JP4983462B2

JP4983462B2 - オゾン発生素子及びその製造方法

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Publication number: JP4983462B2
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Description

本発明はオゾン発生素子及びその製造方法に関し、より特定的には、放電により酸素からオゾンを生成するオゾン発生素子及びその製造方法に関する。

従来のオゾン発生素子としては例えば、特許文献１に記載のものが提案されている。以下に、特許文献１に記載のオゾン発生素子について図面を参照しながら説明する。図４は、特許文献１に記載のオゾン発生素子の斜視図である。

図４に示すオゾン発生素子は、放電電極１０１、誘導電極１０２、誘電体１０３、絶縁体１０４、高圧端子１１１及び接地端子１２１を備える。絶縁体１０４は、アルミナからなる長方形状の基板である。誘導電極１０２は、アルミニウム合金からなる電極である。誘導電極１０２の一端には、接地端子１２１が設けられており、この接地端子１２１には、リード線１２２が接続されている。

誘電体１０３は、セラミックからなる層であって、絶縁体１０４及び誘導電極１０２を覆うように形成される。放電電極１０１は、金属箔からなる電極であり、誘電体１０３上に形成される。放電電極１０１の一端には、高圧端子１１１が設けられており、この高圧端子１１１には、リード線１１２が接続されている。

前記オゾン発生素子では、高圧端子１１１の位置と接地端子１２１の位置が反対側となっているので、放電電極１０１と誘導電極１０２との間に流れる電流の方向が同一となる。これにより、放電電極１０１と誘導電極１０２との間に互いに吸引しあう電磁力を発生させることができ、放電電極１０１が誘電体１０３から剥離することが抑制される。

しかしながら、前記オゾン発生素子では、高圧端子１１１及び接地端子１２１は、共に、絶縁体１０４の中央部近傍に設けられている。そのため、前記オゾン発生素子では、高圧端子１１１及び接地端子１２１を大面積化することが困難であった。更に、絶縁体１０４の中央部近傍からリード線１１２，１２２を引き出す必要があるため、オゾン発生素子の配線が複雑になっていた。
特開平１０−２３１１０５号公報

本発明の目的は、誘導電極及び放電電極の腐食を抑制することができるオゾン発生素子及びその製造方法を提供することである。

本発明は、オゾン発生素子において、放電電極と、前記放電電極に対向するように設けられた誘導電極と、前記放電電極と前記誘導電極との間に設けられた誘電体層と、前記放電電極と前記誘導電極との間に設けられた抵抗層であって、前記放電電極及び前記誘導電極の材料よりも高い抵抗を有する材料からなる抵抗層と、を備え、前記抵抗層は、前記誘電体層の主面に対する法線方向から見たときに、前記放電電極の外縁と前記誘導電極の外縁とが交差する位置に重なるように設けられていること、を特徴とする。

本発明によれば、放電電極と誘導電極との間であって、かつ、誘電体層の法線方向から見たときに、放電電極の外縁と誘導電極の外縁とが交差する位置に重なるように抵抗層が設けられている。この抵抗層を構成する材料の抵抗は、放電電極及び誘導電極を構成する材料の抵抗よりも高い。そのため、放電電極及び誘導電極に電圧が印加された場合には、抵抗層により電圧降下が発生する。電圧降下が発生すると、放電電極の外縁と誘導電極の外縁とが交差する位置に発生する電界の強さは弱くなる。これにより、放電電極の外縁と誘導電極の外縁とが交差する位置における放電量が少なくなる。その結果、放電電極及び誘導電極が腐食されてしまうことが抑制される。

本発明において、前記誘電体層は、第１の主面と第２の主面とを有する誘電体基板であって、前記放電電極は、前記第１の主面上に設けられ、前記誘導電極は、前記第２の主面上に設けられていてもよい。

本発明において、前記抵抗層は、前記誘電体層と前記放電電極との間、又は、前記誘電体層と前記誘導電極との間に設けられていてもよい。

本発明において、前記誘導電極の面積は、前記放電電極の面積よりも大きくてもよい。

本発明において、前記誘電体層は、長方形状を有し、前記放電電極は、前記誘電体層の角部に設けられた端子電極を含んでいてもよい。

本発明において、前記端子電極には、高圧電圧が印加されてもよい。

本発明において、前記抵抗層の抵抗は、１ＭΩ／ｍｍ^２以上であり、前記放電電極及び前記誘導電極の抵抗は、１００Ω／ｍｍ^２以下であってもよい。

本発明において、前記放電電極及び前記誘導電極の少なくとも一方を覆う保護膜を、更に備えていてもよい。

本発明は、オゾン発生素子の製造方法に対しても適用可能である。具体的には、本発明は、オゾン発生素子の製造方法において、第１の主面及び第２の主面を有する誘電体基板の前記第１の主面上又は前記第２の主面上に抵抗層を形成する工程と、前記誘電体基板の前記第２の主面上に誘導電極を形成する工程と、前記誘電体基板の前記第１の主面上に放電電極を形成する工程と、を備え、前記抵抗層は、前記放電電極及び前記誘導電極の抵抗よりも高い抵抗を有する材料により形成され、かつ、前記誘電体基板の主面に対する法線方向から見たときに、前記放電電極の外縁と前記誘導電極の外縁とが交差する位置に重なるように形成されていること、を特徴とする。

本発明によれば、放電電極と誘導電極との間であって、かつ、誘電体層の法線方向から見たときに、放電電極の外縁と誘導電極の外縁とが交差する位置に重なるように抵抗層が設けられているので、放電電極及び誘導電極が腐食されてしまうことが抑制される。

（参考例に係るオゾン発生素子について）
以下に、参考例に係るオゾン発生素子について図面を参照しながら説明する。図５は、特許文献１に記載のオゾン発生素子より想定される参考例に係るオゾン発生素子の構成を示した図である。図５（ａ）は、前記オゾン発生素子の上視図である。図５（ｂ）は、前記オゾン発生素子のＡ−Ａ線における断面構造図である。図５（ｃ）は、前記オゾン発生素子のＢ−Ｂ線における断面構造図である。

図５に示すオゾン発生素子は、絶縁体２００、誘導電極２０１、誘電体２０２、放電電極２０３及びリード線２０４，２０５を備える。絶縁体２００は、絶縁性基板である。誘導電極２０１は、絶縁体２００上においてこの絶縁体２００の一方の短辺から他方の短辺へと延びるように形成されている。リード線２０４は、誘導電極２０１に電気的に接続されている。

誘電体２０２は、絶縁体２００及び誘導電極２０１を覆うように形成される。放電電極２０３は、誘電体２０２上において、絶縁体２００の他方の短辺から一方の短辺へと延びるように形成されている。リード線２０５は、放電電極２０３に電気的に接続されている。

図５に示すオゾン発生素子では、リード線２０４，２０５の夫々に交流高電圧が印加される。交流高電圧が印加されると、放電電極２０３の端部に交流高電圧の交流周期に合わせて強い電界が形成される。この際、図５（ａ），（ｂ）の矢印ｄに示すように、放電電極２０３から電子が放出されて誘電体２０２に付与される現象と、その電子が誘電体２０２から放電電極２０３に戻る現象とが繰り返し発生する。これにより、放電電極２０３の周辺には、放電が発生し、放電電極２０３近傍を通過する酸素は、放電により分解されて、オゾンが生成される。

ところで、前記オゾン発生素子では、図５（ａ）の領域Ｃのように、平面視したときに、誘導電極２０１の外縁と放電電極２０３の外縁とが交差する部分において、誘導電極２０１及び放電電極２０３が劣化するという問題がある。以下に、説明する。

交流高電圧により発生する電界は、誘導電極２０１の外縁及び放電電極２０３の外縁において強く発生する。交流高電圧により発生する電界は、特に、図５（ｃ）に示す誘導電極２０１の外縁と放電電極２０３の外縁とが交差する部分において、最も強く発生する。このように、電界が強く発生すると、放電電極２０３における放電量も多くなり、誘導電極２０１及び放電電極２０３における電子のやり取り（誘導電極２０１及び放電電極２０３から電子が放出し、再び電子が誘導電極２０１及び放電電極２０３に戻る現象）が多くなる。多量の電子のやり取りが誘導電極２０１及び放電電極２０３において行われると、誘導電極２０１及び放電電極２０３は、電子が誘導電極２０１及び放電電極２０３に戻るときの衝突により腐食劣化してしまう。

前記のような誘導電極２０１及び放電電極２０３の腐食劣化を抑制するために、本願発明者は、以下に説明するオゾン発生素子を発明した。以下に本発明の一実施形態に係るオゾン発生素子及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。

（オゾン発生素子の構成について）
以下に、前記オゾン発生素子の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、オゾン発生素子１０の構成図である。具体的には、図１（ａ）及び図１（ｂ）は、オゾン発生素子１０の上視図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）に示すオゾン発生素子１０のＥ−Ｅ線における断面構造図である。図１（ｄ）は、オゾン発生素子１０の下視図である。なお、図１において、ｚ軸の正方向を鉛直上方向と定義し、ｚ軸の負方向を鉛直下方向と定義する。また、ｘ軸及びｙ軸は、互いに直交し、水平面を構成するものとする。

オゾン発生素子１０は、消臭機能や殺菌機能を有するエアコンディショナーや空気清浄機に用いられる。図１（ａ）及び図１（ｃ）に示すように、オゾン発生素子１０は、誘電体基板１２、放電電極１４、誘導電極１６、抵抗層１８及び保護膜２０，２２を備える。また、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、放電電極１４は、端子電極３０を含む。更に、図１（ａ）及び図１（ｄ）に示すように、誘導電極１６は、端子電極３２を含む。

誘電体基板１２は、第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂとを有する長方形状のアルミナ基板であり、誘電体層として機能する。この誘電体基板１２の長辺は、ｘ軸方向に延び、短辺は、ｙ軸方向に延びている。第１の主面１２ａは、ｚ軸方向の上側に位置する主面である。第２の主面１２ｂは、ｚ軸方向の下側に位置する主面である。この誘電体基板１２のサイズは、例えば、４ｍｍ×１２ｍｍである。

放電電極１４は、第１の主面１２ａ上に設けられたサーメットの電極であり、ｘ軸方向に延びるように形成される。放電電極１４の抵抗は、例えば、１００Ω／ｍｍ^２以下である。端子電極３０は、放電電極１４のｘ軸の正方向の端部に設けられ、外部回路と放電電極１４とを接続する役割を果たす。この端子電極３０は、誘電体基板１２の角部に設けられる。

誘導電極１６は、第２の主面１２ｂ上に設けられた銀電極であり、ｘ軸方向に延びるように形成される。これにより、放電電極１４と誘導電極１６とは、互いに対向し、誘電体基板１２は、放電電極１４と誘導電極１６との間に配置されるようになる。誘導電極１６の抵抗は、例えば、１００Ω／ｍｍ^２以下である。

更に、図１（ａ）に示すように、誘導電極１６の面積は、放電電極１４の面積よりも大きい。そのため、放電電極１４の内の端子電極３０を除く部分は、誘導電極１６の内の端子電極３２を除く部分の内側に位置するようになる。これにより、放電電極１４の外縁と誘導電極１６の外縁とが交差する交差部Ｆ，Ｇが形成される。

端子電極３２は、誘導電極１６のｘ軸の負方向の端部に設けられ、外部回路と誘導電極１６とを接続する役割を果たす。この端子電極３２は、端子電極３０が設けられた角部と長辺を共有する角部に設けられる。すなわち、端子電極３２と端子電極３０とは、長辺の両端近傍に設けられる。

抵抗層１８は、ｚ軸方向において放電電極１４と誘導電極１６との間に設けられ、かつ、誘電体基板１２の法線方向（ｚ軸方向）から見たときに、交差部Ｆ，Ｇを覆うように設けられる。本実施形態に係るオゾン発生素子１０では、抵抗層１８は、放電電極１４と誘電体基板１２との間に設けられる。この抵抗層１８は、放電電極１４及び誘導電極１６の材料よりも高い抵抗を有する材料からなる。抵抗層１８の抵抗は、例えば、１ＭΩ／ｍｍ^２以上である。

保護膜２０は、放電電極１４の内の端子電極３０を除く部分及び抵抗層１８を覆うように、放電電極１４、抵抗層１８及び誘電体基板１２上に設けられる。また、保護膜２２は、誘導電極１６の内の端子電極３２を除く部分を覆うように、誘導電極１６及び誘電体基板１２上に設けられる。保護膜２０，２２は、絶縁性材料により形成され、放電電極１４及び誘導電極１６が酸化したり誘電体基板１２から剥離したりすることを防止する役割を果たす。この保護膜２０，２２の材料としては、例えば、ガラスが挙げられる。

以上のように構成されたオゾン発生素子１０において、端子電極３０と端子電極３２とには、交流高電圧が印加される。この交流高電圧としては、例えば、周波数が２０ｋＨｚ〜３０ｋＨｚであって、電圧が４〜６ｋＶの交流電圧が挙げられる。交流高電圧が端子電極３０，３２に印加されると、放電電極１４の外縁近傍に交流高電圧の交流周期に合わせて強い電界が形成される。この際、放電電極１４の外縁近傍から電子が放出されて誘電体基板１２に付与される現象と、その電子が誘電体基板１２から放電電極１４に戻る現象とが繰り返し発生する。これにより、放電電極１４の周辺には、放電が発生し、放電電極１４近傍を通過する酸素から放電により、オゾンが生成される。

（効果について）
以上のように構成されたオゾン発生素子１０が奏する効果について説明する。図２は、オゾン発生素子１０の参考例に係るオゾン発生素子１０'の構成図である。具体的には、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、オゾン発生素子１０'の上視図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）に示すオゾン発生素子１０'のＥ'−Ｅ'線における断面構造図である。図２（ｄ）は、オゾン発生素子１０'の下視図である。オゾン発生素子１０とオゾン発生素子１０'との相違点は、抵抗層１８の有無である。なお、オゾン発生素子１０'においてオゾン発生素子１０に対応する部材については、オゾン発生素子１０におけるこれらの部材の参照符号に「'」を付してある。

オゾン発生素子１０'の端子電極３０'，３２'に交流高電圧が印加されると、放電電極１４'の外縁及び誘導電極１６'の外縁において強い電界が発生する。特に、放電電極１４'の外縁と誘導電極１６'の外縁とが交差する交差部Ｆ'，Ｇ'において、特に強い電界が発生する。このように、特に強い電界が発生すると、放電電極１４'における放電量も多くなり、放電電極１４'及び誘導電極１６'の交差部Ｆ'，Ｇ'における電子のやり取りが多くなる。多量の電子のやり取りが放電電極１４'及び誘導電極１６'の交差部Ｆ'，Ｇ'において行われると、放電電極１４'及び誘導電極１６'の交差部Ｆ'，Ｇ'は、電子が再び放電電極１４'及び誘導電極１６'に戻るときの衝突により腐食劣化してしまう。

そこで、本実施形態に係るオゾン発生素子１０では、放電電極１４と誘導電極１６との間であって、かつ、交差部Ｆ，Ｇを覆う位置に抵抗層１８が設けられている。この抵抗層１８を構成する材料の抵抗は、放電電極１４及び誘導電極１６を構成する材料の抵抗よりも高い。そのため、端子電極３０，３２に交流高電圧が印加された場合には、抵抗層１８により電圧降下が発生する。電圧降下が発生すると、交差部Ｆ，Ｇを挟む放電電極１４の部分と誘導電極１６の部分との間に発生する電界の強さは、交差部Ｆ'，Ｇ'を挟む放電電極１４'の部分と誘導電極１６'の部分との間に発生する電界の強さよりも弱くなる。これにより、交差部Ｆ，Ｇを挟む放電電極１４の部分と誘導電極１６の部分との間における放電量が少なくなる。その結果、放電電極１４及び誘導電極１６が腐食されてしまうことが抑制される。

特に、抵抗層１８の抵抗が１ＭΩ／ｍｍ^２以上であれば、交差部Ｆ，Ｇを挟む放電電極１４の部分と誘導電極１６の部分との間における放電の発生を効果的に抑制することができる。また、放電電極１４及び誘導電極１６の抵抗が１００Ω／ｍｍ^２以下であれば、放電電極１４と誘導電極１６とが対向する部分であって、交差点Ｆ，Ｇ以外の部分において、放電の発生が抑制されない。その結果、オゾン発生素子１０は、より効率よくオゾンを発生することができる。

また、オゾン発生素子１０では、保護膜２０，２２の材料としてガラスが用いられている。ガラスは、放電を妨げない性質を有している。そのため、オゾン発生素子１０では、オゾンの発生効率を低下させることなく、放電電極１４及び誘導電極１６が酸化したり誘電体基板１２から剥離したりすることを抑制できる。

更に、オゾン発生素子１０では、誘導電極１６が放電電極１４よりも大きく形成されているので、放電電極１４の外縁近傍から誘電体基板１２への放電が発生しやすい。その結果、オゾン発生素子１０は、高効率でオゾンを発生させることができる。

更に、オゾン発生素子１０では、端子電極３０と端子電極３２とが誘電体基板１２のそれぞれ異なる角部に設けられているので、誘電体基板１２の中央部分に広く放電電極１４及び誘導電極１６を形成することが可能となる。更に、誘電体基板１２の角部に端子電極３０，３２が形成されることにより、端子電極３０，３２に接続される配線のオゾン発生素子１０の外部への引き出しが容易になる。この場合、端子電極３０，３２に配線を接続するために、例えば、フープ端子を用いることができる。

（変形例について）
以下に、オゾン発生素子１０の変形例について図面を参照しながら説明する。図３は、変形例に係るオゾン発生素子１０の構成図である。具体的には、図３（ａ）及び図３（ｂ）は、オゾン発生素子１０の上視図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）に示すオゾン発生素子１０のＨ−Ｈ線における断面構造図である。図３（ｄ）は、オゾン発生素子１０の下視図である。なお、図３に示す変形例に係るオゾン発生素子１０において図１に示すオゾン発生素子１０に対応する部材については、同様の参照符号を付してある。

オゾン発生素子１０では、抵抗層１８は、放電電極１４と誘導電極１６との間に設けられていれば、誘電体基板１２の上層に設けられていてもよいし、誘電体基板１２の下層に設けられていてもよい。すなわち、図３（ａ），（ｃ），（ｄ）に示すように、抵抗層１８は、誘電体基板１２と誘導電極１６との間に設けられていてもよい。このような構成によっても、放電電極１４と誘導電極１６との間に発生する電界の強さを弱くすることができる。その結果、放電電極１４及び誘導電極１６が腐食されてしまうことが抑制される。

また、図１及び図３に示すオゾン発生素子１０では、１つの抵抗層１８が、交差部Ｆ，Ｇを覆うように形成されているが、この抵抗層１８の構成はこれに限らない。例えば、交差部Ｆを覆う抵抗層１８と交差部Ｇを覆う抵抗層１８とがそれぞれ別々に設けられてもよい。

また、図１及び図３に示すオゾン発生素子１０では、誘電体基板１２の第１の主面１２ａに放電電極１４が形成され、第２の主面１２ｂに誘導電極１６が形成されているが、該放電電極１４及び誘導電極１６は、必ずしも、誘電体基板１２を挟んで形成される必要はない。したがって、誘導電極１６が誘電体基板１２上に形成され、更に上層に放電電極１４が形成されてもよい。ただし、この場合には、放電電極１４と誘導電極１６との間に更なる誘電体層が設けられる必要がある。

また、図１及び図３に示すオゾン発生素子１０では、誘電体基板１２の形状は、長方形状であるとしたが、該誘電体基板１２の形状はこれに限らない。

また、図１及び図３に示すオゾン発生素子１０では、放電電極１４の材料としてサーメットが用いられ、誘導電極１６の材料として銀が用いられたが、これらの電極の材料はこれに限らない。例えば、放電電極１４の材料に銀が用いられ、誘導電極１６の材料にサーメットが用いられてもよい。

（製造方法について）
以下に、本実施形態に係るオゾン発生素子１０の製造方法について説明を行う。なお、以下では、オゾン発生素子１０の製造方法の一例として、図１に示すオゾン発生素子１０の製造方法について説明を行う。

まず、誘電体基板１２として、例えば、４ｍｍ×１２ｍｍのアルミナ基板を準備する。次に、誘電体基板１２の第１の主面１２ａにスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法によりサーメットのペーストを塗布することにより、抵抗層１８を形成する。この後、抵抗層１８を８５０度の温度で焼付ける。ここで、抵抗層１８の抵抗は、サーメット中のＲｕの含有量に依存する。具体的には、Ｒｕの含有量が少なければ抵抗層１８の抵抗は高くなり、Ｒｕの含有量が多ければ抵抗層１８の抵抗は低くなる。本実施形態に係るオゾン発生素子１０では、抵抗層１８の抵抗が１ＭΩ／ｍｍ^２以上であるので、３重量％弱のＲｕをサーメットに含有させる。

次に、誘電体基板１２の第２の主面１２ｂにスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法により銀を主成分とする導電ペーストを塗布することにより、誘導電極１６を形成する。この後、誘導電極１６を８５０度の温度で焼付ける。

次に、誘電体基板１２の第１の主面１２ａ及び抵抗層１８上にスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法によりサーメットのペーストを塗布することにより、放電電極１４を形成する。この後、放電電極１４を８５０度の温度で焼付ける。

次に、放電電極１４及び誘導電極１６を覆うように、ガラスにより保護膜２０，２２を印刷する。この後、保護膜２０，２２を６２０度の温度で焼付ける。以上の工程を経て、図１に示すオゾン発生素子１０が完成する。

前記オゾン発生素子１０の製造方法によれば、放電電極１４、誘導電極１６及び抵抗層１８が印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成されているので、放電電極１４、誘導電極１６及び抵抗層１８が精度良く形成されるようになる。

なお、図３に示すオゾン発生素子１０を製造する場合には、抵抗層１８は、第２の主面１２ｂ上に形成される。

また、端子電極３０，３２は、放電電極１４及び誘導電極１６の形成の際に印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成されてもよい。なお、端子電極３０，３２に形成される端子は、浸漬によって形成されてもよい。図１及び図３に示すオゾン発生素子１０では、端子電極３０，３２は、誘電体基板１２の角部に形成されているので、例えば、フープ端子を浸漬によって容易に形成することが可能である。

また、抵抗層１８と誘導電極１６とは別々に焼付けされているが、抵抗層１８と誘導電極１６とは同時に焼付けされてもよい。

本発明の一実施形態に係るオゾン発生素子の構成図である。参考例に係るオゾン発生素子の構成図である。変形例に係るオゾン発生素子の構成図である。特許文献１に記載のオゾン発生素子の斜視図である。特許文献１に記載のオゾン発生素子より想定される参考例に係るオゾン発生素子の構成を示した図である。

符号の説明

１０オゾン発生素子
１２誘電体基板
１２ａ第１の主面
１２ｂ第２の主面
１４放電電極
１６誘導電極
１８抵抗層
２０，２２保護膜
３０，３２端子電極
Ｆ，Ｇ交差部

Claims

放電電極と、
前記放電電極に対向するように設けられた誘導電極と、
前記放電電極と前記誘導電極との間に設けられた誘電体層と、
前記放電電極と前記誘導電極との間に設けられた抵抗層であって、前記放電電極及び前記誘導電極の材料よりも高い抵抗を有する材料からなる抵抗層と、
を備え、
前記抵抗層は、前記誘電体層の主面に対する法線方向から見たときに、前記放電電極の外縁と前記誘導電極の外縁とが交差する位置に重なるように設けられていること、
を特徴とするオゾン発生素子。
前記誘電体層は、第１の主面と第２の主面とを有する誘電体基板であって、
前記放電電極は、前記第１の主面上に設けられ、
前記誘導電極は、前記第２の主面上に設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載のオゾン発生素子。
前記抵抗層は、前記誘電体層と前記放電電極との間、又は、前記誘電体層と前記誘導電極との間に設けられていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のオゾン発生素子。
前記誘導電極の面積は、前記放電電極の面積よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のオゾン発生素子。
前記誘電体層は、長方形状を有し、
前記放電電極は、前記誘電体層の角部に設けられた端子電極を含むこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のオゾン発生素子。
前記端子電極には、高圧電圧が印加されること、
を特徴とする請求項５に記載のオゾン発生素子。
前記抵抗層の抵抗は、１ＭΩ／ｍｍ^２以上であり、
前記放電電極及び前記誘導電極の抵抗は、１００Ω／ｍｍ^２以下であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のオゾン発生素子。
前記放電電極及び前記誘導電極の少なくとも一方を覆う保護膜を、
更に備えること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のオゾン発生素子。
第１の主面及び第２の主面を有する誘電体基板の前記第１の主面上又は前記第２の主面上に抵抗層を形成する工程と、
前記誘電体基板の前記第２の主面上に誘導電極を形成する工程と、
前記誘電体基板の前記第１の主面上に放電電極を形成する工程と、
を備え、
前記抵抗層は、前記放電電極及び前記誘導電極の抵抗よりも高い抵抗を有する材料により形成され、かつ、前記誘電体基板の主面に対する法線方向から見たときに、前記放電電極の外縁と前記誘導電極の外縁とが交差する位置に重なるように形成されていること、
を特徴とするオゾン発生素子の製造方法。