KR101852436B1 - Car lamp using semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 차량용 램프에 관한 것으로, 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제공한다. 여기서, 상기 광원부는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판상에 배치되고, 면 형태의 제1 전극 및 바 형태의 제2전극을 구비하고, 상기 제1전극 및 제2전극을 각각의 공통전극으로 가지도록 병렬로 연결되는 복수의 발광소자들을 구비하는 복수의 단위 광원들 및 상기 단위 광원들 중 어느 하나의 제1전극과 상기 단위 광원들 중 다른 하나의 제2전극을 직렬 연결시키는 연결전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 서로 병렬로 연결되는 반도체 소자들을 포함하는 단위 광원들을 직렬로 연결함에 있어서, 반복적 굽힘으로 인한 직렬 연결의 단선을 방지할 수 있다.The present invention relates to a lamp for a vehicle, and a lamp for a vehicle having a light source portion for emitting light. Here, the light source unit may include a base substrate, a first electrode and a bar-shaped second electrode disposed on the base substrate, and the first electrode and the second electrode may be formed as common electrodes, respectively. A plurality of unit light sources having a plurality of light emitting elements connected in parallel and a connection electrode for connecting one of the unit light sources and the other one of the unit light sources in series, . According to the present invention, when unit light sources including semiconductor elements connected in parallel to each other are connected in series, it is possible to prevent disconnection of series connection due to repetitive bending.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프{CAR LAMP USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a lamp for a vehicle using a semiconductor light-

본 발명은 차량용 램프에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lamp for a vehicle, and more particularly to a lamp for a vehicle using a semiconductor light emitting element.

차량은 조명 기능이나 신호 기능을 가지는 다양한 차량용 램프를 구비하고 있다. 일반적으로, 할로겐 램프나 가스 방전식 램프가 주로 사용되어 왔으나, 최근에는 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 차량용 램프의 광원으로 주목 받고 있다. The vehicle is equipped with a variety of vehicle lamps having a lighting function or a signal function. Generally, a halogen lamp or a gas discharge lamp has been mainly used, but in recent years, a light emitting diode (LED) has attracted attention as a light source of a vehicle lamp.

발광다이오드의 경우 사이즈를 최소화함으로서 램프의 디자인 자유도를 높여줄 뿐만 아니라 반영구적인 수명으로 인해 경제성도 갖추고 있으나, 현재 대부분 패키지 형태로 생산되고 있다. 패키지가 아닌 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 자체는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자로서, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 개발 중이다. Light emitting diodes (LEDs) are designed to minimize the size of LEDs and increase the design freedom of lamps. [0002] Light emitting diodes (LEDs) themselves, rather than packages, are semiconductor light emitting devices that convert current into light and are being developed as light sources for display images of electronic devices including information communication equipment.

하지만, 현재까지 개발된 차량용 램프는 패키지 형태의 발광 다이오드를 이용하는 것이기에 양산 수율이 좋지 않고 비용이 많이 소요될 뿐 아니라, 플렉서블의 정도가 약하다는 약점이 존재한다.However, since a vehicle lamp developed up to now uses a package type light emitting diode, the yield is low, the cost is high, and the degree of flexibility is weak.

본 발명은 서로 병렬로 연결되는 반도체 소자들을 포함하는 단위 광원들을 직렬로 연결함에 있어서, 반복적 굽힘으로 인한 직렬 연결의 단선을 방지하는 구조를 포함하는 차량용 램프를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a lamp for a vehicle that includes a structure for preventing series connection due to repeated bending in series connection of unit light sources including semiconductor elements connected in parallel to each other.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제공한다. 여기서, 상기 광원부는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판상에 배치되고, 면 형태의 제1 전극 및 바 형태의 제2전극을 구비하고, 상기 제1전극 및 제2전극을 각각의 공통전극으로 가지도록 병렬로 연결되는 복수의 발광소자들을 구비하는 복수의 단위 광원들 및 상기 단위 광원들 중 어느 하나의 제1전극과 상기 단위 광원들 중 다른 하나의 제2전극을 직렬 연결시키는 연결전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lamp for a vehicle including a light source for emitting light. Here, the light source unit may include a base substrate, a first electrode and a bar-shaped second electrode disposed on the base substrate, and the first electrode and the second electrode may be formed as common electrodes, respectively. A plurality of unit light sources having a plurality of light emitting elements connected in parallel and a connection electrode for connecting one of the unit light sources and the other one of the unit light sources in series, .

일 실시 예에 있어서, 상기 단위 광원들 각각은 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 제1전극은 상기 기판의 적어도 일부를 덮는 것을 특징으로 하고, 상기 제2전극은 상기 절연층 위에 배치되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, each of the unit light sources includes a substrate and an insulating layer disposed on the substrate, wherein the first electrode covers at least a part of the substrate, And an electrode is disposed on the insulating layer.

일 실시 예에 있어서, 상기 어느 하나의 단위 광원 및 상기 다른 하나의 단위 광원 사이에 배치되고, 고분자물질로 이루어지는 유연층을 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 단위 광원이 배치된 영역과 연결전극이 배치된 영역의 두께 차이를 줄일 수 있고, 광원부의 반복적 굽힘에 의하여 연결전극이 단선되는 것을 막을 수 있다.In one embodiment, the light emitting device may further include a flexible layer disposed between the one unit light source and the other unit light source, the flexible layer being made of a polymer material. This makes it possible to reduce the thickness difference between the region where the unit light source is disposed and the region where the connection electrode is disposed, and it is possible to prevent the connection electrode from being disconnected by repetitive bending of the light source portion.

일 실시 예에 있어서, 상기 연결전극은, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 기판전극, 상기 어느 하나의 단위 광원을 관통하고, 상기 어느 하나의 단위 광원에 포함된 제1전극과 전기적으로 연결되는 제1전극홀 및 상기 다른 하나의 단위 광원을 관통하고, 상기 다른 하나의 단위 광원에 포함된 제2전극과 전기적으로 연결되는 제2전극홀을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2전극홀은 상기 기판전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 이를 통해, 연결전극의 일부를 단위 광원 내부에 배치할 수 있고, 광원부의 반복적 굽힘에 의하여 연결전극이 단선되는 것을 막을 수 있다. In one embodiment, the connection electrode includes a substrate electrode disposed on the base substrate, a first electrode electrically connected to the first electrode included in one of the unit light sources, And a second electrode hole penetrating through the electrode hole and the other unit light source and electrically connected to the second electrode included in the other unit light source, And may be electrically connected to the substrate electrode. Accordingly, a part of the connecting electrode can be disposed inside the unit light source, and the connecting electrode can be prevented from being broken by repetitive bending of the light source unit.

일 실시 예에 있어서, 상기 제1 및 제2전극홀은 상기 기판을 관통할 수 있으며, 상기 제2전극은 상기 제2전극홀과 전기적으로 연결되도록 적어도 일부가 굽어질 수 있다. 이를 통해, 광원부의 제조과정을 단순화 시킬 수 있다.In one embodiment, the first and second electrode holes may penetrate through the substrate, and the second electrode may be at least partially bent so as to be electrically connected to the second electrode hole. Accordingly, the manufacturing process of the light source unit can be simplified.

일 실시 예에 있어서, 상기 연결전극의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 전극보호층을 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 광원부의 반복적 굽힘에도 연결전극을 보호할 수 있게 된다.In one embodiment, the electrode protection layer may be disposed to cover at least a part of the connection electrode. This makes it possible to protect the connection electrode against repeated bending of the light source unit.

일 실시 예에 있어서, 상기 어느 하나의 단위 광원에 포함된 제1전극과 상기 다른 하나에 포함된 제2전극을 직렬 연결시키는 상기 연결전극은 복수개일 수 있고, 상기 복수의 연결전극은 소정 간격을 두고 나란하게 배치될 수 있다. 이를 통해, 전기적 단선에 따른 전체 시스템의 기능 상실을 방지할 수 있으며, 고른 전류 분포를 얻을 수 있다.In one embodiment, the plurality of connection electrodes may be a plurality of connection electrodes that connect the first electrode included in the one unit light source and the second electrode included in the other unit in series, And can be arranged side by side. This makes it possible to prevent the loss of function of the entire system due to electrical disconnection and to obtain a uniform current distribution.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 단위 광원이 배치된 영역과 직렬 연결전극이 배치된 영역의 두께 차이를 줄일 수 있고, 광원부의 반복적 굽힘에 의하여 직렬 연결전극이 단선되는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the difference in thickness between the region where the unit light source is disposed and the region where the series connection electrode is disposed, and the series connection electrode can be prevented from being disconnected by repeated bending of the light source portion.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 직렬 연결전극의 일부를 단위 광원 내부에 배치하여, 광원부의 반복적 굽힘에 의하여 직렬 연결전극이 단선되는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a part of the series connection electrodes may be disposed inside the unit light source, thereby preventing the series connection electrodes from being disconnected by repetitive bending of the light source portion.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 직렬 연결전극을 덮는 보호층을 형성하여 광원부의 반복적 굽힘에 의하여 직렬 연결전극이 단선되는 것을 막을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a protective layer covering the series connection electrodes may be formed to prevent the series connection electrodes from being disconnected by repetitive bending of the light source portion.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3은 단면도이다.
도 4는 도 3의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 및 5b는 본 발명에 따른 광원부의 구조를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 6은 유연층을 포함하는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원부를 나타내는 개념도이다.
도 7a 내지 7d는 도 6의 광원부의 제조방법을 나타내는 개념도들이다.
도 8 및 도 9는 연결전극의 일부가 단위 광원 내부에 배치되는 광원부를 나타내는 개념도들이다.
도 10a 내지 10f는 도 9에서 설명한 광원부의 제조방법을 나타내는 개념도들이다.
도 11a 내지 11c는 전극보호층을 포함하는 광원부를 나타내는 개념도들이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a lamp for a vehicle using the semiconductor light emitting element of the present invention.
Fig. 2 is a partially enlarged view of part A of Fig. 1, and Fig. 3 is a sectional view.
4 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device of FIG.
5A and 5B are conceptual diagrams for explaining the structure of the light source unit according to the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a light source unit according to an embodiment of the present invention including a flexible layer.
7A to 7D are conceptual diagrams showing a manufacturing method of the light source unit of FIG.
8 and 9 are conceptual diagrams showing a light source unit in which a part of the connection electrode is disposed inside a unit light source.
10A to 10F are conceptual diagrams showing the manufacturing method of the light source unit described in FIG.
11A to 11C are conceptual diagrams showing a light source portion including an electrode protection layer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.

본 명세서에서 설명되는 차량용 램프에는 전조등(헤드 램프), 미등, 차폭등, 안개등, 방향지시등, 제동등, 비상등, 후진등(테일 램프) 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The vehicle lamp described in this specification may include a headlamp, a tail lamp, a car light, a fog light, a turn signal lamp, a brake light, an emergency light, a tail lamp, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a device capable of being displayed, even in the form of a new product to be developed in the future.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a lamp for a vehicle using the semiconductor light emitting element of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 차량용 램프(10)는 차체에 고정되는 프레임(11)과, 프레임(11)에 설치되는 광원부(12)를 포함하여 이루어진다.The vehicle lamp 10 according to an embodiment of the present invention includes a frame 11 fixed to a vehicle body and a light source unit 12 installed on the frame 11. [

프레임(11)에는 광원부(12)에 전원을 공급하기 위한 배선라인이 연결되어 있으며, 상기 프레임(11)은 차체에 직접 체결 고정되거나 브라켓을 매개로 고정될 수 있다. 도시에 의하면, 광원부(12)가 발광하는 빛을 보다 확산하고 선명하게 하기 위하여 렌즈부가 구비될 수 있다.A wiring line for supplying power to the light source unit 12 is connected to the frame 11, and the frame 11 can be fastened directly to the vehicle body or fixed via a bracket. According to the present invention, a lens unit may be provided to further diffuse and brighten the light emitted from the light source unit 12.

상기 광원부(12)는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 플렉서블 광원부가 될 수 있다. The light source unit 12 may be a flexible light source that can be bent by an external force, bent, twistable, foldable, or curled.

상기 광원부(12)가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 광원부(12)는 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 광원부는 적어도 일부가 휘어지거나 굽어진 곡면이 될 수 있다. In the state in which the light source unit 12 is not bent (for example, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the light source unit 12 is flat. In the first state, the flexible light source part may be curved or curved at least partially in a state of being bent by an external force (for example, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state).

상기 광원부(12)의 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The pixel of the light source unit 12 may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode is formed in a small size, so that it can serve as a pixel even in the second state.

한편, 본 발명에 따른 광원부(12)는 단위 광원, 베이스 기판, 연결전극을 포함하여 이루어진다. 이하에서는, 상술한 구성요소들에 대하여 구체적으로 설명한다.Meanwhile, the light source unit 12 according to the present invention includes a unit light source, a base substrate, and a connection electrode. Hereinafter, the above-mentioned constituent elements will be described in detail.

광원부(12)는 상기 단위 광원만으로 이루어질 수 있다. 이하, 단위 광원만으로 이루어진 광원부(12)를 통해, 상기 단위 광원에 대하여 구체적으로 설명한다.The light source unit 12 may include only the unit light source. Hereinafter, the unit light source will be described in detail through a light source unit 12 composed of only a unit light source.

도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3은 단면도이며, 도 4는 도 3의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of part A of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view, and FIG. 4 is a conceptual view showing the vertical semiconductor light emitting device of FIG.

도 2, 도 3 및 도 4의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 단위 광원(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3 and 4, a passive matrix (PM) semiconductor light emitting device is used as a unit light source 100 using a semiconductor light emitting device. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

상기 단위 광원(100)은 기판(110), 제1전극(120), 제1접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The unit light source 100 includes a substrate 110, a first electrode 120, a first adhesive layer 130, a second electrode 140, and a plurality of semiconductor light emitting devices 150.

기판(110)은 전체 공정을 통해 구조가 형성되는 기본층(base layer)이며, 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있다. 상기 기판(110)은 플렉서블(flexible) 광원부를 구현하기 위하여 유리나 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 또한, 기판(110)은 박형 금속이 될 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The substrate 110 may be a base layer on which a structure is formed through an entire process, and may be a wiring substrate on which the first electrode 120 is disposed. The substrate 110 may include glass or polyimide (PI) to implement a flexible light source. Further, the substrate 110 may be a thin metal. In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible. In addition, the substrate 110 may be either a transparent material or an opaque material.

한편, 상기 기판(110)에는 방열 시트나 히트 싱크 등이 장착되어, 방열 기능이 구현될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1전극(120)이 배치되는 면의 반대면에 상기 방열 시트나 히트 싱크 등이 장착될 수 있다. Meanwhile, a heat radiation sheet, a heat sink, or the like may be mounted on the substrate 110 to realize a heat radiation function. In this case, the heat dissipation sheet, the heat sink, or the like may be mounted on the opposite surface of the surface on which the first electrode 120 is disposed.

제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치하며, 면 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1전극(120)은 상기 기판상에 배치되는 전극층이 될 수 있으며, 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다. 한편, 후술할 도 6과 같이, 제1전극(120)위에는 연결 전극(220)과 전기적 연결을 용이하게 하는 전극패드(123)가 배치될 수 있다.The first electrode 120 is disposed on the substrate 110 and may be formed as a surface-shaped electrode. Accordingly, the first electrode 120 may be an electrode layer disposed on the substrate, and may serve as a data electrode. 6, an electrode pad 123 for facilitating electrical connection with the connection electrode 220 may be disposed on the first electrode 120. Referring to FIG.

제1접착층(130)은 제1전극(120)이 위치하는 기판(110)상에 형성된다.The first adhesive layer 130 is formed on the substrate 110 where the first electrode 120 is located.

상기 제1접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 제1접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 따라서, 상기 제1접착층은 전도성 제1접착층으로 지칭될 수 있다. 또한 제1접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 광원부에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The first adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity. To this end, the first adhesive layer 130 may be formed of a material having conductivity and a material having adhesiveness. Thus, the first adhesive layer may be referred to as a conductive first adhesive layer. Also, the first adhesive layer 130 has ductility, thereby enabling a flexible function in the light source portion.

이러한 예로서, 제1접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 제1접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 제1접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다.As an example, the first adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. The first adhesive layer 130 may be formed as a layer having electrical insulation in the horizontal X-Y direction while allowing electrical interconnection in the Z direction penetrating through the thickness. Accordingly, the first adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer.

상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only a specific part of the anisotropic conductive film has conductivity due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, the anisotropic conductive film is described as being subjected to heat and pressure, but other methods may be used to partially conduct the anisotropic conductive film. In this method, for example, either the heat or the pressure may be applied, or UV curing may be performed.

또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conduction medium can be, for example, a conductive ball or a conductive particle. According to the example, in the present example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only specific portions are conductive by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be a state in which a plurality of particles coated with an insulating film made of a polymer material are contained in the core of the conductive material. In this case, the insulating film is broken by heat and pressure, . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and the electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the mating member adhered by the anisotropic conductive film.

다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in the insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) to the portion where the heat and the pressure are applied, so that the conductive material becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, it is possible that the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.

도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the present invention, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesiveness, and the conductive ball is concentrated on the bottom portion of the insulating base member, and is deformed together with the conductive ball when heat and pressure are applied to the base member So that they have conductivity in the vertical direction.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not limited thereto. The anisotropic conductive film may be formed by randomly mixing conductive balls into an insulating base member or by forming a plurality of layers in which a conductive ball is placed in a double- ACF) are all available.

이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, solutions containing conductive particles can be solutions in the form of conductive particles or nanoparticles.

기판(110) 상에 제1전극(120)이 위치하는 상태에서, 예를 들어 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)가 제1전극(120)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 제1접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 제1전극(120) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.When the semiconductor light emitting device 150 is connected to the semiconductor light emitting device 150 by applying heat and pressure after the first electrode 120 is positioned on the substrate 110, for example, after placing the anisotropic conductive film, Is electrically connected to the first electrode 120. In this case, the semiconductor light emitting device 150 may be disposed on the first electrode 120. In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the first adhesive layer 130 realizes not only electrical connection but also mechanical bonding between the semiconductor light emitting device 150 and the first electrode 120.

또 다른 예로서, 상기 제1접착층은 Eutectic bonding을 위한 주석계열 alloy, Au, Al 또는 Pb 등을 구비하며, 상기 기판과 상기 반도체 발광소자는 Eutectic bonding에 의하여 결합될 수 있다.As another example, the first adhesive layer may include a tin-based alloy for eutectic bonding, Au, Al, or Pb, and the substrate and the semiconductor light emitting device may be bonded by Eutectic bonding.

반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 이 경우에, 단일 반도체 발광소자의 면적은 10-10~10-5m2 의 범위를 가지며, 발광소자 간 간격은 100um~10mm 의 범위를 가질 수 있다. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 150 may be 80 mu m or less on one side and may be a rectangular or square device. In this case, the area of the single semiconductor light emitting device may be in the range of 10 -10 to 10 -5 m 2 , and the distance between the light emitting devices may be in the range of 100 μm to 10 mm.

상기 반도체 발광 소자(150)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 150 may have a vertical structure.

수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는 복수의 제2전극(140)이 위치하며, 상기 복수의 제2전극(140)은 상기 반도체 발광 소자(150)와 전기적으로 연결된다.A plurality of second electrodes 140 are disposed between the vertical semiconductor light emitting devices and the plurality of second electrodes 140 are electrically connected to the semiconductor light emitting device 150.

도 4를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156) 상에 형성된 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154)상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에 형성된 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(156)은 제1전극(120)과 제1접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(152)은 후술하는 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(150)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.4, the vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 156 formed on a p-type semiconductor layer 155, a p-type semiconductor layer 155 formed on a p-type electrode 156, an active layer 154 An n-type semiconductor layer 153 formed on the active layer 154; and an n-type electrode 152 formed on the n-type semiconductor layer 153. In this case, the p-type electrode 156 located at the lower portion may be electrically connected to the first electrode 120 by the first adhesive layer 130, and the n-type electrode 152 located at the upper portion may be electrically connected to the second electrode 140, respectively. Since the vertical type semiconductor light emitting device 150 can arrange the electrodes up and down, it has a great advantage that the chip size can be reduced.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 복수의 반도체 발광 소자(150)의 사이에는 절연층(160)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제1접착층(130)의 일면에 절연층(160)이 형성되어 상기 반도체 발광 소자(150)의 사이 공간을 채우게 된다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting device array, and an insulating layer 160 is formed between the plurality of semiconductor light emitting devices 150 . For example, an insulating layer 160 is formed on one surface of the first adhesive layer 130 to fill a space between the semiconductor light emitting devices 150.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 절연층(160)이 없이 상기 제1접착층(130)이 상기 반도체 발광소자의 사이를 모두 채우는 구조도 가능하다.However, the present invention is not limited thereto, and the first bonding layer 130 may fill the space between the semiconductor light emitting devices without the insulating layer 160.

상기 절연층(160)은 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층이 될 수 있다. 다른 예로서, 상기 절연층(160)에는 전극간의 short를 방지하기 위한 구조로 절연특성이 우수하고 광흡수가 적은 에폭시 혹은 methyl, phenyl 계열 실리콘 등의 고분자 물질 혹은, SiN, Al2O3 등의 무기 물질이 사용될 수 있다.The insulating layer 160 may be a transparent insulating layer including silicon oxide (SiOx) or the like. As another example, the insulating layer 160 may be formed of a polymer material such as epoxy, methyl, or phenyl-based silicone having a good insulation property and less light absorption, or an inorganic material such as SiN or Al2O3 Can be used.

도시에 의하면, 상기 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. According to the drawing, the phosphor layer 180 is formed on the light emitting element array.

상기 형광체층(180)은 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(151)이고, 이러한 청색(B) 광을 다른 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(180)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(180)은 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체, 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체 또는 청색 광을 백색(W) 광으로 변환시킬 수 있는 황색 형광체를 구비할 수 있다. The phosphor layer 180 may be formed on one surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device 151 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 180 for converting the blue (B) have. In this case, the phosphor layer 180 may be formed of a red phosphor capable of converting blue light into red (R) light, a green phosphor capable of converting blue light into green (G) light, And a yellow phosphor capable of being converted into a yellow phosphor.

이 경우에, Nitride 기반 반도체 발광소자에서 형성되는 광의 파장은 390~550nm 의 범위를 가지며, 형광체가 삽입된 필름을 통해 450~670nm 로 변환시킬 수 있다. 또한, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 전부 구비하여, 여러 파장의 광을 혼합하여, 백색 광을 구현할 수 있다. 또한, 적색계열의 광이 필요할 때, GaAs 계열의 적색 반도체 발광소자를 사용할 경우 형광체가 아닌 광 확산 필름을 사용할 수 있다. 또한, 광추출 효율을 향상시키기 위해 패턴된 시트가 삽입될 수 있다.In this case, the wavelength of the light formed in the Nitride-based semiconductor light emitting device is in the range of 390 to 550 nm and can be converted into 450 to 670 nm through the inserted film. Further, all of the red phosphor and the green phosphor can be provided, and light of various wavelengths can be mixed to realize white light. Also, when red light is required, a light diffusion film other than a phosphor may be used when a GaAs-based red semiconductor light emitting device is used. In addition, a patterned sheet can be inserted to improve light extraction efficiency.

이 경우에, 상기 반도체 발광소자(150)와 상기 형광체층(180)의 사이에는 광학갭층(171)이 존재할 수 있다. 상기 광학갭층(171)은 광흡수가 적고 bending 특성이 우수한 에폭시, 아크릴, 혹은 methyl, phenyl 계열 실리콘 등의 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 광효율 최적화를 위해 패턴된 시트가 삽입되거나, 굴절율이 다른 입자가 혼합될 수 있다.In this case, an optical gap layer 171 may exist between the semiconductor light emitting device 150 and the phosphor layer 180. The optical gap layer 171 may be made of a material such as epoxy, acrylic, methyl, or phenyl-based silicone having low light absorption and excellent bending properties. In addition, a patterned sheet may be inserted to optimize light efficiency, or particles having different refractive indexes may be mixed.

