JP5011445B1 - Mounting board and light emitting module - Google Patents

Mounting board and light emitting module Download PDF

Info

Publication number
JP5011445B1
JP5011445B1 JP2011138520A JP2011138520A JP5011445B1 JP 5011445 B1 JP5011445 B1 JP 5011445B1 JP 2011138520 A JP2011138520 A JP 2011138520A JP 2011138520 A JP2011138520 A JP 2011138520A JP 5011445 B1 JP5011445 B1 JP 5011445B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
heat transfer
transfer plate
emitting module
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011138520A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013008721A (en
Inventor
洋二 浦野
一志 畠
豊 平田
徹也 遠藤
則和 下田
智成 出口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2011138520A priority Critical patent/JP5011445B1/en
Priority to PCT/JP2012/053627 priority patent/WO2012176491A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5011445B1 publication Critical patent/JP5011445B1/en
Publication of JP2013008721A publication Critical patent/JP2013008721A/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0277—Bendability or stretchability details
    • H05K1/0278—Rigid circuit boards or rigid supports of circuit boards locally made bendable, e.g. by removal or replacement of material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09063—Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能な実装基板および発光モジュールを提供する。
【解決手段】実装基板２は、第１金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３とを備えている。そして、実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され連結片２２ｃに至る第１スリット２２ｄとを有し、伝熱板２１が、第１スリット２２ｃに重なる第２スリット２２ｄを有している。
【選択図】図１A mounting substrate and a light emitting module that can improve heat dissipation and can be deformed into various shapes are provided.
A mounting board 2 is formed of a first metal plate and can be mounted on one side with an electronic component mounted thereon, and is formed on the other side of the heat transfer plate 21 formed of a second metal plate. And a wiring pattern 22 capable of electrically connecting electronic components, and an insulating layer 23 interposed between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22. In the mounting substrate 2, the wiring pattern 22 connects a plurality of unit patterns 22u capable of electrically connecting electronic components and the unit patterns 22u at one end side in a specified direction orthogonal to the parallel arrangement direction of the unit patterns 22u. And a second slit in which the heat transfer plate 21 overlaps the first slit 22c. The second slit has a connecting piece 22c that is electrically connected and a first slit 22d that is open at the other end in the prescribed direction and reaches the connecting piece 22c. 22d.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、実装基板および発光モジュールに関するものである。   The present invention relates to a mounting substrate and a light emitting module.

従来から、図２１および図２２に示すように、複数個（図示例では、５個）のＬＥＤ素子１０１と、これらのＬＥＤ素子１０１を支持するベース１０２と、各ＬＥＤ素子１０１を格別に覆うモールド部材１０３とを備えた光源体１００が提案されている（特許文献１）。ここにおいて、ベース１０２は、窒化アルミニウムにより形成されている。また、モールド部材１０３は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂やガラスなどにより形成されている。   Conventionally, as shown in FIGS. 21 and 22, a plurality of (in the illustrated example, five) LED elements 101, a base 102 that supports these LED elements 101, and a mold that particularly covers each LED element 101. A light source body 100 including a member 103 has been proposed (Patent Document 1). Here, the base 102 is made of aluminum nitride. The mold member 103 is made of silicone resin, epoxy resin, glass, or the like.

上述の光源体１００は、ベース１０２の形状を、切頭四角錐体を成す中実ブロック状としてある。また、光源体１００は、ＬＥＤ素子１０１に電力を供給するための電力供給回路１２２（図２２参照）を、ベース１０２の表面に一体的に形成してある。   In the light source body 100 described above, the shape of the base 102 is a solid block shape forming a truncated quadrangular pyramid. In the light source body 100, a power supply circuit 122 (see FIG. 22) for supplying power to the LED element 101 is integrally formed on the surface of the base 102.

また、特許文献１には、ＬＥＤ素子１０１に電力を供給するための電力供給回路を、図２３に示すような回路基板１３１に形成し、ＬＥＤ素子１０１を回路基板１３１に実装するようにすれば、ベース１０２の材料の選択自由度を大きくできる旨が記載されている。この回路基板１３１は、ベース１０２に取付可能であり、且つ、ＬＥＤ支持面１２１ａ〜１２１ｅにそれぞれ重ね合わせる回路基板要素１３１ａ〜１３１ｅを一体に備えている。   In Patent Document 1, a power supply circuit for supplying power to the LED element 101 is formed on a circuit board 131 as shown in FIG. 23, and the LED element 101 is mounted on the circuit board 131. It is described that the degree of freedom in selecting the material of the base 102 can be increased. The circuit board 131 can be attached to the base 102 and is integrally provided with circuit board elements 131a to 131e that are superposed on the LED support surfaces 121a to 121e, respectively.

なお、特許文献１には、ベース１０２が立体形状であればよく、正多面体に代表される凸多面体とすることもできる旨が記載されている。また、特許文献１には、光源体１００を用いた照明装置が記載されている。   Note that Patent Document 1 describes that the base 102 only needs to be a three-dimensional shape, and can be a convex polyhedron represented by a regular polyhedron. Patent Document 1 describes an illumination device using the light source body 100.

また、従来から、ＬＥＤ照明装置として、図２４に示すように、略円盤状に形成されたアルミニウム製の装置本体２０２と、装置本体２０２の一面側において環状に配設された複数個のＬＥＤモジュール２０３とを備えたものが提案案されている（特許文献２）。ここにおいて、ＬＥＤモジュール２０３は、セラミックや合成樹脂などの電気絶縁物からなる基板２１８と、発光色の異なる複数の第１〜第４の発光部２１９，２２０，２２１，２２２と、基板２１８に搭載された電気コネクタ２３１，２３１とを備えている。そして、ＬＥＤ照明装置は、ＬＥＤモジュール２０３の配設方向いおいて隣接したＬＥＤモジュール２０３どうしが電気コネクタ２３１，２３１間にわたって配線される絶縁被覆電線２３２を介して電気的に接続されている。   Conventionally, as an LED lighting device, as shown in FIG. 24, an aluminum device main body 202 formed in a substantially disc shape, and a plurality of LED modules arranged in an annular shape on one surface side of the device main body 202 The proposal with 203 is proposed (patent document 2). Here, the LED module 203 is mounted on a substrate 218 made of an electrical insulator such as ceramic or synthetic resin, a plurality of first to fourth light emitting units 219, 220, 221, 222 having different emission colors, and the substrate 218. Electrical connectors 231 and 231 are provided. The LED lighting device is electrically connected via an insulation-coated electric wire 232 in which LED modules 203 adjacent in the arrangement direction of the LED module 203 are wired between the electrical connectors 231 and 231.

特開２００８−４４１５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2008-4415 特開２００９−２８３２１４号公報JP 2009-283214 A

上述の回路基板１３１を備えた光源体１００では、各ＬＥＤ素子１０１で発生した熱が、回路基板１３１を通して放熱されるので、例えば、個々のＬＥＤ素子１０１の光出力の増加などによって光源体１００全体の光出力の高出力化を図った場合に、各ＬＥＤ素子１０１の温度上昇を十分に抑制できなくなる懸念がある。このため、上述の光源体１００では、光出力の高出力化が制限されてしまう可能性がある。   In the light source body 100 including the circuit board 131 described above, the heat generated in each LED element 101 is dissipated through the circuit board 131. For example, the light source body 100 as a whole due to an increase in the light output of each LED element 101 or the like. When the light output is increased, there is a concern that the temperature rise of each LED element 101 cannot be sufficiently suppressed. For this reason, in the light source body 100 described above, there is a possibility that the increase in the light output is limited.

また、特許文献１には、回路基板１３１および回路基板要素１３１ａ〜１３１ｅの具体的な構成について明記されていない。ここで、仮に、回路基板１３１が、ガラス基材銅張積層板を用いたプリント配線板や、金属系基板を用いたプリント配線板（金属ベースプリント配線板）である場合には、電力供給回路が、銅箔をパターニングすることにより形成された配線パターンにより構成されるので、回路基板１３１を折り曲げたときに電力供給回路が断線してしまう懸念がある。また、仮に、回路基板１３１が、フレキシブル基板を用いたプリント配線板（フレキシブルプリント配線板）である場合には、各ＬＥＤ素子１０１とベース１０２との間にポリエステルフィルムやポリエステルフィルムなどのフレキシブル基板が介在することになり、各ＬＥＤ素子１０１で発生した熱を効率良く放熱させることが難しい。   Further, Patent Document 1 does not specify a specific configuration of the circuit board 131 and the circuit board elements 131a to 131e. Here, if the circuit board 131 is a printed wiring board using a glass-based copper-clad laminate or a printed wiring board using a metal substrate (metal-based printed wiring board), a power supply circuit However, since the wiring pattern is formed by patterning the copper foil, the power supply circuit may be disconnected when the circuit board 131 is bent. Further, if the circuit board 131 is a printed wiring board (flexible printed wiring board) using a flexible board, a flexible board such as a polyester film or a polyester film is provided between each LED element 101 and the base 102. Therefore, it is difficult to efficiently dissipate the heat generated in each LED element 101.

また、特許文献１には、光源体１００のベース１０２の形状に関して、切頭四角錐体に限らず、立体形状であればよいことが記載されている。しかしながら、回路基板１３１を備えた光源体１００では、形状の異なるベース１０２ごとに、形状の異なる回路基板１３１を設計しなければならず、設計コストを含めた製造コストや管理コストなどのコストが高くなってしまう。また、回路基板１３１を図２３に示すような展開した形状で製造する場合には、材料歩留まりが低く、回路基板１３１のコストが高くなり、結果的に、光源体１００のコストアップの要因となってしまう。   Patent Document 1 describes that the shape of the base 102 of the light source body 100 is not limited to a truncated quadrangular pyramid and may be a three-dimensional shape. However, in the light source body 100 including the circuit board 131, it is necessary to design the circuit board 131 having a different shape for each base 102 having a different shape, and the manufacturing cost and the management cost including the design cost are high. turn into. Further, when the circuit board 131 is manufactured in the unfolded shape as shown in FIG. 23, the material yield is low, the cost of the circuit board 131 is increased, and as a result, the cost of the light source body 100 is increased. End up.

また、特許文献２のＬＥＤ照明装置では、複数個のＬＥＤモジュール２０３が円環状に配設されているが、ＬＥＤモジュール２０３の配設方向において隣り合うＬＥＤモジュール２０３どうしを、絶縁被覆電線２３２を介して電気的に接続する必要があり、製造コストが高くなってしまう。   In addition, in the LED lighting device of Patent Document 2, a plurality of LED modules 203 are arranged in an annular shape, but the LED modules 203 adjacent in the arrangement direction of the LED modules 203 are connected to each other via an insulation covered electric wire 232. Therefore, it is necessary to make an electrical connection, which increases the manufacturing cost.

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能な実装基板および発光モジュールを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above reasons, and an object of the present invention is to provide a mounting substrate and a light emitting module that can improve heat dissipation and can be deformed into various shapes.

本発明の実装基板は、電子部品を実装可能な実装基板であって、第１金属板により形成され前記電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板と、第２金属板により形成されてなり前記伝熱板の他面側に配置され前記電子部品を電気的に接続可能な配線パターンと、前記伝熱板と前記配線パターンとの間に介在する絶縁層とを備え、前記配線パターンは、前記電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターンと、前記単位パターンの並設方向に直交する規定方向の一端側において前記単位パターンどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片と、前記規定方向の他端側が開放され前記連結片に至る第１スリットとを有し、前記伝熱板は、前記第１スリットに重なる第２スリットを有することを特徴とする。   The mounting board of the present invention is a mounting board on which an electronic component can be mounted, and is formed of a first metal plate and a heat transfer plate on which the electronic component can be mounted on one side, and a second metal plate. A wiring pattern disposed on the other surface side of the heat transfer plate and capable of electrically connecting the electronic components; and an insulating layer interposed between the heat transfer plate and the wiring pattern, the wiring pattern comprising: A plurality of unit patterns that can be electrically connected to the electronic component; a connecting piece that connects and electrically connects the unit patterns on one end side in a prescribed direction orthogonal to the parallel arrangement direction of the unit patterns; The other end side of the prescribed direction is open and has a first slit reaching the connecting piece, and the heat transfer plate has a second slit overlapping the first slit.

この実装基板において、前記連結片は、前記一端側において前記並設方向に沿った前記各単位パターンの側縁を含む平面よりも突出していることが好ましい。   In this mounting board, it is preferable that the connecting piece protrudes from a plane including side edges of the unit patterns along the juxtaposed direction on the one end side.

この実装基板において、前記第１金属板により形成されてなり前記伝熱板の一方の側方に配置された第１側片および他方の側方に配置された第２側片を備え、前記第１側片、前記第２側片は、切断と折り曲げとが可能な第１バー、第２バーそれぞれを介して前記伝熱板に連結されてなることが好ましい。   The mounting board includes a first side piece formed by the first metal plate and disposed on one side of the heat transfer plate, and a second side piece disposed on the other side, The first side piece and the second side piece are preferably connected to the heat transfer plate via a first bar and a second bar that can be cut and bent.

本発明の発光モジュールは、前記実装基板と、前記実装基板に実装された前記電子部品とを備え、前記電子部品が固体発光素子からなることを特徴とする。   The light-emitting module of the present invention includes the mounting substrate and the electronic component mounted on the mounting substrate, and the electronic component includes a solid light-emitting element.

この発光モジュールにおいて、前記固体発光素子は、ＬＥＤチップであることが好ましい。   In the light emitting module, the solid light emitting element is preferably an LED chip.

この発光モジュールにおいて、前記伝熱板は、前記第１金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることが好ましい。   In this light emitting module, the heat transfer plate is such that the first metal plate is an aluminum plate, and an aluminum film having a higher purity than the aluminum plate is laminated on the side opposite to the insulating layer side of the aluminum plate, It is preferable that an aluminum film is laminated with a reflection enhancing film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes.

この発光モジュールにおいて、前記ＬＥＤチップから放射された光によって励起されて前記ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることが好ましい。   The light emitting module includes a color conversion unit including a phosphor and a translucent material that is excited by light emitted from the LED chip and emits light of a color different from the emission color of the LED chip, and the color conversion The part is preferably in contact with the heat transfer plate.

この発光モジュールにおいて、前記各ＬＥＤチップは、厚み方向の一面側に第１電極と第２電極とが設けられたものであり、前記第１電極および前記第２電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることが好ましい。   In this light-emitting module, each LED chip is provided with a first electrode and a second electrode on one surface side in the thickness direction, and each of the first electrode and the second electrode is connected to the first electrode via a wire. It is preferable that the heat transfer plate is electrically connected to a wiring pattern, and has a through-hole through which each of the wires passes.

本発明の実装基板においては、放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能となる。   In the mounting board of the present invention, it is possible to improve heat dissipation and to be deformed into various shapes.

本発明の発光モジュールにおいては、放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能となる。   In the light emitting module of the present invention, it is possible to improve heat dissipation and to be deformed into various shapes.

（ａ）は実施形態１における実装基板の一表面側から見た概略斜視図、（ｂ）は実施形態１における実装基板の他表面側から見た概略斜視図である。(A) is the schematic perspective view seen from the one surface side of the mounting board | substrate in Embodiment 1, (b) is the schematic perspective view seen from the other surface side of the mounting board | substrate in Embodiment 1. FIG. 実施形態１における実装基板の他表面側から見た概略分解斜視図である。FIG. 2 is a schematic exploded perspective view seen from the other surface side of the mounting board in the first embodiment. 実施形態１における実装基板の形状を変化させた一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example which changed the shape of the mounting substrate in Embodiment 1. FIG. 実施形態１における実装基板の形状を変化させる方法の説明図である。It is explanatory drawing of the method to change the shape of the mounting substrate in Embodiment 1. FIG. 実施形態１における実装基板の形状を変化させた他の例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the other example which changed the shape of the mounting board | substrate in Embodiment 1. FIG. 実施形態１における発光モジュールの概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a light emitting module according to Embodiment 1. FIG. （ａ）は実施形態１における発光モジュールの要部概略斜視図、（ｂ）は実施形態１における発光モジュールの一部破断した要部概略斜視図である。(A) is a principal part schematic perspective view of the light emitting module in Embodiment 1, (b) is a principal part schematic perspective view in which the light emitting module in Embodiment 1 was partially broken. 実施形態１における発光モジュールの要部概略断面図である。3 is a schematic cross-sectional view of a main part of a light emitting module in Embodiment 1. FIG. 実施形態１における発光モジュールの要部概略平面図である。3 is a schematic plan view of a main part of the light emitting module according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１における発光モジュールの他の構成例の要部概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a main part of another configuration example of the light emitting module according to Embodiment 1. 実施形態１における発光モジュールの更に他の構成例の要部概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a main part of still another configuration example of the light emitting module according to Embodiment 1. 実施形態１における発光モジュールの別の構成例の要部概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a main part of another configuration example of the light emitting module according to Embodiment 1. 実施形態１における発光モジュールの更に別の構成例の要部概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a main part of still another configuration example of the light emitting module according to Embodiment 1. 実施形態１における実装基板の製造方法の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a mounting board manufacturing method according to the first embodiment. 実施形態１における実装基板の製造方法の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a mounting board manufacturing method according to the first embodiment. 実施形態１における実装基板の製造方法の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a mounting board manufacturing method according to the first embodiment. 実施形態１における発光モジュールの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light emitting module in Embodiment 1. FIG. 実施形態２における発光モジュールの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the light emitting module in Embodiment 2. 実施形態２における実装基板の製造方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a mounting board manufacturing method in Embodiment 2. 実施形態２における発光モジュールの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the light emitting module in Embodiment 2. FIG. 従来例の光源体を示す全体斜視図である。It is a whole perspective view which shows the light source body of a prior art example. 同上の光源体におけるベースへのＬＥＤ素子の取付態様を模式的に示す要部拡大図である。It is a principal part enlarged view which shows typically the attachment aspect of the LED element to the base in a light source body same as the above. 同上の光源体の他の形態における回路基板を示す展開図である。It is an expanded view which shows the circuit board in the other form of a light source body same as the above. 他の従来例のＬＥＤ照明装置におけるＬＥＤモジュールの配置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows arrangement | positioning of the LED module in the LED lighting apparatus of another prior art example.

（実施形態１）
まず、電子部品を実装可能な実装基板２について図１〜図５に基づいて説明し、その後、この実装基板２を備えた発光モジュールについて図６〜図９に基づいて説明する。 (Embodiment 1)
First, the mounting board 2 on which electronic components can be mounted will be described with reference to FIGS. 1 to 5, and then the light emitting module including the mounting board 2 will be described with reference to FIGS. 6 to 9.

実装基板２は、電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３とを備えている。ここで、伝熱板２１は、第１金属板により形成されており、配線パターン２２は、第１金属板とは別の第２金属板により形成されている。本実施形態の実装基板２は、全体として長尺状に形成されており、長手方向を行方向、短手方向を列方向として、複数個の電子部品を２行４０列のマトリクス状に配列して実装できるように構成してある。したがって、実装基板２は、８０個の電子部品を実装することが可能となっている。なお、実装基板２に実装可能とする電子部品の数は、特に限定するものではない。   The mounting substrate 2 includes a heat transfer plate 21 on which electronic components can be mounted on one surface side, a wiring pattern 22 that is disposed on the other surface side of the heat transfer plate 21 and that can electrically connect electronic components, and a heat transfer plate 21. An insulating layer 23 interposed between the wiring pattern 22 and the wiring pattern 22 is provided. Here, the heat transfer plate 21 is formed of a first metal plate, and the wiring pattern 22 is formed of a second metal plate different from the first metal plate. The mounting substrate 2 of the present embodiment is formed in a long shape as a whole, and a plurality of electronic components are arranged in a matrix of 2 rows and 40 columns, with the longitudinal direction as the row direction and the short direction as the column direction. Can be implemented. Therefore, the mounting substrate 2 can mount 80 electronic components. The number of electronic components that can be mounted on the mounting board 2 is not particularly limited.

伝熱板２１の基礎となる第１金属板の材料としては、アルミニウム、銅などの熱伝導率の高い金属が好ましい。ただし、第１金属板の材料は、これらに限らず、例えば、ステンレスやスチールなどでもよい。   As a material of the first metal plate that is the basis of the heat transfer plate 21, a metal having high thermal conductivity such as aluminum and copper is preferable. However, the material of the first metal plate is not limited to these, and may be stainless steel or steel, for example.

伝熱板２１には、電子部品と配線パターン２２とを電気的に接続する配線（例えば、ワイヤなど）の各々を通す貫通孔２１ｂが形成されている。貫通孔２１ｂは、伝熱板２１の長手方向において電子部品の搭載領域の両側に形成してある。   The heat transfer plate 21 is formed with a through hole 21b through which each wiring (for example, a wire) electrically connecting the electronic component and the wiring pattern 22 is passed. The through holes 21 b are formed on both sides of the electronic component mounting region in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21.

貫通孔２１ｂは、開口形状を円形状としてある。貫通孔２１ｂの内径は、０．５ｍｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではない。貫通孔２１ｂの形状は、円形状に限らず、例えば、矩形状、楕円形状などでもよい。   The through hole 21b has a circular opening shape. The inner diameter of the through hole 21b is set to 0.5 mm, but this value is an example and is not particularly limited. The shape of the through hole 21b is not limited to a circular shape, and may be, for example, a rectangular shape or an elliptical shape.

また、絶縁層２３は、伝熱板２１の各貫通孔２１ｂの各々に連通する貫通孔２３ｂが形成されている。したがって、実装基板２に電子部品を実装する場合には、例えば、伝熱板２１の貫通孔２１ｂと絶縁層２３の貫通孔２３ｂとを通して、電子部品と配線パターン２２とを電気的に接続することができる。   The insulating layer 23 is formed with through holes 23 b communicating with the respective through holes 21 b of the heat transfer plate 21. Therefore, when an electronic component is mounted on the mounting substrate 2, for example, the electronic component and the wiring pattern 22 are electrically connected through the through hole 21 b of the heat transfer plate 21 and the through hole 23 b of the insulating layer 23. Can do.

また、配線パターン２２の基礎となる第２金属板としては、金属フープ材に対してプレスによる打ち抜き加工を施すことにより形成したリードフレーム３２０（図１６（ａ）参照）を用いている。   Further, as the second metal plate serving as the basis of the wiring pattern 22, a lead frame 320 (see FIG. 16A) formed by punching a metal hoop material with a press is used.

第２金属板の材料としては、金属の中で熱伝導率が比較的高い銅（銅の熱伝導率は、３９８Ｗ／ｍ・Ｋ程度）が好ましいが、銅に限らず、例えば、リン青銅などでもよいし、銅合金（例えば、４２アロイなど）などでもよい。また、第２金属板の厚みは、例えば、１００μｍ〜１５００μｍ程度の範囲で設定することが好ましい。   The material of the second metal plate is preferably copper having a relatively high thermal conductivity among metals (the thermal conductivity of copper is about 398 W / m · K), but is not limited to copper, for example, phosphor bronze, etc. Alternatively, a copper alloy (for example, 42 alloy) may be used. Moreover, it is preferable to set the thickness of a 2nd metal plate in the range of about 100 micrometers-1500 micrometers, for example.

リードフレーム３２０は、外枠部３２１の内側に支持片３２２（図１６（ａ）参照）を介して配線パターン２２が支持されたものである。   In the lead frame 320, the wiring pattern 22 is supported on the inner side of the outer frame portion 321 via a support piece 322 (see FIG. 16A).

上述の実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片（以下、第１連結片と称する）２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され第１連結片２２ｃに至る直線状の第１スリット２２ｄとを有している。第１連結片２２ｃは、平面形状を矩形状としてある。ここで、第１連結片２２ｃは、上記一端側において上記並設方向に沿った各単位パターン２２ｕの側縁から延設されていることが好ましい。言い換えれば、第１連結片２２ｃは、上記一端側において上記並設方向に沿った各単位パターン２２ｕの側縁を含む平面よりも突出していることが好ましい。そして、第１スリット２２ｄは、上記規定方向において単位パターン２２ｕの全長よりも長く形成されている。要するに、第１スリット２２ｄは、一部が、第１連結片２２ｃに形成されている。したがって、第１連結片２２ｃは、第１スリット２２ｄの長手方向に沿った第１部位を第１の折り目として折り曲げ可能で、また、第１スリット２２ｄの終端の位置で第１スリット２２ｄの幅方向に沿った第２部位を第２の折り目として折り曲げ可能となっている。   In the mounting substrate 2 described above, the wiring pattern 22 connects a plurality of unit patterns 22u capable of electrically connecting electronic components and the unit patterns 22u at one end side in a defined direction orthogonal to the parallel arrangement direction of the unit patterns 22u. And a connecting piece (hereinafter referred to as a first connecting piece) 22c that is electrically connected, and a linear first slit 22d that opens to the first connecting piece 22c at the other end in the prescribed direction. Yes. The first connection piece 22c has a rectangular planar shape. Here, it is preferable that the 1st connection piece 22c is extended from the side edge of each unit pattern 22u along the said juxtaposition direction in the said one end side. In other words, the first connecting piece 22c preferably protrudes from the plane including the side edges of the unit patterns 22u along the juxtaposed direction on the one end side. The first slit 22d is formed longer than the entire length of the unit pattern 22u in the specified direction. In short, a part of the first slit 22d is formed in the first connecting piece 22c. Therefore, the first connecting piece 22c can be bent with the first portion along the longitudinal direction of the first slit 22d as the first fold, and the width direction of the first slit 22d at the end position of the first slit 22d. It is possible to bend the second part along the second fold.

また、実装基板２は、伝熱板２１が、第１スリット２２ｄに重なる直線状の第２スリット２１ｄを有している。ここで、伝熱板２１は、単位パターン２２ｕの数と同じ数の伝熱ユニット２１ｕが上記並設方向に並設されており、上記規定方向の一端側において隣り合う伝熱ユニット２１ｕどうしを連結する連結片（以下、第２連結片と称する）２１ｃを有している。そして、伝熱板２１における第２スリット２１ｄは、上記規定方向の他端側が開放され第２連結片２１ｃに至るように形成されている。さらに、実装基板２は、絶縁層２３が、第１スリット２２ｄに重なる直線状の第３スリット２３ｄを有している。ここで、絶縁層２３は、単位パターン２２ｕの数と同じ数の絶縁ユニット２３ｕが上記並列方向に並設されており、上記規定方向の一端側において隣り合う絶縁ユニット２３ｕどうしを連結する連結片（以下、第３連結片と称する）２３ｃを有している。   In the mounting substrate 2, the heat transfer plate 21 has a linear second slit 21d that overlaps the first slit 22d. Here, the heat transfer plate 21 includes the same number of heat transfer units 21u as the number of unit patterns 22u arranged in the parallel direction, and connects adjacent heat transfer units 21u on one end side in the specified direction. A connecting piece (hereinafter referred to as a second connecting piece) 21c. And the 2nd slit 21d in the heat exchanger plate 21 is formed so that the other end side of the said prescription | regulation direction may be open | released and the 2nd connection piece 21c may be reached. Further, in the mounting substrate 2, the insulating layer 23 has a linear third slit 23d that overlaps the first slit 22d. Here, in the insulating layer 23, the same number of insulating units 23u as the number of unit patterns 22u are arranged in the parallel direction, and a connecting piece (which connects adjacent insulating units 23u on one end side in the prescribed direction) (Hereinafter referred to as a third connecting piece) 23c.

実装基板２は、単位パターン２２ｕと、この単位パターン２２ｕに対応する伝熱ユニット２１ｕと、この単位パターン２２ｕに対応する絶縁ユニット２３ｕとで１つの基板ユニット２ｕを構成しており、単位パターン２２ｕの数だけ、基板ユニット２ｕを備えている。そして、実装基板２は、隣り合う基板ユニット２ｕどうしが、第１連結片２２ｃと第２連結片２１ｃと第３連結片２３ｃとで構成される連結部２ｃにより連結されている。本実施形態では、実装基板２が、５個の基板ユニット２ｕを備えており、各基板ユニット２ｕの各々において、１６個の電子部品を２行８列のマトリクス状に配列できるようになっている。   In the mounting substrate 2, a unit pattern 22u, a heat transfer unit 21u corresponding to the unit pattern 22u, and an insulating unit 23u corresponding to the unit pattern 22u constitute one substrate unit 2u. A number of substrate units 2u are provided. In the mounting substrate 2, adjacent substrate units 2u are connected by a connecting portion 2c including a first connecting piece 22c, a second connecting piece 21c, and a third connecting piece 23c. In the present embodiment, the mounting board 2 includes five board units 2u, and in each board unit 2u, 16 electronic components can be arranged in a matrix of 2 rows and 8 columns. .

また、実装基板２は、長手方向の両端部の各々に端子部２ｆを備えている。端子部２ｆは、第１連結片２２ｃを半割した第１半割片２２ｆと、第２連結片２１ｃを半割した第２半割片２１ｆと、第３連結片２３ｃを半割した第３半割片２３ｆとで構成されている。   Further, the mounting substrate 2 includes terminal portions 2f at both ends in the longitudinal direction. The terminal portion 2f includes a first half piece 22f obtained by halving the first connection piece 22c, a second half piece 21f obtained by halving the second connection piece 21c, and a third part obtained by halving the third connection piece 23c. It is composed of a half piece 23f.

絶縁層２３は、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化するとともに流動性が高くなる性質を有するＢステージのエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂）と２枚のプラスチックフィルム（ＰＥＴフィルム）とが積層された熱硬化型のシート状接着剤（例えば、東レ株式会社製の接着剤シートＴＳＡなど）のエポキシ樹脂層を熱硬化させることにより形成されている。ここで、２枚のプラスチックフィルムは、Ｂステージのエポキシ樹脂層の厚み方向の両面に１枚ずつ積層されている。フィラーとしては、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂よりも熱伝導率の高い絶縁性材料を用いればよい。ここにおいて、シート状接着剤のエポキシ樹脂層は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いという性質を有している。したがって、絶縁層２３と伝熱板２１および配線パターン２２との間に空隙が発生するのを防止することができて密着信頼性が向上するとともに、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を抑制することが可能となる。しかして、伝熱板２１と配線パターン２２との間にサーコン（登録商標）のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、各電子部品から配線パターン２２までの熱抵抗を低減できるとともに、熱抵抗のばらつきを低減できて、放熱性が向上し、各電子部品の温度上昇を抑制できる。上述のエポキシ樹脂層の厚みは、１００μｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではなく、例えば、５０μｍ〜１５０μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、上述のエポキシ樹脂層の熱伝導率は、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。また、シート状接着剤のプラスチックフィルムは、配線パターン２２と伝熱板２１とを重ね合わせる前に、エポキシ樹脂層から剥離する。要するに、エポキシ樹脂層における一方のプラスチックフィルムを剥離してから、他方のプラスチックフィルム側とは反対側の一面を対象物に固着した後、当該他方のプラスチックフィルムを剥離する。   The insulating layer 23 contains a filler made of a filler such as silica or alumina, and has a property of lowering viscosity during heating and improving fluidity, and a B-stage epoxy resin layer (thermosetting resin) and two sheets It is formed by thermosetting an epoxy resin layer of a thermosetting sheet-like adhesive (for example, an adhesive sheet TSA manufactured by Toray Industries, Inc.) on which a plastic film (PET film) is laminated. Here, the two plastic films are laminated one by one on both surfaces in the thickness direction of the epoxy resin layer of the B stage. As the filler, an insulating material having higher thermal conductivity than the epoxy resin that is a thermosetting resin may be used. Here, the epoxy resin layer of the sheet-like adhesive has properties of being electrically insulating and having high thermal conductivity, high fluidity during heating, and high adhesion to the uneven surface. Therefore, it is possible to prevent a gap from being generated between the insulating layer 23 and the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22, thereby improving the adhesion reliability and increasing the thermal resistance and the occurrence of variations due to insufficient adhesion. It becomes possible to suppress. Therefore, compared to the case where a rubber sheet-like heat radiation sheet such as Sarcon (registered trademark) is sandwiched between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22, the thermal resistance from each electronic component to the wiring pattern 22 is reduced. In addition, variation in thermal resistance can be reduced, heat dissipation can be improved, and temperature rise of each electronic component can be suppressed. The thickness of the epoxy resin layer described above is set to 100 μm, but this value is merely an example, and is not particularly limited. For example, the thickness may be appropriately set in the range of about 50 μm to 150 μm. Note that the thermal conductivity of the epoxy resin layer is preferably 4 W / m · K or more. Further, the plastic film of the sheet adhesive is peeled off from the epoxy resin layer before the wiring pattern 22 and the heat transfer plate 21 are overlapped. In short, after one plastic film in the epoxy resin layer is peeled off, one surface opposite to the other plastic film side is fixed to the object, and then the other plastic film is peeled off.

ここで、絶縁層２３の形成にあたっては、伝熱板２１とエポキシ樹脂層と配線パターン２２を有するリードフレーム３２０とを重ね合わせた状態で適宜加圧するようにしてもよい。   Here, when the insulating layer 23 is formed, the heat transfer plate 21, the epoxy resin layer, and the lead frame 320 having the wiring pattern 22 may be appropriately pressed together.

絶縁層２３の外形サイズは、リードフレーム３２０の外形サイズに基づいて適宜設定すればよい。ここで、絶縁層２３は、電気絶縁性および熱伝導性を有し、伝熱板２１と配線パターン２２とを電気的に絶縁する機能および熱結合する機能を有している。   The outer size of the insulating layer 23 may be set as appropriate based on the outer size of the lead frame 320. Here, the insulating layer 23 has electrical insulation and thermal conductivity, and has a function of electrically insulating and thermally coupling the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22.

また、配線パターン２２は、第２金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり絶縁層２３との密着性の高い表面処理層（図示せず）が形成されていることが好ましい。第２金属板の材料がＣｕの場合、表面処理層としては、例えば、Ｎｉ膜、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜などを形成することが好ましい。なお、表面処理層は、例えば、めっき法により形成すればよい。   Further, the wiring pattern 22 is made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the second metal plate, and a surface treatment layer (not shown) having high adhesion to the insulating layer 23 is formed. Is preferred. When the material of the second metal plate is Cu, as the surface treatment layer, for example, a Ni film, a laminated film of Ni film and Au film, a laminated film of Ni film, Pd film and Au film, or the like may be formed. preferable. The surface treatment layer may be formed by, for example, a plating method.

以上説明した本実施形態の実装基板２は、上述のように、第１金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３とを備えている。そして、本実施形態の実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され連結片２２ｃに至る第１スリット２２ｄとを有し、伝熱板２１が、第１スリット２２ｃに重なる第２スリット２２ｄを有している。しかして、本実施形態の実装基板２は、例えば、各第１連結片２２ｃの各々の上記第１部位を第１の折り目として折り曲げることにより、例えば、図３に示すように、側面視形状をアーチ状の形状に変形させることが可能となり、多面体に搭載することが可能となる。   As described above, the mounting substrate 2 of the present embodiment described above is formed of the first metal plate and the heat transfer plate 21 on which the electronic component can be mounted on one surface side, and the second metal plate. A wiring pattern 22 arranged on the other surface side of the plate 21 and capable of electrically connecting electronic components, and an insulating layer 23 interposed between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 are provided. In the mounting substrate 2 of the present embodiment, the wiring pattern 22 has a plurality of unit patterns 22u that can electrically connect electronic components, and a unit pattern on one end side in a specified direction orthogonal to the parallel arrangement direction of the unit patterns 22u. A connecting piece 22c for connecting and electrically connecting 22u, and a first slit 22d that opens to the connecting piece 22c at the other end in the prescribed direction, and the heat transfer plate 21 is connected to the first slit 22c. It has the 2nd slit 22d which overlaps. Thus, the mounting substrate 2 of the present embodiment has, for example, a side view shape as shown in FIG. 3 by bending the first portion of each first connecting piece 22c as a first fold. It can be deformed into an arch shape, and can be mounted on a polyhedron.

また、実装基板２は、上述のように、第１連結片２２ｃが、上記一端側において上記並設方向に沿った各単位パターン２２ｕの側縁を含む平面よりも突出していることが好ましい。これにより、実装基板２は、第１連結片２２ｃの上記第２部位を第２の折り目として連結部２ｃを図（ａ）に示すように折り曲げることが可能となり、さらに、第１連結片２２ｃの上記第１部位を第１の折り目として連結部２ｃを図４（ｂ）に示すように折り曲げることも可能となる。これにより、実装基板２は、例えば、図５に示すように、平面形状を円弧状の形状に変形させることが可能となる。   In addition, as described above, in the mounting substrate 2, it is preferable that the first connecting piece 22 c protrudes from the plane including the side edges of the unit patterns 22 u along the juxtaposed direction on the one end side. As a result, the mounting board 2 can bend the connecting portion 2c as shown in FIG. 1A with the second portion of the first connecting piece 22c as the second fold, and further, the first connecting piece 22c can be bent. It is also possible to bend the connecting portion 2c as shown in FIG. 4B with the first portion as the first fold. Thereby, the mounting substrate 2 can change the planar shape into an arc shape, for example, as shown in FIG.

次に、上述の実装基板２を用いた発光モジュール１について図６〜図９に基づいて説明する。   Next, the light emitting module 1 using the mounting substrate 2 will be described with reference to FIGS.

発光モジュール１は、実装基板２と、実装基板２に実装された複数の固体発光素子３（図７〜９参照）とを備えている。ここで、固体発光素子３が、上述の電子部品を構成している。   The light emitting module 1 includes a mounting substrate 2 and a plurality of solid state light emitting elements 3 (see FIGS. 7 to 9) mounted on the mounting substrate 2. Here, the solid state light emitting device 3 constitutes the electronic component described above.

伝熱板２１は、反射板としての機能を有することが好ましく、第１金属板の材料としてアルミニウムを採用することが、より好ましい。また、伝熱板２１は、第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第１絶縁層２３側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されていることが好ましい。ここで、２種類の誘電体膜としては、例えば、ＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜とを採用することが好ましい。このような伝熱板２１を用いることにより、可視光に対する反射率を９５％以上とすることが可能となる。この伝熱板２１としては、例えば、アラノッド（alanod）社のＭＩＲＯ２、ＭＩＲＯ（登録商標）を用いることができる。上述のアルミニウム板としては、表面が陽極酸化処理されたものを用いてもよい。なお、伝熱板２１の厚みは、例えば、０．２〜３ｍｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。 The heat transfer plate 21 preferably has a function as a reflecting plate, and more preferably employs aluminum as the material of the first metal plate. In the heat transfer plate 21, the first metal plate is an aluminum plate, an aluminum film having a higher purity than the aluminum plate is laminated on the opposite side of the aluminum plate to the first insulating layer 23 side, and the refractive index of the aluminum film is It is preferable that a reflection enhancing film made of two different types of dielectric films is laminated. Here, as the two types of dielectric films, for example, an SiO 2 film and a TiO 2 film are preferably employed. By using such a heat transfer plate 21, the reflectance with respect to visible light can be 95% or more. As the heat transfer plate 21, for example, MIRO2 or MIRO (registered trademark) manufactured by alanod can be used. As the above-mentioned aluminum plate, an anodized surface may be used. In addition, what is necessary is just to set the thickness of the heat exchanger plate 21 suitably in the range of about 0.2-3 mm, for example.

固体発光素子３としては、ＬＥＤチップを用いているが、これに限らず、例えば、ＬＥＤチップがパッケージに収納されたものでもよい。また、固体発光素子３としては、例えば、レーザダイオード（半導体レーザ）や、有機ＥＬ素子などを用いてもよい。   Although the LED chip is used as the solid state light emitting device 3, the present invention is not limited to this, and for example, an LED chip may be housed in a package. Moreover, as the solid light emitting element 3, for example, a laser diode (semiconductor laser), an organic EL element, or the like may be used.

固体発光素子３は、図８に示すように、厚み方向の一面側に第１電極（アノード電極）３１と第２電極（カソード電極）３２とが設けられており、厚み方向の他面側が接合部３５を介して伝熱板２１に接合されている。そして、固体発光素子３は、第１電極３１および第２電極３２の各々がワイヤ（ボンディングワイヤ）２６を介して配線パターン２２と電気的に接続されている。ここにおいて、伝熱板２１は、各ワイヤ２６の各々を通すことが可能な上述の貫通孔２１ｂが形成されている。貫通孔２１ｂは、伝熱板２１の長手方向において各固体発光素子３ごとの搭載領域の両側に形成してある。固体発光素子３がＬＥＤチップの場合、接合部３５は、ダイボンド材により形成すればよい。   As shown in FIG. 8, the solid-state light emitting element 3 is provided with a first electrode (anode electrode) 31 and a second electrode (cathode electrode) 32 on one surface side in the thickness direction, and the other surface side in the thickness direction is bonded. It is joined to the heat transfer plate 21 via the part 35. In the solid state light emitting device 3, each of the first electrode 31 and the second electrode 32 is electrically connected to the wiring pattern 22 via a wire (bonding wire) 26. Here, the heat transfer plate 21 is formed with the above-described through-holes 21 b through which the wires 26 can pass. The through holes 21 b are formed on both sides of the mounting region for each solid state light emitting element 3 in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21. In the case where the solid light emitting element 3 is an LED chip, the bonding portion 35 may be formed of a die bond material.

ＬＥＤチップは、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、基板としてサファイア基板を備えたものを用いている。ただし、ＬＥＤチップの基板は、サファイア基板に限らず、例えば、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板などでもよい。なお、ＬＥＤチップの構造は特に限定するものではない。   The LED chip is a GaN-based blue LED chip that emits blue light, and uses a sapphire substrate as a substrate. However, the substrate of the LED chip is not limited to the sapphire substrate, and may be a GaN substrate, a SiC substrate, a Si substrate, or the like. The structure of the LED chip is not particularly limited.

ＬＥＤチップのチップサイズは、特に限定するものではなく、例えば、チップサイズが０．３ｍｍ□や０．４５ｍｍ□や１ｍｍ□のものなどを用いることができる。   The chip size of the LED chip is not particularly limited, and for example, those having a chip size of 0.3 mm □, 0.45 mm □, or 1 mm □ can be used.

また、ＬＥＤチップの発光層の材料や発光色は特に限定するものではない。すなわち、ＬＥＤチップとしては、青色ＬＥＤチップに限らず、例えば、紫色光ＬＥＤチップ、紫外光ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップなどを用いてもよい。   Moreover, the material and luminescent color of the light emitting layer of the LED chip are not particularly limited. That is, the LED chip is not limited to the blue LED chip, and for example, a violet light LED chip, an ultraviolet light LED chip, a red LED chip, a green LED chip, or the like may be used.

ダイボンド材としては、例えば、シリコーン系のダイボンド材、エポキシ系のダイボンド材、銀ペーストなどを用いることができる。   As the die bond material, for example, a silicone die bond material, an epoxy die bond material, a silver paste, or the like can be used.

また、ワイヤ２６としては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。   Moreover, as the wire 26, a gold wire, an aluminum wire, etc. can be used, for example.

ところで、発光モジュール１は、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いている場合、例えば図８に示すように、伝熱板２１の上記一面側において固体発光素子３およびワイヤ２６を封止した封止部３６を備えることが好ましい。図８では、封止部３６の材料として、第１透光性材料であるシリコーン樹脂を用いている。第１透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いてもよい。   By the way, when the light emitting module 1 uses an LED chip as the solid light emitting element 3, for example, as shown in FIG. 8, the solid light emitting element 3 and the wire 26 are sealed on the one surface side of the heat transfer plate 21. A portion 36 is preferably provided. In FIG. 8, a silicone resin that is a first light transmissive material is used as the material of the sealing portion 36. The first light transmissive material is not limited to a silicone resin, and for example, an epoxy resin, an acrylic resin, glass, or the like may be used.

また、発光モジュール１は、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いている場合、高出力の白色光を得るためには、ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する波長変換材料を有する色変換部３７を備えていることが好ましい。このような色変換部３７としては、例えば、ＬＥＤチップから放射された光によって励起されてＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を波長変換材料として用い、蛍光体および第２透光性材料を含むものが好ましい。   Further, when the LED chip is used as the solid state light emitting element 3, the light emitting module 1 has a wavelength conversion material that emits light of a color different from the emission color of the LED chip in order to obtain high output white light. A color conversion unit 37 is preferably provided. As such a color conversion unit 37, for example, a phosphor that is excited by light emitted from the LED chip and emits light of a color different from the emission color of the LED chip is used as the wavelength conversion material. Those containing two light-transmitting materials are preferred.

発光モジュール１は、例えば、ＬＥＤチップとして青色ＬＥＤチップを用い、色変換部３７の蛍光体として黄色蛍光体を用いれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、発光モジュール１は、ＬＥＤチップから放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部３７の表面を通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。色変換部３７の材料として用いる第２透光性材料として、シリコーン樹脂を用いているが、これに限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部３７の材料として用いる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、黄色蛍光体と赤色蛍光体とを用いたり、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることにより、演色性を高めることが可能となる。また、色変換部３７の材料として用いる蛍光体は、１種類の黄色蛍光体に限らず、発光ピーク波長の異なる２種類の黄色蛍光体を用いてもよい。   For example, if the light emitting module 1 uses a blue LED chip as the LED chip and a yellow phosphor as the phosphor of the color conversion unit 37, white light can be obtained. That is, the light emitting module 1 emits the blue light emitted from the LED chip and the light emitted from the yellow phosphor through the surface of the color conversion unit 37, so that white light can be obtained. Silicone resin is used as the second translucent material used as the material of the color conversion unit 37, but is not limited to this. For example, acrylic resin, glass, organic component and inorganic component are mixed at the nm level or the molecular level. Alternatively, a combined organic / inorganic hybrid material may be employed. Further, the phosphor used as the material of the color conversion unit 37 is not limited to the yellow phosphor. For example, the color rendering can be achieved by using a yellow phosphor and a red phosphor, or using a red phosphor and a green phosphor. It becomes possible to raise. The phosphor used as the material of the color conversion unit 37 is not limited to one type of yellow phosphor, and two types of yellow phosphors having different emission peak wavelengths may be used.

また、ＬＥＤチップ単体で白色光を放射できる場合や、封止部３６に蛍光体を分散させている場合や、発光モジュール１で得たい光の色がＬＥＤチップの発光色と同じである場合には、色変換部３７を備えていない構造を採用することができる。   Also, when the LED chip can emit white light alone, when the phosphor is dispersed in the sealing portion 36, or when the light color desired to be obtained by the light emitting module 1 is the same as the light emission color of the LED chip Can adopt a structure that does not include the color conversion unit 37.

発光モジュール１は、色変換部３７が、伝熱板２１に接していることが好ましい。これにより、発光モジュール１は、ＬＥＤチップで発生した熱だけでなく、色変換部３７で発生した熱も伝熱板２１を通して放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。図８に示した例では、色変換部３７が、ドーム状の形状に形成されており、伝熱板２１の上記一面側において伝熱板２１との間にＬＥＤチップおよび封止部３６などを囲む形で配設されている。更に説明すれば、色変換部３７は、伝熱板２１の上記一面側において封止部３６との間に気体層（例えば、空気層）３８が形成されるように配設されている。発光モジュール１は、図１０に示すように、色変換部３７を半球状の形状として、色変換部３７により固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。また、発光モジュール１は、図１１に示すように、色変換部３７をドーム状の形状として、色変換部３７により、固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。また、発光モジュール１は、図１２に示すように、色変換部３７を、層状の形状として、色変換部３７により、固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。なお、図８や図１１のような色変換部３７は、成形したものを用い、伝熱板２１側の端縁（開口部の周縁）を伝熱板２１に対して、例えば接着剤（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）を用いて固着すればよい。また、図１０に示すような色変換部３７は、例えば、成形法により形成することができる。また、図１２に示すような色変換部３７は、例えば、ディスペンサを用いた塗布法や、スクリーン印刷法などにより形成することが可能である。   In the light emitting module 1, the color conversion unit 37 is preferably in contact with the heat transfer plate 21. Thereby, the light emitting module 1 can dissipate not only the heat generated in the LED chip but also the heat generated in the color conversion unit 37 through the heat transfer plate 21, and can increase the light output. It becomes. In the example illustrated in FIG. 8, the color conversion unit 37 is formed in a dome shape, and the LED chip and the sealing unit 36 are disposed between the heat transfer plate 21 and the heat transfer plate 21 on the one surface side. It is arranged in a surrounding form. More specifically, the color conversion unit 37 is disposed such that a gas layer (for example, an air layer) 38 is formed between the heat transfer plate 21 and the sealing unit 36 on the one surface side. In the light emitting module 1, as shown in FIG. 10, the color conversion unit 37 may have a hemispherical shape, and the LED chip and the wire 26 that are the solid light emitting elements 3 may be sealed by the color conversion unit 37. In addition, as shown in FIG. 11, the light emitting module 1 is configured such that the color conversion unit 37 has a dome shape and the color conversion unit 37 seals the LED chip and the wire 26 that are the solid light emitting elements 3. Good. In addition, as shown in FIG. 12, the light emitting module 1 is configured such that the color conversion unit 37 has a layered shape, and the LED chip that is the solid light emitting element 3 and the wire 26 are sealed by the color conversion unit 37. Good. In addition, the color conversion part 37 like FIG.8 and FIG.11 uses what was shape | molded. , Silicone resin, epoxy resin, or the like). Moreover, the color conversion part 37 as shown in FIG. 10 can be formed by a shaping | molding method, for example. Moreover, the color conversion part 37 as shown in FIG. 12 can be formed by the apply | coating method using a dispenser, the screen printing method, etc., for example.

また、図８，１０，１１，１２に示した例では、配線パターン２２にワイヤ２６をボンディングしているが、図１３に示すように、配線パターン２２の一部に絶縁層２３の貫通孔２３ｂおよび伝熱板２１の貫通孔２１ｂに挿入される突出部２２ｈを設けておき、突出部２２ｈの先端面にワイヤ２６をボンディングするようにしてもよい。   8, 10, 11, and 12, the wire 26 is bonded to the wiring pattern 22. However, as shown in FIG. 13, the through-hole 23b of the insulating layer 23 is partially formed on the wiring pattern 22. Alternatively, a protrusion 22h to be inserted into the through hole 21b of the heat transfer plate 21 may be provided, and the wire 26 may be bonded to the tip surface of the protrusion 22h.

配線パターン２２は、単位パターン２２ｕの各々において、固体発光素子３の第１電極３１が接続される第１パターン２２ａと第２電極３２が接続される第２パターン２２ｂとを２つずつ有している。ここで、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂは、平面形状が櫛形状に形成されている。また、単位パターン２２ｕは、各２つの第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂが、基板ユニット２ｕの長手方向において並んで配置され、基板ユニット２ｕの短手方向において各１つの第１パターン２２ａと第２パターン２２ｂとが入り組むように配置されている。ここで、単位パターン２２ｕは、基板ユニット２ｕの短手方向において並んで配置される第１パターン２２ａと第２パターン２２ｂとの櫛骨部２２ａａ，２２ｂａどうしが対向し、基板ユニット２ｕの長手方向において第１パターン２２ａの櫛歯部２２ａａと第２パターン２２ｂの櫛歯部２２ｂｂとが交互に並んでいる。そして、基板ユニット２ｕの長手方向において中央部にある第２パターン２２ｂの櫛歯部２２ｂｂと第１パターン２２ａの櫛歯部２２ａｂとが連続して形成され電気的に接続されている。それ以外は、基板ユニット２ｕの長手方向において、第２パターン２２ｂの櫛歯部２２ｂｂと第１パターン２２ａの櫛歯部２２ａｂとの間に隙間が形成されている。   In each of the unit patterns 22u, the wiring pattern 22 has two first patterns 22a to which the first electrode 31 of the solid light emitting element 3 is connected and two second patterns 22b to which the second electrode 32 is connected. Yes. Here, the first pattern 22a and the second pattern 22b are formed in a comb shape in plan view. The unit pattern 22u includes two first patterns 22a and second patterns 22b arranged side by side in the longitudinal direction of the substrate unit 2u, and each of the first patterns 22a and the second pattern 22b in the short direction of the substrate unit 2u. The two patterns 22b are arranged in a complicated manner. Here, in the unit pattern 22u, the comb portions 22aa and 22ba of the first pattern 22a and the second pattern 22b arranged side by side in the short direction of the substrate unit 2u face each other, and in the longitudinal direction of the substrate unit 2u. The comb teeth 22aa of the first pattern 22a and the comb teeth 22bb of the second pattern 22b are alternately arranged. And the comb-tooth part 22bb of the 2nd pattern 22b in the center part in the longitudinal direction of the board | substrate unit 2u and the comb-tooth part 22ab of the 1st pattern 22a are formed continuously, and are electrically connected. Other than that, a gap is formed between the comb teeth 22bb of the second pattern 22b and the comb teeth 22ab of the first pattern 22a in the longitudinal direction of the substrate unit 2u.

そして、発光モジュール１は、基板ユニット２ｕごとに、固体発光素子３がｉ行ｊ列（ここで、ｉ＝２、ｊ＝８）の２次元アレイ状（マトリクス状）に配列されており、基板ユニット２ｕの長手方向（行方向）に並んだｊ個の固体発光素子３の直列回路どうしが並列接続された並列回路を備えている。また、発光モジュール１は、この並列回路を単位ユニット２ｕの個数であるｍ個（ここでは、ｍ＝５）だけ備えており、隣り合う基板ユニット２ｕごとに形成される並列回路が直列接続されている。また、発光モジュール１は、上述の２つの端子部２ｆの間に給電することにより、全ての固体発光素子３に対して給電することができる。基板ユニット２ｕごとに実装する固体発光素子３の個数は特に限定するものではなく、配列の形態も特に限定するものではなく、２次元アレイ状に限らず、例えば、１次元アレイ状（例えば、ｉ＝１、ｊ＝８）でもよい。また、複数個の発光モジュール１を並べて用いるような場合には、隣り合う発光モジュール１どうしを、例えば、送り配線用の電線（図示せず）やコネクタ（図示せず）などにより電気的に接続するようにすればよい。これにより、複数個の発光モジュール１の直列回路に対して、１つの電源ユニットから電力を供給して、各発光モジュール１の全ての固体発光素子３を発光させることが可能となる。   In the light emitting module 1, the solid state light emitting elements 3 are arranged in a two-dimensional array (matrix) of i rows and j columns (where i = 2, j = 8) for each substrate unit 2u. There is provided a parallel circuit in which series circuits of j solid-state light emitting elements 3 arranged in the longitudinal direction (row direction) of the unit 2u are connected in parallel. The light emitting module 1 includes m parallel units (here, m = 5) as the number of unit units 2u, and the parallel circuits formed for the adjacent substrate units 2u are connected in series. Yes. Moreover, the light emitting module 1 can supply electric power to all the solid state light emitting elements 3 by supplying electric power between the two terminal portions 2f described above. The number of solid-state light emitting elements 3 to be mounted for each substrate unit 2u is not particularly limited, and the form of arrangement is not particularly limited, and is not limited to a two-dimensional array, for example, a one-dimensional array (for example, i = 1, j = 8). Further, when a plurality of light emitting modules 1 are used side by side, the adjacent light emitting modules 1 are electrically connected to each other by, for example, an electric wire for feed wiring (not shown) or a connector (not shown). You just have to do it. As a result, it is possible to supply power from one power supply unit to the series circuit of the plurality of light emitting modules 1 to cause all the solid state light emitting elements 3 of each light emitting module 1 to emit light.

いずれにしても、発光モジュール１は、実装基板２に複数個の固体発光素子３を実装しているが、実装基板２が伝熱板２１と配線パターン２２との間に上述の絶縁層２３を備えているので、伝熱板２１と配線パターン２２との間にサーコン（登録商標）のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、各固体発光素子３から配線パターン２２までの熱抵抗を低減できるとともに、熱抵抗のばらつきを低減することが可能となる。これにより、発光モジュール１は、放熱性が向上し、各固体発光素子３のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくすることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。   In any case, the light emitting module 1 has a plurality of solid light emitting elements 3 mounted on the mounting substrate 2, but the mounting substrate 2 has the insulating layer 23 between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22. Since it is provided, compared with the case where a rubber sheet-like heat radiation sheet such as Sarcon (registered trademark) is sandwiched between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22, each solid light emitting element 3 to the wiring pattern 22 is provided. It is possible to reduce the thermal resistance and reduce variations in thermal resistance. As a result, the light emitting module 1 has improved heat dissipation and can suppress a rise in junction temperature of each solid state light emitting element 3, so that it is possible to increase the input power and increase the light output. It becomes possible.

また、絶縁層２３は、上述のように、伝熱板２１の各貫通孔２１ｂの各々に連通する貫通孔２３ｂが形成されている。したがって、発光モジュール１の製造時には、ワイヤ２６を伝熱板２１の貫通孔２１ｂと絶縁層２３の貫通孔２３ｂとを通して配線パターン２２にボンディングすることができる。ここで、発光モジュール１の製造時には、固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して接続した後に、例えば、ディスペンサなどにより、貫通孔２１ｂおよび貫通孔２３ｂに封止部３６（図８参照）の材料を充填してワイヤ２６が伝熱板２１に接触しないようにし、その後、封止部３６を形成すればよい。   Further, as described above, the insulating layer 23 is formed with through holes 23 b communicating with the respective through holes 21 b of the heat transfer plate 21. Therefore, when manufacturing the light emitting module 1, the wire 26 can be bonded to the wiring pattern 22 through the through hole 21 b of the heat transfer plate 21 and the through hole 23 b of the insulating layer 23. Here, at the time of manufacturing the light emitting module 1, after connecting the first electrode 31 and the second electrode 32 of the solid light emitting element 3 and the first pattern 22a and the second pattern 22b via the wire 26, for example, a dispenser or the like Thus, the through hole 21b and the through hole 23b are filled with the material of the sealing portion 36 (see FIG. 8) so that the wire 26 does not contact the heat transfer plate 21, and then the sealing portion 36 is formed.

ところで、伝熱板２１の熱容量の大きさによっては、上述のエポキシ樹脂層の加熱温度を１７０℃程度まで上げて硬化させると、伝熱板２１と配線パターン２２との固着性能が低下し、加熱温度を１５０℃程度まで下げて硬化させると伝熱板２１と配線パターン２２との間の電気絶縁性が低下する懸念がある。すなわち、固着性能と電気絶縁性とがトレードオフの関係を有している。そこで、本実施形態では、後述のように、第１のシート状接着剤３２３（図１４（ａ））のエポキシ樹脂層（以下、第１エポキシ樹脂層と称する）と第２のシート状接着剤３３３（図１４（ｂ）参照）のエポキシ樹脂層（以下、第２エポキシ樹脂層と称する）とを重ね合わせるようにし、第１エポキシ樹脂層を１７０℃で硬化させることにより電気絶縁性および熱伝導性を確保し、第２エポキシ樹脂層を１５０℃で硬化させることにより固着性能および熱伝導性を確保するようにしている。さらに説明すれば、第１エポキシ樹脂層を対象物である伝熱板２１に１７０℃で固着させた後、第２エポキシ樹脂層およびリードフレーム３２０を重ね合わせて当該第２エポキシ樹脂層を１５０℃で硬化させるようにすればよい。これにより、本実施形態の発光モジュール１の製造にあたっては、伝熱板２１の熱容量に関わらず、固着性能と電気絶縁性との両方の要求を満足させることが可能となる。   By the way, depending on the size of the heat capacity of the heat transfer plate 21, if the heating temperature of the above-mentioned epoxy resin layer is raised to about 170 ° C. and cured, the fixing performance between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 decreases, and heating is performed. When the temperature is lowered to about 150 ° C. and cured, the electrical insulation between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 may be lowered. That is, there is a trade-off relationship between fixing performance and electrical insulation. Therefore, in the present embodiment, as will be described later, the epoxy resin layer (hereinafter referred to as the first epoxy resin layer) of the first sheet-like adhesive 323 (FIG. 14A) and the second sheet-like adhesive. 333 (see FIG. 14B) and an epoxy resin layer (hereinafter referred to as a second epoxy resin layer) are overlaid, and the first epoxy resin layer is cured at 170 ° C. to thereby achieve electrical insulation and heat conduction. The second epoxy resin layer is cured at 150 ° C. to secure the fixing performance and the thermal conductivity. More specifically, after the first epoxy resin layer is fixed to the heat transfer plate 21 as an object at 170 ° C., the second epoxy resin layer and the lead frame 320 are overlapped to form the second epoxy resin layer at 150 ° C. It is sufficient to cure with. Thereby, in manufacture of the light emitting module 1 of this embodiment, it becomes possible to satisfy | fill the request | requirements of both adhering performance and electrical insulation irrespective of the heat capacity of the heat exchanger plate 21. FIG.

以下、実装基板２の製造方法について図１４および図１５を参照しながら簡単に説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the mounting substrate 2 will be briefly described with reference to FIGS. 14 and 15.

まず、図１４（ａ）に示すように、一方のプラスチックフィルムからなる第１保護シート３２３ａを剥がしたシート状接着剤３２３を第１エポキシ樹脂層が伝熱板２１の基礎となる第１金属板を用いたシート状部材４２０に接するように重ねて、円柱状のゴムローラ３４０により所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともに第１エポキシ樹脂層の硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃〜１２０℃）で加熱して第１のシート状接着剤３２３を第１金属板４２０に仮固着する。その後、プレス３６０により、第１エポキシ樹脂層を上記硬化温度以上の温度（例えば、１７０℃）で加熱するとともに加圧して硬化させることで第１エポキシ樹脂層をシート状部材４２０に本固着する。なお、図１４（ａ）には、シート状部材４２０を巻き出す巻出機３５１、シート状部材４２０を巻き取る巻取機３５２、第１のシート状接着剤３２３を巻き出す巻出機３５３、第１のシート状接着剤３２３の第１保護シート３２３ａを巻き取る巻取機３５４ａを模式的に図示してある。   First, as shown in FIG. 14A, a sheet-like adhesive 323 from which a first protective sheet 323a made of one plastic film is peeled off is used as a first metal plate whose first epoxy resin layer is the basis of the heat transfer plate 21. The first specified temperature (for example, lower than the curing temperature of the first epoxy resin layer) while being pressed so as to be in contact with the sheet-like member 420 using pressure and being pressurized by a cylindrical rubber roller 340 at a predetermined pressure (for example, 0.5 MPa). , 110 ° C. to 120 ° C.) to temporarily fix the first sheet adhesive 323 to the first metal plate 420. Then, the first epoxy resin layer is permanently fixed to the sheet-like member 420 by heating and pressurizing and curing the first epoxy resin layer at a temperature equal to or higher than the curing temperature (for example, 170 ° C.). 14A, the unwinding machine 351 for unwinding the sheet-like member 420, the winder 352 for winding up the sheet-like member 420, the unwinding machine 353 for unwinding the first sheet-like adhesive 323, A winder 354a for winding up the first protective sheet 323a of the first sheet-like adhesive 323 is schematically shown.

その後、図１４（ｂ）に示すように、シート状接着剤３２３が本固着されている第１金属板４２０を自然冷却させる。続いて、第１エポキシ樹脂層から第１のシート状接着剤３２３における他方のプラスチックフィルムからなる第２保護シート３２３ｂを剥がす。その後、第１エポキシ樹脂層に一方のプラスチックフィルムからなる第３保護シート３３３ａを剥がした第２のシート状接着剤３３３を第２エポキシ樹脂層が第１エポキシ樹脂層に接するように重ねて、円柱状のゴムローラ３４０により所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともに第２エポキシ樹脂層の硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃〜１２０℃）で加熱して第２のシート状接着剤３３３を第１エポキシ樹脂層に仮固着する。なお、図１４（ｂ）には、第１のシート状接着剤３２３の第２保護シート３２３ｂを巻き取る巻取機３５４ｂ、第２のシート状接着剤３３３を巻き出す巻出機３５５、第２のシート状接着剤３３３の第３保護シート３３３ａを巻き取る巻取機３５６ａも模式的に図示してある。   Thereafter, as shown in FIG. 14B, the first metal plate 420 to which the sheet-like adhesive 323 is fixed is naturally cooled. Subsequently, the second protective sheet 323b made of the other plastic film in the first sheet-like adhesive 323 is peeled off from the first epoxy resin layer. Thereafter, a second sheet-like adhesive 333 obtained by peeling off the third protective sheet 333a made of one plastic film is stacked on the first epoxy resin layer so that the second epoxy resin layer is in contact with the first epoxy resin layer. The second sheet is pressed by a columnar rubber roller 340 at a predetermined pressure (for example, 0.5 MPa) and heated at a first specified temperature (for example, 110 ° C. to 120 ° C.) lower than the curing temperature of the second epoxy resin layer. A temporary adhesive 333 is temporarily fixed to the first epoxy resin layer. In FIG. 14B, a winder 354 b that winds up the second protective sheet 323 b of the first sheet adhesive 323, an unwinder 355 that unwinds the second sheet adhesive 333, A winder 356a for winding up the third protective sheet 333a of the sheet-like adhesive 333 is also schematically shown.

その後、図１４（ｃ）に示すように、シート状部材４２０と第１エポキシ樹脂層と第２エポキシ樹脂層との積層構造において、伝熱板２１の貫通孔２１ｂおよび絶縁層２３の貫通孔２３ｂに対応する各領域に、例えばパンチプレス３７０により、貫通孔３３４を形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 14C, in the laminated structure of the sheet-like member 420, the first epoxy resin layer, and the second epoxy resin layer, the through hole 21 b of the heat transfer plate 21 and the through hole 23 b of the insulating layer 23. A through hole 334 is formed in each region corresponding to 1 by, for example, a punch press 370.

その後、図１５（ａ）に示すように、第２エポキシ樹脂層から第２のシート状接着剤３３３における他方のプラスチックフィルムからなる第４保護シート３３３ｂを剥がす。その後、リードフレーム３２０を第２エポキシ樹脂層に接するように重ねて、円柱状のゴムローラ３８０により、所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともに第２エポキシ樹脂層の硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃〜１２０℃）で加熱してリードフレーム３２０を第２エポキシ樹脂層に仮固着する。なお、図１５（ａ）には、第２のシート状接着剤３３３の第４保護シート３３３ｂを巻き取る巻取機３５６ｂ、リードフレーム３２０を巻き出す巻出機３５７も模式的に図示してある。   Thereafter, as shown in FIG. 15A, the fourth protective sheet 333b made of the other plastic film in the second sheet-like adhesive 333 is peeled off from the second epoxy resin layer. Thereafter, the lead frame 320 is stacked so as to be in contact with the second epoxy resin layer, and is pressed by a cylindrical rubber roller 380 at a predetermined pressure (for example, 0.5 MPa) and lower than the curing temperature of the second epoxy resin layer. The lead frame 320 is temporarily fixed to the second epoxy resin layer by heating at a specified temperature (eg, 110 ° C. to 120 ° C.). 15A also schematically shows a winder 356b that winds the fourth protective sheet 333b of the second sheet-like adhesive 333, and an unwinder 357 that winds the lead frame 320. .

その後、プレス３９０により、リードフレーム３２０を介して第２エポキシ樹脂層を加圧するとともに加熱して上記硬化温度以上の温度（例えば、１５０℃）で硬化させることでリードフレーム３２０と第２エポキシ樹脂層とを本固着する。これにより、絶縁層２３が形成される。   After that, the press frame 390 pressurizes and heats the second epoxy resin layer via the lead frame 320, and cures the lead frame 320 and the second epoxy resin layer at a temperature equal to or higher than the curing temperature (for example, 150 ° C.). And fix this. Thereby, the insulating layer 23 is formed.

その後、シート状部材４２０と絶縁層２３とリードフレーム３２０との積層体を、裁断機などにより、図１５（ｂ）に示すように個々の実装基板２に相当する部分に分断し、続いて、リードフレーム３２０の外枠部３２１（図１６（ａ）参照）と配線パターン２２との間の支持片３２２（図１６（ａ）参照）を切断して外枠部３２１を取り除くことにより、実装基板２を得る。この段階で得られる実装基板２は、図１６（ｃ）および図１７（ａ）に示す形状であり、上述のシート状部材４２０により形成されリードフレーム３２０の外枠部３２１に絶縁層２３を介して接合された外枠部２１ｇを有している。この外枠部２１ｇは、シート状部材４２０により形成された支持片２１ｈを介して伝熱板２１に連結されている。なお、図１６（ａ）は、図１６（ｃ）の実装基板２の概略分解斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ｃ）の実装基板２においてリードフレーム３２０の外枠部３２１を取り外す前の概略斜視図である。   Thereafter, the laminated body of the sheet-like member 420, the insulating layer 23, and the lead frame 320 is divided into portions corresponding to the individual mounting substrates 2 as shown in FIG. A mounting board is obtained by cutting the support piece 322 (see FIG. 16A) between the outer frame portion 321 (see FIG. 16A) of the lead frame 320 and the wiring pattern 22 and removing the outer frame portion 321. Get 2. The mounting substrate 2 obtained at this stage has the shape shown in FIG. 16C and FIG. 17A, and is formed by the sheet-like member 420 described above, and the outer frame portion 321 of the lead frame 320 via the insulating layer 23. The outer frame portion 21g is joined. The outer frame portion 21g is connected to the heat transfer plate 21 via a support piece 21h formed by the sheet-like member 420. 16A is a schematic exploded perspective view of the mounting board 2 of FIG. 16C, and FIG. 16B is an outer frame portion of the lead frame 320 in the mounting board 2 of FIG. 16C. It is a schematic perspective view before removing 321.

次に、発光モジュール１の製造方法について、図１７に基づいて説明する。   Next, the manufacturing method of the light emitting module 1 is demonstrated based on FIG.

発光モジュール１の製造にあたっては、まず、図１７（ａ）に示す実装基板２の上記一面側に固体発光素子３を接合することで搭載してから、各固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続する。その後、必要に応じて封止部３６、色変換部３７を実装基板２の上記一面側に設けることによって、図１７（ｂ）に示す構造を得る。   In manufacturing the light emitting module 1, first, the solid light emitting element 3 is mounted on the one surface side of the mounting substrate 2 shown in FIG. Each of the second electrodes 32 is electrically connected to the first pattern 22 a and the second pattern 22 b through the wire 26. After that, the structure shown in FIG. 17B is obtained by providing the sealing portion 36 and the color conversion portion 37 on the one surface side of the mounting substrate 2 as necessary.

その後、図１７（ｃ）に示すように、伝熱板２１と外枠部２１ｇとの間の支持片２１ｈを切断して外枠部２１ｇを取り除くことによって、図１７（ｄ）に示す発光モジュール１を得る。そして、発光モジュール１は、例えば図１７（ｅ）に示すように連結部２ｃを折り曲げたものとしてもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 17C, the light emitting module shown in FIG. 17D is obtained by cutting the support piece 21h between the heat transfer plate 21 and the outer frame portion 21g to remove the outer frame portion 21g. Get one. And the light emitting module 1 is good also as what bent the connection part 2c, for example, as shown in FIG.17 (e).

ところで、上述の発光モジュール１は、伝熱板２１と、リードフレーム３２０を用いて形成される配線パターン２２とを備えていることにより、固体発光素子３を金属ベースプリント配線板に実装して用いる場合に比べて、低コスト化で光出力の高出力化を図ることが可能となる。しかも、発光モジュール１は、伝熱板２１として、反射板としての機能を有するものを用いることにより、伝熱板２１での光損失を低減することが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。したがって、本実施形態の発光モジュール１は、低消費電力化を図ることも可能となる。ここで、発光モジュール１は、伝熱板２１の第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における絶縁層２３側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されているものを用いることにより、光出力の高出力化を図ることが可能となる。特に、発光モジュール１は、固体発光素子３として、ＬＥＤチップを用いている場合に、ＬＥＤチップで発生した熱を効率よく放熱させることが可能となって光出力の高出力化を図れ、そのうえ、ＬＥＤチップから放射された光の利用効率の向上を図ることが可能となる。また、発光モジュール１は、色変換部３７（図８〜図１３など参照）を備えている場合、色変換部３７の波長変換材料である蛍光体から伝熱板２１側へ放射された光や、ＬＥＤチップから放射され蛍光体で伝熱板２１側へ散乱された光などを反射させることが可能なので、光の利用効率の向上を図ることが可能となる。   By the way, the light emitting module 1 described above includes the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 formed using the lead frame 320, so that the solid light emitting element 3 is mounted on a metal base printed wiring board. Compared to the case, it is possible to increase the optical output at low cost. In addition, the light emitting module 1 can reduce light loss in the heat transfer plate 21 by using the heat transfer plate 21 having a function as a reflection plate, and increase the light output. It becomes possible. Therefore, the light emitting module 1 of this embodiment can also achieve low power consumption. Here, in the light emitting module 1, the first metal plate of the heat transfer plate 21 is an aluminum plate, and an aluminum film having a purity higher than that of the aluminum plate is laminated on the side opposite to the insulating layer 23 side of the aluminum plate. In addition, it is possible to increase the output of light by using a film in which an increasing reflection film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes is used. In particular, when the LED module is used as the solid state light emitting device 3, the light emitting module 1 can efficiently dissipate the heat generated in the LED chip, and the light output can be increased. It becomes possible to improve the utilization efficiency of the light emitted from the LED chip. Moreover, when the light emitting module 1 is provided with the color conversion part 37 (refer FIGS. 8-13), the light radiated | emitted from the fluorescent substance which is the wavelength conversion material of the color conversion part 37 to the heat-transfer plate 21 side, Since the light emitted from the LED chip and scattered by the phosphor to the heat transfer plate 21 side can be reflected, it is possible to improve the light utilization efficiency.

以上説明した本実施形態の発光モジュール１は、上述の実装基板２と、実装基板２に実装された電子部品とを備え、電子部品が固体発光素子３からなるので、放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状（任意形状）に変形可能となる。これにより、本実施形態の発光モジュール１は、例えば、種々の形状の照明器具の光源として利用することが可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。   The light emitting module 1 according to the present embodiment described above includes the mounting substrate 2 and the electronic component mounted on the mounting substrate 2, and the electronic component includes the solid light emitting element 3. Therefore, heat dissipation can be improved. It is possible and can be transformed into various shapes (arbitrary shapes). Thereby, the light emitting module 1 of this embodiment can be utilized as a light source of various shapes of lighting fixtures, for example, and cost reduction can be achieved.

ここにおいて、本実施形態の発光モジュール１では、各固体発光素子３および各色変換部３７で発生した熱を、伝熱板２１により横方向に効率よく伝熱させて放熱させることが可能となり、また、伝熱板２１の厚み方向へも伝熱させて放熱させることが可能となる。したがって、発光モジュール１は、放熱性を向上させることが可能で各固体発光素子３の温度上昇を抑制でき、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。要するに、本実施形態の発光モジュール１は、各固体発光素子３および各色変換部３７で発生した熱が、第１金属板を用いて形成された伝熱板２１を通して放熱されるので、例えば、個々の固体発光素子３の光出力の増加などによって発光モジュール１全体の光出力の高出力化を図った場合でも、各固体発光素子３および色変換部３７の温度上昇を抑制することが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。   Here, in the light emitting module 1 of the present embodiment, the heat generated in each solid light emitting element 3 and each color conversion unit 37 can be efficiently transferred in the lateral direction by the heat transfer plate 21 to be dissipated. It is possible to dissipate heat by transferring heat in the thickness direction of the heat transfer plate 21. Therefore, the light emitting module 1 can improve heat dissipation, can suppress the temperature rise of each solid light emitting element 3, and can achieve high output of light output. In short, in the light emitting module 1 of the present embodiment, the heat generated in each solid light emitting element 3 and each color conversion unit 37 is radiated through the heat transfer plate 21 formed using the first metal plate. Even when the light output of the entire light emitting module 1 is increased by increasing the light output of the solid light emitting element 3, it is possible to suppress the temperature rise of each solid light emitting element 3 and the color conversion unit 37, It becomes possible to increase the optical output.

また、本実施形態の発光モジュール１は、絶縁層２３が、熱硬化性樹脂に当該熱硬化性樹脂に比べて熱伝導率の高いフィラーを含有しているので、固体発光素子３で発生した熱をより効率良く放熱させることが可能となる。   Further, in the light emitting module 1 of the present embodiment, since the insulating layer 23 contains a filler having a higher thermal conductivity than the thermosetting resin in the thermosetting resin, the heat generated in the solid light emitting element 3. Can be radiated more efficiently.

また、本実施形態の発光モジュール１では、固体発光素子３をＬＥＤチップとすることにより、ＬＥＤチップで発生した熱を伝熱板２１により横方向へ伝熱させて効率良く放熱させることが可能となる。   Further, in the light emitting module 1 of the present embodiment, by using the solid light emitting element 3 as an LED chip, it is possible to efficiently dissipate heat generated by the LED chip in the lateral direction by the heat transfer plate 21. Become.

また、本実施形態の発光モジュール１では、実装基板２が、第２金属板を用いて形成された配線パターン２２を備え、隣り合う基板ユニット２ｕどうしの間に、第１スリット２１ｄと第３スリット２３ｄと第２スリット２２ｄとからなる隙間が形成され、隣り合う基板ユニット２ｕどうしが上述の連結部２ｃにより連結されているので、実装基板２を変形させた場合の断線を防止することが可能となる。本実施形態の発光モジュール１では、実装基板２を適宜変形させることにより、種々の形状の照明器具の光源として利用することが可能となるから、光源の設計コストを含めた製造コストや管理コストなどのコストを低減することが可能となる。また、本実施形態の発光モジュール１における実装基板２は、図２３に示した回路基板１３１のような展開形状として正方形状の回路要素１３１ａと台形状の回路要素１３１ｂ〜１３１ｄとが混在するような場合に比べて、材料歩留まりを向上させることが可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。   In the light emitting module 1 of the present embodiment, the mounting substrate 2 includes the wiring pattern 22 formed using the second metal plate, and the first slit 21d and the third slit are provided between the adjacent substrate units 2u. 23d and the second slit 22d are formed, and the adjacent substrate units 2u are connected to each other by the connecting portion 2c. Therefore, it is possible to prevent disconnection when the mounting substrate 2 is deformed. Become. In the light emitting module 1 of the present embodiment, the mounting substrate 2 can be appropriately deformed to be used as a light source of various shapes of lighting fixtures. The cost can be reduced. Further, the mounting substrate 2 in the light emitting module 1 of the present embodiment has a square circuit element 131a and trapezoidal circuit elements 131b to 131d mixed together as a developed shape like the circuit board 131 shown in FIG. Compared to the case, the material yield can be improved and the cost can be reduced.

また、本実施形態の発光モジュール１は、隣り合う基板ユニット２ｕどうしの間に、第１スリット２１ｄと第３スリット２３ｄと第２スリット２２ｄとからなる隙間が形成され、隣り合う基板ユニット２ｕどうしが上述の連結部２ｃにより連結されているので、実装基板２を長尺状のままで使用する場合でも、伝熱板２１の反りを抑制することが可能となり、発光モジュール１全体の反りを抑制することが可能となる。これにより、発光モジュール１は、製造時の歩留まりの向上による低コスト化を図ることが可能となるとともに、製品としての信頼性の向上を図ることが可能となる。   In the light emitting module 1 of the present embodiment, a gap including the first slit 21d, the third slit 23d, and the second slit 22d is formed between the adjacent substrate units 2u, so that the adjacent substrate units 2u are adjacent to each other. Since it is connected by the above-mentioned connecting portion 2c, even when the mounting substrate 2 is used in a long shape, it is possible to suppress the warp of the heat transfer plate 21, and suppress the warp of the entire light emitting module 1. It becomes possible. As a result, the light emitting module 1 can be reduced in cost by improving the yield at the time of manufacture, and the reliability as a product can be improved.

また、本実施形態の発光モジュール１では、実装基板２の単位ユニット２ｕの数を適宜設定することにより、１個の発光モジュール１を円環状の形状に変形させることも可能であり、図２４に示したＬＥＤ照明装置のように、複数個のＬＥＤモジュール２０３を円環状に配設し、ＬＥＤモジュール２０３の配設方向において隣り合うＬＥＤモジュール２０３どうしを、絶縁被覆電線３２を介して電気的に接続する場合に比べて、製造コストを低減することが可能となる。   Further, in the light emitting module 1 of the present embodiment, it is possible to deform one light emitting module 1 into an annular shape by appropriately setting the number of unit units 2u of the mounting substrate 2, as shown in FIG. As in the LED lighting device shown, a plurality of LED modules 203 are arranged in an annular shape, and the adjacent LED modules 203 in the LED module 203 arranging direction are electrically connected via the insulation-coated wires 32. Compared with the case where it does, it becomes possible to reduce manufacturing cost.

また、本実施形態の発光モジュール１では、伝熱板２１の基礎となる第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第１絶縁層２３側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されているので、ＬＥＤチップから放射され伝熱板２１の上記一面に入射した光を効率良く反射することが可能となる。   Moreover, in the light emitting module 1 of this embodiment, the 1st metal plate used as the foundation of the heat exchanger plate 21 is an aluminum plate, and the purity is higher than an aluminum plate on the opposite side to the 1st insulating layer 23 side in an aluminum plate. Since an aluminum film is laminated and an aluminum film is laminated with an increased reflection film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes, light emitted from the LED chip and incident on the one surface of the heat transfer plate 21 is efficiently obtained. It becomes possible to reflect.

また、本実施形態の発光モジュール１では、固体発光素子３がＬＥＤチップであり、厚み方向の一面側に第１電極３１と第２電極３２とが設けられており、第１電極３１および第２電極３２の各々がワイヤ２６を介して配線パターン２２と電気的に接続されてなり、伝熱板２１に、各ワイヤ２６の各々を通す貫通孔２１ｂが形成されているので、ＬＥＤチップを伝熱板２１にダイボンドすることができ、ＬＥＤチップで発生した熱が伝熱板２１の横方向へ伝熱されやすくなり、放熱性を向上させることが可能となる。   Further, in the light emitting module 1 of the present embodiment, the solid light emitting element 3 is an LED chip, and the first electrode 31 and the second electrode 32 are provided on one surface side in the thickness direction. Each of the electrodes 32 is electrically connected to the wiring pattern 22 via the wire 26, and the heat transfer plate 21 is formed with a through hole 21b through which each of the wires 26 passes. The plate 21 can be die-bonded, and the heat generated in the LED chip is easily transferred in the lateral direction of the heat transfer plate 21, thereby improving the heat dissipation.

なお、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いる場合、固体発光素子３と伝熱板２１との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップに働く応力を緩和するサブマウント部材を介して伝熱板２１にダイボンドするようにしてもよい。ここで、サブマウント部材は、ＬＥＤチップのチップサイズよりも大きな平面サイズに形成したものを用いることが好ましい。なお、ＬＥＤチップがＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、第１金属板がアルミニウム板の場合、サブマウント部材の材料としては、例えば、ＡｌＮ、複合ＳｉＣ、Ｓｉ、ＣｕＷなどを採用することができる。また、サブマウント部材は、ＬＥＤチップが接合される側の表面におけるＬＥＤチップとの接合部位（つまり、ＬＥＤチップに重なる部位）の周囲に、ＬＥＤチップから放射された光を反射する反射膜が形成されていることが好ましい。また、ＬＥＤチップとして厚み方向の両面に電極が設けられたものを用いる場合には、サブマウント部材に、ＬＥＤチップにおいてサブマウント部材側に配置される第１電極３１あるいは第２電極３２に電気的に接続される導体パターンを設けておき、当該導体パターンと第１パターン２２ａあるいは第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続するようにすればよい。   When an LED chip is used as the solid light emitting element 3, the heat transfer plate is interposed via a submount member that relieves stress acting on the LED chip due to a difference in linear expansion coefficient between the solid light emitting element 3 and the heat transfer plate 21. 21 may be die-bonded. Here, it is preferable to use the submount member formed in a planar size larger than the chip size of the LED chip. When the LED chip is a GaN-based blue LED chip and the first metal plate is an aluminum plate, for example, AlN, composite SiC, Si, CuW, or the like can be used as the material of the submount member. In addition, the submount member is formed with a reflective film that reflects light emitted from the LED chip around the bonding portion with the LED chip on the surface to which the LED chip is bonded (that is, the portion overlapping the LED chip). It is preferable that In addition, when an LED chip having electrodes provided on both sides in the thickness direction is used, the first electrode 31 or the second electrode 32 disposed on the submount member side of the LED chip is electrically connected to the submount member. It is only necessary to provide a conductor pattern to be connected to, and to electrically connect the conductor pattern and the first pattern 22a or the second pattern 22b via the wire 26.

また、発光モジュール１における実装基板２は、図１７（ａ）に示す形状として、上述のシート状部材４２０により形成された外枠部２１ｇを備えた構成としてもよく、外枠部２１ｇを、固体発光素子３や色変換部３７から放射された光を反射する反射板として利用することが可能となる。これにより、発光モジュール１は、光の利用効率を高めることが可能になるとともに、反射板による配光制御が可能となる。この場合、実装基板２は、伝熱板２１と外枠部２１ｇとのなす角度が所望の角度となるように、伝熱板２１と外枠部２１ｇとを連結している連結片２１ｆのところで折り曲げればよい。なお、実装基板２の長手方向において外枠部２１ｇと第２連結片２ｃとの間には第４スリット２４ｋが形成されている。   Moreover, the mounting substrate 2 in the light emitting module 1 may have a configuration including the outer frame portion 21g formed by the above-described sheet-like member 420 as the shape shown in FIG. It can be used as a reflection plate that reflects light emitted from the light emitting element 3 or the color conversion unit 37. Thereby, the light emitting module 1 can improve the light use efficiency and can control the light distribution by the reflector. In this case, the mounting substrate 2 has a connecting piece 21f that connects the heat transfer plate 21 and the outer frame portion 21g so that an angle formed by the heat transfer plate 21 and the outer frame portion 21g is a desired angle. Just bend. A fourth slit 24k is formed between the outer frame portion 21g and the second connecting piece 2c in the longitudinal direction of the mounting substrate 2.

ところで、図１７（ａ）に示した実装基板２は、第１金属板により形成されてなり伝熱板２１の一方の側方に配置された第１側片２１ｇａと他方の側方に配置された第２側片２１ｇｂとで外枠部２１ｇが構成されている。また、第１側片２１ｇａ側の支持片２１ｈ、第２側片２１ｇｂ側の支持片２１ｈが、切断と折り曲げとが可能な第１バー２１ｈａ、第２バー２１ｈｂそれぞれを構成している。この場合、実装基板２は、伝熱板２１と第１バー２１ｈａと第１側片２１ｇａと第２バー２１ｈｂと第２側片２１ｇｂとが１つの第１金属板から形成されており、伝熱板２１と第１バー２１ｈａと第１側片２１ｇａと第２バー２１ｈｂと第２側片２１ｇｂとが一体となっている。したがって、伝熱板２１とは別部材により反射板を形成して当該反射板を実装基板２に固着する場合に比べて、低コスト化を図ることが可能になるとともに、反射板の位置精度を高めることが可能となる。   By the way, the mounting substrate 2 shown in FIG. 17A is formed of a first metal plate and is arranged on one side of the heat transfer plate 21 and on the other side. An outer frame portion 21g is constituted by the second side piece 21gb. Further, the support piece 21h on the first side piece 21ga side and the support piece 21h on the second side piece 21gb side constitute a first bar 21ha and a second bar 21hb that can be cut and bent, respectively. In this case, the mounting board 2 includes the heat transfer plate 21, the first bar 21ha, the first side piece 21ga, the second bar 21hb, and the second side piece 21gb formed from one first metal plate, The plate 21, the first bar 21ha, the first side piece 21ga, the second bar 21hb, and the second side piece 21gb are integrated. Therefore, it is possible to reduce the cost and to improve the positional accuracy of the reflecting plate as compared with the case where the reflecting plate is formed by a member different from the heat transfer plate 21 and the reflecting plate is fixed to the mounting substrate 2. It becomes possible to raise.

（実施形態２）
以下、本実施形態の発光モジュール１について図１８に基づいて説明する。 (Embodiment 2)
Hereinafter, the light emitting module 1 of this embodiment is demonstrated based on FIG.

本実施形態の発光モジュール１の基本構成は実施形態１と略同じであり、実装基板２における連結部２ｃおよび端子部２ｆの構成が相違するだけである。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   The basic configuration of the light emitting module 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the first embodiment, and only the configurations of the connecting portion 2c and the terminal portion 2f in the mounting substrate 2 are different. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

図１９（ａ）は、図１９（ｃ）の実装基板２の概略分解斜視図であり、図１９（ｂ）は、図１９（ｃ）の実装基板２においてリードフレーム３２０の外枠部３２１を取り外す前の概略斜視図である。   19A is a schematic exploded perspective view of the mounting board 2 of FIG. 19C, and FIG. 19B shows the outer frame portion 321 of the lead frame 320 in the mounting board 2 of FIG. 19C. It is a schematic perspective view before removing.

本実施形態における実装基板２では、連結部２ｃが、実施形態１において説明した第１連結片２２ｃのみにより構成され、端子部２ｆが、実施形態１において説明した第１半割片２２ｆのみにより構成されている。これにより、実装基板２は、連結部２ｃおよび端子部２ｆの折り曲げが、より容易となる。また、この実装基板２では、伝熱板２１が実施形態１において説明した増反射膜を備えているような場合でも、端子部２ｆに電線やコネクタなどを接続する際の接触抵抗の低減を図ることが可能となる。   In the mounting substrate 2 in the present embodiment, the connecting portion 2c is configured only by the first connecting piece 22c described in the first embodiment, and the terminal portion 2f is configured only by the first half piece 22f described in the first embodiment. Has been. Thereby, the mounting substrate 2 can bend the connecting portion 2c and the terminal portion 2f more easily. Further, in the mounting substrate 2, even when the heat transfer plate 21 includes the increased reflection film described in the first embodiment, the contact resistance when connecting an electric wire or a connector to the terminal portion 2f is reduced. It becomes possible.

次に、発光モジュール１の製造方法について、図２０に基づいて説明する。   Next, the manufacturing method of the light emitting module 1 is demonstrated based on FIG.

発光モジュール１の製造にあたっては、まず、図２０（ａ）に示す実装基板２の上記一面側に固体発光素子３を接合することで搭載してから、各固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続する。その後、必要に応じて封止部３６、色変換部３７を実装基板２の上記一面側に設けることによって、図２０（ｂ）に示す構造を得る。   In manufacturing the light-emitting module 1, first, the solid-state light-emitting element 3 is mounted on the one surface side of the mounting substrate 2 shown in FIG. Each of the second electrodes 32 is electrically connected to the first pattern 22 a and the second pattern 22 b through the wire 26. After that, the structure shown in FIG. 20B is obtained by providing the sealing portion 36 and the color conversion portion 37 on the one surface side of the mounting substrate 2 as necessary.

その後、図２０（ｃ）に示すように、伝熱板２１と外枠部２１ｇとの間の支持片２１ｈを切断して外枠部２１ｇを取り除くとともに第２連結片２１ｃ、第２半割片２１ｆを取り除くことによって、図２０（ｄ）に示す発光モジュール１を得る。そして、発光モジュール１は、例えば図２０（ｅ）に示すように連結部２ｃを折り曲げたものとしてもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 20 (c), the support piece 21h between the heat transfer plate 21 and the outer frame portion 21g is cut to remove the outer frame portion 21g, and the second connecting piece 21c and the second half piece. By removing 21f, the light emitting module 1 shown in FIG. 20D is obtained. And the light emitting module 1 is good also as what bent the connection part 2c, for example, as shown in FIG.20 (e).

本実施形態における実装基板２は、実施形態１における実装基板２と同様、放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能となる。   As with the mounting substrate 2 in the first embodiment, the mounting substrate 2 in the present embodiment can improve heat dissipation and can be deformed into various shapes.

また、本実施形態の発光モジュール１についても、実施形態１における発光モジュール１と同様、放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能となる。   Also, the light emitting module 1 of the present embodiment can improve heat dissipation and can be deformed into various shapes as in the light emitting module 1 of the first embodiment.

１ 発光モジュール
２ 実装基板
２１ｂ 貫通孔
３ 固体発光素子（電子部品、ＬＥＤチップ）
２１ 伝熱板
２１ｄ 第２スリット
２１ｇａ 第１側片
２１ｇｂ 第２側片
２１ｈａ 第１バー
２１ｈｂ 第２バー
２２ 配線パターン
２２ｃ 連結片
２２ｄ 第１スリット
２２ｕ 単位パターン
２３ 絶縁層
２６ ワイヤ
３１ 第１電極
３２ 第２電極
３７ 色変換部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting module 2 Mounting board 21b Through-hole 3 Solid light emitting element (electronic component, LED chip)
21 heat transfer plate 21d second slit 21ga first side piece 21gb second side piece 21ha first bar 21hb second bar 22 wiring pattern 22c connecting piece 22d first slit 22u unit pattern 23 insulating layer 26 wire 31 first electrode 32 first 2-electrode 37 color converter

Claims (8)

電子部品を実装可能な実装基板であって、第１金属板により形成され前記電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板と、第２金属板により形成されてなり前記伝熱板の他面側に配置され前記電子部品を電気的に接続可能な配線パターンと、前記伝熱板と前記配線パターンとの間に介在する絶縁層とを備え、前記配線パターンは、前記電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターンと、前記単位パターンの並設方向に直交する規定方向の一端側において前記単位パターンどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片と、前記規定方向の他端側が開放され前記連結片に至る第１スリットとを有し、前記伝熱板は、前記第１スリットに重なる第２スリットを有することを特徴とする実装基板。   A mounting board on which electronic components can be mounted, the heat transfer plate being formed by a first metal plate and mounting the electronic component on one side, and the other surface of the heat transfer plate being formed by a second metal plate A wiring pattern disposed on the side and electrically connectable to the electronic component, and an insulating layer interposed between the heat transfer plate and the wiring pattern, the wiring pattern electrically connecting the electronic component A plurality of connectable unit patterns, a connecting piece for connecting and electrically connecting the unit patterns on one end side in a prescribed direction orthogonal to the direction in which the unit patterns are arranged, and the other end side in the prescribed direction are open And a first slit that reaches the connecting piece, and the heat transfer plate has a second slit that overlaps the first slit. 前記連結片は、前記一端側において前記並設方向に沿った前記各単位パターンの側縁を含む平面よりも突出していることを特徴とする請求項１記載の実装基板。   The mounting board according to claim 1, wherein the connecting piece protrudes from a plane including side edges of the unit patterns along the juxtaposed direction on the one end side. 前記第１金属板により形成されてなり前記伝熱板の一方の側方に配置された第１側片および他方の側方に配置された第２側片を備え、前記第１側片、前記第２側片は、切断と折り曲げとが可能な第１バー、第２バーそれぞれを介して前記伝熱板に連結されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の実装基板。   A first side piece formed by the first metal plate and disposed on one side of the heat transfer plate and a second side piece disposed on the other side, the first side piece, The mounting board according to claim 1, wherein the second side piece is connected to the heat transfer plate via a first bar and a second bar that can be cut and bent. 請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の実装基板と、前記実装基板に実装された前記電子部品とを備え、前記電子部品が固体発光素子からなることを特徴とする発光モジュール。   4. A light emitting module comprising: the mounting substrate according to claim 1; and the electronic component mounted on the mounting substrate, wherein the electronic component includes a solid light emitting element. 前記固体発光素子は、ＬＥＤチップであることを特徴とする請求項４記載の発光モジュール。   The light emitting module according to claim 4, wherein the solid state light emitting device is an LED chip. 前記伝熱板は、前記第１金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることを特徴とする請求項５記載の発光モジュール。   In the heat transfer plate, the first metal plate is an aluminum plate, an aluminum film having a purity higher than that of the aluminum plate is laminated on a side opposite to the insulating layer side of the aluminum plate, and a refractive index is provided on the aluminum film. 6. The light emitting module according to claim 5, wherein the reflection-increasing films made of two different types of dielectric films are laminated. 前記ＬＥＤチップから放射された光によって励起されて前記ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることを特徴とする請求項５または請求項６記載の発光モジュール。   A color conversion unit including a phosphor and a translucent material that is excited by light emitted from the LED chip and emits light of a color different from the emission color of the LED chip; and The light emitting module according to claim 5, wherein the light emitting module is in contact with a heat plate. 前記各ＬＥＤチップは、厚み方向の一面側に第１電極と第２電極とが設けられたものであり、前記第１電極および前記第２電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の発光モジュール。   Each LED chip is provided with a first electrode and a second electrode on one surface side in the thickness direction, and each of the first electrode and the second electrode is electrically connected to the wiring pattern via a wire. The light emitting module according to claim 5, wherein the heat transfer plate is formed with a through hole through which each of the wires passes.
JP2011138520A 2011-06-22 2011-06-22 Mounting board and light emitting module Expired - Fee Related JP5011445B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011138520A JP5011445B1 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Mounting board and light emitting module
PCT/JP2012/053627 WO2012176491A1 (en) 2011-06-22 2012-02-16 Mounting board and light-emitting module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011138520A JP5011445B1 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Mounting board and light emitting module

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012127334A Division JP2013008966A (en) 2012-06-04 2012-06-04 Mounting board
JP2012127333A Division JP5807205B2 (en) 2012-06-04 2012-06-04 Mounting board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5011445B1 true JP5011445B1 (en) 2012-08-29
JP2013008721A JP2013008721A (en) 2013-01-10

Family

ID=46844518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011138520A Expired - Fee Related JP5011445B1 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Mounting board and light emitting module

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5011445B1 (en)
WO (1) WO2012176491A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101438566B1 (en) 2012-07-25 2014-09-12 (주)라이트스탠다드 Lighting apparatus for separation led module

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6398222B2 (en) * 2013-02-28 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
WO2014155347A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Printed circuit board for a light emitting diode module
US9324693B2 (en) * 2013-09-09 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Folded 3-D light sheets containing printed LEDs
JP6261119B2 (en) 2013-12-26 2018-01-17 岩崎電気株式会社 Light source support for LED lamp and assembly thereof
JP6381327B2 (en) * 2014-07-17 2018-08-29 シチズン電子株式会社 LED light emitting device and manufacturing method thereof
KR101845741B1 (en) 2014-07-23 2018-04-06 현대모비스 주식회사 Printed circuit board for led module of lamp assembly for vehicles and lamp assembly for vehicles having the same
CN107477383A (en) * 2016-06-07 2017-12-15 常州市子矜光电科技有限公司 A kind of corn lamp
DE102017115798A1 (en) * 2017-07-13 2019-01-17 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflective composite material, in particular for surface-mounted components (SMD), and light-emitting device with such a composite material
CN113611957B (en) * 2021-08-03 2023-07-07 深圳市科信通信技术股份有限公司 Battery cell, battery module and manufacturing method of battery cell

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112601U (en) * 1984-12-27 1986-07-16
JP2000100219A (en) * 1998-09-21 2000-04-07 Ichikoh Ind Ltd Vehicular lamp using led as light source and its manufacture
JP2009059909A (en) * 2007-08-31 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device using metal substrate and electronic equipment
JP2009081193A (en) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting module and its manufacturing method
JP2010028043A (en) * 2008-07-24 2010-02-04 Sony Corp Light emitting element assembly, planar light source device, liquid crystal display device assembly, and light emitting member
JP3169011U (en) * 2011-04-27 2011-07-07 詮興開發科技股▲ふん▼有限公司 Light emitting diode lamp
JP2011249534A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Daisho Denshi Co Ltd Flexible wiring board, light-emitting module, manufacturing method of light-emitting module, and manufacturing method of flexible wiring board
JP2011249535A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Daisho Denshi Co Ltd Flexible wiring board, light-emitting module, manufacturing method of light-emitting module and manufacturing method of flexible wiring board
JP2011249536A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Daisho Denshi Co Ltd Flexible wiring board, light-emitting module, manufacturing method of light-emitting module, and manufacturing method of flexible wiring board

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112601U (en) * 1984-12-27 1986-07-16
JP2000100219A (en) * 1998-09-21 2000-04-07 Ichikoh Ind Ltd Vehicular lamp using led as light source and its manufacture
JP2009059909A (en) * 2007-08-31 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device using metal substrate and electronic equipment
JP2009081193A (en) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting module and its manufacturing method
JP2010028043A (en) * 2008-07-24 2010-02-04 Sony Corp Light emitting element assembly, planar light source device, liquid crystal display device assembly, and light emitting member
JP2011249534A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Daisho Denshi Co Ltd Flexible wiring board, light-emitting module, manufacturing method of light-emitting module, and manufacturing method of flexible wiring board
JP2011249535A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Daisho Denshi Co Ltd Flexible wiring board, light-emitting module, manufacturing method of light-emitting module and manufacturing method of flexible wiring board
JP2011249536A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Daisho Denshi Co Ltd Flexible wiring board, light-emitting module, manufacturing method of light-emitting module, and manufacturing method of flexible wiring board
JP3169011U (en) * 2011-04-27 2011-07-07 詮興開發科技股▲ふん▼有限公司 Light emitting diode lamp

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101438566B1 (en) 2012-07-25 2014-09-12 (주)라이트스탠다드 Lighting apparatus for separation led module

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013008721A (en) 2013-01-10
WO2012176491A1 (en) 2012-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5011445B1 (en) Mounting board and light emitting module
KR101495580B1 (en) Leadframe, wiring board, light emitting unit, and illuminating apparatus
JP5665160B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus
JP2013038018A (en) Lighting fixture
JP5673190B2 (en) Light emitting device
JP5517616B2 (en) Thin film semiconductor component and component combination
JP4976982B2 (en) LED unit
JP5935078B2 (en) LED module and method for manufacturing the same, lighting apparatus, and straight tube LED lamp
US11611014B2 (en) Light-emitting module
JP2011249737A (en) Lead frame, wiring board, and led unit using the same
JP2013008966A (en) Mounting board
JP5935074B2 (en) Mounting board and light emitting module
JP3939145B2 (en) Side-emitting surface-mount light-emitting diode
KR101852436B1 (en) Car lamp using semiconductor light emitting device
JP5807205B2 (en) Mounting board
JP2014007204A (en) Led module
JP4976895B2 (en) Light emitting device
JP5011442B1 (en) Light emitting unit and lighting device
JP5011441B1 (en) Light emitting unit and lighting device
JP5938623B2 (en) Mounting substrate, manufacturing method thereof, and LED module
JP2012209366A (en) Double sided light emitting unit and lighting device
JP7174264B2 (en) Surface emitting light source and manufacturing method thereof
JP2012209563A (en) Light emitting unit
JP5954657B2 (en) Mounting substrate, manufacturing method thereof, and LED module
JP2012209562A (en) Lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120508

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120604

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees