JP4969999B2 - 磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る磁気記憶装置の主要部を示す回路図である。図1に示すように、直列接続された磁気抵抗素子1と選択トランジスタ2とからなるメモリセル11が設けられる。選択トランジスタ2は、例えば、n型のMOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)から構成される。
第1実施形態では、電流を用いて読み出し電流の値を制御する。これに対して、第2実施形態では電圧が用いられる。
Claims (5)
- 第1方向の書き込み電流を供給されることにより高抵抗状態を取り、前記第1方向と反対の第2方向の書き込み電流を供給されることにより前記高抵抗状態での抵抗値より低い抵抗値を有する低抵抗状態を取り、読み出し時に読み出し電流を供給される第1磁気抵抗素子と、
自身の磁化状態に応じて高抵抗状態または低抵抗状態を取り、前記読み出し電流の方向が前記第1方向と同じとき前記低抵抗状態に固定されており、前記読み出し電流の方向が前記第2方向と同じとき前記高抵抗状態に固定されている第2磁気抵抗素子と、
前記第1磁気抵抗素子と前記第2磁気抵抗素子とに接続され、前記第1磁気抵抗素子に印加される読み出し電圧と前記第2磁気抵抗素子に印加される読み出し電圧とを等しくする制御回路と、
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 一端に定電流を供給され、ゲート端子を前記一端と接続された第1MOSFETと、
一端をセンスアンプと接続され、ゲート端子に前記第1MOSFETのゲート端子の電位と同じ電位を供給される第2MOSFETと、
前記第2MOSFETの他端と接続され、第1方向の書き込み電流を供給されることにより高抵抗状態を取り、前記第1方向と反対の第2方向の書き込み電流を供給されることにより前記高抵抗状態での抵抗値より低い抵抗値を有する低抵抗状態を取り、読み出し時に読み出し電流を供給される第1磁気抵抗素子と、
前記第1MOSFETの他端と接続され、自身の磁化状態に応じて高抵抗状態または低抵抗状態を取り、前記読み出し電流の方向が前記第1方向と同じとき前記低抵抗状態に固定されており、前記読み出し電流の方向が前記第2方向と同じとき前記高抵抗状態に固定されている第2磁気抵抗素子と、
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 非反転入力端に定電圧を供給されるオペアンプと、
一端を前記オペアンプの反転入力端と接続され、ゲート端子を前記オペアンプの出力端と接続された第1MOSFETと、
一端をセンスアンプと接続され、ゲート端子を前記オペアンプの出力端と接続された第2MOSFETと、
前記第2MOSFETの他端と接続され、第1方向の書き込み電流を供給されることにより高抵抗状態を取り、前記第1方向と反対の第2方向の書き込み電流を供給されることにより前記高抵抗状態での抵抗値より低い抵抗値を有する低抵抗状態を取り、読み出し時に読み出し電流を供給される第1磁気抵抗素子と、
前記第1MOSFETの一端と接続され、自身の磁化状態に応じて高抵抗状態または低抵抗状態を取り、前記読み出し電流の方向が前記第1方向と同じとき前記低抵抗状態に固定されており、前記読み出し電流の方向が前記第2方向と同じとき前記高抵抗状態に固定されている第2磁気抵抗素子と、
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第1磁気抵抗素子と前記第2磁気抵抗素子とが、共に、同じ膜の組み合わせからなる構成を有し、且つ同じ形状を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記憶装置。
- 前記第1MOSFETの電流駆動能力と前記第2MOSFETの電流駆動能力とが同じことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006304351A JP4969999B2 (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 磁気記憶装置 |
US11/937,058 US7511992B2 (en) | 2006-11-09 | 2007-11-08 | Magnetic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006304351A JP4969999B2 (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 磁気記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008123584A JP2008123584A (ja) | 2008-05-29 |
JP4969999B2 true JP4969999B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=39369032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006304351A Expired - Fee Related JP4969999B2 (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 磁気記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7511992B2 (ja) |
JP (1) | JP4969999B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008252018A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2009087494A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP4922374B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
JP5830797B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2015-12-09 | 国立大学法人東北大学 | 集積回路とその製造方法 |
KR20140052695A (ko) | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 삼성전자주식회사 | 양방향 리드 스킴을 갖는 자기 메모리 장치 |
US9001559B2 (en) * | 2013-03-22 | 2015-04-07 | Masahiro Takahashi | Resistance change memory |
KR102212755B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2021-02-05 | 삼성전자주식회사 | 전압 발생기 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
US9747966B2 (en) * | 2015-08-25 | 2017-08-29 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance |
CN113874905A (zh) | 2019-07-12 | 2021-12-31 | 索尼集团公司 | 电子设备 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5695864A (en) * | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
US6600690B1 (en) * | 2002-06-28 | 2003-07-29 | Motorola, Inc. | Sense amplifier for a memory having at least two distinct resistance states |
JP3962048B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JP2006210396A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 磁気メモリ装置及びその読み出し方法 |
-
2006
- 2006-11-09 JP JP2006304351A patent/JP4969999B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2007
- 2007-11-08 US US11/937,058 patent/US7511992B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008123584A (ja) | 2008-05-29 |
US7511992B2 (en) | 2009-03-31 |
US20080112216A1 (en) | 2008-05-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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