한편, 이 때에 컬러 필터(172)가 상기 형광체층(180)에 적층되어 변환된 광의 색순도를 향상시키는 것도 가능하다. 또한, 수분, 산소 및 외부충격으로부터 광원부를 보호하기 위하여 상기 컬러 필터(172)를 보호층(173)이 덮도록 형성될 수 있다. 이 때에, 상기 보호층(173)은 필름 접함 또는 레진 코팅을 통하여 구현될 수 있다.At this time, the color filter 172 may be laminated on the phosphor layer 180 to improve the color purity of the converted light. In addition, the color filter 172 may be formed to cover the protective layer 173 to protect the light source portion from moisture, oxygen, and external impact. At this time, the protective layer 173 may be formed through film contact or resin coating.

다시 본 실시예를 살펴보면, 상기 전극층(제1전극(120))은 상기 복수의 반도체 발광소자들이 각각 오버랩되는 공통 전극면(121)을 구비하며, 상기 공통 전극면(121)의 적어도 일부가 굽어질 수 있다. 즉, 상기 제1전극(120)은 면전극으로 구현되며, 공통전극으로서 구동하게 된다.Referring again to the present embodiment, the electrode layer (first electrode 120) has a common electrode surface 121 on which the plurality of semiconductor light emitting elements overlap, and at least a part of the common electrode surface 121 is bent Can be. That is, the first electrode 120 is implemented as a surface electrode and is driven as a common electrode.

상기 공통 전극면(121)은 상기 복수의 반도체 발광소자(150)의 사이에서 빛을 반사하도록 상기 복수의 반도체 발광소자(150)의 사이를 덮게 되며, 이를 통하여 고반사 전극층의 구조가 구현되어 광효율을 높아질 수 있다.The common electrode surface 121 covers between the plurality of semiconductor light emitting devices 150 so as to reflect light between the plurality of semiconductor light emitting devices 150, thereby realizing the structure of the high reflection electrode layer, .

상기 공통 전극면(121)은 10 내지 100000개의 반도체 발광소자들과 오버랩될 수 있으며, 상기 반도체 발광소자(150)는 어레이 형태로 상기 공통 전극면(121)을 덮게 된다. The common electrode surface 121 may overlap 10 to 100,000 semiconductor light emitting devices, and the semiconductor light emitting device 150 may cover the common electrode surface 121 in an array form.

예를 들어, 상기 복수의 반도체 발광소자(150)는 매트릭스 형태를 이루며, 상기 공통 전극면(121)은 상하좌우 방향을 따라 반도체 발광소자(150)와 오버랩되는 구조를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 복수의 반도체 발광소자(150)는 열과 행을 따라 배열되고, 상기 공통 전극면(121)은 상기 열과 행을 따라 배열된 복수의 반도체 발광소자(150)가 각각 오버랩되도록 형성될 수 있다. For example, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 may have a matrix shape, and the common electrode surface 121 may overlap with the semiconductor light emitting device 150 along the up, down, left, and right directions. More specifically, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 are arranged in rows and columns, and the common electrode surface 121 is formed such that a plurality of semiconductor light emitting devices 150 arranged along the rows and columns are overlapped with each other .

다른 예로서, 상기 반도체 발광소자(150)는 불규칙적으로 배열되고, 불규칙하게 배열된 반도체 발광소자(150)를 공통 전극면(121)이 모두 덮는 구조도 가능하다.As another example, the semiconductor light emitting devices 150 may be irregularly arranged, and the common electrode surface 121 may cover all the irregularly arranged semiconductor light emitting devices 150.

또 다른 예로서, 상기 전극층은 복수의 단위 전극층들을 구비하며, 상기 단위 전극층들(미도시)은 각각 복수의 반도체 발광소자들에 대응하는 크기로 형성되는 단위 공통 전극면들(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 단위 공통 전극면들이 서로 전기적으로 연결되어 용이하게 대면적의 단위 광원이 구현될 수 있다. 이 경우에, 구조상 다양한 제작크기 및 형태에 대응 가능하며 단위 광원을 교체할 수 있어 제품수명 및 수리가 용이하게 될 수 있다.As another example, the electrode layer may include a plurality of unit electrode layers, and the unit electrode layers (not shown) may have unit common electrode surfaces (not shown) each having a size corresponding to a plurality of semiconductor light emitting devices can do. The unit common electrode planes may be electrically connected to each other to easily realize a unit light source of a large area. In this case, it is possible to cope with various manufacturing sizes and shapes in terms of structure, and the unit light source can be replaced, so that the product life and repair can be facilitated.

이와 같이, 상기 제1전극(120)이 면전극으로 형성되므로, 공통 전극면(121)이 굽어짐에 따라 발생할 수 있는 단선이 완화 또는 방지될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 광원부는 도 1을 참조하여 전술한 프레임의 곡면 또는 절곡된 면에 부착될 수 있으며, 따라서 상기 공통 전극면(121)은 적어도 일부가 굽어질 수 있다. 이 때에, 상기 전극층에는 적어도 하나의 홈(122)이 형성될 수 있다. 상기 홈(122)은 상기 공통 전극면(121)의 굽어진 부분에 배치되는 크랙을 구비할 수 있다. 상기 굽어진 부분에 홈이 형성됨에 따라 상기 공통 전극면(121)이 금속으로 구현되더라도 탄성 복원되려는 힘이 약하게 되며, 따라서 프레임의 곡면 또는 절곡된 면에 보다 용이하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 크랙이 형성되더라도 면전극이므로 배선의 단선이 발생하지 않게 되는 효과가 발휘될 수 있다.Since the first electrode 120 is formed as a surface electrode, the disconnection that may occur as the common electrode surface 121 is bent can be alleviated or prevented. More specifically, the light source portion may be attached to a curved or curved surface of the frame described above with reference to FIG. 1, so that the common electrode surface 121 may be at least partially curved. At this time, at least one groove 122 may be formed in the electrode layer. The groove 122 may include a crack disposed at a curved portion of the common electrode surface 121. As the groove is formed in the curved portion, even if the common electrode surface 121 is formed of metal, the force for elastic restoration is weakened, so that it can be more easily attached to the curved surface or the bent surface of the frame. In addition, even if the cracks are formed, the effect of preventing disconnection of the wiring can be exhibited because it is a surface electrode.

이와 달리, 제2전극(140)은 반도체 발광 소자들(150) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(150)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(150)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(140)은 반도체 발광 소자들(150)의 열들 사이에 위치할 수 있다. Alternatively, the second electrode 140 is located between the semiconductor light emitting devices 150 and is electrically connected to the semiconductor light emitting devices 150. For example, the semiconductor light emitting devices 150 may be disposed in a plurality of rows, and the second electrode 140 may be disposed between the columns of the semiconductor light emitting devices 150.

이 경우에, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(150) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(140)은 반도체 발광 소자들(150) 사이에 위치될 수 있다. In this case, since the distance between the semiconductor light emitting elements 150 constituting the individual pixels is sufficiently large, the second electrode 140 can be positioned between the semiconductor light emitting elements 150.

또한, 제2전극(140)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 이 경우에, 상기 제2전극(140)은 상기 공통 전극면(121)의 굽어진 부분의 절곡 라인(BL)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 예를 들어 상기 제2전극(140)이 상기 절곡 라인(BL)과 평행하게 형성될 수 있으며, 이 경우에 상기 제2전극(140)은 라인 형상이나 굽어지지 않아 배선 불량이 발생하지 않게 된다. 즉, 절곡 라인(BL)과 평행한 n 배선 전극을 통하여, 전극 스트레스 최소화 및 크랙의 방지가 발휘될 수 있다.In addition, the second electrode 140 may be formed as a long bar-shaped electrode in one direction. In this case, the second electrode 140 may be formed to extend along the bending line BL of the curved portion of the common electrode surface 121. For example, the second electrode 140 may be formed in parallel with the bending line BL. In this case, the second electrode 140 may not be bent in a line shape, so that wiring failure does not occur. In other words, minimization of electrode stress and prevention of cracks can be exerted through n wiring electrodes parallel to the bending line BL.

도시에 의하면, 제2전극(140)과 반도체 발광 소자(150)는 제2전극(140)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극(152)은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극(140)은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(140)과 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)이 전기적으로 연결될 수 있다. The second electrode 140 and the semiconductor light emitting device 150 may be electrically connected to each other by a connection electrode protruded from the second electrode 140. More specifically, the connection electrode may be an n-type electrode 152 of the semiconductor light emitting device 150. For example, the n-type electrode 152 is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode 140 covers at least a part of the ohmic electrode by printing or vapor deposition. The second electrode 140 and the n-type electrode 152 of the semiconductor light emitting device 150 can be electrically connected to each other.

도시에 의하면, 상기 제2전극(140)은 절연층(160) 상에 위치할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 절연층(160)이 없이 상기 제1접착층(130)이 상기 반도체 발광소자의 사이를 모두 채우는 경우에 상기 제2전극(140)은 상기 제1접착층(130) 상에 위치할 수 있다.According to the example, the second electrode 140 may be positioned on the insulating layer 160. However, the present invention is not limited thereto. When the first adhesive layer 130 fills the spaces between the semiconductor light emitting devices without the insulating layer 160, And may be located on the adhesive layer 130.

도 5a 및 5b는 본 발명에 따른 광원부의 구조를 설명하기 위한 개념도이다.5A and 5B are conceptual diagrams for explaining the structure of the light source unit according to the present invention.

도 5a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원부(100)는 베이스 기판(210), 단위 광원 및 연결전극(220)을 포함한다.Referring to FIG. 5A, the light source unit 100 includes a base substrate 210, a unit light source, and a connection electrode 220.

베이스 기판(210)은 단위 광원에 포함된 기판과 마찬가지로, 플렉서블(flexible) 광원부를 구현하기 위하여 유리나 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 또한, 베이스 기판(210)은 박형 금속이 될 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. Like the substrate included in the unit light source, the base substrate 210 may include glass or polyimide (PI) to implement a flexible light source unit. Further, the base substrate 210 may be a thin metal. In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible.

복수의 단위 광원들은 베이스 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 단위 광원(100)들은 일정한 간격을 이루어 열과 행을 이루어 베이스 기판 상에 배치될 수 있다. 이때, 베이스 기판(210) 상에는 각종 구성요소들을 고정시키기 위한 제2접착층이 형성될 수 있다. A plurality of unit light sources may be disposed on the base substrate 210. More specifically, the unit light sources 100 may be arranged on the base substrate in rows and columns at regular intervals. At this time, a second adhesive layer for fixing various components may be formed on the base substrate 210.

상기 제2접착층은 상기 제1접착층과는 달리 전도성을 가질 필요는 없다. 제2접착층은 열전도성이 높은 metal alloy, 열전도성 고분자 소재, 실리콘, 에폭시 등일 수 있다.Unlike the first adhesive layer, the second adhesive layer need not have conductivity. The second adhesive layer may be a metal alloy with high thermal conductivity, a thermally conductive polymer material, silicon, epoxy, or the like.

베이스 기판(210) 상에 배치되는 상기 단위 광원들은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 단위 광원들의 전기적인 연결 상태에 설명하기 전에 단위 광원(100)들 각각에 포함된 복수의 반도체 발광소자의 전기적 연결상태에 대하여 설명한다.The unit light sources disposed on the base substrate 210 may be electrically connected to each other. The electrical connection state of a plurality of semiconductor light emitting devices included in each of the unit light sources 100 will be described before describing the electrical connection state of the unit light sources.

복수의 반도체 발광소자들은 상기 제1 및 제2전극에 의하여 병렬로 연결된다. 구체적으로, 복수의 반도체 발광소자들 각각에 포함된 p형 전극 및 n형 전극 중 어느 하나는 상기 제1전극에 연결되고, p형 전극 및 n형 전극 중 다른 하나는 제2전극에 연결된다. 즉, 상기 복수의 발광소자들은 상기 제1전극 및 상기 제2전극을 각각의 공통전극으로 가지도록 병렬로 연결된다.The plurality of semiconductor light emitting devices are connected in parallel by the first and second electrodes. Specifically, one of the p-type electrode and the n-type electrode included in each of the plurality of semiconductor light emitting elements is connected to the first electrode, and the other of the p-type electrode and the n-type electrode is connected to the second electrode. That is, the plurality of light emitting devices are connected in parallel so as to have the first electrode and the second electrode as common electrodes.

한편, 베이스 기판(210) 상에 배치되는 상기 단위 광원들은 직렬로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 단위 광원(100)들 중 어느 하나에 포함된 제1전극(120)과 상기 단위 광원들 중 다른 하나에 포함된 제2전극(140)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, the unit light sources disposed on the base substrate 210 may be connected in series. More specifically, the first electrode 120 included in one of the unit light sources 100 and the second electrode 140 included in another unit light source may be electrically connected to each other.

예를 들어, 도 5a와 같이, 인접한 두 개의 단위 광원(100) 사이에는 연결 전극(220)이 배치될 수 있다. 상기 제1전극(120) 및 상기 제2전극(140)은 연결전극(220)에 의하여 직렬연결 될 수 있다.For example, as shown in FIG. 5A, a connecting electrode 220 may be disposed between adjacent two unit light sources 100. The first electrode 120 and the second electrode 140 may be connected in series by a connection electrode 220.

다른 예를 들어, 도 5b와 같이, 상기 연결 전극(220)은 복수개 일 수 있으며, 어레이 형태로 형성될 수 있다. 이를 통해, 전기적 단선에 따른 전체 시스템의 기능 상실을 방지할 수 있으며, 고른 전류 분포를 얻을 수 있다.As another example, as shown in FIG. 5B, the connection electrodes 220 may be plural and may be formed in an array form. This makes it possible to prevent the loss of function of the entire system due to electrical disconnection and to obtain a uniform current distribution.

도 5a 및 5b에서 설명한 구조와 같이, 본 발명에 따른 광원부(12)는 복수의 반도체 발광소자들이 단위 광원 내에서 병렬로 연결되고, 단위 광원들이 직렬로 연결되는 구조를 가진다.5A and 5B, the light source unit 12 according to the present invention has a structure in which a plurality of semiconductor light emitting devices are connected in parallel in a unit light source, and unit light sources are connected in series.

한편, 이 베이스 기판(210) 상에 단위 광원 및 연결전극(220)이 배치되는 경우, 단위 광원이 배치된 영역의 두께가 연결전극(220)이 배치된 영역보다 두꺼울 수 있다. 광원부(12)를 굽히는 경우, 단위 광원보다 상대적으로 두께가 얇은 연결전극에서 더 많은 굽힘이 발생한다. 이로 인하여, 반복적으로 광원부(12)를 굽히는 경우, 단위 광원들을 직렬로 연결하는 연결전극(220)에서 전기적 단선이 발생될 수 있다. When the unit light source and the connection electrode 220 are disposed on the base substrate 210, the thickness of the region where the unit light source is disposed may be thicker than the area where the connection electrode 220 is disposed. When bending the light source part 12, more bending occurs in the connection electrode, which is relatively thinner than the unit light source. Accordingly, when the light source unit 12 is bent repeatedly, electrical disconnection may occur in the connection electrode 220 connecting the unit light sources in series.

이하에서는, 상술한 문제를 해결하기 위한 연결 전극(220)의 구현 예에 대하여 설명한다. 또한, 본 발명에 따른 광원부(12)는 상술한 문제를 해결하기 위하여 추가적인 구성요소를 더 포함할 수 있다.Hereinafter, an embodiment of the connecting electrode 220 for solving the above-mentioned problems will be described. Further, the light source unit 12 according to the present invention may further include additional components to solve the above-described problems.

상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원부(300)는 유연층을 더 포함할 수 있다.In order to solve the above-described problems, the light source unit 300 according to an embodiment of the present invention may further include a flexible layer.

도 6은 유연층을 포함하는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원부를 나타내는 개념도이고, 도 7a 내지 7b는 도 6의 광원부의 제조방법을 나타내는 개념도이다.6 is a conceptual view illustrating a light source unit according to an embodiment of the present invention including a flexible layer, and FIGS. 7A to 7B are conceptual diagrams illustrating a method of manufacturing the light source unit of FIG.

도 6을 참조하면, 단위 광원 사이에는 유연층(310)이 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 단위 광원들은 베이스 기판 상에 일정한 간격을 두고 배치될 수 있으며, 유연층(310) 상기 간격을 메우도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 6, a flexible layer 310 may be disposed between unit light sources. As described above, the unit light sources may be disposed at regular intervals on the base substrate, and the flexible layer 310 may be formed to fill the gap.

유연층(310)은 유연성을 가지는 실리콘, 에폭시, 폴리우레탄 등과 같은 고분자 소재로 이루어질 수 있다. 유연층(310)은 베이스 기판(210) 위에 배치될 수 있으며, 제2접착층(230)에 의하여 고정될 수 있다.The flexible layer 310 may be made of a polymer material such as silicone, epoxy, polyurethane or the like having flexibility. The flexible layer 310 may be disposed on the base substrate 210 and fixed by the second adhesive layer 230.

도 6 하단에 도시된 확대도에 따르면, 유연층(310)은 베이스 전극(210)으로부터 제2전극(140)이 위치하는 높이까지 형성될 수 있고, 인접한 두 개의 단위 광원의 측면과 접하도록 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 유연층(310)은 제1전극(120)이 위치하는 높이까지 형성될 수 있다.6, the flexible layer 310 may be formed to a height at which the second electrode 140 is located from the base electrode 210, and may be disposed so as to be in contact with the side surfaces of two adjacent unit light sources . Although not shown, the flexible layer 310 may be formed up to the height where the first electrode 120 is located.

한편, 제1전극(120) 상에는 상기 제2전극(140)과의 높이 차를 줄일 수 있도록 전극 패드(123)가 배치될 수 있다. 상기 전극 패드(123)는 후술할 다른 실시 예에 따른 광원부(12)에 포함될 수 있다. On the other hand, the electrode pad 123 may be disposed on the first electrode 120 so as to reduce a difference in height from the second electrode 140. The electrode pad 123 may be included in the light source unit 12 according to another embodiment to be described later.

도시된 바와 같이, 연결전극(220)은 유연층(310)을 덮도록 배치될 수 있다. 상기 유연층은(310) 단위 광원이 배치된 영역의 두께와 연결전극(220)이 배치된 영역의 두께의 차이를 최소화 할 수 있다. 이에 따라, 광원부(300)가 굽혀질 때, 단위 광원이 배치된 영역과 연결 전극이 배치된 영역이 고르게 굽혀진다.As shown, the connection electrode 220 may be disposed to cover the flexible layer 310. The thickness of the region where the unit light source 310 is disposed and the thickness of the region where the connection electrode 220 is disposed can be minimized. Accordingly, when the light source unit 300 is bent, the region where the unit light source is disposed and the region where the connection electrode is disposed are bent evenly.

이하 도 7a 내지 7d를 참조하여, 도 6에서 설명한 광원부를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 7A to 7D, a method of manufacturing the light source unit described in FIG. 6 will be described.

먼저, 도 7a와 같이, 베이스 기판(210)에 제2접착층(230)을 도포하는 단계가 진행된다. 여기서, 제2접착층(230)을 이루는 접착소재는 열전도성이 높은 metal alloy, 열전도성 고분자 소재, 실리콘, 에폭시 등일 수 있다. 제2접착층(230)은 전도성을 가질 필요는 없다.First, as shown in FIG. 7A, the step of applying the second adhesive layer 230 to the base substrate 210 proceeds. Here, the adhesive material forming the second adhesive layer 230 may be a metal alloy having high thermal conductivity, a thermally conductive polymer material, silicon, epoxy, or the like. The second adhesive layer 230 need not have conductivity.

다음으로, 도 7b와 같이, 상기 제2접착층(230) 위에 단위 광원(100)들을 접착시키는 단계가 진행된다. 이때, 라미네티팅을 통해, 단위 광원들이 접착될 수 있으며, 단위 광원(100)들은 일정한 간격을 이루어 열과 행으로 배치될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7B, a step of bonding the unit light sources 100 onto the second adhesive layer 230 is performed. At this time, the unit light sources may be bonded through laminating, and the unit light sources 100 may be arranged in rows and columns at regular intervals.

이후, 도 7c 및 7d와 같이, 접착된 단위 광원 사이에 유연층(310)을 이루는 소재를 도포한 후, 마지막으로, 상기 유연층 위에 연결 전극을 형성하는 단계가 진행된다. 상기 연결 전극(220)은 프린팅, 증착, 도금 등과 같은 공정을 통해 형성될 수 있다.Then, as shown in FIGS. 7C and 7D, a material forming the flexible layer 310 is applied between the bonded unit light sources, and finally, a step of forming a connection electrode on the flexible layer is performed. The connection electrode 220 may be formed through a process such as printing, vapor deposition, plating, or the like.

한편, 상술한 문제를 해결하기 위해, 연결전극의 일부가 단위 광원내부에 배치될 수 있다.On the other hand, in order to solve the above-described problem, a part of the connecting electrode may be disposed inside the unit light source.

도 8 및 도 9는 연결전극의 일부가 단위 광원 내부에 배치되는 광원부를 나타내는 개념도이고, 도 10a 내지 10d는 도 9에서 설명한 광원부의 제조방법을 나타내는 개념도이다.FIGS. 8 and 9 are conceptual diagrams showing a light source unit in which a part of the connection electrodes are disposed in a unit light source, and FIGS. 10A to 10D are conceptual diagrams showing a manufacturing method of the light source unit described in FIG.

도 8을 참조하면 연결 전극(220)은 기판전극(420), 제1전극홀(410a) 및 제2전극홀(410b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the connection electrode 220 may include a substrate electrode 420, a first electrode hole 410a, and a second electrode hole 410b.

기판 전극(420)은 도전성 물질로 이루어지며, 베이스 기판(210)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 베이스 기판(210)의 일면의 일부는 기판 전극(420)으로 덮이고, 상기 일면 중 상기 기판 전극(420)으로 덮이지 않은 부분은 제2접착층(230)으로 덮인다.The substrate electrode 420 is made of a conductive material and may be formed to cover a part of the base substrate 210. A part of one surface of the base substrate 210 is covered with the substrate electrode 420 and a portion of the one surface not covered with the substrate electrode 420 is covered with the second adhesive layer 230.

도시된 바에 따르면, 상기 제1전극홀(410a)는 단위 광원(100)의 기판(110)에 형성된 비아(via) 홀에 도전물질이 채워짐으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극홀(410a)은 기판의 일면과 다른 일면을 전기적으로 연결한다. 제1전극홀(410a)은 기판(110)을 관통하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결된다. 또한, 제1전극홀(410a)은 기판 전극(420)과 전기적으로 연결된다.The first electrode hole 410a may be formed by filling a via hole formed in the substrate 110 of the unit light source 100 with a conductive material. The first electrode hole 410a electrically connects one side of the substrate and the other side of the substrate. The first electrode hole 410 a is electrically connected to the first electrode 120 through the substrate 110. In addition, the first electrode hole 410a is electrically connected to the substrate electrode 420.

도시된 바에 따르면, 상기 제2전극홀(410b)는 단위 광원(100)의 기판(110) 및 절연층(160)에 형성된 비아 홀에 도전물질이 채워짐으로써 형성될 수 있다. 상기 제2전극홀(410b)은 기판(110) 및 절연층(160)을 관통하여 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. 또한, 제2전극홀(410b)는 기판 전극(420)과 전기적으로 연결된다.The second electrode hole 410b may be formed by filling a via hole formed in the substrate 110 and the insulating layer 160 of the unit light source 100 with a conductive material. The second electrode hole 410b is electrically connected to the second electrode 140 through the substrate 110 and the insulating layer 160. [ In addition, the second electrode hole 410b is electrically connected to the substrate electrode 420.

한편, 상기 제1 및 제2전극홀은 단위 광원(100) 제조 시에 형성될 수 있다. Meanwhile, the first and second electrode holes may be formed at the time of manufacturing the unit light source 100.

구체적으로, 상기 제1전극홀(410a)는 기판(110) 상에 제1전극(120)을 코팅하기 전에 형성될 수 있다. 제1전극홀(410a)은 기판(110)에 레이저 가공 또는 기계적 가공을 통해 비아 홀을 형성하고, 형성된 비아 홀에 도전물질을 충전함으로써, 형성될 수 있다. Specifically, the first electrode hole 410a may be formed on the substrate 110 before the first electrode 120 is coated. The first electrode hole 410a can be formed by forming a via hole in the substrate 110 through laser processing or mechanical processing, and filling the via hole formed with the conductive material.

한편, 상기 제2전극홀은 상기 제1기판(120)위에 제1접착층(130) 및 절연층(160)이 적층된 후 형성될 수 있다. 제2전극홀(410b)은 제1기판(120), 제1접착층(130) 및 절연층(160)을 관통하는 비아 홀을 형성하고, 형성된 비아 홀에 도전물질을 충전함으로써, 형성될 수 있다. Meanwhile, the second electrode hole may be formed after the first adhesive layer 130 and the insulating layer 160 are stacked on the first substrate 120. The second electrode hole 410b may be formed by forming a via hole passing through the first substrate 120, the first adhesive layer 130, and the insulating layer 160, and filling the formed via hole with a conductive material .

상술한 연결 전극(220) 구조에 따르면, 단위 광원들 중 어느 하나의 제1전극(120)과 단위 광원들 중 다른 하나의 제2전극(140)은 전기적으로 연결된다. 도 8의 구조에 따르면 연결전극(220)의 일부는 단위 광원(100)의 내부에 배치되므로, 광원부(12)의 반복적 굽힘에 의하여 연결 전극이 파손되는 것을 방지할 수 있다.According to the structure of the connection electrode 220, the first electrode 120 of one unit light source and the second electrode 140 of the other unit light source are electrically connected. According to the structure of FIG. 8, since a part of the connection electrode 220 is disposed inside the unit light source 100, it is possible to prevent the connection electrode from being damaged by repetitive bending of the light source unit 12.

한편, 도 9를 참조하면, 상기 제1 및 제2전극홀은 동일한 길이로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9, the first and second electrode holes may have the same length.

구체적으로, 제1 및 제2전극홀은 단위 광원(100)의 기판(110)만을 관통하여 형성될 수 있다. 전극홀이 기판(110)만을 관통하는 경우, 제1전극(120) 과는 전기적으로 접할 수 있다. 하지만, 제2전극(140)은 제1전극(120)보다 높은 위치에 배치되므로, 전극홀과 제2전극이 접할 수 없게 된다. Specifically, the first and second electrode holes may be formed only through the substrate 110 of the unit light source 100. When the electrode hole penetrates only the substrate 110, the first electrode 120 can be electrically contacted with the electrode hole. However, since the second electrode 140 is disposed at a higher position than the first electrode 120, the electrode hole can not contact the second electrode.

이러한 문제를 해결하기 위해, 도 9를 참조하면, 제2전극(520)은 적어도 일부가 굽어진 형태일 수 있다. 즉, 제2전극(520)은 제1전극(120)과 동일한 높이에 배치되어 전극홀(510)과 전기적으로 연결될 수 있도록 굽어진 형태일 수 있다.In order to solve this problem, referring to FIG. 9, the second electrode 520 may be at least partially bent. That is, the second electrode 520 may be bent at a same height as the first electrode 120 to be electrically connected to the electrode hole 510.

도 9의 구조에 따르면, 단위 광원(100)에 전극 홀을 형성하는 단계를 간소화 할 수 있게 된다. According to the structure of FIG. 9, the step of forming the electrode holes in the unit light source 100 can be simplified.

구체적으로, 도 10a 내지 10f를 참조하여, 도 9에 따른 광원부를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.More specifically, a method of manufacturing the light source portion according to Fig. 9 will be described with reference to Figs. 10A to 10F.

먼저, 도 10a와 같이, 레이저 가공 또는 기계적 가공을 통해 기판(110)에 비아 홀(530)을 형성하는 단계가 진행된다. 이때, 비아 홀들은 기판의 양 단부에 각각 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 10A, a step of forming a via hole 530 in the substrate 110 is performed through laser processing or mechanical processing. At this time, the via-holes may be formed at both ends of the substrate, respectively.

다음으로 도 10b와 같이, 도금 등을 통해 비아 홀(530)에 도전성 물질을 충전하는 단계가 진행된다. 이에 따라, 기판(110)의 양 단부에는 전극홀(510)이 형성된다. 즉, 단일 공정으로 제1 및 제2전극 각각과 전기적으로 연결되는 전극홀을 형성시킬 수 있다. 이에 따라, 단위 광원당 비아 홀을 형성하는 공정, 비아 홀에 도전성 물질을 충전하는 공정을 한 번씩만 수행하면 되기 때문에, 제조 공정이 간소화 될 수 있다.Next, as shown in FIG. 10B, a step of filling the via hole 530 with a conductive material through plating or the like proceeds. Accordingly, electrode holes 510 are formed at both ends of the substrate 110. [ That is, an electrode hole electrically connected to each of the first and second electrodes can be formed by a single process. As a result, the process of forming the via hole per unit light source and the process of filling the via hole with the conductive material can be performed only once, so that the manufacturing process can be simplified.

다음으로, 도 10c와 같이, 단위 광원(100)의 다른 구성 요소들을 적층하는 단계가 진행된다. 이때, 제2전극(520)은 전극홀(510)에 접촉하도록 일부가 굽어진 형태로 이루어질 수 있다.Next, as shown in FIG. 10C, a step of laminating the other components of the unit light source 100 proceeds. At this time, the second electrode 520 may be partially bent to contact the electrode hole 510.

다음으로, 도 10d와 같이, 베이스 기판(210)상에 기판전극(420)을 형성하는 단계가 진행된다. 이 때, dry-film lamination, exposure, etching 등 Flexible PCB 제작 공정 또는 금속층 패터닝을 위한 photolithography, 증착, 도금과 같은 반도체 공정이 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 10D, a step of forming a substrate electrode 420 on the base substrate 210 proceeds. In this case, semiconductor processes such as photolithography, vapor deposition, and plating for a flexible PCB fabrication process such as dry-film lamination, exposure, and etching or metal layer patterning can be used.

이후, 도 10e와 같이, 베이스 기판(210) 상에 제2접착층(230)을 도포하는 단계가 진행된다. 이때, 제2접착층(230)은 상기 기판전극(420)이 배치되지 않은 영역에 도포된다. Then, as shown in FIG. 10E, the step of applying the second adhesive layer 230 on the base substrate 210 proceeds. At this time, the second adhesive layer 230 is applied to a region where the substrate electrode 420 is not disposed.

마지막으로, 도 10f와 같이, 베이스 기판(210) 상에 단위 광원들을 배치하는 단계가 진행된다. 이때, 상기 제1 및 제2전극홀이 상기 기판전극과 접하도록, 단위 광원들 각각은 상기 기판전극과 오버랩되도록 배치되어야 한다.Finally, as shown in FIG. 10F, a step of arranging the unit light sources on the base substrate 210 proceeds. At this time, each of the unit light sources should be arranged to overlap with the substrate electrode such that the first and second electrode holes are in contact with the substrate electrode.

상술한 바와 같이, 도 8 및 9에 도시된 광원부는 연결전극의 일부가 단위 광원 내부에 배치되기 때문에, 광원부의 반복적 굽힘에도 연결전극이 파손되는 것을 막을 수 있다.As described above, in the light source unit shown in FIGS. 8 and 9, since a part of the connection electrode is disposed inside the unit light source, the connection electrode can be prevented from being damaged even in repeated bending of the light source unit.

한편, 상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원부는 전극보호층을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in order to solve the above-described problems, the light source unit according to an embodiment of the present invention may further include an electrode protection layer.

도 11a 내지 11c는 전극보호층을 포함하는 광원부를 나타내는 개념도들이다.11A to 11C are conceptual diagrams showing a light source portion including an electrode protection layer.

도 11a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원부는 도 6에서 설명한 연결전극(220)을 덮는 전극보호층(610a)을 더 포함할 수 있다. 상기 전극보호층(610a)은 폴리이미드, 실리콘, 폴리우레탄 등 전기적으로 절연되며, 유연성을 가지는 고분자 소재로 이루어질 수 있다. 상기 전극보호층(610a)은 연결전극(220)을 배치한 후, 코팅, 프린팅과 같은 방법으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11A, the light source unit according to an embodiment of the present invention may further include an electrode protection layer 610a covering the connection electrode 220 described with reference to FIG. The electrode protection layer 610a may be made of a polymer material such as polyimide, silicon, polyurethane, etc., which is electrically insulated and has flexibility. The electrode protection layer 610a may be formed by a method such as coating and printing after the connection electrode 220 is disposed.

한편, 도 11b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원부는 도 8에서 설명한 연결전극(220)을 덮는 전극보호층(610b)을 더 포함할 수 있다. 또한, 도 11c를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광원부는 도 9에서 설명한 연결전극(220)을 덮는 전극보호층(610c)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11B, the light source unit according to an exemplary embodiment of the present invention may further include an electrode protection layer 610b covering the connection electrode 220 illustrated in FIG. Referring to FIG. 11C, the light source unit according to an exemplary embodiment of the present invention may further include an electrode protection layer 610c covering the connection electrode 220 described with reference to FIG.

도 8 및 9에서 설명한 광원부의 경우, 연결전극의 일부가 단위 광원 내부에 배치되기 때문에, 전극보호층은 단위 광원 내부에 배치되는 전극을 보호할 필요는 없다. In the case of the light source unit described in Figs. 8 and 9, since a part of the connecting electrode is disposed inside the unit light source, the electrode protection layer does not need to protect the electrodes disposed inside the unit light source.

전극보호층은 연결전극에 포함된 구성요소들 중 외부로 노출된 기판전극(420)을 보호하도록 배치된다.The electrode protection layer is arranged to protect the exposed substrate electrode 420 out of the components included in the connection electrode.

이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The above-described display device using the semiconductor light emitting device is not limited to the configuration and the method of the embodiments described above, but all or a part of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made to the embodiments It is possible.

Claims (10)

빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에 있어서,
상기 광원부는,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 배치되고, 면 형태의 제1 전극 및 바 형태의 제2전극을 구비하고, 상기 제1전극 및 제2전극을 각각의 공통전극으로 가지도록 병렬로 연결되는 복수의 발광소자들을 구비하는 복수의 단위 광원들; 및
상기 단위 광원들 중 어느 하나의 제1전극과 상기 단위 광원들 중 다른 하나의 제2전극을 직렬 연결시키는 연결전극을 포함하고,
상기 단위 광원들 각각은,
기판; 및
상기 기판 상에 배치되는 절연층을 포함하고,
상기 제1전극은 상기 기판의 적어도 일부를 덮고,
상기 제2전극은 상기 절연층 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.1. A vehicle lamp having a light source portion for emitting light,
The light source unit includes:
A base substrate;
A plurality of light emitting elements arranged on the base substrate and having a first electrode in a planar shape and a second electrode in a bar shape and connected in parallel so as to have the first electrode and the second electrode as common electrodes, A plurality of unit light sources; And
And a connection electrode for connecting a first electrode of one of the unit light sources and a second electrode of the other one of the unit light sources in series,
Each of the unit light sources includes:
Board; And
And an insulating layer disposed on the substrate,
Wherein the first electrode covers at least a portion of the substrate,
And the second electrode is disposed on the insulating layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 어느 하나의 단위 광원 및 상기 다른 하나의 단위 광원 사이에 배치되고, 고분자물질로 이루어지는 유연층을 더 포함하고,
상기 연결전극은 상기 유연층을 덮는 것을 특징을 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
Further comprising a flexible layer disposed between any one of the unit light sources and the other unit light source and made of a polymer material,
And the connection electrode covers the flexible layer. 제1항에 있어서,
상기 연결전극은,
상기 베이스 기판 상에 배치되는 기판전극;
상기 어느 하나의 단위 광원을 관통하고, 상기 어느 하나의 단위 광원에 포함된 제1전극과 전기적으로 연결되는 제1전극홀; 및
상기 다른 하나의 단위 광원을 관통하고, 상기 다른 하나의 단위 광원에 포함된 제2전극과 전기적으로 연결되는 제2전극홀을 포함하는 것을 특징으로 하고,
상기 제1 및 제2전극홀은 상기 기판전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
The connecting electrode
A substrate electrode disposed on the base substrate;
A first electrode hole penetrating the one unit light source and electrically connected to the first electrode included in the one unit light source; And
And a second electrode hole penetrating the other unit light source and electrically connected to the second electrode included in the other unit light source,
Wherein the first and second electrode holes are electrically connected to the substrate electrode. 제4항에 있어서,
상기 제1 및 제2전극홀이 상기 기판전극과 접하도록, 상기 어느 하나의 단위 광원 및 상기 다른 하나의 단위 광원 각각은 상기 기판전극과 오버랩되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.5. The method of claim 4,
Wherein each of the one unit light source and the other unit light source overlaps the substrate electrode such that the first and second electrode holes contact the substrate electrode. 제5항에 있어서,
상기 제1전극홀은 상기 기판을 관통하는 것을 특징으로 하고,
상기 제2전극홀은 상기 기판 및 상기 절연층을 관통하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.6. The method of claim 5,
Wherein the first electrode hole penetrates through the substrate,
And the second electrode hole penetrates the substrate and the insulating layer. 제5항에 있어서,
상기 제1 및 제2전극홀은 상기 기판을 관통하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.6. The method of claim 5,
And the first and second electrode holes penetrate through the substrate. 제7항에 있어서,
상기 제2전극은 상기 제2전극홀과 전기적으로 연결되도록 적어도 일부가 굽어진 것을 특징으로 하는 차량용 램프.8. The method of claim 7,
And the second electrode is at least partially bent to be electrically connected to the second electrode hole. 제1항에 있어서,
상기 연결전극의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 전극보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
And an electrode protection layer disposed to cover at least a part of the connection electrode. 제1항에 있어서,
상기 어느 하나의 단위 광원에 포함된 제1전극과 상기 다른 하나에 포함된 제2전극을 직렬 연결시키는 상기 연결전극은 복수개인 것을 특징으로 하고,
상기 복수의 연결전극은 소정 간격을 두고 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
And a plurality of connection electrodes connected in series between the first electrode included in one of the unit light sources and the second electrode included in the other unit light source,
Wherein the plurality of connection electrodes are disposed in parallel to each other with a predetermined gap therebetween.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11402075B2 (en) 2018-01-03 2022-08-02 Lg Electronics Inc. Vehicle lamp using semiconductor light-emitting device
KR102586041B1 (en) 2018-05-09 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR102556280B1 (en) * 2018-07-05 2023-07-17 엘지전자 주식회사 Lamp using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011066133A (en) 2009-09-16 2011-03-31 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting module and vehicular lighting fixture
JP2011171739A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light-emitting device having multi-cell array, light-emitting module, and illumination apparatus
KR101099419B1 (en) 2010-06-21 2011-12-27 주식회사 삼광산전 Dimming select type led lamp module
KR101167497B1 (en) 2012-02-08 2012-07-20 (주)윌넷 Bar type led module and led illuminating device
JP2013069631A (en) 2011-09-26 2013-04-18 Toshiba Lighting & Technology Corp Luminaire, lighting fixture, and lighting control system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011066133A (en) 2009-09-16 2011-03-31 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting module and vehicular lighting fixture
JP2011171739A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light-emitting device having multi-cell array, light-emitting module, and illumination apparatus
KR101099419B1 (en) 2010-06-21 2011-12-27 주식회사 삼광산전 Dimming select type led lamp module
JP2013069631A (en) 2011-09-26 2013-04-18 Toshiba Lighting & Technology Corp Luminaire, lighting fixture, and lighting control system
KR101167497B1 (en) 2012-02-08 2012-07-20 (주)윌넷 Bar type led module and led illuminating device

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