JP4943588B2 - 表示駆動回路 - Google Patents
表示駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4943588B2 JP4943588B2 JP2001098053A JP2001098053A JP4943588B2 JP 4943588 B2 JP4943588 B2 JP 4943588B2 JP 2001098053 A JP2001098053 A JP 2001098053A JP 2001098053 A JP2001098053 A JP 2001098053A JP 4943588 B2 JP4943588 B2 JP 4943588B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- signal
- input
- write
- dcram
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Digital Computer Display Output (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示データをメモリに格納する表示駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図17は、従来の表示駆動回路のブロック図である。CCBインターフェイス回路10は、CCBアドレス一致の検出を行い、コントローラから転送されたシリアルデータを次段のシフトレジスタ12に入力する。CCBインターフェイス回路10の構成は、図2に示してある。シフトレジスタ12は、コントローラから転送されたシリアルデータを一時的に保持する。このシフトレジスタ12の構成は、図18に示してある。データレジスタ14は、一つのシリアルデータの転送が終了した時点で、シフトレジスタ12に一時的に保持されているシリアルデータを改めて保持する。データレジスタ14についても図18に示してある。インストラクションデコーダ16は、シリアルデータ入力時のCE信号の立ち上り/立ち下り動作により、パルス信号を発生し、且つ、シリアルデータの内容に基づいて、各インストラクション信号を発生する。インストラクションデコーダ16の構成は図19に示してある。インクリメントデコーダ18は、インストラクションデコーダ16の各出力信号、及びシリアルデータの内容に基づいて、各データ書込みモードを設定し、その書込みモードに応じて各パルス信号を発生する。インクリメントデコーダ18の構成は図20に示してある。データ書き込み信号発生回路20は、インクリメントデコーダ18の各パルス信号により、データ書込みイネーブル信号を発生する。データ書込み信号発生回路20の構成は、図21に示してある。シリアルデータカウンタ22は、シリアルデータの転送ビット数により、シリアルデータカウント信号を発生する。シリアルデータカウンタ22の構成は、図22に示してある。表示データ書き込み用アドレスカウンタ24は、インクリメントデコーダ18の各パルス信号により、DCRAMデータ書込み用アドレス、またはADRAMデータ書込み用アドレスを発生する。表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の構成は図24に示してある。
【0003】
書き込みデータ選択回路26は、シリアルデータカウンタ22のシリアルデータカウント信号により、DCRAM28、またはADRAM30に書込むデータを選択する。書き込みデータ選択回路26の構成は図25に示してある。
【0004】
CGROM32、CGRAM34にはキャラクタフォントデータが格納されており、このキャラクタフォントデータに対応する文字コードがDCRAM28に格納される。このDCRAM28の構成は図10に示してある。また、キャラクタフォント表示以外の表示を行うための表示データはADRAM30に格納されている。ADRAM30の構成は図11に示してある。そして、DCRAM28に格納しているキャラクタフォントの文字コードに基づいてCGROM32、CGRAM34からキャラクタフォントデータが発生する。
【0005】
セグメントレジスタ36は、CGROM32、CGRAM34、ADRAM30のデータを特定のタイミングで順次保持する。セグメントドライバ38は、セグメントレジスタ36のデータに基づいてセグメント信号を発生し、表示器の分割電極にそのセグメント信号を入力する。コモンドライバ40は、セグメント信号と同期を取り、表示器の共通電極に入力するコモン信号を発生する。また、タイミング信号発生回路42は、各ブロックの動作、及び各ブロック間の同期を取るために必要なタイミング信号を発生する。さらに、表示データ読み取り用アドレスカウンタ44は、タイミング信号発生回路42からのタイミング信号に応じてDCRAM28、ADRAM30の読み出しアドレスを指定する。
【0006】
従来の表示駆動回路は、このような構成を有しており、これによってDCRAM28へのデータ書込み、またはADRAM30へのデータ書込みを、以下に示す2つの方法にて行うことができる。
【0007】
「DCRAMデータ書込み」(方法1:ノーマルモード)この方法1:ノーマルモードでは、DCRAMデータ書込みのインストラクションを実行する毎にDCRAMアドレスを指定し、DCRAMデータ書込みを行う(図26)。
【0008】
(1)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。
【0009】
また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0010】
(2)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q120〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q120〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D120〜D143データとして保持される。ところで、D120〜D127データ(Q120〜Q127データ)は、DCRAMデータMDa、D128〜D133データ(Q128〜Q133データ)は、DCRAMアドレスMAn、Q139データはインクリメントモード設定データ(ノーマルモードのDCRAMデータ書込みであるため「0」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(DCRAMデータ書込みであるため「0,0,0,1」が設定されている)である(図18)。
【0011】
(3)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,0,1」であるため、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCKも同時に発生する(図19)。
【0012】
(4)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は24ビットであるため、C24信号が「H」となる(図22)。
【0013】
(5)データQ139=「0」、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、WDCK信号に同期してDQ4信号を「L」の状態に設定する。また、同時にDCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCKが出力される(図20)。
【0014】
(6)DCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCK、データQ128〜Q133(DCRAMアドレスMAn)は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、DCWRA0〜DCWRA5データとして保持される(図24)。
【0015】
(7)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、DCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してDCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0016】
(8)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか8ビットのデータがデータDT0〜DT7として出力される。尚、今回はDC024信号が「H」であるため、データDT0〜DT7には、レジスタデータD120〜D127が出力される(図25)。
【0017】
(9)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データDCWRA0〜DCWRA5(MAn)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT7(MDa)は、DCRAM28に入力される。その後、データDCWRA0〜DCWRA5(MAn)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT7(MDa)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCDT0〜DCDT7データライン上に出力される。さらに、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENとタイミング信号CP4がAND回路に入力され、DCRAMデータ書込み信号DCWEを発生する。これにより、DCRAM28のアドレスMAnにデータMDaが書込まれる(図10)。
【0018】
(10)(1)〜(9)の動作を繰り返すことにより、DCRAMデータ書込みが行われる。
【0019】
「方法2:ノーマルインクリメントモード」方法2のノーマルインクリメントモードでは、DCRAMデータ書込みのインストラクションを実行する毎に、DCRAMアドレスを自動的に「+1」し、DCRAMデータ書込みを行う(図27)。
【0020】
(1)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。
【0021】
また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0022】
(2)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q120〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q120〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D120〜D143データとして保持される。ところで、D120〜D127データ(Q120〜Q127データ)は、DCRAMデータMDa、D128〜D133データ(Q128〜Q133データ)は、DCRAMアドレスMAn、Q139データはインクリメントモード設定データ(ノーマルインクリメントモードのDCRAMデータ書込みであるため「1」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(DCRAMデータ書込みであるため「0,0,0,1」が設定されている)である(図18)。
【0023】
