示部の前記検査行以外の全行の容量ラインは、前記第1電位に固定することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項7に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記検査用信号発生部は、前記ブランキング期間中、前記検査用信号として、前記検査用オン信号と、さらに前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ信号とを前記検査行の画素に対して供給し、
前記電流検出アンプは、前記検査用オン信号の印加時のオンカソード電流及び前記検査用オフ信号印加時のオフカソード電流を検出し、
前記補正部は、検出された前記オンカソード電流と前記オフカソード電流との電流差に応じて補正を行うことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項7又は請求項8に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記表示部には、列毎に、前記各画素の前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電極にカソード電源を供給するためのカソード電源ラインが設けられ、
前記電流検出アンプは、前記カソード電源ラインから前記ブランキング期間中に得られるカソード電流を検出することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項7〜請求項9のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記表示部には、前記エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極側に駆動電力を供給するための駆動電源ラインが、行毎に設けられ、
前記駆動部は、駆動電源制御部を備え、
該駆動電源源制御部は、前記検査行の前記駆動電源ラインのみ、前記ブランキング期間の前記データ信号の再書き込み期間中において、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光とするための電源電位に制御することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
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