JP5004623B2 - アモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ステンレス箔の表面に、ポリジオルガノシロキサンA1と金属アルコキシドA2から形成される有機修飾シリケート層Aと、さらに前記有機修飾シリケート層Aの上部にポリジオルガノシロキサンB1と金属アルコキシドB2から形成される有機修飾シリケート層Bとが被覆され、前記有機修飾シリケート層BにポリジオルガノシロキサンB1と金属アルコキシドB2から形成される有機修飾シリケート粒子が含有され、前記有機修飾シリケート層Bの表面粗さRaが15nm以上150nm以下で、前記表面の平均最短隣接凸部間距離が50nm以上500nm以下であることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
(2)前記ポリジオルガノシロキサンA1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする(1)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
(3)前記金属アルコキシドA2が、金属元素が4価である金属アルコキシドであることを特徴とする(1)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
(4)前記ポリジオルガノシロキサンB1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする(1)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
(5)前記金属アルコキシドB2が、金属元素が3価である金属アルコキシドであることを特徴とする(1)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
(6)ポリジオルガノシロキサンA1と金属アルコキシドA2の混合物に中性の水を添加して調製した溶液をステンレス箔に塗布、乾燥、熱処理して有機修飾シリケート層Aを形成する工程と、さらに、ポリジオルガノシロキサンB1と金属アルコキシドB2の混合物に酸性の水を添加して調製した溶液を前記有機修飾シリケート層Aの表面に塗布、乾燥、熱処理して有機シリケート層Bを形成する工程と、を含むことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
(7)前記ポリジオルガノシロキサンA1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする(6)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
(8)前記金属アルコキシドA2が、金属元素が4価である金属アルコキシドであることを特徴とする(6)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
(9)前記ポリジオルガノシロキサンB1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする(6)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
(10)前記金属アルコキシドB2が、金属元素が3価である金属アルコキシドであることを特徴とする(6)記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルbを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルcを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルdを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1.5mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。
ゾルeを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度6mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、450℃で窒素中10分間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚1μmの膜を成膜をした。得られた平滑膜にはクラックなど見られなかった。その上に、ゾルbを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜した。その上に、ゾルa100g中に粒径約1μmのシリコーン樹脂微粒子(東芝GEシリコーン製トスパール)を24g分散させた塗布液重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜した。その上に、ゾルa100g中に平均粒径約0.3μmのシリカ微粒子(電気化学工業製)を10g分散させた塗布液重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜した。その上に、ゾルa100g中に平均粒径約0.1μmの球状コロイダルシリカを10g分散させた塗布液重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルfを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度2mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルgを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルhを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
ゾルaを塗布用タンクに入れ、厚さ135μmのSUS430の箔にディップコート法により、速度10mm/sで引き上げた。150℃で乾燥後、300℃で6時間熱処理を行い、表面が平滑で膜厚4μmの膜を成膜をした。その上に、ゾルiを重ね塗りした。重ね塗りの条件はディップコート法で引き上げ速度1mm/sである。150℃で乾燥後300℃で2時間熱処理を行った。
2 有機修飾シリケート層A
3 有機修飾シリケート層B
4 有機修飾シリケート粒子
5 有機修飾シリケート粒子の最短隣接凸部間距離
Claims (10)
- ステンレス箔の表面に、ポリジオルガノシロキサンA1と金属アルコキシドA2から形成される有機修飾シリケート層Aと、さらに前記有機修飾シリケート層Aの上部にポリジオルガノシロキサンB1と金属アルコキシドB2から形成される有機修飾シリケート層Bとが被覆され、前記有機修飾シリケート層BにポリジオルガノシロキサンB1と金属アルコキシドB2から形成される有機修飾シリケート粒子が含有され、前記有機修飾シリケート層Bの表面粗さRaが15nm以上150nm以下で、前記表面の平均最短隣接凸部間距離が50nm以上500nm以下であることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
- 前記ポリジオルガノシロキサンA1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする請求項1記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
- 前記金属アルコキシドA2が、金属元素が4価である金属アルコキシドであることを特徴とする請求項1記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
- 前記ポリジオルガノシロキサンB1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする請求項1記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
- 前記金属アルコキシドB2が、金属元素が3価である金属アルコキシドであることを特徴とする請求項1記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔。
- ポリジオルガノシロキサンA1と金属アルコキシドA2の混合物に中性の水を添加して調製した溶液をステンレス箔に塗布、乾燥、熱処理して有機修飾シリケート層Aを形成する工程と、
さらに、ポリジオルガノシロキサンB1と金属アルコキシドB2の混合物に酸性の水を添加して調製した溶液を前記有機修飾シリケート層Aの表面に塗布、乾燥、熱処理して有機シリケート層Bを形成する工程と、
を含むことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。 - 前記ポリジオルガノシロキサンA1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする請求項6記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
- 前記金属アルコキシドA2が、金属元素が4価である金属アルコキシドであることを特徴とする請求項6記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
- 前記ポリジオルガノシロキサンB1の有機基が、メチル基、フェニル基、またはメチル基とフェニル基の両方であることを特徴とする請求項6記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
- 前記金属アルコキシドB2が、金属元素が3価である金属アルコキシドであることを特徴とする請求項6記載のアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔の製造方法。
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