JP4968290B2 - 熱式空気流量センサの製造方法 - Google Patents

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本発明は、発熱抵抗体を用いて空気流量を計測する熱式空気流量センサに係り、例えば、内燃機関の吸入空気流量を測定するのに好適な熱式空気流量センサの製造方法に関する。
自動車などの内燃機関の吸入空気通路に設けられ、吸入空気量を測定する空気流量センサとしては、熱式のものが質量流量を直接検知できることから主流となってきている。近年、このような熱式空気流量センサにおいて、シリコン(Si)等の半導体基板上に半導体微細加工技術を用いて、薄膜状のセンサ領域を有する熱式空気流量センサが比較的容易に、しかも大量生産方式で生産でき、また、低電力で駆動できるために多く用いられるようになっている。
このような半導体基板上に薄膜状のセンサ領域を有するセンサ素子を備えた熱式空気流量センサとして、特開平9−26343号公報中に、図8(A)に示すようにセンサ素子10の片側のみを、センサ支持体30の窪み32に接着剤48で接着する浮動的支持構造(片持ち支持構造)が開示されている。
センサ素子の裏面全面をセンサ支持体に接着する場合には、その接着工程において前記薄膜状のセンサ領域に損傷を与える危険性が高く、また、使用条件によっては温度サイクルにより、センサ素子とセンサ支持体の線膨張係数の違いにより接着部に損傷を生じる危険性が高い。従って、この種の浮動的支持構造が採用される。
ここで、熱式空気流量センサにおいてセンサ素子表面とセンサ支持体表面との間に段差が生じると、センサ素子表面の流れの様相が変化するため、単体調整を行い得ない大量生産においては、熱式空気流量センサの特性バラツキの要因となる。図8(A)に示す構造では、接着剤48の厚みがバラツキ、センサ素子10表面とセンサ支持体30表面を同一平面に保つことが困難であった。このため、特開2001-12986号公報に、図8(B)に示すようにセンサ素子10の裏面に溝26を設け、溝26内に接着剤48を充填することで、センサ素子10をセンサ支持体30に固定する構成が開示されている。この構成では、センサ素子10の裏面がセンサ支持体30の窪み32の底面に直接接触するため、窪み32の深さD1とセンサ素子10の厚みH1が一致していれば、センサ素子10表面とセンサ支持体30表面を同一平面に保つことができる。ここで、エンジン制御に要求される検出精度を得るためには、センサ素子表面とセンサ支持体表面との段差を20〜30μm以内に納める必要がある。
特開平9−26343号公報 特開2001-12986号公報
センサ素子10は、研磨工程を経るため厚みH1を数μmの公差範囲でほぼ一定に保つことができる。しかしながら、センサ支持体30の窪み32の深さ窪み32の深さD1を一定にすることは困難である。センサ支持体30にセラミックを用いる場合には、焼成の際に窪み32の深さD1を一定(公差20〜30μm以下)にすることは難しく、歩留まりが下がることになる。特に、センサ支持体を樹脂で成形した場合には、窪み32の深さD1が100μmレベルでバラツキ、段差を20〜30μm以内に納めることが不可能であった。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、熱式空気流量センサのセンサ素子表面とセンサ支持体表面の段差をなくし、熱式空気流量センサ特性のバラツキを小さくする熱式空気流量センサの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、請求項1の発明は、半導体基板12に絶縁層14を介して発熱抵抗体16aを形成した検出素子10と、前記検出素子10が固定される窪み32を有する支持体30と、を備えた熱式空気流量センサの製造方法において:
前記検出素子10を、治具80の平坦な上面に、前記検出素子10の表面10Aが当接するように載置する工程と;
前記検出素子10の裏面10B側に接着剤48を配置する工程と;
前記支持体30を、前記窪み32に前記検出素子10を収容して当該窪み32の底面32BTに前記接着剤48を介して前記検出素子10の裏面10Bを対向させた状態で、前記治具80の平坦な上面に該支持体30の表面30Aが当接するように載置する工程と; 前記接着剤48を硬化させる工程と;から成ることを技術的特徴とする。
請求項1の熱式空気流量センサの製造方法では、治具80の平坦な上面に検出素子10の表面10Aが当接するように載置した状態で、検出素子10の裏面10B側に接着剤48を配置する。そして、支持体30を、窪み32に検出素子10を収容し当該窪み32の底面32BTに接着剤48を介して検出素子10の裏面10Bを対向させ、治具80の平坦な上面に該支持体30の表面30Aが当接するように載置した状態で、接着剤48を硬化させる。即ち、治具80上で検出素子10の表面と支持体30の表面30Aとが揃った状態で接着するため、熱式空気流量センサの検出素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aの段差をなくし、大量生産における熱式空気流量センサ特性のバラツキを小さくすることが可能になる。
請求項2では、接着剤48の硬化を、治具80の平坦な上面に検出素子10の表面10Aと支持体30の表面30Aとが当接するように載置した状態で行う。治具80上で検出素子10の表面10Aと支持体30の表面30Aとが揃った状態で接着剤48を硬化させるため、熱式空気流量センサの検出素子10の表面10Aと支持体30の表面30Aの段差をなくし、大量生産における熱式空気流量センサ特性のバラツキを小さくすることが可能になる。
参考例に係る熱式空気流量センサの断面図である。 図1に示す熱式空気流量センサの平面図である。 図1に示すセンサ素子裏面側の平面図である。 図3に示すセンサ素子裏面側のチップ分割前の状態を示す部分平面図である。 (A)、(B)、(C)、(D)は、参考例に係るセンサ素子のセンサ支持体への取り付けを示す工程図である。 本発明の実施形態に係る熱式空気流量センサの断面図である。 (A)、(B)、(C)、(D)は、実施形態に係るセンサ素子のセンサ支持体への取り付けを示す工程図である。 (A)、(B)は従来技術に係る熱式空気流量センサの断面図である。
[参考例]
以下、参考例について図面を参照しながら説明する。
図1は参考例に係るセンサ素子10が接着剤48によりセンサ支持体30に取付けられた状態の断面図を示し、図2は平面図を示す。図1は図2のA−A断面図である。センサ素子10は半導体製造技術により作製され、単結晶シリコン基板12上に電気絶縁層14を形成し、その上に少なくとも1つの発熱抵抗体16a及び空気温度測温抵抗体16bを有している。発熱抵抗体16a及び空気温度測温抵抗体16bの上には保護層22が被覆されている。この発熱抵抗体16aの領域下部には単結晶シリコン基板12をエッチングにより除去した空洞部(窪み)18が形成される。このような構造により、発熱抵抗体16aの熱が単結晶シリコン基板12を熱伝導して逃げることを防止する。
センサ素子10の発熱抵抗体16a及び空気温度測温抵抗体16bはセンサ素子側電極20に接続されており、この電極と樹脂等の電気絶縁基板上に形成された信号処理回路の電極50が金線52等によるボンディングにより接続されている。この信号処理回路は公知の制御方式によりセンサ素子10への電流,電圧供給、及びセンサ素子10からの電気信号の出力のために使用される。センサ素子10が取付けられたセンサ支持体30は例えば、内燃機関の吸入空気通路の内部にある副通路中にセンサ素子10が配置されるように固定される。図2中に示すように空気流60はセンサ素子10の長辺側方から加えられる。
ここで、センサ素子10は、例えば図示の例では長辺が6mm,短辺が2.5mm,厚さが0.3mm程度である。一方、センサ支持体30は樹脂から成り、窪み32と、窪み32の直下に接着剤48を充填するための充填孔34とが形成されている。接着剤48は、窪み32の突出底面32BTとセンサ素子10の裏面10Bとの間に充填される。窪み32はセンサ素子10が完全に収容される形状であり、窪み32の深さ(窪み32の内のセンサ素子を支持する突出底面32BTでの深さ)D2はセンサ素子10の厚さH2よりもわずかに大きく、例えば図示の例では0.32mm程度である。窪み32の側壁とセンサ素子10との間には、隙間62a、62b、62cが設けられている。
参考例の熱式空気流量センサは、センサ素子10は、センサ支持体30に設けられた窪み32の底部の突出底面32BTに接着剤48を介して固定されている。ここで、センサ素子10を窪み32の突出底面32BTに固定する接着剤48の厚みを、センサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aとが揃うように窪み32の突出底面32BTに設けられた充填孔34から接着剤48を充填してある。このため、熱式空気流量センサのセンサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aの段差をなくし、単体調整を行い得ない大量生産における熱式空気流量センサ特性のバラツキを小さくすることが可能になる。
また、参考例の熱式空気流量センサは、センサ支持体30が樹脂からなるため、廉価である反面、窪み32の深さが100μmのオーダでばらつく。しかし、接着剤48の厚みを、センサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aとが揃うように充填してある。これにより、熱式空気流量センサのセンサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aの段差をなくしてある。なお、参考例では、センサ支持体30が樹脂からなったが、アルミナ等のセラミックを用いることも可能である。
以下、センサ素子10の製造プロセスについて説明する。
図3は図1に示すセンサ素子10の裏面側の平面図、図4は図3のセンサ素子10をチップに分割する前の状態の部分平面図である。単結晶シリコン基板12上に電気絶縁層14として二酸化シリコン層を熱酸化あるいはCVD(Chemical Vapor Deposition)等の方法で形成後、窒化シリコン層をCVD等の方法で形成する。次に多結晶シリコン層をCVD等の方法で形成し、不純物としてリンを熱拡散またはイオン注入によりドーピングする。その後、公知のホトリソグラフィ技術によりレジストを所定の形状に形成し、反応性イオンエッチング等の方法により、多結晶シリコン層をパターニングすることにより発熱抵抗体16a,空気温度測温抵抗体16b等を形成する。次に、保護層22として窒化シリコン層をCVD等の方法で形成後、二酸化シリコン層をCVD等の方法で形成する。その後、電極20を形成する部分の保護層をエッチングにより取り除きアルミニウムにより電極20を形成する。最後に、空洞部18を形成するために、単結晶シリコン基板12の発熱抵抗体16aを形成していない面にCVD等の方法により窒化シリコン層を形成し、図示しないマスクを使用して公知のホトリソグラフィ技術によりレジストを所定の形状に形成し、イオンエッチング等によりパターニングを行う。その後、異方性エッチングを行い、空洞部18を形成する(図4参照)。その後、ダイシングによりチップに分割される(図3参照)。
図5を参照してセンサ素子10のセンサ支持体10への取り付けについて説明する。
まず、治具80の平坦な上面に、センサ素子10を表面10A側が当接するように載置する(図5(A))。次に、センサ支持体30を、窪み32内にセンサ素子10を収容させるように、該センサ支持体30の表面30Aが治具80の上面に当接するように載置する(図5(B))。この状態で、センサ支持体30の表面30Aとセンサ素子10の表面10Aとの段差が無くなると共に、センサ支持体30に対してセンサ素子10の傾きがゼロになる。その後、センサ支持体30の窪み32の突出底面32BTに設けられた充填孔34から、センサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aとが揃うようにセンサ素子10の裏面10Bと窪み32の突出底面32BTとの間に接着剤48を充填し、この状態で接着剤48を硬化させる(図5(C))。治具80から外して反転させることで、センサ素子10のセンサ支持体30への取り付けが完了する(図5(D))。なお、接着剤48としてはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。ここで、センサ素子10の裏面10Bと窪み32の突出底面32BTとの間のクリアランスは狭いので、この間に接着剤48を充填する際には、毛細管現象により均等、かつ、エアー等を残すことなく完全に充填することが可能である。ここで、突出底面32BTは窪み32の他の底部から僅かに突出しているので、突出底面32BTの端部において接着剤48は止まり、過剰な圧力を加えて接着剤48を充填しない限り、突出底面32BTの端部から接着剤48が溢れることはない。
参考例の熱式空気流量センサの製造方法では、センサ素子10をセンサ支持体30の窪み32に収容し、治具80の平坦な上面に、センサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aとが当接するように載置した状態で、接着剤48を充填孔34からセンサ素子10の裏面10Bとセンサ支持体30の窪み32の突出底面32BTとの間に充填して、硬化させる。即ち、治具80上でセンサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aとが揃い、且つ、センサ支持体30に対してセンサ素子10の傾きが全く無い状態で接着するため、熱式空気流量センサのセンサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aの段差、及び、センサ素子10の傾きをなくし、大量生産における熱式空気流量センサ特性のバラツキを小さくすることが可能になる。
[実施形態]
引き続き、本発明の実施形態に係る熱式空気流量センサ及びその製造方法について図6、図7を参照して説明する。
図6は、本発明の実施形態に係るセンサ素子10が接着剤48によりセンサ支持体30に取付けられた状態の断面図を示す。
図1を参照して上述した参考例では、センサ支持体30に接着剤を充填するための充填孔が設けられていたが、実施形態では充填孔が省略されている。
図7を参照して実施形態に係るセンサ素子10のセンサ支持体10への取り付けについて説明する。
まず、治具80の平坦な上面に、センサ素子10を表面10A側が当接するように載置し、裏面10B側に接着剤48を乗せる(図7(A))。次に、センサ支持体30を、窪み32内にセンサ素子10を収容させるように、該センサ支持体30の表面30Aが治具80の上面に当接するように載置する(図7(B))。この際に、センサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aとが揃った状態でセンサ素子10の裏面10Bと窪み32の突出底面32BTとの間に接着剤48が広がる。その後、この状態で接着剤48を硬化させる(図7(C))。これにより、センサ素子10のセンサ支持体30への取り付けが完了する(図7(D))。
実施形態に係る熱式空気流量センサの製造方法では、治具80の平坦な上面にセンサ素子10の表面10Aが当接するように載置した状態で、センサ素子10の裏面10B側に接着剤48を配置する。そして、センサ支持体30を、窪み32にセンサ素子10を収容し当該窪み32の底面32BTに接着剤48を介してセンサ素子10の裏面10Bを対向させ、治具80の平坦な上面に該センサ支持体30の表面30Aが当接するように載置した状態で、接着剤48を硬化させる。即ち、治具80上でセンサ素子10の表面とセンサ支持体30の表面30Aとが揃った状態で接着するため、熱式空気流量センサのセンサ素子10の表面10Aとセンサ支持体30の表面30Aの段差をなくし、大量生産における熱式空気流量センサ特性のバラツキを小さくすることが可能になる。
10 センサ素子(検出素子)
10A センサ素子の表面
10B センサ素子の裏面
12 単結晶シリコン基板
14 電気絶縁層
16a 発熱抵抗体
16b 空気温度測温抵抗体
18 空洞部
20 電極
30 センサ支持体
30A センサ支持体の表面
32 窪み
32BT 突出底面
34 充填孔
48 接着剤
80 治具

Claims (2)

  1. 半導体基板に絶縁層を介して発熱抵抗体を形成した検出素子と、前記検出素子が固定される窪みを有する支持体と、を備えた熱式空気流量センサの製造方法において:
    前記検出素子を、治具の平坦な上面に、前記検出素子の表面が当接するように載置する工程と;
    前記検出素子の裏面側に接着剤を配置する工程と;
    前記支持体を、前記窪みに前記検出素子を収容して当該窪みの底面に前記接着剤を介して前記検出素子の裏面を対向させた状態で、前記治具の平坦な上面に該支持体の表面が当接するように載置する工程と;
    前記接着剤を硬化させる工程と;から成ることを特徴とする熱式空気流量センサの製造方法。
  2. 前記接着剤の硬化は、前記治具の平坦な上面に、前記検出素子の表面と前記支持体の表面とが当接するように載置した状態で行うことを特徴とする請求項1の熱式空気流量センサの製造方法。
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