JP4950285B2 - パッケージを用いたシリコン切り換え電力引き渡しのシステム及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 63
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 21
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 102100039435 C-X-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 101000889048 Homo sapiens C-X-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
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Description
Claims (24)
- 集積回路であって、
第1のパッケージ・基板接続部と、第2のパッケージ・基板接続部と、前記第1のパッケージ・基板接続部を前記第2のパッケージ・基板接続部に結合させる金属化部分と、を含むパッケージと、
前記第1のパッケージ・基板接続部及び前記第2のパッケージ・基板接続部を介して前記パッケージに電気的に及び物理的に結合された基板であって、複数の電力領域と1つの電力制御ユニットとを具備し、前記第2のパッケージ・基板接続部は、前記複数の電力領域のうちの特定の電力領域に結合され、前記電力制御ユニットは、論理とスイッチとを具備し、前記スイッチは、電圧供給端子に結合された第1の端子と、前記論理に結合された制御端子と、前記第1のパッケージ・基板接続部に結合された第2の端子と、を含み、前記論理は、前記パッケージの前記金属化部分を介して前記特定の電力領域に配電するために前記スイッチを選択的に起動するように構成され、前記スイッチはさらに、並列された複数の独立したトランジスタを具備し、前記論理は、前記複数の独立したトランジスタを段階的に起動させて、前記第2の端子に対してランプ供給電圧を提供する基板と、を具備する集積回路。 - 前記特定の電力領域は、前記基板内に埋め込まれた処理ユニットを具備する請求項1に記載の集積回路。
- 前記スイッチは、前記処理ユニットのピーク電力に対する要求を満たすようにサイズが決められる請求項2に記載の集積回路。
- 前記処理ユニットの前記ピーク電力に対する要求は、ピーク電力密度に前記処理ユニットの基板面積を乗じることにより得られる値よりも小さい請求項3に記載の集積回路。
- 前記パッケージはさらに、フリップチップパッケージを含む請求項1に記載の集積回路。
- 前記電力制御ユニットは、前記特定の電力領域と関連づけられたキャパシタンスを充電するために電流ランプを生成するのに好適する請求項1に記載の集積回路。
- 前記論理は、前記特定の電力領域をリセットするための電力オンリセット信号を生成するのに好適する請求項1に記載の集積回路。
- 前記特定の電力領域は、前記特定の電力領域からの出力を既知の論理状態にクランプするためのクランプ回路をさらに具備し、前記電力制御ユニットは、前記クランプ回路を起動させるための出力クランプ信号を生成する請求項1に記載の集積回路。
- 前記電圧供給端子は、前記基板の前記電力制御ユニットに対して電力を供給する電力マネージャ集積回路である第2のパッケージの出力端子を具備する請求項1に記載の集積回路。
- 前記基板は、前記第2の端子及び前記特定の電力領域の前記電気的構成要素に結合された前記電気的トレースをさらに具備し、前記パッケージの前記金属化部分と平行な電気的トレースを介して前記電気的構成要素に電力を配電する請求項1に記載の集積回路。
- 前記スイッチは、前記複数の特定の電力領域の最大負荷の和よりも小さい最大単位負荷を供給するように構成される請求項1に記載の集積回路。
- 前記基板はさらに、前記電力制御ユニットに電力を供給する電力マネージャ集積回路を具備し、該電力マネージャ集積回路は前記電圧供給端子を前記スイッチの前記第1の端子に結合する請求項1に記載の集積回路。
- 前記電力マネージャ集積回路は前記基板内に配置される請求項12に記載の集積回路。
- 前記電力マネージャ集積回路は前記パッケージの一部である請求項12に記載の集積回路。
- 配電方法であって、
基板内に埋め込まれたスイッチの制御端子においてスイッチ起動信号を受信することであって、前記基板は、複数の領域を含み、前記スイッチは、前記複数の領域のうちの第1の領域に配置されることと、
前記スイッチ起動信号を受信することに応答して、電源電圧信号を前記基板の前記スイッチに結合されたパッケージの第1のパッケージ・基板接続部に供給することと、
前記複数の領域のうちの第2の領域において前記パッケージの前記第2のパッケージ・基板接続部から前記電源電圧信号を受信することと、を具備し、前記スイッチは並列された複数の独立したトランジスタを具備し、前記電源電圧信号を供給することはさらに、前記複数の独立したトランジスタを複数のクロックサイクルにわたって段階的に起動して、前記第1のパッケージ・基板接続部に供給されるランプ供給電圧を生成する、ここにおいて、前記電源電圧信号を供給することは、前記パッケージの金属化部分を介して前記電源電圧信号を供給するために前記スイッチの端子を前記第1のパッケージ・基板接続部に選択的に結合することを具備する、配電方法。 - ポータブルデバイスであって、
電源電圧端子に結合された第1の電力入力と、第1の電力出力と、前記第1の電力入力及び前記第1の電力出力を電気的に結合するための第1の金属化部分と、第2の電力入力と、第2の電力出力と、前記第2の電力入力及び前記第2の電力出力を電気的に結合するための第2の金属化部分と、を具備する集積回路パッケージと、
前記集積回路パッケージに電気的に及び物理的に結合された基板と、を具備し、前記基板は、複数の電気的に絶縁された電力領域を含み、
前記基板は、
前記第2の電力出力及び前記複数の電気的に絶縁された電力領域のうちの特定の電力領域に結合された電源入力端子と、スイッチとを具備し、該スイッチは、前記集積回路パッケージの前記第1の電力出力に結合された第1の端子と、制御端子と、前記集積回路パッケージの前記第2の電力入力に結合された第2の端子と、を含み、
前記スイッチは、前記集積回路パッケージの前記第2の金属化部分を介して前記特定の電力領域に選択的に電力を供給するように構成され、
前記スイッチは、並列された複数のトランジスタを具備し、前記複数のトランジスタは、段階的に起動されて前記第2の端子に対してランプ供給電圧を提供するポータブルデバイス。 - 電源電圧を提供するために前記電源電圧端子に結合された電力モジュール集積回路であって、前記電源電圧は電池によって提供される電力モジュール集積回路、をさらに具備する請求項16に記載のポータブルデバイス。
- 前記電源電圧端子は、前記基板の前記電力制御ユニットに対して電力を供給する電力マネージャ集積回路である第2の集積回路パッケージの出力ピンを具備する請求項16に記載のポータブルデバイス。
- 無線周波数信号を送信及び受信するための無線周波数トランシーバをさらに具備する請求項16に記載のポータブルデバイス。
- 集積回路デバイスであって、
基板パッケージの金属化部分を通じて電源電圧信号を供給するための入力端子と外部端子とを有するコントローラと、
共通の基板内に設けられ、前記コントローラから絶縁されたサブ領域内の電気的構成要素であって、前記基板パッケージの前記金属化部分を介して前記外部端子に接続される電気的構成要素と、
前記第1の入力端子及び前記外部端子に結合され、前記第1の入力端子を選択的に前記外部端子に結合するスイッチと、
を具備し、
前記スイッチは、並列された複数のトランジスタを具備し、前記複数のトランジスタは段階的に起動されて、前記外部の端子出力に対してランプ供給電圧を提供する集積回路デバイス。 - 前記コントローラは、前記スイッチを選択的に起動させるための論理をさらに具備する請求項20に記載の集積回路デバイス。
- 前記コントローラは、前記基板パッケージの前記金属化部分を通じて前記電気的構成要素に前記電源電圧信号を供給するのに好適する請求項20に記載の集積回路デバイス。
- 前記コントローラは、前記電気的構成要素を起動させるために前記基板パッケージの前記金属化部分を通じて前記電源電圧信号を供給するのに好適する請求項20に記載の集積回路デバイス。
- 前記基板パッケージは、バンプを介して前記共通の基板に物理的に及び電気的に結合される集積回路を具備する請求項20に記載の集積回路デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/431,790 | 2006-05-10 | ||
US11/431,790 US7902654B2 (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | System and method of silicon switched power delivery using a package |
PCT/US2007/068608 WO2007134135A2 (en) | 2006-05-10 | 2007-05-09 | System and method of silicon switched power delivery using a package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009536775A JP2009536775A (ja) | 2009-10-15 |
JP4950285B2 true JP4950285B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=38684352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009510163A Active JP4950285B2 (ja) | 2006-05-10 | 2007-05-09 | パッケージを用いたシリコン切り換え電力引き渡しのシステム及び方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7902654B2 (ja) |
EP (1) | EP2025060B1 (ja) |
JP (1) | JP4950285B2 (ja) |
KR (1) | KR101070564B1 (ja) |
CN (3) | CN101438496B (ja) |
ES (1) | ES2785055T3 (ja) |
HU (1) | HUE047514T2 (ja) |
WO (1) | WO2007134135A2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2006
- 2006-05-10 US US11/431,790 patent/US7902654B2/en active Active
-
2007
- 2007-04-23 CN CN2007800164404A patent/CN101438496B/zh active Active
- 2007-05-09 HU HUE07797397A patent/HUE047514T2/hu unknown
- 2007-05-09 KR KR1020087030113A patent/KR101070564B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-09 ES ES07797397T patent/ES2785055T3/es active Active
- 2007-05-09 CN CN201310309111.6A patent/CN103441756B/zh active Active
- 2007-05-09 CN CN2007800238535A patent/CN101479941B/zh active Active
- 2007-05-09 WO PCT/US2007/068608 patent/WO2007134135A2/en active Application Filing
- 2007-05-09 JP JP2009510163A patent/JP4950285B2/ja active Active
- 2007-05-09 EP EP07797397.2A patent/EP2025060B1/en active Active
-
2011
- 2011-01-14 US US13/006,709 patent/US8193630B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101438496A (zh) | 2009-05-20 |
ES2785055T3 (es) | 2020-10-05 |
US20070262438A1 (en) | 2007-11-15 |
CN103441756B (zh) | 2016-12-28 |
CN103441756A (zh) | 2013-12-11 |
US7902654B2 (en) | 2011-03-08 |
KR101070564B1 (ko) | 2011-10-05 |
WO2007134135A8 (en) | 2008-03-20 |
US8193630B2 (en) | 2012-06-05 |
CN101438496B (zh) | 2013-06-05 |
CN101479941A (zh) | 2009-07-08 |
EP2025060A2 (en) | 2009-02-18 |
CN101479941B (zh) | 2013-08-21 |
HUE047514T2 (hu) | 2020-04-28 |
EP2025060B1 (en) | 2020-01-22 |
WO2007134135A2 (en) | 2007-11-22 |
US20110111705A1 (en) | 2011-05-12 |
KR20090009316A (ko) | 2009-01-22 |
JP2009536775A (ja) | 2009-10-15 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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