JP4957315B2 - 半導体光増幅モジュール、マトリクス型光スイッチ装置、および駆動回路 - Google Patents
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Description
SOA100は、駆動回路101からの駆動電流が光信号増幅領域に注入されることにより、増幅領域を伝播する光信号を増幅する。SOA100は、駆動電流を図の(b)に示すようにオン/オフすることにより、光信号のゲート素子として使用される。
図に示すように、駆動回路とSOAモジュール110との間に抵抗R110が接続されている。また、オペアンプOP101の出力には、インダクタL103が接続されている。図の駆動回路では、抵抗R110を挿入することにより、リンギングの発生を抑制する。
図1は、半導体光増幅モジュールの概要を説明する図である。図に示すように半導体光増幅モジュール1は、半導体光増幅器1aおよびダイオード1bを有している。
駆動回路2の駆動電流がオンからオフに切替わったとき、負のアンダーシュートが発生する。ダイオード1bは、負のアンダーシュートによって電流が流れ、アンダーシュートの電圧上昇を抑制する。これにより、リンギングの発生を抑制する。
図2は、第1の実施の形態に係るSOAモジュールを適用した光パケットスイッチングネットワークの構成例を示した図である。図に示すように、光パケットスイッチングネットワークは、エッジノード11、コアノード12、アクセスノード13、および光ファイバ14によって構築されている。
図3は、図2のコアノードを説明する図である。コアノード12は、光パケットを切り替えるためのマトリクス型光スイッチ21を有している。光パケットは、光ファイバ14の光データチャネルにより送信される。光データチャネルは、エッジノード11やコアノード12間を物理的に接続した光ファイバ14内の波長の異なるチャネルである。光パケットは、波長変換部22a〜22dにおいて、波長変換される。波長変換された光パケットは、マトリクス型光スイッチ21に入力され、方路が切り替えられる。
なお、光分配カプラ41a〜41nのそれぞれは、マトリクス型光スイッチを構成するために、後述する光合波カプラ43a〜43nの数だけ入力された光の分岐を行い、分岐された光を出力ポートから出力する。
SOAモジュール群42a〜42nの各SOAモジュールは、駆動回路群44からの駆動電流の有無によってスイッチングする。すなわち、SOAモジュールに入力された光は、駆動回路群44からの駆動電流に応じて、SOAモジュールからの出力光として出力され、または、遮断される。
ある時刻に、光合波カプラ43bから出力されるべき光パケット#2が光分配カプラ41aに入力され、光合波カプラ43nから出力されるべき光パケット#nが光分配カプラ41bに入力され、光合波カプラ43aから出力されるべき光パケット#1が光分配カプラ41nに入力される。
このとき、SOAモジュール群42aを駆動する駆動回路群44は、図3のリザベーションマネージャ24の指示で、光合波カプラ43aから出力されるべき光パケット#1が入力される光分配カプラ41nと接続されたSOAモジュールをオンに制御し、それ以外のSOAモジュールをオフに制御する。
図7は、SOAの駆動電流と光増幅率の関係を示した図である。SOA51は、駆動電流により光増幅率が変化する特性を有する。図の例では、SOA51に約300mAの駆動電流を流すことで、約10dBの光増幅率が得られ、ほぼ飽和状態になっている。一方、駆動電流が少なくなり、65mAを切ると、SOA51は、入力される光を減衰させ、光減衰器として動作する。
図12では、SOAモジュール62のショットキーバリアダイオードD2がガリウム砒素型ショットキーバリアダイオードとなっている。ガリウム砒素型のショットキーバリアダイオードD2は、図10で説明したのと同様に、負側に引き起こされるアンダーシュートを抑制する。
図14は、第3の実施の形態に係る駆動回路を示した図である。図12において図10と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
1a 半導体光増幅器
1b ダイオード
2 駆動回路
Claims (6)
- 光信号の通過を制御する半導体光増幅モジュールにおいて、
入力される前記光信号を駆動電流に応じて出力する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器に並列に接続されるショットキーバリアダイオードと、を備え、
前記ショットキーバリアダイオードは、カソードが前記半導体光増幅器のアノードと接続され、アノードが前記半導体光増幅器のカソードと接続されることを特徴とする半導体光増幅モジュール。 - 前記ショットキーバリアダイオードは、シリコン型ショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項1記載の半導体光増幅モジュール。
- 前記ショットキーバリアダイオードは、ガリウム砒素型ショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項1記載の半導体光増幅モジュール。
- 前記半導体光増幅器と前記ショットキーバリアダイオードは、同一のウェハで形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体光増幅モジュール。
- 光の出力経路を切り替えるマトリクス型光スイッチ装置において、
制御信号が入力され、前記制御信号に応じて駆動電流を出力する駆動回路と、
入力される光信号を前記駆動電流に応じて出力する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器に並列に接続されるショットキーバリアダイオードとを有する半導体光増幅モジュールと、を備え、
前記ショットキーバリアダイオードは、カソードが前記半導体光増幅器のアノードと接続され、アノードが前記半導体光増幅器のカソードと接続されることを特徴とするマトリクス型光スイッチ装置。 - 半導体光増幅モジュールを駆動する駆動回路において、
制御信号が入力され、前記制御信号に応じて駆動電流を出力する演算増幅器と、
前記演算増幅器の出力に前記半導体光増幅モジュールに含まれる半導体光増幅器と並列になるように接続されるショットキーバリアダイオードと、を備え、
前記ショットキーバリアダイオードは、カソードが前記半導体光増幅器のアノードと接続され、アノードが前記半導体光増幅器のカソードと接続されることを特徴とする駆動回路。
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