JP5020608B2 - 低負荷ビットライン構造を有する不揮発性半導体メモリ及びそのプログラミング方法 - Google Patents
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Description
次いで、段階1508で、第一のページバッファはまた初期化される。
以後の段階1516で、データ(第一のページバッファに伝送されたデータ)が、メモリセルの第一のグループ1390aでプログラムされるために、すべてのメモリセルで完全にプログラムされたことかが決定される。データプログラミング動作が失敗したと段階1516で決定されれば、その工程は段階1518に進行する。
データが第二のページバッファから第一のページバッファまで伝送された後に、段階1524で、データ(第一のページバッファに伝送されたデータ)が、メモリセルの第二のグループ1390bでプログラムされるために、すべてのメモリセルで完全にプログラムされたことか否かを決定する。データプログラミング動作が成功したと段階1524で決定されれば、次いで、その工程はプログラミング動作を終了する段階1534に進行する。
次いで、その工程は段階1524に戻る。
Claims (19)
- NANDフラッシュメモリセルアレイと、
NANDフラッシュメモリセルに接続された複数のワードラインと、
NANDフラッシュメモリセルに接続された複数のビットラインとを含み、
前記複数のビットラインのそれぞれは、第一のビットライン部分、第二のビットライン部分及び前記第一のビットライン部分と前記第二のビットライン部分とを共に選択的に接続するために前記第一のビットライン部分と前記第二のビットライン部分との間を拡張するスイッチング装置とを含み、
少なくとも第一のNANDフラッシュメモリセルは前記第一のビットライン部分に接続され、少なくとも第二のNANDフラッシュメモリセルは前記第二のビットライン部分に接続され、
第二のページバッファの第二のデータを有する前記第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする間の、第一のページバッファの第一のデータを有する前記第一のNANDフラッシュメモリセルへのプログラミングは、
(1)前記第一のNANDフラッシュメモリセルでプログラムされた第一のデータを検証し、
(2)前記第一のデータが一つ以上の前記第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされないことが検証された場合、最終電圧パルスが第一のワードラインに供給されることを決定し、
(3)前記最終電圧パルスが第一のワードラインに供給される場合、第一NANDフラッシュメモリセル及び第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラムすることを中止し、
(4)前記第一のデータが一つ以上の前記第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされないことが検証される場合と最終電圧パルスが前記第一のワードラインに供給ない場合、第一のNANDフラッシュメモリセルに接続された前記第一のワードラインに他の電圧パルスを供給し、
(5)前記第一のデータの全てが前記第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされるまで(1)から(4)までを繰り返し、
前記第2ページバッファにデータロードする際、前記第1ページバッファにロードしたデータを、ビット線遮断/接続トランジスタを経由してロードする
ことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインの前記スイッチング装置は、グループ選択ラインに接続された制御端子を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記NANDフラッシュメモリセルは一つ以上のワードラインに対応するメモリブロックに分離され、前記第一のビットライン部分は第一のメモリブロックに接続され、前記第二のビットライン部分は第二のメモリブロックに接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記NANDフラッシュメモリセルは一つ以上のワードラインに対応するメモリブロックに分離され、前記第一のビットライン部分は第一の複数のメモリブロックに接続され、前記第二のビットライン部分は第二の複数のメモリブロックに接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第一の複数のメモリブロックは第二の複数のメモリブロックより大きい
ことを特徴とする請求項4に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインはそれぞれ、
三つのビットライン部分と、
前記第二のビットライン部分と第三のビットライン部分とを共に選択的に接続するために前記第二のビットライン部分と前記第三のビットラインとの間を拡張する第二のスイッチング装置とをさらに含み、
少なくとも第三のNANDフラッシュメモリセルは前記第三のビットライン部分に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記ビットラインのための前記第一のスイッチング装置の制御端子は第一のグループ選択ラインに全て接続され、前記ビットラインのための前記第二のスイッチング装置の制御端子は第二のグループ選択ラインに全て接続されている
ことを特徴とする請求項6に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - NANDフラッシュメモリセルは一つ以上のワードラインに対応するメモリブロックに分離され、前記第一のビットライン部分は第一の複数のメモリブロックに接続され、前記第二のビットライン部分は第二の複数のメモリブロックに接続され、前記第三のビットライン部分は第三の複数のメモリブロックに接続されている
ことを特徴とする請求項6に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 少なくとも一つの前記第一のビットライン部分に接続された第一のページバッファと、
少なくとも一つの前記第二のビットライン部分に接続された第二のページバッファとをさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第二のページバッファはデータ入/出力バスに接続されていない
ことを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第一のページバッファは前記第二のビットライン部分に接続されたNANDフラッシュメモリセルでプログラムされるために前記第二のページバッファに第二のデータを伝送するように構成されている
ことを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - NANDフラッシュメモリセルは一つ以上のワードラインに対応する複数のメモリブロックに分離され、前記第一のビットライン部分は第一のメモリブロックに接続され、前記第二のビットライン部分は第二のメモリブロックに接続されている
ことを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第一のページバッファは前記第二のメモリブロックでプログラムされるために前記第二のページバッファに第二のデータを伝送するように構成されている
ことを特徴とする請求項12に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第一のページバッファは前記第二のページバッファが第二のメモリブロックのNANDフラッシュメモリセルをプログラムする間に第一のメモリブロックのNANDフラッシュメモリセルをプログラムするように構成されている
ことを特徴とする請求項9に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記第一のビットライン部分に接続されたページバッファをさらに含み、
前記スイッチング装置は前記第二のNANDフラッシュメモリセルからデータを読み出す場合、前記第一のビットライン部分と前記第二のビットライン部分とを接続するように制御され、前記スイッチング装置は前記第一のNANDフラッシュメモリセルからデータを読み出す場合、前記第一のビットライン部分と前記第二のビットライン部分との接続を切るように制御される
ことを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。 - 複数のワードラインと複数のビットラインに配列されたNANDフラッシュメモリセルのアレイを含み、前記ビットラインそれぞれは第一のビットライン部分、第二のビットライン部分及び前記第一のビットライン部分と前記第二のビットライン部分とを共に選択的に接続するために前記第一のビットライン部分と前記第二のビットライン部分との間を拡張するスイッチング装置を含み、前記第一のビットライン部分に接続された第一のページバッファと前記第二のビットライン部分に接続された第二のページバッファをさらに含むNANDフラッシュメモリ装置のためのNANDフラッシュメモリセルのプログラミング方法は、
前記第二のビットライン部分に接続された第二のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされるために第二のデータを前記第一のページバッファにローディングする段階と、
前記第一のページバッファから前記第二のページバッファまで第二のデータを伝送する段階と、
前記第一のビットライン部分に接続された第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされるために第一のデータを前記第一のページバッファにローディングする段階と、
前記第一のビットライン部分及び前記第二のビットライン部分の接続を互いに切るためにスイッチング装置を制御する段階と、
前記第二のページバッファの第二のデータを有する第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする間に前記第一のページバッファの第一のデータを有する前記第一のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする段階とを含み、
前記第二のページバッファの第二のデータを有する前記第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする間に前記第一のページバッファの第一のデータを有する前記第一のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする段階は、
(1)前記第一のNANDフラッシュメモリセルでプログラムされた第一のデータを検証する段階と、
(2)前記第一のデータが一つ以上の前記第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされないことが検証された場合、最終電圧パルスが第一のワードラインに供給されることを決定する段階と、
(3)前記最終電圧パルスが第一のワードラインに供給される場合、第一NANDフラッシュメモリセル及び第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラムすることを中止する段階、
(4)前記第一のデータが一つ以上の前記第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされないことが検証される場合と最終電圧パルスが前記第一のワードラインに供給ない場合、第一のNANDフラッシュメモリセルに接続された前記第一のワードラインに他の電圧パルスを供給する段階、
(5)前記第一のデータの全てが前記第一のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされるまで段階(1)から(4)までを繰り返す段階をさらに含み、
前記第2ページバッファにデータロードする際、前記第1ページバッファにロードしたデータを、ビット線遮断/接続トランジスタを経由してロードする
ことを特徴とするNANDフラッシュメモリセルのプログラミング方法。 - 前記第二のページバッファの第二のデータを有する前記第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする間に前記第一のページバッファの第一のデータを有する前記第一のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする段階は前記第一のNANDフラッシュメモリセルに接続された第一のワードラインと前記第二のNANDフラッシュメモリセルに接続された第二のワードラインに第一の電圧パルスを供給する段階を含む
ことを特徴とする請求項16に記載のNANDフラッシュメモリセルのプログラミング方法。 - 前記第二のページバッファの第二のデータを有する第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする間に前記第一のページバッファの第一のデータを有する第一のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングする段階は、
(6)前記第二のページバッファから前記第一のページバッファまで第二のデータをダンピングする段階、
(7)前記第二のNANDフラッシュメモリセルでプログラムされた第二のデータを検証する段階、
(8)最終電圧パルスが供給されることを決定する段階と、前記最終電圧パルスが供給される場合、第二のNANDフラッシュメモリセルをプログラミングすることを中止する段階、
(9)前記第二のデータが一つ以上の第二のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされないことが検証される場合と最終電圧パルスが第一のワードラインに供給ない場合、第二のNANDフラッシュメモリセルに接続された第二のワードラインに他の電圧パルスを供給する段階、
(10)前記第二のデータの全てが前記第二のNANDフラッシュメモリセルにプログラムされるまで段階(1)から(4)までを繰り返す段階をさらに含む
ことを特徴とする請求項16に記載のNANDフラッシュメモリセルのプログラミング方法。 - 段階(6)から段階(10)までは第一のページバッファとともに実行される
ことを特徴とする請求項18に記載のNANDフラッシュメモリセルのプログラミング方法。
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