(3)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,0,1」であるため、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCKも同時に発生する(図19)。
【0024】
(4)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は24ビットであるため、C24信号が「H」となる(図22)。
【0025】
(5)データQ139=「1」、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、WDCK信号に同期してDQ4信号を「H」の状態に設定する。また、同時にDCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCKが出力される(図20)。
【0026】
(6)DCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCK、データQ128〜Q133(DCRAMアドレスMAn)は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、DCWRA0〜DCWRA5データとして保持される(図24)。
【0027】
(7)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、DCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してDCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0028】
(8)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか8ビットのデータがデータDT0〜DT7として出力される。尚、今回はDC024信号が「H」であるため、データDT0〜DT7には、レジスタデータD120〜D127(MDa)が出力される(図25)。
【0029】
(9)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データDCWRA0〜DCWRA5(MAn)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT7(MDa)は、DCRAM28に入力される。その後、データDCWRA0〜DCWRA5(MAn)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT7(MDa)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCDT0〜DCDT7データライン上に出力される。さらに、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENとタイミング信号CP4はAND回路に入力され、DCRAMデータ書込み信号DCWEを発生する。これにより、DCRAM28のアドレスMAnにデータMDaが書込まれる(図10)。
【0030】
(10)(1)〜(9)のDCRAMデータ書込み動作が終了すると、再び、CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0031】
(11)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q136〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q136〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D136〜D143データとして保持される。ところで、D136〜D143データ(Q136〜Q143データ)は、DCRAMデータMDbである(図18)。
【0032】
(12)シリアルデータ入力イネーブル信号DIENB信号は、インストラクションデコーダ16にも入力されており、図27の様に「L」から「H」へと変化すると、パルス信号IMCKが発生する(図19)。
【0033】
(13)パルス信号IMCKは、インクリメントデコーダ18に入力され、DQ4信号が「H」であるため、DQ5信号が「H」に設定される(図20)。
【0034】
(14)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する(図19)。
【0035】
(15)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は8ビットであるため、C08信号が「H」となる(図22)。
【0036】
(16)パルス信号LCK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、DQ5信号が「H」、C08信号が「H」であるため、DCRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WDNIMCKが出力される(図20)。
【0037】
(17)DCRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WDNIMCKは、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、DCWRA0〜DCWRA5データ(MAn)を「+1」する(図24)。
【0038】
(18)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、DCRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WDNIMCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してDCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0039】
(19)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか8ビットのデータがデータDT0〜DT7として出力される。尚、今回はDC008信号が「H」であるため、データDT0〜DT7には、レジスタデータD136〜D143(MDb)が出力される(図25)。
【0040】
(20)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データDCWRA0〜DCWRA5(MAn+1)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT7(MDb)は、DCRAM28に入力される。
【0041】
その後、データDCWRA0〜DCWRA5(MAn+1)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。
【0042】
また、データDT0〜DT7(MDb)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCDT0〜DCDT7データライン上に出力される。さらに、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENとタイミング信号CP4はAND回路に入力され、DCRAMデータ書込み信号DCWEを発生する。これにより、DCRAM28のアドレスMAn+1にデータMDbが書込まれる(10)。
【0043】
(21)(10)〜(20)の動作をm回繰り返すことにより、DCRAMデータ書込みが行われる。尚、このノーマルインクリメントモードによるDCRAMデータ書込み動作の終了は、(22)以降の動作にて行われる。
【0044】
(22)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0045】
(23)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q128〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q128〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D128〜D143データとして保持される。ところで、D128〜D135データ(Q128〜Q135データ)は、DCRAMデータMDz、Q139データはインクリメントモード設定データ(ノーマルインクリメントモードのDCRAMデータ書込み終了となるため「0」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(DCRAMデータ書込みであるため「0,0,0,1」が設定されている)である(図18)。
【0046】
(24)シリアルデータ入力イネーブル信号DIENB信号は、インストラクションデコーダ16にも入力されており、図27の様に「L」から「H」へと変化すると、パルス信号IMCKが発生する(図19)。
【0047】
(25)パルス信号IMCKは、インクリメントデコーダ18に入力され、DQ4信号が「H」であるため、DQ5信号が「H」に設定される(図20)。
【0048】
(26)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,0,1」であるため、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCKも同時に発生する(図19)。
【0049】
(27)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は16ビットであるため、C16信号が「H」となる(図22)。
【0050】
(28)データQ139=「0」、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、WDCK信号に同期してDQ4信号を「L」の状態に設定する。また、同時に、DQ5信号が「H」、C16信号が「H」であるためDCRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WDNIMCKが出力される(図20)。
【0051】
(29)DCRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WDNIMCKは、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、DCWRA0〜DCWRA5データ(MAn+m)を「+1」する(図24)。
【0052】
(30)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、DCRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WDNIMCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してDCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0053】
(31)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか8ビットのデータがデータDT0〜DT7として出力される。尚、今回はDC016信号が「H」であるため、データDT0〜DT7には、レジスタデータD128〜D135(MDz)が出力される(図25)。
【0054】
(32)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データDCWRA0〜DCWRA5(MAn+m+1)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT7(MDz)は、DCRAM28に入力される。
【0055】
その後、データDCWRA0〜DCWRA5(MAn+m+1)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。
【0056】
また、データDT0〜DT7(MDz)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCDT0〜DCDT7データライン上に出力される。さらに、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENとタイミング信号CP4はAND回路に入力され、DCRAMデータ書込み信号DCWEを発生する。これにより、DCRAM28のアドレスMAn+m+1にデータMDzが書込まれる(図10)。
【0057】
「ADRAMデータ書込み」(方法1:ノーマルモード)ADRAMデータ書き込みについての方法1:ノーマルモードでは、ADRAMデータ書込みのインストラクションを実行する毎にADRAMアドレスを指定し、ADRAMデータ書込みを行う(図28)。
【0058】
(1)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。
【0059】
また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0060】
(2)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q120〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q120〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D120〜D143データとして保持される。ところで、D120〜D124データ(Q120〜Q124データ)は、ADRAMデータADa、D128〜D131データ(Q128〜Q131データ)は、ADRAMアドレスAAn、Q139データはインクリメントモード設定データ(ノーマルモードのADRAMデータ書込みであるため「0」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(ADRAMデータ書込みであるため「0,0,1,0」が設定されている)である(図18)。
【0061】
(3)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,1,0」であるため、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACKも同時に発生する(19)。
【0062】
(4)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は24ビットであるため、C24信号が「H」となる(図22)。
【0063】
(5)データQ139=「0」、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、WACK信号に同期してAQ4信号を「L」の状態に設定する。また、同時にADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCKが出力される(図20)。
【0064】
(6)ADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCK、データQ128〜Q131(ADRAMアドレスAAn)は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、ADWRA0〜ADWRA3データとして保持される(図24)。
【0065】
(7)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、ADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0066】
(8)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか5ビットのデータがデータDT0〜DT4として出力される。尚、今回はDC024信号が「H」であるため、データDT0〜DT4には、レジスタデータD120〜D124が出力される(図25)。
【0067】
(9)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データADWRA0〜ADWRA3(AAn)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT4(ADa)は、ADRAM30に入力される。その後、データADWRA0〜ADWRA3(AAn)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT4(ADa)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADDT0〜ADDT4データライン上に出力される。さらに、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENとタイミング信号CP2がAND回路に入力され、ADRAMデータ書込み信号ADWEを発生する。これにより、ADRAM30のアドレスAAnにデータADaが書込まれる(図11)。
【0068】
(10)(1)〜(9)の動作を繰り返すことにより、ADRAMデータ書込みが行われる。
【0069】
(方法2:ノーマルインクリメントモード)方法2:ノーマルインクリメントモードでは、ADRAMデータ書込みのインストラクションを実行する毎に、ADRAMアドレスを自動的に「+1」し、ADRAMデータ書込みを行う(図29)。
【0070】
(1)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0071】
(2)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q120〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q120〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D120〜D143データとして保持される。ところで、D120〜D124データ(Q120〜Q124データ)は、ADRAMデータADa、D128〜D131データ(Q128〜Q131データ)は、ADRAMアドレスAAn、Q139データはインクリメントモード設定データ(ノーマルインクリメントモードのADRAMデータ書込みであるため「1」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(ADRAMデータ書込みであるため「0,0,1,0」が設定されている)である(図18)。
【0072】
(3)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,1,0」であるため、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACKも同時に発生する(図19)。
【0073】
(4)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は24ビットであるため、C24信号が「H」となる(図22)。
【0074】
(5)データQ139=「1」、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、WACK信号に同期してAQ4信号を「H」の状態に設定する。また、同時にADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCKが出力される(図20)。
【0075】
(6)ADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCK、データQ128〜Q131(ADRAMアドレスAAn)は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、ADWRA0〜ADWRA3データとして保持される(図24)。
【0076】
(7)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、ADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENを「H」にする(図21)、(図22) 。
【0077】
(8)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか5ビットのデータがデータDT0〜DT4として出力される。尚、今回はDC024信号が「H」であるため、データDT0〜DT4には、レジスタデータD120〜D124(ADa)が出力される(図25)。
【0078】
(9)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データADWRA0〜ADWRA3(AAn)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT4(ADa)は、ADRAM30に入力される。その後、データADWRA0〜ADWRA3(AAn)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT4(ADa)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADDT0〜ADDT4データライン上に出力される。さらに、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENとタイミング信号CP2はAND回路に入力され、ADRAMデータ書込み信号ADWEを発生する。これにより、ADRAM30のアドレスAAnにデータADaが書込まれる(図11)。
【0079】
(10)(1)〜(9)のADRAMデータ書込み動作が終了すると、再び、CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0080】
(11)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q136〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q136〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D136〜D143データとして保持される。ところで、D136〜D140データ(Q136〜Q140データ)は、ADRAMデータADbである(図18)。
【0081】
(12)シリアルデータ入力イネーブル信号DIENB信号は、インストラクションデコーダ16にも入力されており、図29の様に「L」から「H」へと変化すると、パルス信号IMCKが発生する(図19)。
【0082】
(13)パルス信号IMCKは、インクリメントデコーダ18に入力され、AQ4信号が「H」であるため、AQ5信号が「H」に設定される(図20)。
【0083】
(14)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する(図19)。
【0084】
(15)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は8ビットであるため、C08信号が「H」となる(図22)。
【0085】
(16)パルス信号LCK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、AQ5信号が「H」、C08信号が「H」であるため、ADRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WANIMCKが出力される(図20)。
【0086】
(17)ADRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WANIMCKは、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、ADWRA0〜ADWRA3データ(An)を「+1」する(図24)。
【0087】
(18)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、ADRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WANIMCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0088】
(19)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか5ビットのデータがデータDT0〜DT4として出力される。尚、今回はDC008信号が「H」であるため、データDT0〜DT4には、レジスタデータD136〜D140(ADb)が出力される(図25)。
【0089】
(20)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データADWRA0〜ADWRA3(AAn+1)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT4(ADb)は、ADRAM30に入力される。
【0090】
その後、データADWRA0〜ADWRA3(AAn+1)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT4(ADb)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADDT0〜ADDT4データライン上に出力される。さらに、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENとタイミング信号CP2はAND回路に入力され、ADRAMデータ書込み信号ADWEを発生する。これにより、ADRAM30のアドレスAAn+1にデータADbが書込まれる(図11)。
【0091】
(21)(10)〜(20)の動作をm回繰り返すことにより、ADRAMデータ書込みが行われる。尚、このノーマルインクリメントモードによるADRAMデータ書込み動作の終了は、(22)以降の動作にて行われる。
【0092】
(22)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。
【0093】
また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0094】
(23)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q128〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q128〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D128〜D143データとして保持される。ところで、D128〜D132データ(Q128〜Q132データ)は、ADRAMデータADz、Q139データはインクリメントモード設定データ(ノーマルインクリメントモードのADRAMデータ書込み終了となるため「0」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(ADRAMデータ書込みであるため「0,0,1,0」が設定されている)である(図18)。
【0095】
(24)シリアルデータ入力イネーブル信号DIENB信号は、インストラクションデコーダ16にも入力されており、図29の様に「L」から「H」へと変化すると、パルス信号IMCKが発生する(図19)。
【0096】
(25)パルス信号IMCKは、インクリメントデコーダ18に入力され、AQ4信号が「H」であるため、AQ5信号が「H」に設定される(図20)。
【0097】
(26)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,1,0」であるため、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACKも同時に発生する(図19)。
【0098】
(27)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図23の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は16ビットであるため、C16信号が「H」となる(図22)。
【0099】
(28)データQ139=「0」、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24は、インクリメントデコーダ18に入力され、WACK信号に同期してAQ4信号を「L」の状態に設定する。また、同時に、AQ5信号が「H」、C16信号が「H」であるためADRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WANIMCKが出力される(図20)。
【0100】
(29)ADRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WANIMCKは、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、ADWRA0〜ADWRA3データ(AAn+m)を「+1」する(図24)。
【0101】
(30)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタレジスタ1Bの出力信号DC008、DC016、DC024(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図23の様に設定する。また、ADRAMデータ書込みノーマルインクリメントパルス信号WANIMCKはデータ書込み信号発生回路に入力され、タイミング信号CP1に同期してADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENを「H」にする(図21)、(図22)。
【0102】
(31)レジスタデータD120〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024の出力状態に応じて、レジスタデータD120〜D143の内、何れか5ビットのデータがデータDT0〜DT4として出力される。尚、今回はDC016信号が「H」であるため、データDT0〜DT4には、レジスタデータD128〜D132(ADz)が出力される(図25)。
【0103】
(32)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データADWRA0〜ADWRA3(AAn+m+1)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT4(ADz)は、ADRAM30に入力される。
【0104】
その後、データADWRA0〜ADWRA3(AAn+m+1)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。
【0105】
また、データDT0〜DT4(ADz)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADDT0〜ADDT4データライン上に出力される。さらに、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENとタイミング信号CP2はAND回路に入力され、ADRAMデータ書込み信号ADWEを発生する。これにより、ADRAM30のアドレスAAn+m+1にデータADzが書込まれる(図11)。
【0106】
以上の通り、DCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みを実行する場合は、上述の2つの方法(ノーマルモード、ノーマルインクリメントモード)にて実行することができる。特に、ノーマルインクリメントモードによるDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みは、初回のシリアルデータ転送以外、DCRAMアドレス、ADRAMアドレスのシリアルデータ転送が不要であるため、シリアルデータの転送ビット数を大幅に削減でき、マイコンのデータ処理負担を軽減するには、大変有効な方法である。
【0107】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のデータ書込み方法は、1桁分のDCRAMデータ(8ビット)、1桁分のADRAMデータ(5ビット)を書込む毎に、CE信号を「L」、「H」に設定する必要があるため、DCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みが頻繁に行われる場合(表示が多彩に変化する場合等)には、CE信号を制御しているマイコンの出力ポートの状態設定が頻繁に必要となり、マイコンの出力ポート制御に関する負担を増加するという問題があった。
【0108】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、外部から供給される選択信号(例えばCE信号)の状態を一定に維持したまま、複数の表示データを前記メモリに書き込むことができる表示駆動回路を提供することを目的とする。
【0109】
【課題を解決するための手段】
本発明は、シリアル形式の表示データを受信するデータ端子と、このデータ端子が表示データを受信するものとして外部から選択されていることを示す選択信号を受信する選択端子と、前記表示データに同期した転送用のクロック信号を受信するクロック端子とを有する表示駆動回路において、前記データ端子からシリアル形式で連続転送されてくる複数の表示データを記憶するシフトレジスタと、前記クロック信号をカウントしたカウント値に応じて、前記シフトレジスタに記憶された複数の表示データの中から1つの表示データを順次選択して出力する書き込みデータ選択回路と、前記書き込みデータ選択回路からの出力を所定のアドレスに記憶するメモリと、前記クロック信号をカウントしたカウント値に応じて、前記メモリへの書き込みアドレスを発生するアドレスカウンタと、を備え、前記選択信号が一定に維持されている状態で、前記複数の表示データを連続して、前記シフトレジスタに記憶することを特徴とする。
【0110】
このように、本発明では、メモリに表示データを書き込む場合、一度に複数の表示データを書込むことができる。このため、表示を頻繁に変更するために、データ書込みを頻繁に行う場合においても、外部とのインターフェイス信号である選択信号(例えばCE信号)を頻繁に状態設定する必要がなくなり、選択信号を出力する装置であるマイコンの出力ポートの制御負担を軽減することができる。
【0111】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施例の構成を示すブロック図であり、CCBアドレス一致の検出を行い、コントローラから転送されたシリアルデータを次段のシフトレジスタ12に入力するCCBインターフェイス回路10(図2)、コントローラから転送されたシリアルデータを一時的に保持するシフトレジスタ12(図3)、一つのシリアルデータの転送が終了した時点で、シフトレジスタ12に一時的に保持されているシリアルデータを改めて保持するデータレジスタ14(図3)、シリアルデータ入力時のCE信号の立ち上り/立ち下り動作により、パルス信号を発生し、且つ、シリアルデータの内容に基づいて、各インストラクション信号を発生するインストラクションデコーダ16(図4)、インストラクションデコーダ16の各出力信号、及び、シリアルデータの内容に基づいて、各データ書込みモードを設定し、その書込みモードに応じて各イネーブル信号、各パルス信号を発生するインクリメントデコーダ18(図5)、シリアルデータの転送ビット数をカウントし、そのカウントした転送ビット数と、インクリメントデコーダ18の各イネーブル信号、各パルス信号により、シリアルデータカウント信号、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24のアップシフトイネーブル信号、データ書込みイネーブル信号を発生するシリアルデータカウンタ22(図6)、インクリメントデコーダ18の各イネーブル信号、各パルス信号、及びシリアルデータカウンタ22のアップシフトイネーブル信号により、DCRAMデータ書込み用アドレス、または、ADRAMデータ書込み用アドレスを発生する表示データ書き込み用アドレスカウンタ24(図8)、シリアルデータカウンタ22のシリアルデータカウント信号により、DCRAM28、または、ADRAM30に書込むデータを選択する書き込みデータ選択回路26(図9)、CGROM32/CGRAM34に格納しているキャラクタフォントデータに対応する文字コードを格納するDCRAM28(図10)、キャラクタフォント表示以外の表示を行うための表示データを格納するADRAM30(図11)、DCRAM28に格納しているキャラクタフォントの文字コードに基づいてキャラクタフォントデータを発生するCGROM32/CGRAM34、CGROM32/CGRAM34/ADRAM30のデータを特定のタイミングで順次保持するセグメントレジスタ36、このセグメントレジスタ36のデータに基づいてセグメント信号を発生し、表示器の分割電極にそのセグメント信号を入力するセグメントドライバ38、セグメント信号と同期を取り、表示器の共通電極に入力するコモン信号を発生するコモンドライバ40、各ブロックの動作、及び各ブロック間の同期を取るために必要なタイミング信号を発生するタイミング信号発生回路42により構成されている。さらに、表示データ読み取り用アドレスカウンタ44は、タイミング信号発生回路42からのタイミング信号に応じてDCRAM28、ADRAM30の読み出しアドレスを指定する。
【0112】
この図1の表示駆動回路を用いてDCRAMデータ書込み、または、ADRAMデータ書込みを行うと、以下に示す方法にて行うことができる。
【0113】
「DCRAMデータ書込み」
(方法3:スーパーインクリメントモード)
この方法3:スーパーインクリメントモーでは、一度に複数のDCRAMデータ書込みを行う(図15)。
【0114】
(1)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。
【0115】
また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0116】
(2)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q0〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q0〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D0〜D143データとして保持される。ところで、D0〜D7データ(Q0〜Q7データ)は、DCRAMデータMDa、D8〜D15データ(Q8〜Q15データ)は、DCRAMデータMDb、D16〜D23データ(Q16〜Q23データ)は、DCRAMデータMDc、D24〜D31データ(Q24〜Q31データ)は、DCRAMデータMDd、D32〜D39データ(Q32〜Q39データ)は、DCRAMデータMDe、D40〜D47データ(Q40〜Q47データ)は、DCRAMデータMDf、D48〜D55データ(Q48〜Q55データ)は、DCRAMデータMDg、D56〜D63データ(Q56〜Q63データ)は、DCRAMデータMDh、D64〜D71データ(Q64〜Q71データ)は、DCRAMデータMDi、D72〜D79データ(Q72〜Q79データ)は、DCRAMデータMDj、D80〜D87データ(Q80〜Q87データ)は、DCRAMデータMDk、D88〜D95データ(Q88〜Q95データ)は、DCRAMデータMDl、D96〜D103データ(Q96〜Q103データ)は、DCRAMデータMDm、D104〜D111データ(Q104〜Q111データ)は、DCRAMデータMDn、D112〜D119データ(Q112〜Q119データ)は、DCRAMデータMDo、D120〜D127データ(Q120〜Q127データ)は、DCRAMデータMDp、D128〜D133データ(Q128〜Q133データ)は、DCRAMアドレスMAn、Q138、Q139データはインクリメントモード設定データ(スーパーインクリメントモードのDCRAMデータ書込みであるためQ138=「1」、Q139=「0」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(DCRAMデータ書込みであるため「0,0,0,1」が設定されている)である(図3)。
【0117】
(3)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,0,1」であるため、DCRAMデータ書込みモード信号WDM、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCKも同時に発生する(図4)。
【0118】
(4)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24UP(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図7の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は144ビットであるため、C24UP信号が「H」となる(図6)。
【0119】
(5)データQ138=「1」、Q139=「0」、DCRAMデータ書込みモード信号WDM、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCK、シリアルデータカウント1出力信号C08、C16、C24UPは、インクリメントデコーダ18に入力される。
【0120】
これにより、DQ1信号が「H」、DQ2信号が「L」に設定されるため、DCRAMデータ書込みスーパーインクリメントモードイネーブル信号WDSIMENが「H」に設定される。また、同時にDCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCKも出力される(図5)。
【0121】
(6)DCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCK、データQ128〜Q133(DCRAMアドレスMAn)は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、DCWRA0〜DCWRA5データとして保持される(図8)。
【0122】
(7)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22のシリアルデータカウンタ2Aに入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタデコーダ2Aの出力信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図7の様に設定する。また、DCRAMデータ書込みノーマルパルス信号WDNRCKもシリアルデータカウンタ22のDCRAMデータ書込み信号発生回路に入力されており、タイミング信号CP1に同期してDCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENを「H」にする(図6)。
【0123】
(8)レジスタデータD0〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144の出力状態に応じて、レジスタデータD0〜D143の内、何れか8ビットのデータがデータDT0〜DT7として出力される。尚、今回はDC144信号が「H」であるため、データDT0〜DT7には、レジスタデータD0〜D7(MDa)が出力される(図9)。
【0124】
(9)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データDCWRA0〜DCWRA5(MAn)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT7(MDa)は、DCRAM28に入力される。その後、データDCWRA0〜DCWRA5(MAn)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT7(MDa)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCDT0〜DCDT7データライン上に出力される。さらに、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENとタイミング信号CP4はAND回路に入力され、DCRAMデータ書込み信号DCWEを発生する。これにより、DCRAM28のアドレスMAnにデータMDaが書込まれる(図10)。
【0125】
(10)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENは、シリアルデータカウンタ22内のOR回路、AND回路を介してDFF1のクロック信号Cにも入力されており、今回シリアルデータの転送ビット数が144ビットであるため、シリアルデータカウンタ2Aの出力データが図7の通りとなり、DFF1の出力信号WEQ1がタイミング信号CP3に同期して「H」に設定される(図6)。
【0126】
(11)シリアルデータカウンタ22のDFF1の出力信号WEQ1が「H」に設定されると、シリアルデータカウンタ2Aに接続されているAND回路から、タイミング信号CP1に同期したSDCP1信号が出力され、シリアルデータカウンタ2Aの出力データSD0〜SD4が「−1」減算される。つまり、シリアルデータカウンタ2Aのダウンシフト動作により、SD0〜SD4データの値が「0,1,0,0,1」から「1,0,0,0,1」となり、シリアルデータカウンタデコーダ2Aの出力信号DC136が「H」となる。また、同時にDFF2の出力信号WEQ2が同タイミング信号CP1に同期して「H」に設定される。ところで、(5)の動作によりDCRAMデータ書込みスーパーインクリメントモードイネーブル信号WDSIMENは「H」の状態であるため、WDEN信号も「H」の状態を維持する(図6)。
【0127】
(12)シリアルデータカウンタ22のDFF1の出力信号WEQ1は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24にも入力されており、また、(5)の動作によりDCRAMデータ書込みスーパーインクリメントモードイネーブル信号WDSIMENが「H」の状態であるため、タイミング信号CP2に同期してDCRAMデータ書込み用アドレスカウンタの出力データDCWRA0〜DCWRA5が「+1」加算される。つまり、DCRAMデータ書込み用アドレスカウンタのアップシフト動作により、DCWRA0〜DCWRA5データの値がMAnからMAn+1となる(図8)。
【0128】
(13)レジスタデータD0〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144の出力状態に応じて、レジスタデータD0〜D143の内、何れか8ビットのデータがデータDT0〜DT7として出力される。尚、今回は(11)の動作により、DC136信号が「H」であるため、データDT0〜DT7には、レジスタデータD8〜D15(MDb)が出力される(図9)。
【0129】
(14)DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データDCWRA0〜DCWRA5(MAn+1)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT7(MDb)は、DCRAM28に入力される。
【0130】
その後、データDCWRA0〜DCWRA5(MAn+1)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。
【0131】
また、データDT0〜DT7(MDb)は、DCRWCT信号が「H」である時、DCDT0〜DCDT7データライン上に出力される。さらに、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENとタイミング信号CP4はAND回路に入力され、DCRAMデータ書込み信号DCWEを発生する。これにより、DCRAM28のアドレスMAn+1にデータMDbが書込まれる(図10)。
【0132】
(15)(10)〜(14)の動作を繰り返すことにより、シリアルデータカウンタ22内のシリアルデータカウンタ2Aの出力データSD0〜SD4が「−1」づつ減算され、同時に、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24内のDCRAMデータ書き込み用アドレスカウンタの出力データDCWRA0〜DCWRA5が「+1」づつ加算される。尚、この間、DCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENは「H」であるため、順次、D16〜D23データ(MDc)、D24〜D31データ(MDd)、D32〜D39データ(MDe)、D40〜D47データ(MDf)、D48〜D55データ(MDg)、D56〜D63データ(MDh)、D64〜D71データ(MDi)、D72〜D79データ(MDj)、D80〜D87データ(MDk)、D88〜D95データ(MDl)、D96〜D103データ(MDm)、D104〜D111データ(MDn)、D112〜D119データ(MDo)、D120〜D127データ(MDp)がDCRAM28に書き込まれる。
【0133】
(16)(15)の動作の中で、DCRAM28にD120〜D127データ(MDp)の書き込みが行われている時、この時点のシリアルデータカウンタ22内のシリアルデータカウンタ2Aの出力データSD0〜SD4は「1,1,0,0,0」であるため、DFF1の出力信号WEQ1はタイミング信号CP3に同期して「H」から「L」に設定される。
【0134】
(17)シリアルデータカウンタ22のDFF1の出力信号WEQ1が「L」に設定されると、シリアルデータカウンタ2Aのダウンシフト動作が禁止され、また、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24内のDCRAMデータ書込み用アドレスカウンタのアップシフト動作も禁止される。また、タイミング信号CP1に同期して、DFF2の出力信号WEQ2も「H」から「L」に設定され、これによりDCRAMデータ書込みイネーブル信号WDENが「H」から「L」に設定されるため、DCRAMデータの書込みが禁止される。さらに、その後、DCRAMデータ書込み以外のシリアルデータ転送が行われても、インストラクションデコーダ16のDCRAMデータ書込みモード信号WDM、DCRAMデータ書込み開始パルス信号WDCKが「L」であるため、誤ってDCRAMデータ書込みが行われることはない。
【0135】
「ADRAMデータ書込み」
(方法3:スーパーインクリメントモード)
この方法3において、一度に複数のADRAMデータ書込みを行う(図16)。
【0136】
(1)CE=「L」の期間に本回路のCCBアドレスが、クロック信号CLに同期して、CCBインターフェイス回路10に入力される。その直後、CE信号が「L」から「H」へと変化すると、シリアルデータ入力イネーブル信号DIENBも「L」から「H」へと変化し、クロック信号CLが、クロック信号SCLとして、内部に入力される。
【0137】
また、同時にデータ入力信号DIも、データ入力信号SDIとして、内部に入力される(図2)。
【0138】
(2)データ入力信号SDIは、クロック信号SCLに同期して、シフトレジスタ12に入力され、Q0〜Q143データとして格納される。その後、CE信号が「H」から「L」へと変化すると、Q0〜Q143データは、次段のデータレジスタ14に入力され、D0〜D143データとして保持される。ところで、D0〜D4データ(Q0〜Q4データ)は、ADRAMデータADa、D8〜D12データ(Q8〜Q12データ)は、ADRAMデータADb、D16〜D20データ(Q16〜Q20データ)は、ADRAMデータADc、D24〜D28データ(Q24〜Q28データ)は、ADRAMデータADd、D32〜D36データ(Q32〜Q36データ)は、ADRAMデータADe、D40〜D44データ(Q40〜Q44データ)は、ADRAMデータADf、D48〜D52データ(Q48〜Q52データ)は、ADRAMデータADg、D56〜D60データ(Q56〜Q60データ)は、ADRAMデータADh、D64〜D68データ(Q64〜Q68データ)は、ADRAMデータADi、D72〜D76データ(Q72〜Q76データ)は、ADRAMデータADj、D80〜D84データ(Q80〜Q84データ)は、ADRAMデータADk、D88〜D92データ(Q88〜Q92データ)は、ADRAMデータADl、D96〜D100データ(Q96〜Q100データ)は、ADRAMデータADm、D104〜D108データ(Q104〜Q108データ)は、ADRAMデータADn、D112〜D116データ(Q112〜Q116データ)は、ADRAMデータADo、D120〜D124データ(Q120〜Q124データ)は、ADRAMデータADp、D128〜D131データ(Q128〜Q131データ)は、ADRAMアドレスAAn、Q138、Q139データはインクリメントモード設定データ(スーパーインクリメントモードのADRAMデータ書込みであるためQ138=「1」、Q139=「0」が設定されている)、Q140〜Q143データはインストラクションデータ(ADRAMデータ書込みであるため「0,0,1,0」が設定されている)である(図3)。
【0139】
(3)CE信号が「H」から「L」へと変化すると、インストラクションデコーダ16に入力されているシリアルデータ入力イネーブル信号DIENBが「H」から「L」へと変化し、パルス信号LCKが発生する。また、インストラクションデコーダ16に入力されているデータQ140〜Q143が「0,0,1,0」であるため、ADRAMデータ書込みモード信号WAM、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACKも同時に発生する(図4)。
【0140】
(4)クロック信号SCLはシリアルデータカウンタ22にも入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じて、シリアルデータカウンタデコーダ1Bの出力信号C08、C16、C24UP(シリアルデータカウント1信号)の出力状態を図7の様に設定する。尚、今回入力されたシリアルデータの転送ビット数は144ビットであるため、C24UP信号が「H」となる(図6)。
【0141】
(5)データQ138=「1」、Q139=「0」、ADRAMデータ書込みモード信号WAM、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACK、シリアルデータカウント1信号C08、C16、C24UPは、インクリメントデコーダ18に入力される。
【0142】
これにより、AQ1信号が「H」、AQ2信号が「L」の状態に設定されるため、ADRAMデータ書込みスーパーインクリメントモードイネーブル信号WASIMENが「H」に設定される。また、同時にADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCKも出力される(図5)。
【0143】
(6)ADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCK、データQ128〜Q131(ADRAMアドレスAAn)は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24に入力され、ADWRA0〜ADWRA3データとして保持される(図8)。
【0144】
(7)パルス信号LCKは、シリアルデータカウンタ22のシリアルデータカウンタ2Aに入力されており、シリアルデータの転送ビット数に応じてシリアルデータカウンタデコーダ2Aの出力信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144(シリアルデータカウント2信号)の出力状態を図7の様に設定する。また、ADRAMデータ書込みノーマルパルス信号WANRCKもシリアルデータカウンタ22のADRAMデータ書込み信号発生回路に入力されており、タイミング信号CP1に同期してADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENを「H」にする(図6)。
【0145】
(8)レジスタデータD0〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144の出力状態に応じて、レジスタデータD0〜D143の内、何れか5ビットのデータがデータDT0〜DT4として出力される。尚、今回はDC144信号が「H」であるため、データDT0〜DT4には、レジスタデータD0〜D4(ADa)が出力される(図9)。
【0146】
(9)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データADWRA0〜ADWRA3(AAn)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT4(ADa)は、ADRAM30に入力される。その後、データADWRA0〜ADWRA3(AAn)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。また、データDT0〜DT4(ADa)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADDT0〜ADDT4データライン上に出力される。さらに、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENとタイミング信号CP2はAND回路に入力され、ADRAMデータ書込み信号ADWEを発生する。これにより、DCRAM30のアドレスAAnにデータADaが書込まれる(図10)。
【0147】
(10)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENは、シリアルデータカウンタ22内のOR回路、AND回路を介してDFF1のクロック信号Cにも入力されており、今回シリアルデータの転送ビット数が144ビットであるため、シリアルデータカウンタ2Aの出力データが図7の通りとなり、DFF1の出力信号WEQ1がタイミング信号CP3に同期して「H」に設定される(図6)。
【0148】
(11)シリアルデータカウンタ22のDFF1の出力信号WEQ1が「H」に設定されると、シリアルデータカウンタ2Aに接続されているAND回路から、タイミング信号CP1に同期したSDCP1信号が出力され、シリアルデータカウンタ2Aの出力データSD0〜SD4が「−1」減算される。つまり、シリアルデータカウンタ2Aのダウンシフト動作により、SD0〜SD4データの値が「0,1,0,0,1」から「1,0,0,0,1」となり、シリアルデータカウンタデコーダ2Aの出力信号DC136が「H」となる。また、同時にDFF2の出力信号WEQ2が同タイミング信号CP1に同期して「H」に設定される。ところで、(5)の動作によりADRAMデータ書込みスーパーインクリメントモードイネーブル信号WASIMENは「H」の状態であるため、WAEN信号も「H」の状態を維持する(図6)。
【0149】
(12)シリアルデータカウンタ22のDFF1の出力信号WEQ1は、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24にも入力されており、また、(5)の動作によりADRAMデータ書込みスーパーインクリメントモードイネーブル信号WASIMENが「H」の状態であるため、タイミング信号CP4に同期してADRAMデータ書込み用アドレスカウンタの出力データADWRA0〜ADWRA3が「+1」加算される。つまり、ADRAMデータ書込み用アドレスカウンタのアップシフト動作により、ADWRA0〜ADWRA3データの値がAAnからAAn+1となる(図8)。
【0150】
(13)レジスタデータD0〜D143、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144は、書き込みデータ選択回路26に入力され、シリアルデータカウント2信号DC008、DC016、DC024、DC032、DC040、DC048、DC056、DC064、DC072、DC080、DC088、DC096、DC104、DC112、DC120、DC128、DC136、DC144の出力状態に応じて、レジスタデータD0〜D143の内、何れか5ビットのデータがデータDT0〜DT4として出力される。尚、今回は(11)の動作により、DC136信号が「H」であるため、データDT0〜DT4には、レジスタデータD8〜D12(ADb)が出力される(図9)。
【0151】
(14)ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAEN、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の出力データADWRA0〜ADWRA3(AAn+1)、書き込みデータ選択回路26の出力データDT0〜DT4(ADb)は、ADRAM30に入力される。
【0152】
その後、データADWRA0〜ADWRA3(AAn+1)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADADCK信号に同期して次段のラッチ回路に保持される。
【0153】
また、データDT0〜DT4(ADb)は、ADRWCT信号が「H」である時、ADDT0〜ADDT4データライン上に出力される。さらに、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENとタイミング信号CP2はAND回路に入力され、ADRAMデータ書込み信号ADWEを発生する。これにより、ADRAM30のアドレスAAn+1にデータADbが書込まれる(図10)。
【0154】
(15)(10)〜(14)の動作を繰り返すことにより、シリアルデータカウンタ22内のシリアルデータカウンタ2Aの出力データSD0〜SD4が「−1」づつ減算され、同時に、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24内のADRAMデータ書き込み用アドレスカウンタの出力データADWRA0〜ADWRA3が「+1」づつに加算される。尚、この間、ADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENは「H」であるため、順次、D16〜D20データ(ADc)、D24〜D28データ(ADd)、D32〜D36データ(ADe)、D40〜D44データ(ADf)、D48〜D52データ(ADg)、D56〜D60データ(ADh)、D64〜D68データ(ADi)、D72〜D76データ(ADj)、D80〜D84データ(ADk)、D88〜D92データ(ADl)、D96〜D100データ(ADm)、D104〜D108データ(ADn)、D112〜D116データ(ADo)、D120〜D124データ(ADp)がADRAM30に書き込まれる。
【0155】
(16)(15)の動作の中で、ADRAM30にD120〜D124データ(ADp)の書き込みが行われている時、この時点のシリアルデータカウンタ22内のシリアルデータカウンタ2Aの出力データSD0〜SD4は「1,1,0,0,0」であるため、DFF1の出力信号WEQ1はタイミング信号CP3に同期して「H」から「L」に設定される。
【0156】
(17)シリアルデータカウンタ22のDFF1の出力信号WEQ1が「L」に設定されると、シリアルデータカウンタ2Aのダウンシフト動作が禁止され、また、表示データ書き込み用アドレスカウンタ24内のADRAMデータ書込み用アドレスカウンタのアップシフト動作も禁止される。また、タイミング信号CP1に同期して、DFF2の出力信号WEQ2も「H」から「L」に設定され、これによりADRAMデータ書込みイネーブル信号WAENが「H」から「L」に設定されるため、ADRAMデータの書込みが禁止される。さらに、その後、ADRAMデータ書込み以外のシリアルデータ転送が行われても、インストラクションデコーダ16のADRAMデータ書込みモード信号WAM、ADRAMデータ書込み開始パルス信号WACKが「L」であるため、誤ってADRAMデータ書込みが行われることはない。
【0157】
以上の通り、図1の表示駆動回路を用いれば、マイコンとのインターフェース信号の一つであるCE信号の「H」、「L」の設定回数を大幅に削減して、複数のDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みが可能であるため、CE信号を制御するマイコンの出力ポートの状態設定の制御が容易になり、マイコンの出力ポート制御の負担を軽減することが可能である。
【0158】
ところで、以上のDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みは、16桁分の書込みであるが、16桁以下でのDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みも可能である。また、16桁以上のDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込みを行う場合は、図3のシフトレジスタ12、データレジスタ14のビット数を増設し、さらに、その増設したビット数に応じて、図6のシリアルデータカウンタ1B、シリアルデータカウンタデコーダ1B、シリアルデータカウンタ2A、シリアルデータカウンタデコーダ2Aの回路、及び図9の書き込みデータ選択回路26も増設することにより可能である。
【0159】
また、図1の表示駆動回路は、DCRAM28とADRAM30を内蔵しているが、どちらか一方のメモリを内蔵している表示駆動回路でも、上述のスーパーインクリメントモードによるDCRAMデータ書込み、または、ADRAMデータ書込みが実現可能である。尚、この場合の表示駆動回路は、図1の表示駆動回路から内蔵しないメモリのデータ書込み回路を削除した回路構成となる。
【0160】
さらに、図1の表示駆動回路は、従来のDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込み方法(ノーマルモード、ノーマルインクリメントモード)も実現可能な回路構成となっているが、従来のDCRAMデータ書込み、ADRAMデータ書込み方法が不必要な場合は、図5のインクリメントデコーダ18を図12の様に、図6のシリアルデータカウンタ22を図13の様に、図8の表示データ書き込み用アドレスカウンタ24を図14の様に変更することにより実現可能となる。
【0161】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、メモリに表示データを書き込む場合、一度に複数の表示データを書込むことができる。このため、表示を頻繁に変更するために、データ書込みを頻繁に行う場合においても、外部とのインターフェイス信号である選択信号(例えばCE信号)を頻繁に状態設定する必要がなくなり、選択信号を出力する装置であるマイコンの出力ポートの制御負担を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態に係る表示駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図2】 CCBインターフェイス回路10の構成を示す図である。
【図3】 シフトレジスタ12およびデータレジスタ14の構成を示す図である。
【図4】 インストラクションデコーダ16の構成を示す図である。
【図5】 インクリメントデコーダ18の構成を示す図である。
【図6】 シリアルデータカウンタ22の構成を示す図である。
【図7】 シリアルデータカウンタ22におけるデータ状態を示す図である。
【図8】 表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の構成を示す図である。
【図9】 書き込みデータ選択回路26の構成を示す図である。
【図10】 DCRAM28の構成を示す図である。
【図11】 ADRAM30の構成を示す図である。
【図12】 インクリメントデコーダ18の他の構成を示す図である。
【図13】 シリアルデータカウンタ22の他の構成を示す図である。
【図14】 表示データ書き込み用アドレスカウンタの他の構成を示す図である。
【図15】 DCRAMデータ書き込み動作を示すタイミングチャートである。
【図16】 ADRAMデータ書き込み動作を示すタイミングチャートである。
【図17】 従来例の表示駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図18】 シフトレジスタ12およびデータレジスタ14の構成を示す図である。
【図19】 インストラクションデコーダ16の構成を示す図である。
【図20】 インクリメントデコーダ18の構成を示す図である。
【図21】 データ書き込み信号発生回路20の構成を示す図である。
【図22】 シリアルデータカウンタ22の構成を示す図である。
【図23】 シリアルデータカウンタ22におけるデータ状態を示す図である。
【図24】 表示データ書き込み用アドレスカウンタ24の構成を示す図である。
【図25】 書き込みデータ選択回路26の構成を示す図である。
【図26】 DCRAMデータ書き込み動作(ノーマルモード)を示すタイミングチャートである。
【図27】 DCRAMデータ書き込み動作(ノーマルインクリメントモード)を示すタイミングチャートである。
【図28】 ADRAMデータ書き込み動作(ノーマルモード)を示すタイミングチャートである。
【図29】 ADRAMデータ書き込み動作(ノーマルインクリメントモード)を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
10 CCBインターフェイス回路、12 シフトレジスタ、14 データレジスタ、16 インストラクションデコーダ、18 インクリメントデコーダ、22 シリアルデータカウンタ、24 表示データ書き込み用アドレスカウンタ、26 書き込みデータ選択回路、28 DCRAM、30 ADRAM、32CGROM、34 CGRAM、36 セグメントレジスタ、38 セグメントドライバ、40 コモンドライバ、42 タイミング信号発生回路、44 表示データ読み取り用アドレスカウンタ。
Claims (1)
- シリアル形式の表示データを受信するデータ端子と、このデータ端子が表示データを受信するものとして外部から選択されていることを示す選択信号を受信する選択端子と、前記表示データに同期した転送用のクロック信号を受信するクロック端子とを有する表示駆動回路において、
前記データ端子からシリアル形式で連続転送されてくる複数の表示データを記憶するシフトレジスタと、
前記クロック信号をカウントしたカウント値に応じて、前記シフトレジスタに記憶された複数の表示データの中から1つの表示データを順次選択して出力する書き込みデータ選択回路と、
前記書き込みデータ選択回路からの出力を所定のアドレスに記憶するメモリと、
前記クロック信号をカウントしたカウント値に応じて、前記メモリへの書き込みアドレスを発生するアドレスカウンタと、を備え、
前記選択信号が一定に維持されている状態で、前記複数の表示データを連続して、前記シフトレジスタに記憶することを特徴とする表示駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098053A JP4943588B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 表示駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001098053A JP4943588B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 表示駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002297080A JP2002297080A (ja) | 2002-10-09 |
JP4943588B2 true JP4943588B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=18951747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001098053A Expired - Fee Related JP4943588B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 表示駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4943588B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5321799B2 (ja) | 2008-10-01 | 2013-10-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マイクロコンピュータを含んだシステム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59226571A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | テレビジヨン受信機のプリンタ装置 |
JP2619367B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1997-06-11 | 富士通株式会社 | プラズマデイスプレイ装置 |
JP2619368B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1997-06-11 | 富士通株式会社 | プラズマデイスプレイ装置 |
JPH05198167A (ja) * | 1992-01-20 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP3398045B2 (ja) * | 1998-04-22 | 2003-04-21 | 三洋電機株式会社 | 表示駆動回路 |
JP3663049B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2005-06-22 | 三洋電機株式会社 | 表示駆動回路 |
JPH11327530A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示駆動回路 |
JP4225702B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-02-18 | 三洋電機株式会社 | 表示駆動回路 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098053A patent/JP4943588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002297080A (ja) | 2002-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6222767B1 (en) | Synchronous page-mode non-volatile memory with burst order circuitry and method thereof | |
US20130073754A1 (en) | Apparatus and method for establishing device identifiers for serially interconnected devices | |
US20030061437A1 (en) | Latched address multi-chunk write to EEPROM | |
JPH08123737A (ja) | メモリ・デバイス,並びに,メモリ・デバイスから補正されたユーザー・データを読み出す方法,メモリ・デバイスに補正されたユーザー・データを書き込む方法およびメモリ・デバイスのユーザー・データを消去する方法 | |
JP6744951B1 (ja) | 半導体装置および連続読出し方法 | |
CA2651434A1 (en) | Apparatus and method for establishing device identifiers for serially interconnected devices | |
US6421276B1 (en) | Method and apparatus for controlling erase operations of a non-volatile memory system | |
JP4943588B2 (ja) | 表示駆動回路 | |
US6769051B2 (en) | Memory controller and memory control method for controlling an external memory device to be accessible even in an addressing mode that is not supported thereby | |
JPH0765139A (ja) | Icメモリカード | |
JP2000132981A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の書込み装置とその書込み方法 | |
JPH11110339A (ja) | Dmaコントローラ | |
TWI285836B (en) | Method and/or architecture implemented in hardware for the adjustment of messages with indeterministic length | |
JPH07311600A (ja) | デジタルデータを記憶し、再生する装置および方法 | |
JP2005234957A (ja) | フラッシュメモリにおけるデータアクセス制御方法、データアクセス制御プログラム | |
US5940326A (en) | Method for erasing data stored in a nonvolatile memory device | |
US7231487B2 (en) | Automatic decoding method for mapping and selecting a non-volatile memory device having a LPC serial communication interface in the available addressing area on motherboards | |
JP4217803B2 (ja) | アドレスジャンプ機能を有するメモリからシーケンシャルに読み出す方法および装置 | |
JP3888236B2 (ja) | プログラムカウンタ回路 | |
KR100600956B1 (ko) | 고속의 쓰기시간을 갖는 에스램 및 그를 위한 구동방법 | |
JPH11120778A (ja) | 不揮発性メモリー内蔵マイコン | |
JP2002073411A (ja) | Eepromの記憶容量判別装置およびeepromの記憶容量判別方法 | |
JP2595998B2 (ja) | 電子楽器 | |
JPH0782751B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3947856B2 (ja) | データ設定制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100804 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110526 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111201 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120301 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |