JP4945391B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
図1はこの発明の第1の実施形態に係る熱処理装置の一例を概略的に示す断面図である。
図6に示す測定結果に示すように、第1の実施形態は、直径300mmのシリコンウエハを約624℃という高い温度に加熱した場合であっても、温度差を3℃以内とすることができた。これは、充分に満足のいく結果である。
Claims (7)
- 基底部を有し、被処理基板を収容するチャンバと、
前記基底部の中央領域に接続された、前記被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記基底部の中央領域の周縁上方に配置され、前記基底部とは反対側の上端部に支持面と、パージガスを吐出するパージガス吐出部とを備える筒状の支持部材と、
縁部を有し、この縁部が前記支持面上に配置される、前記被処理基板を載置する載置台と、
押さえ面を有し、この押さえ面を前記支持面と対向させ、この支持面と前記押さえ面との間に前記載置台の縁部を挟むことで前記載置台の縁部を押さえる押さえ部材と、を備え、
前記押さえ部材の押さえ面が前記載置台の縁部を部分的に押さえるように構成され、かつ、前記パージガス吐出部が前記載置台の縁部から離れた位置に形成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 基底部を有し、被処理基板を収容するチャンバと、
前記基底部の中央領域に接続された、前記被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記基底部の中央領域の周縁上方に配置され、前記基底部とは反対側の上端部に支持面と、パージガスを吐出するパージガス吐出部とを備える筒状の支持部材と、
縁部を有し、この縁部が前記支持面上に配置される、前記被処理基板を載置する載置台と、
押さえ面を有し、この押さえ面を前記支持面と対向させ、この支持面と前記押さえ面との間に前記載置台の縁部を挟むことで前記載置台の縁部を押さえる押さえ部材と、を備え、
前記パージガス吐出部が前記載置台の縁部から離れた位置に形成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 前記支持部材の支持面が前記載置台の縁部を部分的に支持するように構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の熱処理装置。
- 前記載置台の縁部と前記支持部材との間に、ロケーティングピンを備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 前記被処理基板の大きさは前記載置台よりも小さく、
前記被処理基板を熱処理する時、前記載置台のうち、前記被処理基板から外れている箇所の温度を、前記載置台の中心の温度よりも高くすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 前記被処理基板は半導体ウエハであり、
前記半導体ウエハの直径が300mm以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 前記被処理基板は半導体ウエハであり、
前記熱処理装置は、前記半導体ウエハに、ポリシリコン、SiO2、W、WSi、Ti、TiN、及びTiSiのいずれかの膜を成膜することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の熱処理装置。
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