JP4998412B2 - エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態に係るエレクトロルミネッセンスパネルとして、ELディスプレイパネルを挙げて説明する。図1は、ELディスプレイパネル10における1つの画素PXの回路図である。このELディスプレイパネル10においては、赤、青及び緑の画素PXによって1ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図1の水平方向の配列に着目すると赤の画素PX、青の画素PX、緑の画素PXの順に繰り返し配列され、図1の上下方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
平坦化膜33に直接反射層41bをパターニングすると、反射層41bが剥離しやすくなってしまうが、密着層41aを平坦化膜33と反射層41bの間に設けることで、密着層41aは平坦化膜33に比べて密着性が良いため、反射層41bが剥離することを防止することができる。
バリア層41cは、反射層41bを構成するAgあるいはAg合金が空気中の酸素あるいは硫黄成分と反応することを防止すると共に、反射層41bを形成した後の製造工程において反射層41bが外部からダメージを受けることを防止するバリアとしての機能を有している。
また、画素電極41が形成されたトランジスタアレイ基板50上に対して、全画素PX領域に対応する部位が開口しているハードマスクを設け、真空蒸着法、マグネットスパッタリング法等の気相堆積法により、遷移金属酸化物からなる正孔注入層42を全画素PXの全領域に形成することができる。正孔注入層42の厚さは150nm以下であることが好ましい。
各画素毎に画素電極41、正孔注入層42、発光層43、対向電極44の順に積層されたものが有機EL素子40である。
また、これらの樹脂上にガラス基板を貼り合わせても良いし、これらの樹脂上に、プラズマCVD法、真空蒸着法、マグネットスパッタリング法等の気相堆積法により、例えばSiNx、又はSiO2等の無機絶縁膜をガスバリア層として形成しても良い。
まず、図3に示すように、トランジスタアレイ基板50の上面からnチャネル型トランジスタ21のソース電極21Sまで通じるコンタクトホール51を形成する。次に、トランジスタアレイ基板50の上面に密着層41aとなる第1透明導電膜45を成膜する。このとき、第1透明導電膜45はコンタクトホール51内にも入りこみ、ソース電極21Sと導通する。
Agまたは、Ag合金等の金属微粒子が水系の溶媒又は有機溶媒に分散されたメタルインク材料(例えば、アルバックマテリアル株式会社製L−Ag1TeH等)を用いて反射層41bを形成すると、反射率が高くなり好適である。
以上により、画素電極41が形成される。
その後、対向電極44を覆うように図示しない封止層を形成する。以上により、ELディスプレイパネル10が完成する。
また上記実施形態では、隔壁6は、図10(a)に示すように、異なる色の画素PX間に配置されるストライプ形状でもよく、また図10(b)に示すように、各画素PX毎に周囲を包囲するように行方向及び列方向に格子状に形成されてもよい。
40 有機EL素子
41 画素電極(第1電極)
41a 密着層
41b 反射層
41c バリア層
42 正孔注入層(担体輸送層)
43 発光層(担体輸送層)
44 対向電極(第2電極)
50 トランジスタアレイ基板(基板)
Claims (2)
- 基板上に第1電極と担体輸送層と第2電極が積層されてなるエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記第1電極は、密着層となる第1透明導電膜を成膜し、
次に、前記第1透明導電膜上に、外周部が前記密着層の形成パターン領域の外周部並びにバリア層の形成パターン領域の外周部より内側になるように、反射層をインクジェット印刷により形成し、
次に、前記第1透明導電膜及び前記反射層上に前記反射層全体を覆うように前記バリア層となる第2透明導電膜を成膜し、
次に、前記反射層の前記外周部よりも外側部分で前記第1透明導電膜及び前記第2導電膜をウェットエッチングし、前記第1透明導電膜が前記密着層の形成パターン領域にパターニングされ、前記第2導電膜が前記バリア層の形成パターン領域にパターニングされることによって前記密着層及び前記バリア層を形成する工程からなることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 前記反射層は、前記第1透明導電膜及び前記第2透明導電膜よりもエッチング速度が速いことを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
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