JP4950581B2 - 回路モジュール - Google Patents

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本発明は、回路基板を有する回路モジュールに関する。
例えば、特許文献1に記載された回路モジュールにおいては、マザーボード(第2回路基板)上に、半導体モジュール基板(第1回路基板)と半導体回路とが実装されている。この回路モジュールにおいては、半導体モジュール基板のランド(第1ランド)にはんだ接合されていると共に外縁から外部に向かって突出したリード端子が、マザーボード上のランド(第2ランド)にはんだ接合されている。
このように、半導体モジュール基板をマザーボード上に実装するためのリード端子が半導体モジュール基板の外縁から外部に向かって突出しているため、半導体モジュールを実装するために必要な面積が大きくなり、マザーボード上の実装密度が低下して、回路モジュールが大形化しやすい。
一方、特許文献2に記載されているBGA(Ball Grid Array)型パッケージを用いる回路モジュールは、パッケージ(第1回路基板)の電極パッド(第1ランド)と、これに対向するプリント基板(第2回路基板)の電極パット(第2ランド)とがはんだボールとの溶融接続により電気的に接続されるものである。
このはんだボールは、パッケージとプリント基板との間に配置されるため、パッケージの外縁から外側に向かって突出しにくい。このため、プリント基板上の実装密度が向上しやすくなり、回路モジュールの小形化を図ることができる。
特開2003−92158(図1) 特開平9−232464(図4)
しかしながら、特許文献2においては、パッケージとプリント基板とが複数のはんだボールによって電気的に接続されている場合、各パッドとはんだボールとが溶融接続されるときに、はんだボール間で溶融具合が不均一になることがある。これにより、パッケージがプリント基板に対して傾き、はんだボールがパッドから剥離してパッド間の接続不良となることがある。
本発明の主たる目的は、前記の特許文献1、2の問題点を鑑みて、小形化を図りつつ接続不良を抑制することができる回路モジュールを提供することである。
本発明の回路モジュールは、一方主面に発熱部品が実装されるとともに、前記一方主面と反対側の他方主面における前記発熱部品の実装位置の裏面側に相当する位置に第1ランドが形成された第1回路基板と、前記第1回路基板と離間して配置され、表面に前記第1ランドと対向する第2ランドが形成された第2回路基板と、前記第1ランドと前記第2ランドとの間に配置され、前記第1ランドおよび前記第2ランドのそれぞれとはんだ接合されるとともに、前記はんだ接合に用いられるはんだより高い融点を有する金属体とを備えており、前記発熱部品と前記第1ランドとは、前記第1回路基板の内部に形成された配線パターンを介して互いに電気的に接続されている
本発明においては、前記金属体が、鉄またはリン青銅の表面にはんだメッキされたものでもよい。
また、本発明においては、前記金属体が、円柱形状または角柱形状を有していてもよい。
このとき、前記発熱部品が、スイッチング回路、整流回路および電流検出回路の少なくともいずれかを構成していてもよい。
本発明によると、金属体が第1回路基板と第2回路基板との間に配置されているため、回路モジュールの小形化を図ることができる。
また、金属体がはんだ接合に用いられるはんだよりも高い融点を有しているため、第1ランドおよび第2ランドと、金属体とがはんだ接合されるときに金属体が溶融しにくい。これにより、第1回路基板と第2回路基板とが所定の位置関係を保つことができ、金属体が第1ランドおよび第2ランドから離間するのを抑制することができる。これにより第1ランドおよび第2ランド間の接続不良を抑制することができる。
このとき、金属体を、鉄またはリン青銅の表面にはんだメッキされたものにしたり、円柱または角柱を有する形状にしたりすることにより、金属体を安価に製造することができる。
また、配線パターンを介して第1ランドと熱的に結合(熱伝導性のよい金属で互いに接続)されるように第1回路基板に実装された発熱部品と金属体とを対向させることによって、発熱部品から発生した熱が、配線パターンおよび第1ランドを介して当該発熱部品と対向している金属体に効率よく伝導され、発熱部品の周囲に伝導されにくくなっているため、発熱部品の周囲に実装された他の電子部品に与える熱的な影響を小さくすることができる。
以下、本発明の好適な実施形態である回路モジュールについて、図面を参照しつつ説明する。
図1は本発明の実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。図2は、図1に示す回路モジュールのX線方向からの側面図である。
図1および図2に示す回路モジュール1は、外部から入力された直流電圧を所望の電圧に安定させるDC−DCコンバータである。
また、回路モジュール1は、マザー基板2(第2回路基板)と、マザー基板2上に表面実装されたモジュール基板3(第1回路基板)および電子部品4と、マザー基板2上にモジュール基板3を表面実装するための金属体5とを有している。金属体5は、鉄またはリン青銅の表面にはんだメッキされたものであり、角柱形状を有している。
マザー基板2は、その上面に複数のランド12、13が形成されている。そして、ランド12(第2ランド)には、金属体5の下面がはんだ接合されている。また、ランド13には、電子部品4がはんだ接合により表面実装されている。
モジュール基板3は、上面および下面に複数のランド15が形成されている。ランド15には、電子部品14がはんだ接合により表面実装されている。
また、上面中央にスイッチング素子6をはんだ接合するためのランド16が形成されている。スイッチング素子6は、高速で電流をスイッチングさせて、高周波の波形を作り出して電圧を制御するものである。このスイッチング動作により、スイッチング素子6は発熱する。
また、下面の四隅近傍および下面中央にランド11(第1ランド)が形成されている。ランド11には、金属体5の上面がはんだ接合されている。
モジュール基板3の上面に形成されたランド16と下面に形成されたランド11とは互いに対向していると共に、モジュール基板3の中央内部に形成された配線パターン10を介して互いに電気的に接続されている。したがって、金属体5がスイッチング素子6と対向している。
また、スイッチング素子6は、ランド16、配線パターン10、ランド11を介して金属体5と熱的に結合されている。
このように、配線パターン10を介してランド11と熱的に結合されるようにモジュール基板3に実装されたスイッチング素子6と金属体5とを対向させることによって、スイッチング素子6から発生した熱が、配線パターン10およびランド11を介してスイッチング素子6と対向している金属体5に効率よく伝導される。このように、スイッチング素子6から発生した熱がスイッチング素子6の周囲に伝導されにくくなっているため、スイッチング素子6の周囲に実装された電子部品14に与える熱的な影響を小さくすることができる。
次に、回路モジュール1の製造方法について図3および図4を参照しつつ説明する。図3は、金属体5の製造方法を示す図である。図4は、モジュール基板3の側面図である。
まず、金属体5を製造する。上述したように、金属体5は、鉄またはリン青銅で形成されており、図3に示すように、長尺な形状をしている角柱7を任意の長さに切断する。そして、切断された部材の表面にはんだメッキを施すことにより金属体5が完成する。なお、金属体5は、鉄またはリン青銅で形成されているため、はんだ接合に用いられるはんだよりも高い融点を有している
このように、金属体5は、角柱形状の鉄またはリン青銅の表面にはんだメッキを施すという安価な方法で製造することができる。
次に、モジュール基板3を製造する。ペースト状のはんだをランド15、16に印刷し、ランド15、16に電子部品14、スイッチング素子6を実装し加熱する。
そして、モジュール基板3を反転させて、ペースト状のはんだをランド11に印刷し金属体5の上面を、配置して加熱する。
これにより、モジュール基板3に金属体5、電子部品14およびスイッチング素子6がはんだ接合により実装される(図4参照)。
次に、ペースト状のはんだが印刷されたランド12および13を有するマザー基板2を製造する。そして、マザー基板2のランド12にモジュール基板3にはんだ接合された金属体5の下面を、ランド13に電子部品4をそれぞれ配置して加熱する。これにより、各ランドのはんだが溶融して、マザー基板2の上面に電子部品4および金属体5がはんだ接合により実装される(図1および図2参照)。
以上、説明したように、本実施形態によると、金属体5がマザー基板2とモジュール基板3との間に配置されているため、回路モジュール1の小形化を図ることができる。
また、金属体5がはんだ接合に用いられるはんだよりも高い融点を有しているため、ランド11、12と、金属体5とがはんだ接合されるときに金属体5が溶融しにくい。
これにより、マザー基板2とモジュール基板3とが互いに平行な位置関係を保つことができ、金属体5がランド11、12から離間するのを抑制することができる。これによりランド11、12間の接続不良を抑制することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はその趣旨を越えない範囲において変更が可能である。
例えば、上述した実施形態では、図3に示すように、角柱7を任意の長さに切断して、はんだメッキをすることにより角柱形状を有する金属体5を形成したが、図5に示すように、円柱8を任意の長さに切断して、はんだメッキをすることにより円柱形状を有する金属体を形成してもよい。また、金属体は、角柱または円柱以外の形状を有していてもよい。
また、上述した実施形態においては、金属体5が、鉄またはリン青銅により形成される構成であるが、はんだより高い融点を有している導電性金属であれば他の部材で形成されていてもよい。
また、上述した実施形態においては、金属体5の1つが基板中央に配置された発熱部品であるスイッチング素子6と対向している位置に配置される構成となっているが、発熱部品の配置位置は任意の位置であってよい。
また、上述した実施形態においては、DC−DCコンバータとして機能する回路モジュール1について説明したが、回路基板を積層する構成であれば他の機能を有するものであってもよい。例えば、その機能に応じて発熱部品が整流回路や電流検出回路などであってもよい。
本発明の実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。 図1に示す回路モジュールのX線方向からの側面図である。 金属体5の製造方法を示す図である。 モジュール基板3の側面図である。 本発明の実施形態に係る回路モジュールの変形例を示す図である。
符号の説明
1 回路モジュール
2 マザー基板(第2回路基板)
3 モジュール基板(第1回路基板)
4 電子部品
5 金属体
6 スイッチング素子
7 角柱
8 円柱
9 金属体
10 配線パターン
11 ランド(第1ランド)
12 ランド(第2ランド)
13、15、16 ランド
14 電子部品

Claims (4)

  1. 一方主面に発熱部品が実装されるとともに、前記一方主面と反対側の他方主面における前記発熱部品の実装位置の裏面側に相当する位置に第1ランドが形成された第1回路基板と、
    前記第1回路基板と離間して配置され、表面に前記第1ランドと対向する第2ランドが形成された第2回路基板と、
    前記第1ランドと前記第2ランドとの間に配置され、前記第1ランドおよび前記第2ランドのそれぞれとはんだ接合されるとともに、前記はんだ接合に用いられるはんだより高い融点を有する金属体とを備えており、
    前記発熱部品と前記第1ランドとは、前記第1回路基板の内部に形成された配線パターンを介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする回路モジュール。
  2. 前記金属体が、鉄またはリン青銅の表面にはんだメッキされたものであることを特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。
  3. 前記金属体が、円柱形状または角柱形状を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の回路モジュール。
  4. 前記発熱部品が、スイッチング回路、整流回路および電流検出回路の少なくともいずれかを構成していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の回路モジュール。
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