JP4947618B2 - 電子部品用パッケージ - Google Patents
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Description
換言すると、側壁で囲繞される開口容器を形成し側壁端面にメタライズ層を有するセラミックベースと額縁状周辺部に共晶合金めっき層を設けた金属リッドとを具備し、前記ベースのメタライズ層に前記リッドの共晶合金めっき層を溶融したろう接材により前記ベースと前記リッドを気密封着する電子部品用パッケージにおいて、前記リッドおよび前記ベースの少なくとも一方の周辺に沿って設けた突起部分、または前記ベースの側壁端面側と前記リッドのめっき側との間に配置したスペーサにより、前記ベースと前記リッドの間に微小隙間を形成し、この微小隙間部分に加熱溶融状態の前記ろう接材を流入充填して前記ベースとリッドを固着したことを特徴とする電子部品用パッケージである。ここで、前記共晶合金めっき層はAu−Sn合金からなり、前記ろう接材はAu−Sn合金の加熱溶融固着体であり、前記微小隙間部分に前記Au−Sn合金を液相温度以上に加熱して所定量が流入充填される。さらに、Au−Sn合金めっき層の溶融固着体であるろう接材は、隙間形成手段が形成した微小空間に合金液相温度で溶融して所定量が流入充填され、セラミックベースと金属リッドとを気密封着する。金属リッドとセラミックベースの接合端面との間に微小空間または所定幅のスペースギャップを形成する隙間形成手段は、微小隙間に溶融して浸入させるろう接材を量的に規制して気密封着する電子部品用パッケージを提供する。隙間形成手段は金属リッドまたはセラミックベースの少なくとも一方の周辺に沿って形成した突起・凸部、あるいは、セラミックベースの側壁端面部と金属リッドの周辺部分との間に配置したスペーサであり、ろう接材となる共晶合金めっき層はAu−Sn合金めっき層の溶融固着体であり、隙間形成手段が形成する微小空間に所定量のAu−Sn合金めっき層が溶融状態になった時に毛管現象で充填される。この場合、共晶合金の組成変動に拘わらず合金液相温度で溶融封着し、セラミックベースと金属リッドとの接合強度と寸法精度を満足する電子部品用パッケージを開示する。
13…金属リッド、 14…容器、 15…側壁、 16…接合エリア、
17…逃げエリア、 18…メタライズ層、 20…シール部、
22…共晶合金めっき層、 23…微小空間、 25…溶融体(液相共晶組成分)、
26…ろう接材、 27…濃縮部(固相共晶組成分)、 30…突起、
31…凸部、 32…スペーサ。
Claims (2)
- 側壁で囲繞される開口容器の側壁端面にメタライズ層を設けたセラミックベースと、額縁状周辺部に共晶合金めっき層を設けた金属リッドとを具備し、前記ベースと前記リッドを前記メタライズ層に前記共晶合金めっき層を溶融したろう接材により気密封着した電子部品用パッケージにおいて、前記側壁端面の内側部分に接合エリアおよびその外側部分に切り込み段差の逃げエリアを形成した隙間形成手段を前記リッドおよび前記ベースの間に設け、前記接合エリアと前記段差部の表面にメタライズ層が形成され、前記隙間形成手段は、金属リッドに設けた突起、セラミックベースの側壁の端面に設けた凸部、またはスペーサのいづれかで形成し、前記ろう接材は、前記共晶合金めっき層を溶融した際に、共晶組成のろう接材が前記接合エリアの微小隙間部分に充填され、共晶組成からずれたろう接材が前記逃げエリアに充填されたことを特徴とする電子部品用パッケージ。
- 側壁で囲繞される開口容器の側壁端面にメタライズ層を有するセラミックベースと、額縁状周辺部にAu−Sn共晶合金めっき層を設けた前記開口容器を閉止する金属リッドとを具備するパッケージであって、前記セラミックベースと前記金属リッドとの間に、前記側壁端面の内側部分に微小空間を形成する接合エリア、その外側部分に切り込み段差の逃げエリアを有する隙間形成手段を設け、前記接合エリアと前記段差部の表面にメタライズ層が形成され、前記Au−Sn共晶合金めっき層を溶融した際に、Au−Sn共晶組成のろう接材が前記接合エリアの微小隙間部分に充填され、Au−Sn共晶組成からずれたろう接材が前記逃げエリアに充填され、ろう接材の厚みを規制して、前記セラミックベースと前記金属リッドとを気密封着したことを特徴とする電子部品用パッケージ。
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