JP4985382B2 - 半導体冷却構造 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、半導体素子を接触配置した部分における冷却管の冷媒流路を絞って、当該部分における冷却媒体の流速を上げることにより、半導体素子の冷却効率を上げる旨が開示されている。
また、特許文献3には、半導体素子を接触配置した部分における冷却管の冷媒流路に波型のウェーブフィンを設けて、当該部分の冷却効率を上げる旨が開示されている。
また、冷却媒体がフィンに衝突した後、冷却媒体は、フィンから剥離した状態で流れ、その下流位置において初めてフィンの表面に沿って流れることとなる。
それ故、フィンの形成位置を半導体素子の配設位置と一致させるよりは、半導体素子よりも上流側に配置した方が、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
上記冷却管は、内部の上流から下流に冷却媒体を流通させる冷媒流路を有し、
該冷媒流路には、上流から下流に向かって流れる上記冷却媒体の流れに対して乱流を形成することにより、上記冷却管のうちの上記半導体素子が密着する部分の冷却効率を向上させるための複数の対応フィンからなる対応フィン群を、上記半導体素子に対応して設けてなり、
上記対応フィン群の中心は、該対応フィン群に対応する上記半導体素子の中心よりも、上記冷媒流路の上流側に配されており、
上記対応フィン群は、上記冷媒流路の上流側に位置する端部である上流端を、対応する上記半導体素子における上記冷媒流路の上流側に位置する端部である上流端よりも上流側に配置し、上記冷媒流路の下流側に位置する端部である下流端を、対応する上記半導体素子における上記冷媒流路の下流側に位置する端部である下流端よりも上流側に配置していることを特徴とする半導体冷却構造にある(請求項1)。
上述のごとく、冷却媒体を流通させる冷却管において、フィンの存在する位置そのものよりも、フィンの下流側の位置の方が冷却効率が高くなる。そこで、上記半導体冷却構造においては、上記対応フィン群の中心が、該対応フィン群に対応する上記半導体素子の中心よりも、上記冷媒流路の上流側に配されている。これにより、対応フィン群から下流側にずれた位置における冷却効率の高くなる部分に半導体素子を配置することとなり、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
上記冷却管は、内部に冷却媒体を流通させる冷媒流路を有し、
該冷媒流路には、上記冷却管のうちの上記半導体素子が密着する部分の冷却効率を向上させるための複数の対応フィンからなる対応フィン群を、上記半導体素子に対応して設けてなり、
上記対応フィン群の上流端及び下流端は、それぞれ、該対応フィン群に対応する上記半導体素子の上流端及び下流端よりも、上記冷媒流路の上流側に配されていることを特徴とする半導体冷却構造にある。
上述のごとく、冷却媒体を流通させる冷却管において、フィンの存在する位置そのものよりも、フィンの下流側の位置の方が冷却効率が高くなる。そこで、上記半導体冷却構造においては、上記対応フィン群の上流端及び下流端が、それぞれ該対応フィン群に対応する上記半導体素子の上流端及び下流端よりも、上記冷媒流路の上流側に配されている。これにより、対応フィン群から下流側にずれた位置における冷却効率の高くなる部分に半導体素子を配置することとなり、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
また、上記半導体素子は、上記冷却管に直接接触配置されていてもよいし、ヒートシンク等の熱伝導性に優れた部材を介して間接的に冷却管に密着配置されていてもよい。
これにより、より確実に、半導体素子の冷却効率に優れた半導体冷却構造を得ることができる。
この場合には、伝熱面積を大きくすることで、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
この場合にも、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
この場合には、上記対応フィンにおいて、冷却媒体の乱流を形成しやすく、半導体素子の冷却効率をより向上させることができる。
この場合にも、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
この場合にも、半導体素子の冷却効率を向上させることができる。
上記ピン形状としては、例えば、円柱形状、角柱形状等がある。
この場合には、半導体素子において発熱量が大きくなりやすい中心部分の冷却効率をより向上させることができる。
この場合にも、半導体素子において発熱量が大きくなりやすい中心部分の冷却効率をより向上させることができる。
本発明の実施例に係る半導体冷却構造につき、図1、図2を用いて説明する。
本例の半導体冷却構造1は、図1、図2に示すごとく、半導体素子2と該半導体素子2に直接的又は間接的に密着配置された冷却管3とを有する。冷却管3は、内部に冷却媒体を流通させる冷媒流路31を有する。
対応フィン群40の中心は、該対応フィン群40に対応する半導体素子2の中心よりも、冷媒流路31の上流側に配されている。
なお、図1、図2において、矢印Fは、冷却媒体の流通方向を示す。他図における矢印Fも同様である。
一つの冷却管3には、2個の半導体モジュール2が、図2に示すごとくヒートシンク11を介して密着している。これら2個の半導体モジュール2は、冷媒流路31に沿って配置されており、一方の半導体モジュール2が他方の半導体モジュール2の下流側に配置されている。そして、これら2個の半導体モジュール2のそれぞれに対応して、上記対応フィン群40が、冷媒流路40に形成されている。
なお、本例においては、下流側のストレートフィン32はヒートシンク11の下流端よりも下流側まで延設されているが、ストレートフィン32の下流端をヒートシンク11の下流端に合わせて、流路抵抗を極力小さくすることも考えられる。
また、対応フィン4は、ストレートフィン31に対してオフセット配置されている。
また、各対応フィン群40において、冷媒流路の幅方向に並列された複数の対応フィン4の列が、複数列形成されている。本例においては、この対応フィン4の列は3列形成されている。そして、上下流に隣り合う列の対応フィン4同士は、互いにオフセット配置されている。
また、冷却管3は、たとえば、アルミニウム等の熱伝導性に優れた金属又は合金からなる。また、対応フィン4、ストレートフィン32、ヒートシンク11も、たとえば、アルミニウム等の熱伝導性に優れた金属又は合金からなる。
また、本例の半導体冷却構造1は、たとえば、インバータ等の電力変換装置の一部に用いることができる。
本例の半導体冷却構造1においては、対応フィン群40の中心が、該対応フィン群40に対応する半導体素子2の中心よりも、冷媒流路31の上流側に配されている。また、対応フィン群40の上流端41及び下流端42は、それぞれ、該対応フィン群40に対応する半導体素子2の上流端21及び下流端22よりも、冷媒流路31の上流側に配されている。これにより、対応フィン群40から下流側にずれた位置における冷却効率の高くなる部分に半導体素子2を配置することとなり、半導体素子2の冷却効率を向上させることができる。
すなわち、仮に半導体素子2の下流端21付近に対応フィン4を設けても、半導体素子2の冷却効率の向上には、大きく寄与しない。そのため、対応フィン群40の下流端41を上流側へ移動させることができることにより、半導体素子2の冷却効率を低下させることなく、冷却媒体の圧力損失を低減することができる。その結果、全体として、半導体素子2の冷却効率を向上させることができる。
また、対応フィン4は、ストレートフィン32に対してオフセット配置されているため、対応フィン4において、冷却媒体の乱流を形成しやすく、半導体素子2の冷却効率をより向上させることができる。
本例は、図3に示すごとく、ピン形状を有する対応フィン4を用いた半導体冷却構造1の例である。
本例においては、円柱状のピンを対応フィン4として多数形成することにより、対応フィン群40を構成してある。また、これらの対応フィン4は、冷却媒体の流通方向Fに対して千鳥配置されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、半導体素子2の冷却効率を向上させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図4に示すごとく、ストレートフィン32を複数本並列に形成し、対応フィン4を隣り合うストレートフィン3の間に配設した、半導体冷却構造1の例である。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図5に示すごとく、対応フィン群40の中心から遠い位置に配された対応フィン4よりも、中心に近い位置に配された対応フィン4を細かくした例である。
また、隣り合う列の対応フィン4同士は、互いにオフセット配置されている。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図6に示すごとく、対応フィン群40の中心から遠い位置よりも中心に近い位置における対応フィン4の配設ピッチを小さくした例である。
対応フィン4c〜4gは、すべて同形状であって同じ大きさを有する。
その他は、実施例2と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図7に示すごとく、実施例3と同様にストレートフィン32を複数本冷却媒体の流通方向Fに沿って形成してなると共に、隣り合うストレートフィン32の間に、ストレートフィン32に平行な中間フィン33を設け、更に、中間フィン33とストレートフィン32との間に、これらに平行な対応フィン4を設けた例である。
また、対応フィン4は、上流側の半導体素子2と下流側の半導体素子2とのそれぞれに対応するように、複数本ずつ配設されている。すなわち、上流側の半導体素子2に対応する対応フィン群40が、並列する複数の上流側の対応フィン4によって構成され、下流側の半導体素子2に対応する対応フィン群40も、並列する複数の下流側の対応フィン4によって形成されている。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
また、上記実施例1〜6においては、半導体素子2の一方の主面に冷却管3を密着配置した例を示したが、半導体素子2の一対の主面に冷却管3を密着配置し、半導体素子2を両面から冷却する構造とすることもできる。
2 半導体素子
21 上流端
22 下流端
3 冷却管
31 冷媒流路
4 対応フィン
40 対応フィン群
41 上流端
42 下流端
Claims (8)
- 半導体素子と該半導体素子に直接的又は間接的に密着配置された冷却管とを有する半導体冷却構造において、
上記冷却管は、内部の上流から下流に冷却媒体を流通させる冷媒流路を有し、
該冷媒流路には、上流から下流に向かって流れる上記冷却媒体の流れに対して乱流を形成することにより、上記冷却管のうちの上記半導体素子が密着する部分の冷却効率を向上させるための複数の対応フィンからなる対応フィン群を、上記半導体素子に対応して設けてなり、
上記対応フィン群の中心は、該対応フィン群に対応する上記半導体素子の中心よりも、上記冷媒流路の上流側に配されており、
上記対応フィン群は、上記冷媒流路の上流側に位置する端部である上流端を、対応する上記半導体素子における上記冷媒流路の上流側に位置する端部である上流端よりも上流側に配置し、上記冷媒流路の下流側に位置する端部である下流端を、対応する上記半導体素子における上記冷媒流路の下流側に位置する端部である下流端よりも上流側に配置していることを特徴とする半導体冷却構造。 - 請求項1において、上記冷媒流路は、上記対応フィン以外に、上記冷却媒体の流通方向に沿ったストレートフィンを有することを特徴とする半導体冷却構造。
- 請求項2において、上記対応フィンは、上記冷却媒体の流通方向に沿った直線形状を有し、上記ストレートフィンよりも短いフィンであることを特徴とする半導体冷却構造。
- 請求項3において、上記対応フィンは、上記ストレートフィンに対してオフセット配置されていることを特徴とする半導体冷却構造。
- 請求項3において、上記ストレートフィンは、複数本並列に形成されており、上記対応フィンは、隣り合う上記ストレートフィンの間に配設されていることを特徴とする半導体冷却構造。
- 請求項2において、上記対応フィンは、ピン形状を有することを特徴とする半導体冷却構造。
- 請求項1〜6のいずれか一項において、上記対応フィン群は、その中心から遠い位置よりも中心に近い位置における上記対応フィンを細かくしてなることを特徴とする半導体冷却構造。
- 請求項1〜7のいずれか一項において、上記対応フィン群は、その中心から遠い位置よりも中心に近い位置における上記対応フィンの配設ピッチを小さくしてなることを特徴とする半導体冷却構造。
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