JP5019964B2 - 偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 - Google Patents
偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5019964B2 JP5019964B2 JP2007158290A JP2007158290A JP5019964B2 JP 5019964 B2 JP5019964 B2 JP 5019964B2 JP 2007158290 A JP2007158290 A JP 2007158290A JP 2007158290 A JP2007158290 A JP 2007158290A JP 5019964 B2 JP5019964 B2 JP 5019964B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarization conversion
- conversion element
- light
- transparent
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
また従来は、斜め配向膜材料として磁性体を用いる利点は特に留意されていなかった。
(1) 基板上に、磁化された透明磁性層と透明な有機物層が交互にかつ該基板面に対して一定の傾斜角度をもって斜めに成膜されてなる積層膜を備え、前記透明磁性層と有機物層の密度が異なることに基づいて前記積層膜の密度が前記基板に対して斜めに周期的に変化する層構造となることによって複屈折性を有することを特徴とする偏光変換素子。
(2) 基板上に、磁化された透明磁性層と透明な有機物層が交互にかつ該基板面に対して一定の傾斜角度をもって斜めに成膜されてなる積層膜を備え、前記透明磁性層と有機物層の密度が異なることに基づいて前記積層膜の密度が前記基板に対して斜めに周期的に変化する層構造となることによって複屈折性を有しており、前記基板面に垂直に入射した光が特定方向に偏光した直線偏光としてのみ出射されるように前記積層膜の厚みが調整されていることを特徴とする偏光変換素子。
(3) 前記透明磁性層は、チタン酸化物からなる分子層におけるTi格子位置に磁性元素が置換してなる層状チタニアナノシートであることを特徴とする前記(1)または(2)に記載の偏光変換素子。
(4) 前記透明磁性層は、チタン酸化物からなる分子層におけるTi格子位置に複数種類の磁性元素が置換した層状チタニアナノシートであることを特徴とする前記(1)または(2)に記載の偏光変換素子。
(5) 光源からの光を光学素子により平行光線とされた光が前記基板面に垂直に入射して、特定の直線偏光としてのみ出射されることを特徴とする前記(2)に記載の偏光変換素子。
(6) 前記透明磁性層の磁化方向を可変としたことを特徴とする前記(1)〜(5)のいずれかに記載の偏光変換素子。
(7) 前記(1)〜(6)のいずれかに記載の偏光変換素子であって、前記積層膜の各層の基板面に対する傾斜角度が同じである一対の偏光変換素子が、前記積層膜の各層の傾斜方向がお互いに逆方向となるように、上下に重ね合わされてなり、素子入射面で分離した2つの直線偏光を、素子出射面から偏光面角度差を90°として出射することを特徴とする積層型偏光変換素子。
(8) 前記偏光変換素子同士の重ね合わせられた界面に、非磁性で透明な膜を備えることを特徴とする前記(7)に記載の積層型偏光変換素子。
(9) 当該積層型偏光変換素子の上下それぞれに誘電体膜を備えることを特徴とする前記(7)に記載の積層型偏光変換素子。
また、通常のヨウ素タイプのような吸収型偏光子を用いると約50%の光が吸収によって失われ、あるいはワイヤーグリッドタイプを用いると約50%の光が反射によって失われることになり、画像表示素子の場合にはバックライトをその分明るくする必要があった。これに対して本発明の偏光変換素子、積層型偏光変換素子を用いると、光源からの光強度の100%に近い光を利用することができて、消費電力の大幅な低減に貢献することとなる。
また、詳しくは請求項1の発明によれば、基板面に垂直に入射した光が、従来よりも小形で簡便な膜だけで、それぞれが特定の任意方向に偏光した2つの直線偏光として出射することができる。
請求項2の発明によれば、基板面に垂直に入射した光が、従来よりも小形で簡便な膜だけで、特定方向に偏光した直線偏光としてのみ出射することができる。
請求項3の発明によれば、大きな屈折率、高い透明性、特殊な形状による高い複屈折性を有するチタニアナノシートを用いることにより、より薄い膜で偏光変換が可能となる。
請求項4の発明によれば、複数種類の置換原子を含むチタニアナノシートを積層して、大きなファラデー回転角を得て、より薄い膜で偏光変換が可能となる。またファラデー回転角の波長依存性を変化させることができる。
請求項5の発明によれば、光学素子などによって入射光線を平行にすることによって、偏光分離した偏光の出射口での一致度向上や出射光全体の平行光線化を得ることができる。
請求項6の発明によれば、透明磁性層の磁化方向を可変としたので、偏光子との組み合わせなどによって、偏光の高速度スイッチングが可能になる。
請求項7の発明によれば、透明強磁性体層をペアーにして偶数層組み合わせ、お互いの積層膜各層の傾斜方向を逆方向とすると、分離して層中を斜めに進行した偏光は、直進偏光と出射口で重なるため、入射光が有した情報を分離することなく利用することができる。
請求項8の発明によれば、重ね合わせた透明磁性層界面に非磁性で透明な膜を設けることにより光散乱を無くして、光の利用効率を向上させることができる。また有機物を選択して用いると、各々逆勾配を有する両方の透明磁性膜を接合すると言う目的も、合わせ達成することができる。
請求項9の発明によれば、偏光分離された2つの偏光は、誘電体膜で反射されるので、透明磁性体の膜厚が薄くして透過率を下げることなく、偏光変換を達成することができる。
本発明に係る偏光変換素子は、上記課題を解決するために、磁性体を用いて周期的密度の斜め繰り返し層構造(図1)をもつ構造的複屈折層を形成したものである。すなわち、本発明に係る偏光変換素子10は、基板11上に、磁化された透明磁性層12aと透明な有機物層12bとが交互にかつ基板11の主面に対して一定の傾斜角度をもって斜めに成膜されてなる積層膜12を備えているが、透明磁性層12aと有機物層12bの密度が異なることに基づいて積層膜12の密度が基板11に対して斜めに周期的に変化する層構造となることによって複屈折性を有していることを特徴とするものである。
一般式(1):R3−xAxFe5−yByO12
(式中、0.2<x<3、0≦y<5であり、Rは希土類金属で、Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuのうちの少なくとも一種以上であり、AはBi、Ce、Pb、Ca及びPtのうちの少なくとも一種以上であり、BはAl、Ga、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe(II)、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Tiの少なくとも一種以上である。)
なお、積層膜12の表面(光入射面)には反射防止膜を設けることが好ましい。
すなわち、まず石英ガラス基板51の主面上に基板11及び石英ガラス基板52を所定間隔で平行に配置し、基板11及び石英ガラス基板52が石英ガラス基板51の主面に対して所定角度で傾斜して立たせた状態でそれぞれの端部を石英ガラス基板51の主面に固定する。これにより、石英ガラス基板51を底面とするコの字型容器50となる。
積層型偏光変換素子20は、本発明の偏光変換素子10が上下にペアーで重ね合わされており、各素子の周期的密度の斜め繰り返し層構造は、角度が基板11の主面に対して等角度で且つ逆方向であり、素子入射面で分離した2つの直線偏光(EoとEe)が、素子面出射時に偏光面角度差を90°としたものである。
(実施例1)
炭酸カリウム(K2CO3)、二酸化チタン(TiO2)、酸化コバルト(CoO)、酸化鉄(Fe2O3)をK0.8Ti1.6Co0.4O4、K0.8Ti1.2Fe0.8O4のモル比になるように秤量、混合し、800℃で40時間焼成して磁性元素置換チタン酸カリウム(K0.8Ti1.6Co0.4O4、K0.8Ti1.2Fe0.8O4)を合成した。合成した磁性元素置換チタン酸カリウム(K0.8Ti1.6Co0.4O4、K0.8Ti1.2Fe0.8O4)を粉末1gに対して1規定の塩酸溶液100cm3の割合で接触させ、時々撹拌しながら室温で反応させた。1日毎に新しい塩酸溶液に取り替える操作を3回繰り返した後、固相を濾過水洗して風乾して、層状チタン酸粉末を得た。
ついで得られた層状チタン酸粉末(K0.8Ti1.6Co0.4O4・nH2O、K0.8Ti1.2Fe0.8O4・nH2O)0.5gをテトラブチルアンモニウム水酸化物溶液100cm3に加えて室温で1週間振盪(150rpm)し、乳白色のチタニアゾルを得た。以下、K0.8Ti1.6Co0.4O4・nH2Oの分散液をCo置換ナノシート分散液と記し、K0.8Ti1.2Fe0.8O4・nH2Oの分散液をFe置換ナノシート分散液と表す。
つぎに上記Co置換ナノシート分散液とFe置換ナノシート分散液を混合した分散液を超音波洗浄器で分散し混合分散液を得た。この混合分散液にゼラチンがナノシートの10wt%の固形分濃度となるように添加した。
実施例1と全く同様にして、26μm厚の積層ナノシートを作製した。この積層ナノシートと実施例1で作製した積層ナノシートを、周期的密度の斜め繰り返し層の傾きが逆になるように配置した後、PVA(ポリビニルアルコール)を用いて、乾燥前に張り合わせて、図6に示す積層型偏光変換素子を得た。
得られた積層型偏光変換素子について、石英ガラスの基板11に対して垂直になるように波長450nmの光を入射させたところ、分離された偏光は直線偏光で偏光面は直角であった。また、実施例1と同様にして積層ナノシートの磁化を行い、上記と同様に石英ガラスの基板11に対して垂直になるように波長450nmの光を入射させたところ、分離された偏光は直線偏光で偏光面は平行であり、偏光変換されていた。
実施例1で作製した積層ナノシートの上に、レンズを用いてナノシート面に入射する光が平行光線となるようにした。また、石英ガラスの基板11に対して、ランプ光源からの発散光から波長450nmの光を分光して入射させた。
その結果、分離された偏光は直線偏光で偏光面は直角であった。また実施例1の場合よりも透過光強度が12%向上していた。
つぎに、実施例1と同様にして積層ナノシートの磁化を行い、上記と同様に石英ガラスの基板11に対して垂直になるように波長450nmの光を入射させたところ、分離された偏光は直線偏光で偏光面は平行であり、偏光変換されていた。
実施例1で作製した着磁前の積層ナノシートにおいて、石英ガラスの基板11の主面に垂直に磁界が印加できるように磁極を基板11の上下に配置して電磁石を設けた。この電磁石による積層ナノシート表面の磁界強度は約1kガウスであった。
電磁石の電流スイッチをOFF(電流が流れない)とした場合は、偏光分離された両偏光が同時に観察されたが、ON(通電時)にした場合には偏光面がともに平行になり、偏光変換されていた。またこの結果は繰り返し得ることができた。
石英ガラス板の上に、ガラス基板の加熱なし、酸素ガス圧力は1.1×10−4torr、成膜速度は0.5nm/秒としてイオンプレーティング法を用いて、Ta2O5の膜を450nmの厚みで成膜した。ついで実施例1と同様にして、この石英ガラス上に積層ナノシートを膜厚が28μmになるように形成し、該積層ナノシート表面上に更に同様にして、Ta2O5の膜を450nmの厚みで成膜した。
このサンプルについて、実施例1と同様に石英ガラス支持体に対して垂直になるように波長450nmの光を入射させたところ、分離された偏光は直線偏光で偏光面は平行であり、偏光変換されていた。
1,11 基板
12 積層膜
12a,2a 透明磁性層
12b 有機物層
20 積層型偏光変換素子
21 透明非磁性膜
50 コの字型容器
51,52 石英ガラス基板
Claims (9)
- 基板上に、磁化された透明磁性層と透明な有機物層が交互にかつ該基板面に対して一定の傾斜角度をもって斜めに成膜されてなる積層膜を備え、前記透明磁性層と有機物層の密度が異なることに基づいて前記積層膜の密度が前記基板に対して斜めに周期的に変化する層構造となることによって複屈折性を有することを特徴とする偏光変換素子。
- 基板上に、磁化された透明磁性層と透明な有機物層が交互にかつ該基板面に対して一定の傾斜角度をもって斜めに成膜されてなる積層膜を備え、前記透明磁性層と有機物層の密度が異なることに基づいて前記積層膜の密度が前記基板に対して斜めに周期的に変化する層構造となることによって複屈折性を有しており、
前記基板面に垂直に入射した光が特定方向に偏光した直線偏光としてのみ出射されるように前記積層膜の厚みが調整されていることを特徴とする偏光変換素子。 - 前記透明磁性層は、チタン酸化物からなる分子層におけるTi格子位置に磁性元素が置換してなる層状チタニアナノシートであることを特徴とする請求項1または2に記載の偏光変換素子。
- 前記透明磁性層は、チタン酸化物からなる分子層におけるTi格子位置に複数種類の磁性元素が置換した層状チタニアナノシートであることを特徴とする請求項1または2に記載の偏光変換素子。
- 光源からの光を光学素子により平行光線とされた光が前記基板面に垂直に入射して、特定の直線偏光としてのみ出射されることを特徴とする請求項2に記載の偏光変換素子。
- 前記透明磁性層の磁化方向を可変としたことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の偏光変換素子。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の偏光変換素子であって、前記積層膜の各層の基板面に対する傾斜角度が同じである一対の偏光変換素子が、前記積層膜の各層の傾斜方向がお互いに逆方向となるように、上下に重ね合わされてなり、
素子入射面で分離した2つの直線偏光を、素子出射面から偏光面角度差を90°として出射することを特徴とする積層型偏光変換素子。 - 前記偏光変換素子同士の重ね合わせられた界面に、非磁性で透明な膜を備えることを特徴とする請求項7に記載の積層型偏光変換素子。
- 当該積層型偏光変換素子の上下それぞれに誘電体膜を備えることを特徴とする請求項7に記載の積層型偏光変換素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158290A JP5019964B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 |
US12/135,472 US20080311429A1 (en) | 2007-06-15 | 2008-06-09 | Magnetic film, magnetic recording/ reproducing device, and polarization conversion component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158290A JP5019964B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008310077A JP2008310077A (ja) | 2008-12-25 |
JP5019964B2 true JP5019964B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40237728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007158290A Expired - Fee Related JP5019964B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5019964B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT201700070606A1 (it) * | 2017-06-23 | 2018-12-23 | Laser Point S R L | Rilevatore di radiazione elettromagnetica. |
IT201700070601A1 (it) * | 2017-06-23 | 2018-12-23 | Laser Point S R L | Rilevatore veloce di radiazione elettromagnetica. |
CN114815397B (zh) | 2022-06-20 | 2022-10-11 | 惠科股份有限公司 | 光学膜片及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3259844B2 (ja) * | 1990-03-27 | 2002-02-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 異方性ナノ複合材料およびその製造方法 |
JP2005258171A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Alps Electric Co Ltd | 偏光分離素子及びその製造方法 |
JP4831595B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2011-12-07 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 |
JP2007024949A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | National Institute For Materials Science | 光学フィルム及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-06-15 JP JP2007158290A patent/JP5019964B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008310077A (ja) | 2008-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hojo et al. | Development of bismuth ferrite as a piezoelectric and multiferroic material by cobalt substitution | |
US8068387B2 (en) | Magneto-optical device | |
Versteeg et al. | Optically probed symmetry breaking in the chiral magnet Cu 2 OSeO 3 | |
JP5019964B2 (ja) | 偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 | |
US20080311429A1 (en) | Magnetic film, magnetic recording/ reproducing device, and polarization conversion component | |
JP2004003134A (ja) | 調光窓 | |
Lu et al. | Engineering magnetic anisotropy and emergent multidirectional soft ferromagnetism in ultrathin freestanding LaMnO3 films | |
JP5507894B2 (ja) | 磁気光学素子と光変調器と磁気光学制御素子及び画像表示装置 | |
Jia et al. | Exchange coupling in (111)-oriented L a 0.7 S r 0.3 Mn O 3/L a 0.7 S r 0.3 Fe O 3 superlattices | |
Da et al. | Magneto-optical enhancement in magnetophotonic crystals based on cholesteric liquid crystals | |
TWI542921B (zh) | 光學體與其控制方法 | |
JP4953933B2 (ja) | 磁性膜及びその製造方法、並びに磁気光学素子 | |
JPH11174396A (ja) | 磁気光学素子及び磁気光学デバイス | |
JP2004003135A (ja) | 調光窓、調光窓システム及び調光窓の調光方法 | |
JP2009145772A (ja) | 光学素子及びそれを用いた表示装置 | |
Feng et al. | Strain-and thickness-dependent magnetic properties of epitaxial La0. 67Sr0. 33CoO3/La0. 67Sr0. 33MnO3 bilayers | |
JPH10213785A (ja) | 偏光子及びその製造方法及び偏光子を備えるディスプレイまたは表示装置 | |
JP2009265544A (ja) | 偏光変換素子 | |
JP2010060586A (ja) | 光変調素子および空間光変調器 | |
JP3626576B2 (ja) | 磁気光学素子 | |
WO2007069638A1 (ja) | 磁性人工超格子とその製造方法 | |
JP4050996B2 (ja) | 光スイッチ | |
JP6108398B2 (ja) | 光変調システムの制御方法、光変調システム及びそれに用いる光学体 | |
JP4070569B2 (ja) | 光スイッチ用部材、光スイッチ及びその製造方法 | |
JP2000047032A (ja) | 偏光変換素子および該偏光変換素子を使用した表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |