JP4942178B2 - 情報処理装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ここでSaは計測精度を示す評価値であり、Stは計測時間を示す評価値である。Stはスループットを示す評価値であるということもできる。ka、ktは、それぞれSa、Stへの重み係数である。
Sa=E (0≦E≦Elimit)
Sa=-E+kE・Elimit (E>Elimit) ・・・・・・・・(2)
ここでEはサンプルショットの広がりを数式化したものであり、kEはElimitへの重み定数である。
x,y,X,Y,Zは、i番目のサンプルショットの位置座標を(sxi,syi)、サンプルショットの数をn、基板半径をwとすると数式(4)のように表される。
Elimitは、プロセスが要求する必要精度Dを用いて数式(5)のように表される。
Elimit=kD・D+CD ・・・・・・・・・・・(5)
ここでkD,CDは定数である。
ここでVmaxは装置ステージの最高速度、Aは装置ステージの加速度である。strokeSは計測開始位置から第一計測サンプルショットまでの距離である。strokeiは第(i-1)番目のサンプルショット第(i)番目のサンプルショットまでの距離である。strokeEは計測終了位置から最終計測サンプルショットまでの距離である。
[サンプルショットセットの決定についての実施形態]
図1a〜dは、走査型半導体露光装置において露光されるショットのレイアウトを示す平面図である。
[露光装置の実施形態]
露光装置は図8に示すように、照明装置101、レチクルを搭載したレチクルステージ102、投影光学系103、基板を搭載した基板ステージ104とを有する。露光装置は、レチクルに形成された回路パターンを基板に投影露光するものであり、ステップアンドスキャン投影露光方式であることが好ましい。
[デバイス製造の実施形態]
次に、図9及び図10を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図9は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
SHOT:ショット
W1:φ8インチの基板
W2:φ12インチの基板
1:入出力装置
2:処理装置
3:記憶部
31:半導体プロセス情報
32:露光装置情報
4:生成部
5:選定部
501:照明系ユニット
502:レチクルステージ
503:投影光学系
504:基板ステージ
505:露光装置本体
Claims (7)
- 基板に形成された複数のショットのそれぞれを露光する装置において計測の対象となるサンプルショットセットを決定する情報処理装置であって、
入出力部と、
前記入出力部から入力された該複数のショットの配列に関する情報に基づき、該複数のショットから複数のサンプルショットセットを生成し、該複数のサンプルショットセットそれぞれの評価値を、各サンプルショットの位置座標に基づく計測精度の評価値と各サンプルショット間の距離に基づく計測時間の評価値とから求め、かつ求められた該複数のサンプルショットセットそれぞれの評価値に基づいて該複数のサンプルショットセットの中から計測の対象となるサンプルショットセットを選定する処理部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。 - 前記処理部は、該計測時間の評価値として、サンプルショットセットに関して計測を行うために該基板を移動させる時間を用いることを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
- 前記処理部は、最適化手法を用いて、該生成された複数のサンプルショットセットを変更することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の情報処理装置。
- 前記最適化手法は遺伝的アルゴリズムを含むことを特徴とする請求項3に記載の情報処理装置。
- 前記処理部は、各サンプルショットセットについて、該基板の移動時間が最小となる移動順序を選定し、かつ該移動順序に基づいて算出された該基板の移動時間を該計測時間の評価値として用いることを特徴とする請求項2に記載の情報処理装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の情報処理装置において決定されたサンプルショットセットに関して計測を行うことを特徴とする露光装置。
- 請求項6に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006325923A JP4942178B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 情報処理装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008140991A JP2008140991A (ja) | 2008-06-19 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006325923A Expired - Fee Related JP4942178B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | 情報処理装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4942178B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113341659A (zh) | 2016-10-14 | 2021-09-03 | Asml荷兰有限公司 | 选择与衬底上的测量或特征相关联的部位的集合 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1019512A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
JPH10312961A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-11-24 | Nikon Corp | 移動シーケンスの決定方法および位置合わせ装置 |
JP2001118769A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Canon Inc | 露光装置、サンプルショットの選択方法およびデバイス製造方法 |
JP2005303043A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nikon Corp | 位置検出方法とその装置、位置合わせ方法とその装置、露光方法とその装置、及び、位置検出プログラム |
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Publication number | Publication date |
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JP2008140991A (ja) | 2008-06-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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