JP4976895B2 - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP4976895B2
JP4976895B2 JP2007079635A JP2007079635A JP4976895B2 JP 4976895 B2 JP4976895 B2 JP 4976895B2 JP 2007079635 A JP2007079635 A JP 2007079635A JP 2007079635 A JP2007079635 A JP 2007079635A JP 4976895 B2 JP4976895 B2 JP 4976895B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
color conversion
conversion unit
phosphor
visible light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007079635A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008243961A (en
Inventor
尚子 竹井
圭一 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2007079635A priority Critical patent/JP4976895B2/en
Publication of JP2008243961A publication Critical patent/JP2008243961A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4976895B2 publication Critical patent/JP4976895B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device using an LED chip (light emitting diode chip).

従来から、LEDチップとLEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップとは異なる発光色の光を放射する蛍光体とを組み合わせ所望の混色光(例えば、白色光)を得るようにした発光装置の研究開発が各所で行われている(例えば、特許文献1,2参照)。   Conventionally, light emission in which a desired mixed color light (for example, white light) is obtained by combining an LED chip and a phosphor that emits light of a light emission color different from that of the LED chip when excited by light emitted from the LED chip. Research and development of the apparatus is performed in various places (for example, refer to Patent Documents 1 and 2).

ここにおいて、上記特許文献1には、図4に示すように、青色光を放射するLEDチップ10’と、当該LEDチップ10’が実装された実装基板20’と、LEDチップ10’における実装基板20’側とは反対の表面側に積層されLEDチップ10’から放射される光によって励起されてLEDチップ10’よりも長波長の可視光(黄色光)を放射する蛍光体および透光性材料により形成された色変換部60’と、LEDチップ10’と色変換層60’との間に設けられLEDチップ10’から放射される光を透過し且つ色変換部60’の蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層45’と、実装基板20’におけるLEDチップ10’の実装面側においてLEDチップ10’、波長選択フィルタ層45’および色変換部60’を覆うレンズ160’とを備えた発光装置が記載されている。   Here, in Patent Document 1, as shown in FIG. 4, an LED chip 10 ′ that emits blue light, a mounting substrate 20 ′ on which the LED chip 10 ′ is mounted, and a mounting substrate in the LED chip 10 ′. A phosphor and a translucent material that are stacked on the surface side opposite to the 20 ′ side and are excited by light emitted from the LED chip 10 ′ to emit visible light (yellow light) having a longer wavelength than the LED chip 10 ′. The color conversion unit 60 ′ formed by the above, and the light emitted from the LED chip 10 ′ provided between the LED chip 10 ′ and the color conversion layer 60 ′ are transmitted and emitted from the phosphor of the color conversion unit 60 ′. Wavelength-selective filter layer 45 ′ that reflects visible light, and LED chip 10 ′, wavelength-selective filter layer 45 ′, and color conversion on the mounting surface side of LED chip 10 ′ on mounting substrate 20 ′ Light-emitting device and a 'lens 160 covering the' 60 are described.

また、上記特許文献2には、図5に示すように、青色光を放射するLEDチップ10’と、リードフレームの一部からなりLEDチップ10’が内底面上に実装されたカップ部120’と、LEDチップ10’を封止した封止材からなる半球状の封止部50’と、封止部50’の表面側に積層されLEDチップ10’から放射される光によって励起されてLEDチップ10’よりも長波長の可視光(黄色光)を放射する蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の色変換部60’と、封止部50’と色変換部60’との間に設けられLEDチップ10’から放射される光を透過し且つ色変換部60’の蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層45’と、カップ部120’におけるLEDチップ10’の実装面側において色変換部60’を覆うレンズ160’とを備えた発光装置が記載されている。なお、波長選択フィルタ層45’は、相対的に屈折率の高いTiO膜と相対的に屈折率の低いSiO膜とが交互に積層されている。
米国特許第5813752号明細書(第2欄第66行−第3欄第65行、FIG.1) 米国特許第6155699号明細書(第5欄第11行−第40行、第5欄第62行−第6欄第9行、FIG.2)
Further, in Patent Document 2, as shown in FIG. 5, an LED chip 10 ′ that emits blue light and a cup portion 120 ′ that is formed of a part of a lead frame and the LED chip 10 ′ is mounted on the inner bottom surface. And a hemispherical sealing portion 50 ′ made of a sealing material that seals the LED chip 10 ′, and an LED excited by light emitted from the LED chip 10 ′ that is laminated on the surface side of the sealing portion 50 ′. A dome-shaped color conversion unit 60 ′ formed of a phosphor and a translucent material that emits visible light (yellow light) having a wavelength longer than that of the chip 10 ′, a sealing unit 50 ′, and a color conversion unit 60 ′ A wavelength selection filter layer 45 ′ that transmits light emitted from the LED chip 10 ′ and reflects visible light emitted from the phosphor of the color conversion unit 60 ′, and an LED chip in the cup unit 120 ′. The color conversion unit 60 ′ is mounted on the mounting surface side of 10 ′. Emitting device is described that includes a Cormorant lens 160 '. In the wavelength selection filter layer 45 ′, a TiO 2 film having a relatively high refractive index and a SiO 2 film having a relatively low refractive index are alternately laminated.
U.S. Pat. No. 5,817,752 (column 2, line 66-column 3, line 65, FIG. 1) US Pat. No. 6,155,699 (column 5, line 11 to line 40, column 5, line 62 to column 6, line 9, FIG. 2)

ところで、図4や図5に示した発光装置は、LEDチップ10’と色変換部60’との間に波長選択フィルタ層45’が設けられているので、色変換部60’の蛍光体から放射された可視光の一部がLEDチップ10’側に戻って光取り出し効率が低下するのを抑制することができる。   By the way, in the light emitting device shown in FIG. 4 and FIG. 5, since the wavelength selection filter layer 45 ′ is provided between the LED chip 10 ′ and the color conversion unit 60 ′, the phosphor of the color conversion unit 60 ′ is used. It can be suppressed that part of the emitted visible light returns to the LED chip 10 ′ side and the light extraction efficiency is lowered.

しかしながら、図4に示した構成の発光装置では、LEDチップ10’の側面から放射された青色光が色変換部60’を通らずにレンズ160’へ入射して外部へ出射されるので、色むらが生じやすかった。   However, in the light emitting device having the configuration shown in FIG. 4, the blue light emitted from the side surface of the LED chip 10 ′ enters the lens 160 ′ without going through the color conversion unit 60 ′ and is emitted to the outside. Unevenness was likely to occur.

これに対して、図5に示した構成の発光装置は、色変換部60’がドーム状に形成されているので、図4に示した構成の発光装置に比べて色むらの発生を抑制することができる。   On the other hand, in the light emitting device having the configuration shown in FIG. 5, since the color conversion unit 60 ′ is formed in a dome shape, the occurrence of uneven color is suppressed compared to the light emitting device having the configuration shown in FIG. 4. be able to.

しかしながら、図4や図5に示した構成の発光装置では、波長選択フィルタ層45’と色変換部60’とが積層されているので、色変換部60’の蛍光体で発生する熱に起因して波長選択フィルタ層45’に応力がかかり、波長選択フィルタ層45’にクラックが発生して光取り出し効率が低下する恐れがあった。   However, in the light emitting device having the configuration shown in FIGS. 4 and 5, the wavelength selection filter layer 45 ′ and the color conversion unit 60 ′ are stacked, and therefore, the heat generation is caused by the phosphor of the color conversion unit 60 ′. As a result, stress is applied to the wavelength selection filter layer 45 ′, and cracks may occur in the wavelength selection filter layer 45 ′, thereby reducing the light extraction efficiency.

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、波長選択フィルタ層へのクラックの発生を抑制することができる発光装置を提供することにある。   This invention is made | formed in view of the said reason, The objective is to provide the light-emitting device which can suppress generation | occurrence | production of the crack to a wavelength selection filter layer.

請求項1の発明は、可視光を放射するLEDチップと、当該LEDチップが実装された実装基板と、実装基板におけるLEDチップの実装面側にLEDチップを囲む形で配設されたドーム状の光学部材と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する蛍光体および透光性材料により形成され光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部と、光学部材の光出射面に形成されLEDチップから放射される可視光を透過し且つ蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層とを備え、波長選択フィルタ層と色変換部との間に空気層が形成され、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ蛍光体である第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され色変換部である第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部を備え、波長選択フィルタ層は、第2の蛍光体から放射される可視光を反射する光学特性を有し、第2色変換部と第1色変換部との間に別の空気層が形成されてなることを特徴とする。 The invention of claim 1 is an LED chip that emits visible light, a mounting board on which the LED chip is mounted, and a dome-like shape that is disposed on the mounting surface side of the LED chip on the mounting board so as to surround the LED chip. A dome shape formed of an optical member, a fluorescent material that is excited by visible light emitted from the LED chip and emits visible light having a wavelength longer than that of the LED chip, and a translucent material, and is disposed so as to surround the optical member And a wavelength selection filter layer that is formed on the light emitting surface of the optical member and that transmits visible light emitted from the LED chip and reflects visible light emitted from the phosphor. shorter than the air layer is formed, is excited by visible light emitted from the LED chip first phosphor is a long wavelength and the phosphor than LED chips between the color conversion unit and A wavelength selective filter layer is provided with a dome-shaped second color conversion unit that is formed of a second phosphor that emits visible light and a translucent material and is located outside the first color conversion unit that is a color conversion unit. It has an optical characteristic of reflecting visible light radiated from the second phosphor, and another air layer is formed between the second color conversion unit and the first color conversion unit .

この発明によれば、光学部材の光出射面に形成されLEDチップから放射される可視光を透過し且つ蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層と色変換部との間に空気層が形成されているので、色変換部で発生する熱に起因して波長選択フィルタ層にかかる熱応力を低減でき、波長選択フィルタ層へのクラックの発生を抑制することができる。   According to this invention, between the wavelength selection filter layer that is formed on the light emitting surface of the optical member and transmits visible light emitted from the LED chip and reflects visible light emitted from the phosphor, and the color conversion unit. Since the air layer is formed, the thermal stress applied to the wavelength selection filter layer due to the heat generated in the color conversion unit can be reduced, and the occurrence of cracks in the wavelength selection filter layer can be suppressed.

また、この発明によれば、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部とを備えていることにより、第1の蛍光体と第2の蛍光体との2種類の蛍光体のうち短波長側に発光ピーク波長を有する第2の蛍光体から放射された可視光が長波長側に発光ピーク波長を有する第1の蛍光体に二次吸収されるのを抑制することが可能となる。さらに、この発明によれば、第2色変換部の第2の蛍光体から放射される可視光が第1色変換部へ入射しにくくなり、外部への光取り出し効率を高めることができる。 Further, according to this invention, the first phosphor and the dome formed by the transparent material which emits visible light of longer wavelength than the excitation has been L ED chip by the visible light emitted from the L ED chip a first color conversion section of Jo, a second phosphor that emits L ED chips is excited by visible light emitted from L ED visible light having a shorter wavelength than even longer wavelengths and the first phosphor than the chip And a dome-shaped second color conversion unit formed of a translucent material and positioned outside the first color conversion unit, so that two types of first phosphor and second phosphor are provided. restrain the visible light emitted from the second phosphor is secondarily absorbed by the first phosphor having a peak emission wavelength longer having an emission peak wavelength in the phosphor sac Chi shorter wavelength It becomes possible . Furthermore, according to the present invention, visible light radiated from the second phosphor of the second color conversion unit becomes difficult to enter the first color conversion unit, and the light extraction efficiency to the outside can be increased.

なお、本発明とは別の発明ではあるが、可視光を放射するLEDチップと、当該LEDチップが実装された実装基板と、実装基板におけるLEDチップの実装面側にLEDチップを囲む形で配設されたドーム状の光学部材と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する蛍光体および透光性材料により形成され光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部と、光学部材の光出射面に形成されLEDチップから放射される可視光を透過し且つ蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層とを備え、波長選択フィルタ層と色変換部との間に空気層が形成され、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ蛍光体である第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され色変換部である第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部を備え、波長選択フィルタ層は、第2の蛍光体から放射される可視光を反射する光学特性を有し、第2色変換部と第1色変換部とが一体化されてなり、且つ、第2色変換部の透光性材料の屈折率が第1色変換部の透光性材料の屈折率よりも大きいことを特徴とするものがある。 Although it is an invention different from the present invention, an LED chip that emits visible light, a mounting board on which the LED chip is mounted, and an LED chip surrounding the LED chip on the mounting board are arranged. A dome-shaped optical member provided, a phosphor that is excited by visible light emitted from the LED chip and emits visible light having a wavelength longer than that of the LED chip, and a translucent material, and surrounds the optical member. A dome-shaped color converter disposed, and a wavelength selection filter layer that is formed on the light emitting surface of the optical member and transmits visible light emitted from the LED chip and reflects visible light emitted from the phosphor. An air layer is formed between the wavelength selection filter layer and the color conversion unit, and is excited by visible light emitted from the LED chip and has a longer wavelength than the LED chip and is a phosphor. A dome-shaped second color conversion unit that is formed of a second phosphor that emits visible light having a shorter wavelength than the light body and a light-transmitting material and that is located outside the first color conversion unit, which is a color conversion unit. The wavelength selection filter layer has an optical characteristic of reflecting visible light emitted from the second phosphor, and the second color conversion unit and the first color conversion unit are integrated, and the second there is, wherein the refractive index of the translucent material of the color conversion unit is larger than the refractive index of the translucent material of the first color conversion section.

本発明とは別の発明によれば、光学部材の光出射面に形成されLEDチップから放射される可視光を透過し且つ蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層と色変換部との間に空気層が形成されているので、色変換部で発生する熱に起因して波長選択フィルタ層にかかる熱応力を低減でき、波長選択フィルタ層へのクラックの発生を抑制することができる。また、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する第1の蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部とを備えていることにより、第1の蛍光体と第2の蛍光体との2種類の蛍光体のうち短波長側に発光ピーク波長を有する第2の蛍光体から放射された可視光が長波長側に発光ピーク波長を有する第1の蛍光体に二次吸収されるのを抑制することが可能となる。さらに、第2色変換部の第2の蛍光体から放射された可視光が第1色変換部中へ入射するのを抑制することができ、外部への光取り出し効率を高めることができる。 According to another aspect of the present invention, a wavelength selective filter layer that is formed on the light emitting surface of an optical member and transmits visible light emitted from an LED chip and reflects visible light emitted from a phosphor, and color conversion. An air layer is formed between the wavelength selection filter layer and the thermal stress applied to the wavelength selection filter layer due to the heat generated in the color conversion unit can be reduced, and the generation of cracks in the wavelength selection filter layer can be suppressed. Can do. In addition, a dome-shaped first color conversion unit formed of a first phosphor that is excited by visible light emitted from the LED chip and emits visible light having a wavelength longer than that of the LED chip, and a translucent material; A first color formed by a second phosphor and a translucent material that is excited by visible light emitted from the LED chip and emits visible light having a longer wavelength than the LED chip and a shorter wavelength than the first phosphor. By providing the dome-shaped second color conversion unit located outside the conversion unit, the emission peak wavelength on the short wavelength side of the two types of phosphors of the first phosphor and the second phosphor It is possible to suppress the secondary absorption of the visible light emitted from the second phosphor having the second absorption by the first phosphor having the emission peak wavelength on the long wavelength side. Furthermore, it is possible to suppress the visible light emitted from the second phosphor of the second color conversion unit from entering the first color conversion unit, and to increase the light extraction efficiency to the outside.

請求項1の発明では、波長選択フィルタ層へのクラックの発生を抑制することができるという効果がある。   In the invention of claim 1, there is an effect that the occurrence of cracks in the wavelength selective filter layer can be suppressed.

(実施形態1)
本実施形態の発光装置1は、図1に示すように、可視光を放射するLEDチップ10と、当該LEDチップ10が実装された実装基板20と、実装基板20におけるLEDチップ10の実装面側にLEDチップ10を囲む形で配設されたドーム状の光学部材40と、光学部材40の内側でLEDチップ10を封止した封止材からなる封止部50と、LEDチップ10から放射される可視光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の可視光を放射する蛍光体および透光性材料により形成され光学部材40を囲む形で配設されたドーム状の色変換部61と、光学部材40の光出射面に形成されLEDチップ10から放射される可視光を透過し且つ色変換部61の蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層45とを備え、波長選択フィルタ層45と色変換部61との間に空気層70が形成されている。
(Embodiment 1)
As shown in FIG. 1, the light emitting device 1 of the present embodiment includes an LED chip 10 that emits visible light, a mounting substrate 20 on which the LED chip 10 is mounted, and a mounting surface side of the LED chip 10 on the mounting substrate 20. The dome-shaped optical member 40 disposed so as to surround the LED chip 10, the sealing portion 50 made of a sealing material that seals the LED chip 10 inside the optical member 40, and the LED chip 10. A dome-shaped color conversion unit 61 that is formed of a fluorescent material that is excited by visible light and emits visible light having a wavelength longer than that of the LED chip 10 and a light-transmitting material and that surrounds the optical member 40; A wavelength selection filter layer 45 that is formed on the light emitting surface of the optical member 40 and transmits visible light emitted from the LED chip 10 and reflects visible light emitted from the phosphor of the color conversion unit 61. Air layer 70 is formed between the wavelength selection filter layer 45 and the color conversion unit 61.

本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10として、青色光を放射するGaN系青色LEDチップを用い、色変換部61の蛍光体として、LEDチップ10から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を用いており、LEDチップ10から放射され封止部50、光学部材40、波長選択フィルタ層45、色変換部61を透過した青色光と、色変換部61の黄色蛍光体から放射された黄色光との混色光からなる白色光を得ることができる。   In the light emitting device 1 of this embodiment, a GaN-based blue LED chip that emits blue light is used as the LED chip 10, and the phosphor of the color conversion unit 61 is excited by the blue light emitted from the LED chip 10 and yellow. Blue light emitted from the LED chip 10 and transmitted through the sealing unit 50, the optical member 40, the wavelength selection filter layer 45, and the color conversion unit 61, using a particulate yellow phosphor that emits light, and the color conversion unit It is possible to obtain white light composed of mixed light with yellow light emitted from 61 yellow phosphors.

LEDチップ10は、厚み方向の一表面側(図1における下面側)にアノード電極(図示せず)が形成されるとともに、厚み方向の他表面側(図1における上面側)にカソード電極(図示せず)が形成されており、上記他表面側を光取り出し面11側としているが、側面からも青色光が放射される。ここにおいて、アノード電極およびカソード電極は、下層側のNi膜と上層側のAu膜との積層膜により構成されている。   The LED chip 10 has an anode electrode (not shown) formed on one surface side (the lower surface side in FIG. 1) in the thickness direction and a cathode electrode (shown on the upper surface side in FIG. 1) in the other thickness direction. The other surface side is the light extraction surface 11 side, but blue light is also emitted from the side surface. Here, the anode electrode and the cathode electrode are formed of a laminated film of a lower layer Ni film and an upper layer Au film.

実装基板20は、LEDチップ10が一表面側に搭載される矩形板状のサブマウント部材30と、熱伝導性材料により形成されサブマウント部材30が一面側の中央部に固着される矩形板状の伝熱板21と、伝熱板21の一面側(図1における上面側)に例えばポリオレフィン系の固着シート(図示せず)を介して固着される矩形板状のフレキシブルプリント配線板により形成され中央部にサブマウント部材30を露出させる矩形状の窓孔24を有する配線基板22とで構成されている。したがって、LEDチップ10で発生した熱が配線基板22を介さずにサブマウント部材30および伝熱板21に伝熱されるようになっている。   The mounting substrate 20 includes a rectangular plate-shaped submount member 30 on which the LED chip 10 is mounted on one surface side, and a rectangular plate shape on which the submount member 30 is fixed to the central portion on the one surface side. The heat transfer plate 21 and a rectangular printed flexible printed wiring board fixed to one surface side (the upper surface side in FIG. 1) of the heat transfer plate 21 via, for example, a polyolefin-based fixing sheet (not shown). The wiring board 22 has a rectangular window hole 24 that exposes the submount member 30 at the center. Therefore, the heat generated in the LED chip 10 is transferred to the submount member 30 and the heat transfer plate 21 without passing through the wiring board 22.

上述の伝熱板21は、Cuからなる金属板21aを基礎とし、当該金属板21aの厚み方向の両面にAu膜からなるコーティング膜21bが形成されている。   The heat transfer plate 21 is based on a metal plate 21a made of Cu, and a coating film 21b made of an Au film is formed on both surfaces in the thickness direction of the metal plate 21a.

一方、配線基板22は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材22aの一表面側に、LEDチップ10への給電用の一対の配線パターン23,23が設けられるとともに、各配線パターン23,23および絶縁性基材22aにおいて配線パターン23,23が形成されていない部位を覆う白色系の樹脂からなるレジスト層26が積層されている。ここにおいて、LEDチップ10は、上記カソード電極がボンディングワイヤ14を介して一方の配線パターン23と電気的に接続され、上記アノード電極がサブマウント部材30の電極パターン31およびボンディングワイヤ14を介して他方の配線パターン23と電気的に接続されている。なお、各配線パターン23,23は、絶縁性基材22aの外周形状の半分よりもやや小さな外周形状に形成されている。また、絶縁性基材22aの材料としては、FR4、FR5、紙フェノールなどを採用してもよい。   On the other hand, the wiring substrate 22 is provided with a pair of wiring patterns 23 and 23 for feeding power to the LED chip 10 on one surface side of an insulating base material 22a made of a polyimide film. A resist layer 26 made of a white resin covering a portion where the wiring patterns 23, 23 are not formed in the conductive base material 22a is laminated. Here, in the LED chip 10, the cathode electrode is electrically connected to one wiring pattern 23 via the bonding wire 14, and the anode electrode is connected to the other via the electrode pattern 31 of the submount member 30 and the bonding wire 14. The wiring pattern 23 is electrically connected. Each of the wiring patterns 23 and 23 is formed in an outer peripheral shape slightly smaller than half of the outer peripheral shape of the insulating base material 22a. Further, FR4, FR5, paper phenol or the like may be employed as the material of the insulating base material 22a.

レジスト層26は、配線基板22の窓孔24の近傍において各配線パターン23,23の2箇所が露出し、配線基板22の周部において各配線パターン23,23の1箇所が露出するようにパターニングされており、各配線パターン23,23は、配線基板22の窓孔24近傍において露出した部位が、ボンディングワイヤ14が接続される端子部23aを構成し、配線基板22の周部において露出した円形状の部位が外部接続用の電極部23bを構成している。なお、配線基板22の配線パターン23,23は、Cu膜とNi膜とAu膜との積層膜により構成され、最上層がAu膜となっている。   The resist layer 26 is patterned so that two portions of each wiring pattern 23, 23 are exposed in the vicinity of the window hole 24 of the wiring substrate 22 and one portion of each wiring pattern 23, 23 is exposed in the peripheral portion of the wiring substrate 22. In each wiring pattern 23, 23, a portion exposed in the vicinity of the window hole 24 of the wiring substrate 22 constitutes a terminal portion 23 a to which the bonding wire 14 is connected, and a circle exposed at the peripheral portion of the wiring substrate 22. The part of the shape constitutes an electrode part 23b for external connection. In addition, the wiring patterns 23 and 23 of the wiring board 22 are comprised by the laminated film of Cu film | membrane, Ni film | membrane, and Au film | membrane, and the uppermost layer is Au film | membrane.

また、サブマウント部材30は、熱伝導率が比較的高く且つ電気絶縁性を有するAlNにより形成されており、平面サイズをLEDチップ10のチップサイズよりも大きく設定してあり、伝熱板21とLEDチップ10との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する応力緩和機能と、LEDチップ10で発生した熱を伝熱板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能とを有している。したがって、本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和することができるとともに、LEDチップ10で発生した熱をサブマウント部材30および伝熱板21を介して効率良く放熱させることができる。   The submount member 30 is made of AlN having a relatively high thermal conductivity and electrical insulation, and has a planar size larger than the chip size of the LED chip 10. A stress relieving function that relieves stress acting on the LED chip 10 due to a difference in linear expansion coefficient with the LED chip 10, and heat generated in the LED chip 10 in a range wider than the chip size of the LED chip 10 in the heat transfer plate 21 It has a heat conduction function to transfer heat to the. Therefore, in the light emitting device 1 of the present embodiment, the stress acting on the LED chip 10 due to the difference in linear expansion coefficient between the LED chip 10 and the heat transfer plate 21 can be relieved, and the heat generated in the LED chip 10 can be reduced. Can be efficiently radiated through the submount member 30 and the heat transfer plate 21.

本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用しているが、サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、例えば、複合SiC、Siなどを採用してもよい。また、サブマウント部材30の一表面側には、LEDチップ10におけるサブマウント部材30側の電極である上記アノード電極と接合される上述の電極パターン31が形成され、当該電極パターン31の周囲にLEDチップ10の側面から放射された光を反射する反射膜32が形成されている。したがって、LEDチップ10の側面から放射された可視光がサブマウント部材30に吸収されるのを防止することができ、外部への光取出し効率をさらに高めることが可能となる。ここにおいて、電極パターン31は、Auを主成分とするAuとSnとの合金(例えば、80Au−20Sn、70Au−30Snなど)により形成されている。また、反射膜32は、Alにより形成されているが、Alに限らず、Ag,Ni,Auなどにより形成してもよい。   In the present embodiment, AlN having a relatively high thermal conductivity and insulating properties is adopted as the material of the submount member 30, but the material of the submount member 30 is not limited to AlN, for example, composite SiC, Si Etc. may be adopted. Further, the electrode pattern 31 is formed on one surface side of the submount member 30 to be joined to the anode electrode that is an electrode on the submount member 30 side of the LED chip 10, and the LED pattern 31 is surrounded by the LED pattern 31. A reflective film 32 that reflects light emitted from the side surface of the chip 10 is formed. Therefore, visible light radiated from the side surface of the LED chip 10 can be prevented from being absorbed by the submount member 30, and the light extraction efficiency to the outside can be further increased. Here, the electrode pattern 31 is formed of an alloy of Au and Sn containing Au as a main component (for example, 80Au-20Sn, 70Au-30Sn, etc.). The reflective film 32 is made of Al, but is not limited to Al, and may be made of Ag, Ni, Au, or the like.

また、本実施形態の発光装置1では、サブマウント部材30の厚み寸法を、当該サブマウント部材30の表面が配線基板22のレジスト層26の表面よりも伝熱板21から離れるように設定してあり、LEDチップ10から側方に放射された光が配線基板22の窓孔24の内周面を通して配線基板22に吸収されるのを防止することができる。   In the light emitting device 1 of the present embodiment, the thickness dimension of the submount member 30 is set so that the surface of the submount member 30 is farther from the heat transfer plate 21 than the surface of the resist layer 26 of the wiring board 22. In addition, light emitted from the LED chip 10 to the side can be prevented from being absorbed by the wiring board 22 through the inner peripheral surface of the window hole 24 of the wiring board 22.

上述の封止部50の材料である封止材としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えばエポキシ樹脂などを用いてもよい。   As a sealing material which is a material of the above-mentioned sealing part 50, although silicone resin is used, not only silicone resin but an epoxy resin etc. may be used, for example.

光学部材40は、透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)の成形品であってドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材40をシリコーン樹脂により形成してあるので、光学部材40と封止部50との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部50の材料である封止材がエポキシ樹脂の場合には、光学部材40もエポキシ樹脂により形成することが好ましい。また、光学部材40は、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。   The optical member 40 is a molded product of a translucent material (for example, silicone resin) and is formed in a dome shape. Here, in this embodiment, since the optical member 40 is formed of silicone resin, the difference in refractive index and the linear expansion coefficient between the optical member 40 and the sealing portion 50 can be reduced. In addition, when the sealing material which is the material of the sealing part 50 is an epoxy resin, it is preferable that the optical member 40 is also formed of an epoxy resin. In addition, the optical member 40 may be fixed to the mounting substrate 20 with an end edge (periphery of the opening) on the mounting substrate 20 side using, for example, an adhesive (for example, silicone resin, epoxy resin).

ところで、上述の封止部50の形成にあたっては、実装基板20にLEDチップ10を実装してLEDチップ10とボンディングワイヤ14,14とを電気的に接続した後、LEDチップ10およびボンディングワイヤ14,14を封止部50の一部となる未硬化の第1の封止材(封止樹脂材料)により覆ってから、第1の封止材と同一材料からなり封止部の他の部分となる未硬化の第2の封止材(封止樹脂材料)を内側に入れた光学部材40を実装基板20に対して位置決めして各封止材を硬化させることにより封止部50を形成するようにすればよい。このようにして封止部50を形成することによって、製造過程で封止部50にボイドが発生するのを抑制できる。   By the way, in forming the sealing portion 50 described above, after the LED chip 10 is mounted on the mounting substrate 20 and the LED chip 10 and the bonding wires 14 and 14 are electrically connected, the LED chip 10 and the bonding wires 14 and 14 are connected. 14 is covered with an uncured first sealing material (sealing resin material) which becomes a part of the sealing portion 50, and is made of the same material as the first sealing material, The sealing member 50 is formed by positioning the optical member 40 with the uncured second sealing material (sealing resin material) inside to be mounted on the mounting substrate 20 and curing each sealing material. What should I do? By forming the sealing part 50 in this way, it is possible to suppress the generation of voids in the sealing part 50 during the manufacturing process.

波長選択フィルタ層45は、相対的に屈折率の高い高屈折率材料からなる第1の誘電体膜と相対的に屈折率の低い低屈折率材料からなる第2の誘電体膜とが交互に積層された光学多層膜により構成されている。ここにおいて、波長選択フィルタ層45は、高屈折率材料として、例えば、Ta、TiOなどを採用し、低屈折率材料として、例えば、SiO、MgFなどを採用すればよい。なお、高屈折率材料および低屈折率材料は、上述の材料に限るものではない。また、波長選択フィルタ層45の各誘電体膜の積層数や膜厚は、当該波長選択フィルタ層45に接する光学部材40の屈折率、各誘電体膜の屈折率、LEDチップ10の発光ピーク波長と色変換部61の蛍光体の発光ピーク波長との間のカットオフ波長、などに応じて適宜設定すればよい。 In the wavelength selection filter layer 45, the first dielectric film made of a high refractive index material having a relatively high refractive index and the second dielectric film made of a low refractive index material having a relatively low refractive index are alternately arranged. It is comprised by the laminated | stacked optical multilayer film. Here, the wavelength selection filter layer 45 may employ, for example, Ta 2 O 5 , TiO 2 or the like as a high refractive index material, and employ, for example, SiO 2 , MgF 2 or the like as a low refractive index material. Note that the high refractive index material and the low refractive index material are not limited to the above-described materials. Further, the number and thickness of the dielectric films of the wavelength selection filter layer 45 include the refractive index of the optical member 40 in contact with the wavelength selection filter layer 45, the refractive index of each dielectric film, and the emission peak wavelength of the LED chip 10. And a cut-off wavelength between the light emission peak wavelength of the phosphor of the color conversion unit 61 and the like.

色変換部61は、シリコーン樹脂からなる透光性材料にLEDチップ10から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を分散させた混合材料を用いてドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、色変換部61の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用しているので、色変換部61と封止部50との屈折率差を小さくすることができる。なお、色変換部61の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部61は、肉厚が一様となるように形成されている。また、色変換部61は、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。   The color conversion unit 61 is formed in a dome shape using a mixed material in which a particulate yellow phosphor that is excited by blue light emitted from the LED chip 10 and emits yellow light is dispersed in a translucent material made of silicone resin. Is formed. Here, in the present embodiment, since a silicone resin is employed as the translucent material of the color conversion unit 61, the difference in refractive index between the color conversion unit 61 and the sealing unit 50 can be reduced. The translucent material used as the material of the color conversion unit 61 is not limited to a silicone resin. For example, an organic / inorganic hybrid in which acrylic resin, glass, an organic component and an inorganic component are mixed and combined at the nm level or the molecular level. Materials etc. may be adopted. Moreover, the color conversion part 61 is formed so that thickness may become uniform. Moreover, the color conversion part 61 should just adhere the edge (periphery of an opening part) by the side of the mounting board | substrate 20 with respect to the mounting board | substrate 20, for example using an adhesive agent (for example, silicone resin, an epoxy resin, etc.).

以上説明した本実施形態の発光装置1では、光学部材40の光出射面に形成されLEDチップ10から放射される青色光を透過し且つ黄色蛍光体から放射される黄色光を反射する波長選択フィルタ層45と色変換部61との間に空気層70が形成されているので、色変換部61で発生する熱に起因して波長選択フィルタ層45にかかる熱応力を低減できて、波長選択フィルタ層45へのクラックの発生を抑制することができ、また、黄色蛍光体から放射された黄色光に関して実装基板20へ戻る光量を低減でき、実装基板20などでの吸収損失を低減できる。   In the light emitting device 1 of the present embodiment described above, the wavelength selection filter that is formed on the light emitting surface of the optical member 40 and transmits the blue light emitted from the LED chip 10 and reflects the yellow light emitted from the yellow phosphor. Since the air layer 70 is formed between the layer 45 and the color conversion unit 61, the thermal stress applied to the wavelength selection filter layer 45 due to the heat generated in the color conversion unit 61 can be reduced, and the wavelength selection filter The generation of cracks in the layer 45 can be suppressed, the amount of light returning to the mounting board 20 with respect to yellow light emitted from the yellow phosphor can be reduced, and the absorption loss in the mounting board 20 and the like can be reduced.

なお、本実施形態では、LEDチップ10から放射される可視光を青色光、色変換部61における蛍光体から放射される可視光を黄色光とした場合について例示したが、各可視光の色は特に限定するものではない。   In this embodiment, the case where the visible light emitted from the LED chip 10 is blue light and the visible light emitted from the phosphor in the color conversion unit 61 is yellow light is illustrated. However, the color of each visible light is There is no particular limitation.

(実施形態2)
ところで、実施形態1の発光装置1では、色変換部61における蛍光体として赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることにより、蛍光体として黄色蛍光体のみを用いる場合に比べて演色性の高い白色光を得ることができるが、緑色蛍光体から放射された緑色光の一部が赤色蛍光体に二次吸収されて赤色光に変換されるので、LEDチップ10からの青色光を赤色蛍光体により直接赤色光に変換する場合に比べて赤色の発光効率が低くなるため、このような二次吸収を抑制することが望まれる。
(Embodiment 2)
Incidentally, in the light emitting device 1 of the embodiment 1, by using a red phosphor and a green phosphor as a phosphor for definitive color conversion unit 61, a high color rendering property in comparison with the case of using only the yellow phosphor as a phosphor Although white light can be obtained, a part of the green light emitted from the green phosphor is secondarily absorbed by the red phosphor and converted into red light, so that the blue light from the LED chip 10 is converted into the red phosphor. Therefore, it is desirable to suppress such secondary absorption because the red light emission efficiency is lower than that in the case of directly converting to red light.

これに対して、本実施形態の発光装置1の基本構成は実施形態1と略同じであって、図2に示すように、LEDチップ10から放射される可視光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長かつ色変換部61(以下、第1色変換部61と称する)の蛍光体である第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され第1色変換部61の外側に位置するドーム状の第2色変換部62を備えている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   On the other hand, the basic configuration of the light emitting device 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the first embodiment, and is excited by visible light radiated from the LED chip 10 as shown in FIG. A second phosphor that emits visible light having a longer wavelength and shorter wavelength than the first phosphor that is the phosphor of the color conversion unit 61 (hereinafter referred to as the first color conversion unit 61), and a translucent material The difference is that a dome-shaped second color conversion unit 62 is formed and is positioned outside the first color conversion unit 61. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to Embodiment 1, and description is abbreviate | omitted.

本実施形態における波長選択フィルタ層45は、実施形態1と同様に、相対的に屈折率の高い高屈折率材料からなる第1の誘電体膜と相対的に屈折率の低い低屈折率材料からなる第2の誘電体膜とが交互に積層された光学多層膜により構成されており、LEDチップ10から放射される可視光を透過し且つ第1の蛍光体から放射される可視光および第2の蛍光体から放射される可視光を反射する光学特性を有するように設計してある。   As in the first embodiment, the wavelength selection filter layer 45 in the present embodiment is composed of a first dielectric film made of a high refractive index material having a relatively high refractive index and a low refractive index material having a relatively low refractive index. The second dielectric film is composed of an optical multilayer film that is alternately laminated. The visible light that is transmitted from the LED chip 10 and is radiated from the first phosphor and the second light is transmitted. It is designed to have an optical property of reflecting visible light emitted from the phosphors.

本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10として、青色光を放射するGaN系青色LEDチップを用い、第1色変換部61の第1の蛍光体として、LEDチップ10から放射された青色光によって励起されて赤色光を放射する粒子状の赤色蛍光体を用い、第2色変換部62の第2の蛍光体として、LEDチップ10から放射された青色光によって励起されて緑色光を放射する粒子状の緑色蛍光体を用いており、LEDチップ10から放射され封止部50、光学部材40、波長選択フィルタ層45、第1色変換部61および第2色変換部62を透過した青色光と、第1色変換部61の赤色蛍光体から放射され第2色変換部62を透過した赤色光と、第2色変換部62の緑色蛍光体から放射された緑色光との混色光からなる白色光を得ることができる。   In the light emitting device 1 of the present embodiment, a GaN blue LED chip that emits blue light is used as the LED chip 10, and the blue light emitted from the LED chip 10 is used as the first phosphor of the first color conversion unit 61. Is used as a second phosphor of the second color conversion unit 62 and is excited by the blue light emitted from the LED chip 10 to emit green light. Blue light that is emitted from the LED chip 10 and passes through the sealing portion 50, the optical member 40, the wavelength selection filter layer 45, the first color conversion portion 61, and the second color conversion portion 62 using a particulate green phosphor. And mixed light of red light emitted from the red phosphor of the first color converter 61 and transmitted through the second color converter 62 and green light emitted from the green phosphor of the second color converter 62. Get white light Can.

第1色変換部61は、シリコーン樹脂からなる透光性材料にLEDチップ10から放射された青色光によって励起されて赤色光を放射する粒子状の赤色蛍光体を分散させた混合材料を用いてドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、第1色変換部61の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用しているので、第1色変換部61と封止部50との屈折率差を小さくすることができる。   The first color conversion unit 61 uses a mixed material in which a particulate red phosphor that is excited by blue light emitted from the LED chip 10 and emits red light is dispersed in a translucent material made of silicone resin. It is formed in a dome shape. Here, in this embodiment, since the silicone resin is adopted as the translucent material of the first color conversion unit 61, the refractive index difference between the first color conversion unit 61 and the sealing unit 50 can be reduced. it can.

また、第2色変換部62は、シリコーン樹脂からなる透光性材料にLEDチップ10から放射された青色光によって励起されて緑色光を放射する粒子状の緑色蛍光体を分散させた混合材料を用いて第1色変換部61よりも大きなドーム状に形成されている。   The second color conversion unit 62 is a mixed material in which a particulate green phosphor that is excited by blue light emitted from the LED chip 10 and emits green light is dispersed in a translucent material made of silicone resin. It is formed in a larger dome shape than the first color conversion unit 61.

なお、第1色変換部61および第2色変換部62の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、第1色変換部61および第2色変換部62は、それぞれ肉厚が一様となるように形成されている。また、第1色変換部61および第2色変換部62は、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。   In addition, the translucent material used as the material of the first color conversion unit 61 and the second color conversion unit 62 is not limited to a silicone resin. For example, an acrylic resin, glass, an organic component, and an inorganic component are at the nm level or the molecular level. Organic / inorganic hybrid materials mixed and bound together in the above may be employed. Further, the first color conversion unit 61 and the second color conversion unit 62 are formed so as to have a uniform thickness. In addition, the first color conversion unit 61 and the second color conversion unit 62 have, for example, an adhesive (for example, a silicone resin, an epoxy resin, or the like) with respect to the mounting substrate 20 at the edge on the mounting substrate 20 side (periphery of the opening). ) May be used.

以上説明した本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10から放射される青色光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長の赤色光を放射する赤色蛍光体および第1の透光性材料により形成されたドーム状の第1色変換部61と、LEDチップ10から放射される青色光によって励起されてLEDチップ10よりも長波長かつ赤色蛍光体よりも短波長の緑色光を放射する緑色蛍光体および第2の透光性材料により形成され第1色変換部61の外側に位置するドーム状の第2色変換部62とを備えていることにより、赤色蛍光体と緑色蛍光体との2種類の蛍光体のうち短波長側に発光ピーク波長を有する緑色蛍光体から放射された緑色光が長波長側に発光ピーク波長を有する赤色蛍光体に二次吸収されるのを抑制することが可能となり、しかも、光学部材40の光出射面に形成されLEDチップ10から放射される青色光を透過し且つ赤色蛍光体から放射される赤色光および緑色蛍光体から放射される緑色光を反射する波長選択フィルタ層45と第1色変換部61との間に空気層70が形成されているので、第1色変換部61で発生する熱に起因して波長選択フィルタ層45にかかる熱応力を低減できて、波長選択フィルタ層45へのクラックの発生を抑制することができ、また、赤色蛍光体から放射された赤色光および緑色蛍光体から放射された緑色光に関して実装基板20へ戻る光量を低減でき、実装基板20などでの吸収損失を低減できる。 In the light emitting device 1 of the present embodiment described above, the red phosphor that emits red light having a wavelength longer than that of the LED chip 10 by being excited by the blue light emitted from the LED chip 10 and the first translucent material. The formed dome-shaped first color conversion unit 61 and green fluorescent light that is excited by blue light emitted from the LED chip 10 and emits green light having a longer wavelength than the LED chip 10 and a shorter wavelength than the red phosphor. And a dome-shaped second color conversion unit 62 that is formed of the body and the second translucent material and is located outside the first color conversion unit 61, thereby providing a red phosphor and a green phosphor 2. is possible to prevent the green light emitted from the green phosphor in the phosphor sac Chi short wavelength side of the type having an emission peak wavelength is secondarily absorbed by the red phosphor having a peak emission wavelength longer Possible In addition, the wavelength which is formed on the light emitting surface of the optical member 40 and transmits the blue light emitted from the LED chip 10 and reflects the red light emitted from the red phosphor and the green light emitted from the green phosphor. Since the air layer 70 is formed between the selection filter layer 45 and the first color conversion unit 61, the thermal stress applied to the wavelength selection filter layer 45 due to the heat generated in the first color conversion unit 61 is reduced. Thus, the occurrence of cracks in the wavelength selective filter layer 45 can be suppressed, and the amount of light returning to the mounting substrate 20 with respect to red light emitted from the red phosphor and green light emitted from the green phosphor is reduced. In addition, absorption loss in the mounting substrate 20 or the like can be reduced.

ところで、本実施形態の発光装置1では、第2色変換部62と第1色変換部61とが一体化されており、第2色変換部62の透光性材料の屈折率が第1色変換部61の透光性材料の屈折率よりも大きくなるように第2色変換部62の透光性材料および第1色変換部61の透光性材料を選定すれば、第2色変換部62の緑色蛍光体から放射された緑色光が第1色変換部61中へ入射するのを抑制することができ、外部への光取り出し効率を高めることができる。なお、第1色変換部61と第2色変換部62とは一体成形することで一体化してもよいし、透明な接着剤(例えば、シリコーン樹脂など)を用いて一体化してもよい。後者の場合には、製造時に、あらかじめ第2の蛍光体の濃度が異なる複数種類の第2色変換部62を用意しておき、第2色変換部62を第1色変換部61に接着する前に、第1色変換部61を通して出射される混色光を検出して当該検出結果に応じて適宜濃度の第2色変換部62を第1色変換部61に接着するようにすれば、発光装置1ごとの色ばらつきを低減できる。   By the way, in the light-emitting device 1 of this embodiment, the 2nd color conversion part 62 and the 1st color conversion part 61 are integrated, and the refractive index of the translucent material of the 2nd color conversion part 62 is 1st color. If the translucent material of the second color converter 62 and the translucent material of the first color converter 61 are selected so as to be larger than the refractive index of the translucent material of the converter 61, the second color converter The green light radiated from the green phosphor 62 can be prevented from entering the first color conversion unit 61, and the light extraction efficiency to the outside can be increased. In addition, the 1st color conversion part 61 and the 2nd color conversion part 62 may be integrated by integrally molding, and may be integrated using a transparent adhesive (for example, silicone resin etc.). In the latter case, a plurality of types of second color conversion units 62 having different concentrations of the second phosphor are prepared in advance at the time of manufacture, and the second color conversion unit 62 is bonded to the first color conversion unit 61. If the mixed color light emitted through the first color conversion unit 61 is detected before and the second color conversion unit 62 having an appropriate density is bonded to the first color conversion unit 61 according to the detection result, the light emission Color variations for each device 1 can be reduced.

(実施形態3)
本実施形態の発光装置1の基本構成は実施形態2と略同じであって、図3に示すように、第2色変換部62と第1色変換部61との間に空気層80が形成されている点が相違するだけである。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 3)
The basic configuration of the light emitting device 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the second embodiment, and an air layer 80 is formed between the second color conversion unit 62 and the first color conversion unit 61 as shown in FIG. The only difference is that In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to Embodiment 2, and description is abbreviate | omitted.

しかして、本実施形態の発光装置1では、第2色変換部62と第1色変換部61との間に空気層80が形成されているので、第2色変換部62の第2の蛍光体から放射される可視光が第1色変換部61へ入射しにくくなり、外部への光取り出し効率を高めることができる。   Therefore, in the light emitting device 1 of the present embodiment, since the air layer 80 is formed between the second color conversion unit 62 and the first color conversion unit 61, the second fluorescence of the second color conversion unit 62 is formed. Visible light emitted from the body is less likely to enter the first color conversion unit 61, and the light extraction efficiency to the outside can be increased.

なお、上記実施形態2,3では、LEDチップ10から放射される可視光を青色光、第1色変換部61における第1の蛍光体から放射される可視光を赤色光、第2色変換部62における第2の蛍光体から放射される可視光を緑色光とした場合について例示したが、各可視光の色は特に限定するものではない。   In the second and third embodiments, the visible light emitted from the LED chip 10 is blue light, the visible light emitted from the first phosphor in the first color conversion unit 61 is red light, and the second color conversion unit. Although the case where the visible light emitted from the second phosphor in 62 is green light is illustrated, the color of each visible light is not particularly limited.

実施形態1の発光装置の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態2の発光装置の概略断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to Embodiment 2. FIG. 実施形態3の発光装置の概略断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to Embodiment 3. FIG. 従来例の発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device of a prior art example. 他の従来例の発光装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device of another prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

1 発光装置
10 LEDチップ
11 光取り出し面
20 実装基板
40 光学部材
45 波長選択フィルタ層
50 封止部
61 色変換部(第1色変換部)
62 第2色変換部
70 空気層
80 空気層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 10 LED chip 11 Light extraction surface 20 Mounting board 40 Optical member 45 Wavelength selection filter layer 50 Sealing part 61 Color conversion part (1st color conversion part)
62 Second color conversion unit 70 Air layer 80 Air layer

Claims (1)

可視光を放射するLEDチップと、当該LEDチップが実装された実装基板と、実装基板におけるLEDチップの実装面側にLEDチップを囲む形で配設されたドーム状の光学部材と、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長の可視光を放射する蛍光体および透光性材料により形成され光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部と、光学部材の光出射面に形成されLEDチップから放射される可視光を透過し且つ蛍光体から放射される可視光を反射する波長選択フィルタ層とを備え、波長選択フィルタ層と色変換部との間に空気層が形成され、LEDチップから放射される可視光によって励起されてLEDチップよりも長波長かつ蛍光体である第1の蛍光体よりも短波長の可視光を放射する第2の蛍光体および透光性材料により形成され色変換部である第1色変換部の外側に位置するドーム状の第2色変換部を備え、波長選択フィルタ層は、第2の蛍光体から放射される可視光を反射する光学特性を有し、第2色変換部と第1色変換部との間に別の空気層が形成されてなることを特徴とする発光装置 From an LED chip that emits visible light, a mounting substrate on which the LED chip is mounted, a dome-shaped optical member disposed on the mounting surface side of the LED chip on the mounting substrate so as to surround the LED chip, and the LED chip A dome-shaped color converter formed by a phosphor and a translucent material that is excited by the emitted visible light and emits visible light having a wavelength longer than that of the LED chip, and disposed around the optical member; A wavelength-selective filter layer that is formed on the light-emitting surface of the member and transmits visible light emitted from the LED chip and reflects visible light emitted from the phosphor, and between the wavelength-selective filter layer and the color conversion unit an air layer is formed, is excited by visible light emitted from the LED chip to emit a first visible light having a shorter wavelength than the phosphor is a long wavelength and the phosphor than LED chips 2 and a dome-shaped second color conversion unit that is formed of a translucent material and a translucent material and is located outside the first color conversion unit that is a color conversion unit, and the wavelength selection filter layer is formed from the second phosphor. A light emitting device having an optical characteristic of reflecting emitted visible light, wherein another air layer is formed between the second color conversion unit and the first color conversion unit .
JP2007079635A 2007-03-26 2007-03-26 Light emitting device Expired - Fee Related JP4976895B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007079635A JP4976895B2 (en) 2007-03-26 2007-03-26 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007079635A JP4976895B2 (en) 2007-03-26 2007-03-26 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008243961A JP2008243961A (en) 2008-10-09
JP4976895B2 true JP4976895B2 (en) 2012-07-18

Family

ID=39914974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007079635A Expired - Fee Related JP4976895B2 (en) 2007-03-26 2007-03-26 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4976895B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8919993B2 (en) * 2011-09-17 2014-12-30 Appotronics Corporation Limited High recycling efficiency solid state light source device
KR102015907B1 (en) 2013-01-24 2019-08-29 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device
KR101778514B1 (en) * 2015-11-06 2017-09-15 김용일 Fabricaing method of led module
KR101701746B1 (en) * 2015-11-06 2017-02-13 주식회사 에스엘네트웍스 Led lighting device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197109B2 (en) * 2002-08-06 2008-12-17 静雄 藤田 Lighting device
US20040159900A1 (en) * 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
JP4317478B2 (en) * 2004-03-31 2009-08-19 三菱化学株式会社 Phosphor-type light emitting device and endoscope device using the same as an illumination source
JP2006186022A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2007043125A (en) * 2005-06-30 2007-02-15 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
JP5196711B2 (en) * 2005-07-26 2013-05-15 京セラ株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME
JP2007059864A (en) * 2005-07-29 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting device and light emitting diode device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008243961A (en) 2008-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101114487B1 (en) Light Emitting Device
JP5665160B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus
JP4881358B2 (en) Light emitting device
EP2398072B1 (en) Semiconductor light-emitting device
JP5149601B2 (en) Light emitting device
JP5199623B2 (en) Light emitting device
JP4808550B2 (en) Light emitting diode light source device, lighting device, display device, and traffic signal device
JP2008235827A (en) Light-emitting device
JP2008159708A (en) Light-emitting device
US9385288B2 (en) Light-emitting device
JP2008166782A (en) Light-emitting element
JP2008159705A (en) Light-emitting device
JP4981600B2 (en) lighting equipment
JP2009290180A (en) Led package, and method of manufacturing the same
JP2008159707A (en) Light-emitting device
JP2013038215A (en) Wavelength conversion member
JP2011205055A (en) Light emitting module, and illumination device
JP2009135306A (en) Light-emitting apparatus
JP2009141219A (en) Light emitting device
JP4976895B2 (en) Light emitting device
JP2007180234A (en) Light-emitting source, and luminaire
JP5935074B2 (en) Mounting board and light emitting module
KR100730771B1 (en) Package for light emission device
US9761766B2 (en) Chip on board type LED module
JP2008159706A (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091023

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111114

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120321

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120413

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4976895

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees