JP4939423B2 - ゼオライト層で被覆された基板を生成する方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 title claims abstract description 78
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 61
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 8
- 241000269350 Anura Species 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 150000005621 tetraalkylammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 27
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 21
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- WSWCOQWTEOXDQX-MQQKCMAXSA-M (E,E)-sorbate Chemical compound C\C=C\C=C\C([O-])=O WSWCOQWTEOXDQX-MQQKCMAXSA-M 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- -1 aluminum silicates Chemical class 0.000 description 1
- VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M aluminum;oxygen(2-);hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[Al+3] VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052604 silicate mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229940075554 sorbate Drugs 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1241—Metallic substrates
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/1229—Composition of the substrate
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1254—Sol or sol-gel processing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2229/00—Aspects of molecular sieve catalysts not covered by B01J29/00
- B01J2229/60—Synthesis on support
- B01J2229/64—Synthesis on support in or on refractory materials
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B01J2229/66—Synthesis on support on metal supports
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- B01J29/00—Catalysts comprising molecular sieves
- B01J29/82—Phosphates
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Description
本発明は、ゼオライト層で被覆された基板を生成する方法、特に、金属を含む基板のコーティングに関する。
より詳細には、鉱物学的意味のゼオライト類は、ケイ酸塩鉱物類、特に、化学的複合構造を有するケイ酸アルミニウム類であり、それは、多孔性四面体ネットワーク（Ｔ−ネットワーク）の形成を特徴とする。ＩＺＡ（国際ゼオオライト協会）の一般的な定義によれば、ゼオライト類は、１０００Å３当たり１９Ｔ原子未満のネットワーク密度を有するＴ−ネットワークを有する材料に関する。ゼオライト類は、内部ボイドを備えた構造を有し、ここで、これらのボイドは、分子の大きさとすることができる。これにより、ゼオライト類が、その多孔性構造において、それぞれ、外来原子または外来分子を受け取ることができる特性を有する。例えば、ゼオライト類は、大量の水を貯蔵し、加熱時に再びそれを放出することができる。従って、熱交換器に接触するゼオライト材料は、潜熱蓄熱器を形成するために特に適する。先行技術によると、堆積されたバルク状成型ゼオライト材料またはゼオライト類を使用し、それらを、熱交換器と熱接触して、開孔固形物、例えば金属スポンジに導入する。例えば、ＤＥ第１０１５９６５２Ｃ２号を後に参照されたい。
さらに、ゼオライト類は、他の複数の用途の化学工業に、例えば、イオン交換プロセスに使用され、ここで、ほとんど合成的に生成された、数ミクロンの結晶のサイズの粉末形態のゼオライト類を使用する。さらに、ゼオライト類は、分子ふるいとして使用される。この場合も、ゼオライト材料は、結晶の遊離バルクの形態または成型材料の形態でフィルタシステムに導入することができる。
熱がゼオライト類に供給される、または熱がゼオライト材料から取り出される用途では、それぞれ、隣接する熱交換器構造に十分な熱接触が不十分に達成されるのみなので、したがって、遊離ゼオライトバルクは適切ではない。さらに、特に、潜熱蓄熱器では、通常、ソルビン酸塩と称する作動媒体が、有効な方法で吸着剤材料としてゼオライトに供給されなければならない。これは、吸着剤材料において巨視的な輸送孔を必要とする。従って、用途のそのような目的のために、粉末として合成されたゼオライトは、バインダーによってペレットの形態で、より大きなユニットに形成される。しかし、ゼオライト類の用途関連の特性は影響を受け、ほとんどの場合、ほとんどの接着剤によって不利に変化されてしまい、不利益である。さらに、ペレットの使用は、隣接する熱交換器への十分な熱接触を保証することができない。この理由により、熱交換器のシステムが提案されており、その上にゼオライト層が適用されている。ゼオライト類を備えた基板の典型的な公知のコーティング法は、２段階の手順である。まず、ゼオライト粉末を、予め合成工程で製造される。このゼオライト粉末を、標準粒子（結晶）サイズを有する粉状ゼオライトを得るために、機械的二次処理、例えば、粉砕工程またはミル工程にかけることができる。次に、そのように合成された、または予め合成されたゼオライト材料を、通常、バインダーと混合し、いわゆるコーティングとしてキャリアー基板に適用する。
しかし、この手順は、特に、複合三次元熱交換器構造で、熱交換器の表面全体に、一定の厚さのゼオライト層を適用することは困難であるという不都合を有する。さらに、そのような合成後のコーティング法は、複数の生成ステップを含む。さらに、結合分子および粒子が、ゼオライト結晶の表面に定着するので、ほとんどのバインダーは、ゼオライト類の適切な特性を変化させる。
米国特許公開第２００３／００９１８７２Ａ１号には、アルミニウム、ニッケル、鋼、チタンなどの金属上にゼオライト層を生成し、一般的なケイ酸アルミニウムをその上に形成する方法について記載されている。これは、中性からｐＨ１２までの通常のｐＨ範囲で、一般的なケイ酸アルミニウムゼオライト類のための合成懸濁液を使用することで達成することができる。また、懸濁液は、アルミニウムを含む。アルミニウムを含む懸濁液に、アルミニウムを含む基板を導入した後に、その基板のアルミニウム原子は、基板上へのゼオライト層の付着を改善することによって、ゼオライトネットワークに組み入れられる。
ＤＥ第１０３０９００９Ａ１号では、セラミックキャリア材料を使用する方法について記載されている。それによって、キャリアーは、同時に、一般的なケイ酸アルミニウムゼオライト類を生成するために、架橋材料フォーマーシリコン用のドナーである。
他の公開文献も知られるようになっており、それらには、ゼオライトを形成することができる元素を用いた懸濁液の生成、さらに、懸濁液中に基板を導入することに加えて、基板上に一般的なケイ酸アルミニウムゼオライト類の非常に高い粘着性の層をインサイチュウ（in-situ）結晶化するために加熱することについて記載されている。ＥＰ第０６４９３８７Ｂ２号、ＥＰ第１２２２９６１Ａ２号および第０８１１９６２４Ａ号を参照されたい。
従来の方法は、十分満足されるものではない。従って、一般的なケイ酸アルミニウムゼオライト類の層は形成されるが、該層の基板への固着は、それほど完璧ではない。
本発明は、ゼオライト類の特性に悪影響を及ぼさず、ゼオライト層の微孔構造に接近することを妨げないことを保証する、金属を含む基板上にゼオライト層を生成する方法を提供する目的に基づく。とりわけ、ゼオライト層を基板上に確実に固定する。金属を含む基板に適用されたゼオライト層は、金属を含む基板上に良好に付着することを特徴とする。先行技術とは対照的に、本方法は、さらに、方法ステップ数を低減して実行可能であり、複合三次元構造の基板、特に熱交換器上に一定の厚みのゼオライト層を適用するために適合する。
目的を解決するために、発明者らは、まず、基板上に合成後生成されたゼオライト類を強固にするためのバインダーの使用を回避するために、インサイチュウ合成によって、金属を含む基板上にゼオライト層を生成しなければならないことに気がついた。さらなるステップで、インサイチュウ結晶化の間に基板から原子を選択的に引き出し、形成されているゼオライトのネットワークに含ませるなら、金属を含む基板上のゼオライト層のそのようなインサイチュウ結晶化によってゼオライト層と基板とが特に密接することを、発明者らは認識した。本願においては、この条件を「直接合成」と称する。
金属を含む基板上へのゼオライト層のインサイチュウ結晶化における直接合成を実現するために、そのような金属を含む基板は、十分な量の周期表の第三、第四、第五主族の架橋元素を含むことからから始められる。アルミニウムおよび／またはシリコンを含む、金属を含む基板を使用することが特に好ましい。最も単純な場合、金属を含む基板として、アルミニウムの基板、またはアルミニウムをコーティングした基板である。さらに、アルミニウムまたはシリコンを含む合金が、検討され、それは、例えば、ＩＳＯ４９４８によると、アルミニウムを少なくとも０．１重量％および／またはシリコンを少なくとも０．５重量％の質量含有率の合金鋼とすることができる。
代わりの基板材料として、セラミック材料を使用してもよく、それは、ゼオライト層の直接結晶化において架橋元素源としての役目をする成分の対応する部分を包含する。この場合も、特に、ある量のアルミニウムを含むセラミックスは、ここで有利である。
一般的なゼオライト合成プロセスに対応して、ゼオライト構造を形成するために必要な出発原料を水性懸濁液に導入する。そのような水性懸濁液は、周期表の第三、第四、第五主族の少なくとも１つの架橋元素を含む。
本発明による方法では、一般的なゼオライト合成と比較して、水性懸濁液中のゼオライト層における架橋元素の少なくとも１つの濃度は、この架橋元素の必要性を最適に満足しないように、調節される。以下においては、これについては「不十分」と称する。すなわち、水性懸濁液によって形成された反応混合物中の架橋成分の少なくとも１つを、ゼオライト形成プロセスおよびゼオライトの最終構造に関して不十分に準備する。
発明者らは、以下の内容を認めた。
懸濁液が、ゼオライト層のための架橋元素の量を、前述の不十分より多く含む場合、局部的な温度比によって回避されなければ、望まれない結晶化が、懸濁液中においてバルク状の塊が所構わず生じる。従って、形成された結晶が存在するが、架橋元素は懸濁液中で所構わず最適に提供されるので、結晶は基板上に固定されない、または所望の範囲まで固定されない。しかし、架橋元素を不十分に準備された場合、反応を適切な方法で制御されるのであれば、架橋元素を必要程度まで基板により利用可能とすることができる。従って、架橋元素のうちの１つに関して、懸濁液を消耗するとも言うことができる。しかし、架橋元素を不十分に準備される場合、形成されているゼオライトは、激しく基板の対応する架橋元素と化学反応を始める。
基板上に形成され、固定されている層は、比較的薄い可能性がある。万一、これが特定の場合において不利ならば、さらなる方法ステップで、基板上に固定された第１のゼオライト層上に、懸濁液中の架橋元素を相応して調整された濃度において、さらなるインサイチュウ結晶を行なうことにより、プロセスを容易に繰り返すことができる。従って、基板上に固定された第１のゼオライト層は、繰り返された結晶化における、その結晶の始まりである架橋元素の蓄積を表しており、これはまた結晶化プロセスの出発点でもある。
懸濁液中に不十分に準備された、架橋材料フォーマーと懸濁液中のすべての架橋元素の合計のモル比は、０．５未満、０．４未満、０．３未満、０．２未満、または０．１未満の範囲内にすべきである。
本発明の要旨は、以下のようにまとめることができる。懸濁液中に架橋材料フォーマーが少量であることにより、懸濁液中での結晶化をまず回避される。基板に対する界面上に、ある状況をつくることは、所定の重要事項であり、その状況は、一方は基板からのものであり、他方は懸濁液からのものである２つの架橋材料フォーマーの化学結合をもたらす。従って、基板による架橋材料フォーマーは、アルミニウムであってもよく、懸濁液のよる架橋材料フォーマーは、リンであってもよい。従って、１つの成分を周りの懸濁液中に全くまたは大部分準備せず、その結果、懸濁液中での結晶化は、最初に起こらない。
従って、本発明によるシステムは、基板と懸濁液とを含む。基板は、キャリアーだけでなく、同時に架橋元素のドナーである。懸濁液は、少なくとも、水、リン酸塩イオン、さらに場合により、テトラアルキルアンモニウム塩または界面活性剤、いわゆるテンサイドなどの構造指示剤（ＳＤＡ）である鋳型化合物を含む。
懸濁液は、さらに、Ｓｉだけでなく遷移金属イオンも含んでいてもよい。
本方法を実行するために追加手順またはステップを必要としてもよいことが分かる。これは、水性懸濁液を加熱することを含む。水性懸濁液に不十分に準備される架橋材料フォーマーの量は、ゼオライト層を形成するために必要であり、本発明の方法により、インサイチュウ合成で基板から直接引き出す。これは、これら架橋原子は基板から変化して、ゼオライト層を成長させ、ゼオライト層および基板が互いに成長することを成し遂げる。この方法によって、特に、金属を含む基板上でのインサイチュウ結晶化によって生成された、密接して機械的に安定したゼオライト類のゼオライトコーティングが達成される。
水性懸濁液中、架橋元素の濃度または不足量は、それぞれ、金属を含む基板の選択およびインサイチュウ結晶化中での架橋原子を放出する能力に従って調節することができる。極端な場合、基板中の架橋元素の少なくとも１つを、実質的に放棄してもよい。
金属を含む基板上への永続的なゼオライト層を生成するための直接合成に関するインサイチュウ結晶化のためのさらなる合成条件は、一般的なゼオライト合成に従って、当業者の判断力によって選択される。
合成を行なうために、被覆される基板を、出発原料の水性懸濁液に導入する。次いで、そこに配置された水性懸濁液および基板を、熱水処理にかける。ここで、５０〜２５０℃の温度、特に１００〜２００℃の温度をインサイチュウ結晶化中に設定することが好ましい。さらに、自己生成圧を使用することが好ましく、つまり、処理温度および調節蒸気圧に応じて、密閉反応容器中で反応混合物で形成されるものが好ましい。インサイチュウ結晶化を完了する場合、反応を止めるために被覆された基板をできるだけ速く冷却することが好ましい。これは、例えば、反応凝集体のまわりの気流または他の適切なプロセス技術手段で達成することができる。
インサイチュウおよび直接結晶化によって生成されたＳＡＰＯ層、ＡＬＰＯ層およびＭｅＡＬＰＯ層は、特に好ましいゼオライトコーティングであることが分かった。架橋元素として、シリコンおよびアルミニウムとは別に、微孔ＳＡＰＯ層は、リンを含む。従って、ＭｅＡＬＰＯ材料は、架橋元素として様々な遷移金属イオンをも含む。微孔ＡＬＰＯコーティングはアルミニウムおよびリンからなり、それらから四面体がネットワーク骨格用の構造ユニットとして形成され、構造ユニットは再度リング状の第２の構造ユニット（例えば、４環および６環）に合わせられ、第２の構造ユニットは次いで、第三の構造ユニットに、再度、最終のゼオライト構造にさらに関連づけられる。
ＳＡＰＯ３４をアルミニウム基板上に生成する典型的な実施例によって、本発明による方法を以下に説明する。
まず、水２３．６ｇ、リン源としての８５％リン酸２．３８ｇ、シリコン源としてのシリカゾル２．０ｇ（水中においてＳｉＯ２３０．４％）および鋳型分子としてのモルホリン５．４ｇの水性懸濁液を生成する。前述の重量の表示は、端数を切り捨てる。詳細には、第１の部分混合物を、混合容器にリン酸および水９．４ｇを入れて生成する。さらに、シリカゾル２．０ｇ、モルホリン５．４ｇおよび水９．４ｇからなり、一定の攪拌下で第１の部分混合物に滴下される第２の部分混合物を生成する。完成した第１の部分混合物は、水６ｇ、８５％リン酸６ｇおよび疑似ベーマイト３．６ｇからなる。さらに、アエロジル１．６ｇ、モルホリン４．５ｇおよび水６ｇからなり、一定の攪拌下で第１の部分混合物に滴下される第２の部分混合物を生成する。次いで、水４．８ｇを、第１および第２の部分混合物のそのように準備された混合物に添加し、攪拌をさらに２時間続けて、使用可能な水性懸濁液を得る。特定の例としては、水性懸濁液は、アルミニウム（極端に不十分）をまったく含まない。ここで、最適のアルミニウム／リン比率は、実質的に１：１である。ゼオライト層の生成において、直接合成の点からこの不十分を補うために基板からアルミニウムを引き出され、ＳＡＰＯ層上で成長する。
インサイチュウ結晶化において、水性懸濁液および被覆されるアルミニウム基板は、例えば、アルミニウムの熱交換器またはアルミニウムコーティングを有する熱交換器とすることができ、反応装置に付与し、例えば２４時間、２００℃で保持する。この間、微孔ＳＡＰＯ−３４層を、アルミニウム基板からアルミニウム原子を直接使用して、インサイチュウ結晶化によってアルミニウム上に生成する。そのように被覆されたアルミニウムキャリアーを、反応装置から取り除き、ここでは、後の洗浄工程を行なうことが有利である。
図１は、Ａｌ基板上にこの方法で生成されたゼオライト層のＸ線回折図を示し、横座標が角度を示し、縦座標が角度に対応する相対強度を定めている。ＣｕＫα線を検知に使用した。文献から公知の値と比較すると、図１に示されるＸ線回折図は、ＳＡＰＯ３４に関する構造立証を提供する。発明者らは、以下の内容を認識した。独創的なかなり希釈された懸濁液を使用すると、ゼオライト層を形成するための１つの架橋元素を不十分に準備し、水含有量を、先行技術よりも著しく増加した場合、基板上における結晶の好ましい配向性が得られる。この配向性は、その結晶の主要でかつ成長する方向が、基板表面に大体垂直に延在し、その結晶は、基板上に主として同様に垂直に立つことを明らかにしている。好ましい配向性は、結晶の大部分が一定の配向性であり、生成された結晶の微孔システムに反応物または吸着剤の一定の接近性を保証する。これは、本発明で得られた別の有利な効果である。
その特性に関して、使用される水性合成懸濁液は、全ての成分を溶解した状態で準備される澄明な液から非常に高い粘着性ゲルまで、その組成に応じて変化することができる。本発明の進んだ実施例では、水性懸濁液を、被覆される基板と接触する前に、ゲルを形成するために処理し、ゲル形態の反応混合物を、例えば、ゾルゲルプロセスによって被覆される基板に適用する。従って、本出願において、上述された水性懸濁液は、さらに、高い粘着性のものを含む。従って、水性懸濁液は、最も広い意味で、水を含有する反応混合物を含むが、その一貫性は、水性のものだけに限定されない。
Claims (12)
- アルミニウム含有の基板上にゼオライト層を生成する方法であって、以下の方法ステップを含む：
（１．１）数個の成分を含む水性懸濁液を生成し、
（１．２）前記成分の中の１つの成分は、アルミニウム、及び、シリコンの少なくとも１つの架橋元素を含み、
（１．３）前記基板は、前記架橋元素の少なくとも１つを含み、
（１．４）前記水性懸濁液に、前記基板を導入し、
（１．５）前記基板上にゼオライト層をｉｎ-ｓｉｔｕで結晶化させるため、前記水性懸濁液、およびその中に存在する前記基板を加熱し、
（１．６）前記水性懸濁液中に存在する少なくとも１種の架橋元素が、ゼオライト形成工程や前記ゼオライトの最終構造に対して、不十分であり、前記水性懸濁液中に存在する全ての架橋元素の合計に対する前記水性懸濁液中に存在する前記不十分である架橋元素のモル比が、０．５未満であり、
（１．７）前記不十分である架橋元素が、前記基板から提供され、かつ、前記ゼオライト層に含まれ、
（１．８）前記架橋元素の１つが、リンであり、前記リンは、前記水性懸濁液中に存在するものであることを特徴とする。 - 前記水性懸濁液中に存在する全ての架橋元素の合計に対する前記水性懸濁液中に存在する前記不十分である架橋元素の少なくとも１つのモル比が、０．４未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記基板が、アルミニウム基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
- 前記基板が、シリコン、リンを含む基板、または、シリコン、リンを含む合金または化合物で被覆されている基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
- 前記基板が、アルミニウムおよび／またはシリコンとの合金鋼であることを特徴とする請求項１又は２方法。
- 前記水性懸濁液は、さらに、テトラアルキルアンモニウム塩、界面活性剤、及び、有機鋳型分子であるモルホリンの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜５の少なくとも１項に記載の方法。
- 前記水性懸濁液および、前記基板を、５０℃〜２５０℃の温度で加熱することを特徴とする請求項１〜６の少なくとも１項に記載の方法。
- 前記水性懸濁液および、前記基板を、１００℃〜２００℃の温度で加熱することを特徴とする請求項７に記載の方法。
- 前記水性懸濁液および、前記基板を、密閉容器中で加熱することを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
- 前記水性懸濁液をゲルに変化させ、該ゲルを前記基板に塗布することを特徴とする請求項１〜９の少なくとも１項に記載の方法。
- 前記基板上に形成した最初のゼオライト層上に、その他のゼオライト層を結晶化させることを特徴とする請求項１〜１０の少なくとも１項に記載の方法。
- 請求項１〜１１の少なくとも１項に記載の方法によって得られるゼオライト層で被覆される、前記基板材料を有する熱交換器であって、
前記ゼオライト層は、微孔ＳＡＰＯ材料、微孔ＡＬＰＯ材料、または微孔ＭｅＡＬＰＯ材料であり、かつ、前記ゼオライト層の結晶が、主とする成長方向において、前記基板表面に対して、おおよそ垂直に配向している熱交換器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004052976A DE102004052976A1 (de) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | Verfahren zur Herstellung eines mit einer Zeolith-Schicht beschichteten Substrats |
| DE102004052976.0 | 2004-10-29 | ||
| PCT/EP2005/011610 WO2006048211A2 (de) | 2004-10-29 | 2005-10-29 | Verfahren zur herstellung eines mit einer zeolith-schicht beschichteten substrats |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008517751A JP2008517751A (ja) | 2008-05-29 |
| JP4939423B2 true JP4939423B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=36051507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007538346A Active JP4939423B2 (ja) | 2004-10-29 | 2005-10-29 | ゼオライト層で被覆された基板を生成する方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8053032B2 (ja) |
| EP (2) | EP2241652B1 (ja) |
| JP (1) | JP4939423B2 (ja) |
| KR (1) | KR101225397B1 (ja) |
| CN (1) | CN101057005B (ja) |
| AT (1) | ATE471998T1 (ja) |
| DE (2) | DE102004052976A1 (ja) |
| ES (2) | ES2730720T3 (ja) |
| WO (1) | WO2006048211A2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006030199A1 (de) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Klingenburg Gmbh | Feuchtigkeits- und/oder Wärmeaustauschvorrichtung, z.B. Plattenwärmetauscher, Sorptionsrotor, Adsorptionsentfeuchtungsrotor od.dgl. |
| DE102006043715A1 (de) | 2006-09-18 | 2008-03-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Adsorptionswärmepumpe mit Wärmespeicher |
| DE102007056587A1 (de) * | 2007-11-23 | 2009-05-28 | Sortech Ag | Funktionelles Kompositmaterial |
| KR100941520B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2010-02-10 | 한국건설기술연구원 | 소성체 표면에 제올라이트를 코팅하는 방법 및 상기 방법을통하여 얻어진 소성체 |
| KR100941521B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2010-02-10 | 한국건설기술연구원 | 재료의 표면에 제올라이트를 코팅하는 방법 및 상기 방법을통하여 얻어진 제올라이트 코팅 성형체 |
| DE102008023634A1 (de) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Sortech Ag | Aluminiumhaltiges Substrat mit einer mikroporösen Schicht eines Aluminiumphosphat-Zeoliths, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| DE102009043515A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Wolf Beineke | Solarthermisch betriebene Adsorptionskältemaschine zur Raumklimatisierung und Lebensmittelkühlung |
| DE102014110509A1 (de) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Sortech Ag | Adsorptionsmodul |
| US11859877B2 (en) | 2014-01-10 | 2024-01-02 | Bry-Air [Asia] Pvt. Ltd. | Hybrid adsorber heat exchanging device and method of manufacture |
| DE102015200373A1 (de) | 2015-01-13 | 2016-07-14 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen eines Wasserstoff-Fahrzeugtanks mit einem Zeolith auf der Tankwand |
| DE102015122301B4 (de) * | 2015-12-18 | 2020-08-13 | Fahrenheit Gmbh | Verfahren zur Ausbildung einer Alumosilikat-Zeolith-Schicht auf einem aluminiumhaltigen metallischen Substrat sowie Verwendung des danach erhaltenen Substrats |
| DE102017208201A1 (de) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bauteil, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| DE102019134587B4 (de) * | 2019-12-16 | 2023-01-12 | Fahrenheit Gmbh | Wärmeübertrager und Adsorptionsmaschine |
| CN116119680B (zh) * | 2023-01-17 | 2024-09-24 | 西南科技大学 | 一种4a沸石固化有色金属尾矿的方法及其固化体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291809A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 膜状合成ゼオライトの製造方法 |
| JPH09202614A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Nisshin Steel Co Ltd | ゼオライトコ−ティング溶液およびその溶液によるゼオライトコ−ト鋼板の製造方法 |
| JP2003093857A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ゼオライト膜形成用種結晶塗布装置および方法 |
| US20030091872A1 (en) * | 2000-03-23 | 2003-05-15 | Yushan Yan | Hydrophilic zeolite coating |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5316661A (en) * | 1992-07-08 | 1994-05-31 | Mobil Oil Corporation | Processes for converting feedstock organic compounds |
| FR2719238B1 (fr) * | 1994-04-29 | 1996-05-31 | Centre Nat Rech Scient | Matériau inorganique composite poreux, notamment sous forme de membrane, et procédé d'obtention d'un tel matériau. |
| JP3524177B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2004-05-10 | 日新製鋼株式会社 | ゼオライトで被覆した金属板の製造方法 |
| US6060415A (en) * | 1997-02-10 | 2000-05-09 | National Science Council | Aligned molecular sieve crystals grown on anodic alumina membrane |
| US6521198B2 (en) * | 2000-05-17 | 2003-02-18 | The Regents Of The University Of California | Metal surfaces coated with molecular sieve for corrosion resistance |
| DE10159652C2 (de) * | 2000-12-05 | 2003-07-24 | Sortech Ag | Verfahren zur Wärmeübertragung sowie Wärmeübertrager hierfür |
| EP1222961A3 (en) * | 2001-01-10 | 2002-08-28 | Abb Research Ltd. | Method of forming a zeolite layer on a substrate |
| DE10309009A1 (de) * | 2003-03-01 | 2004-09-09 | Scheffler, Michael, Dr.rer.nat. | Zeolith-Beschichtung |
-
2004
- 2004-10-29 DE DE102004052976A patent/DE102004052976A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-10-29 EP EP10166900.0A patent/EP2241652B1/de not_active Not-in-force
- 2005-10-29 JP JP2007538346A patent/JP4939423B2/ja active Active
- 2005-10-29 DE DE200550009800 patent/DE502005009800D1/de active Active
- 2005-10-29 ES ES10166900T patent/ES2730720T3/es active Active
- 2005-10-29 EP EP20050806569 patent/EP1761657B1/de active Active
- 2005-10-29 CN CN2005800372910A patent/CN101057005B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-29 ES ES05806569T patent/ES2348213T3/es active Active
- 2005-10-29 KR KR1020077011159A patent/KR101225397B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-29 AT AT05806569T patent/ATE471998T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-29 WO PCT/EP2005/011610 patent/WO2006048211A2/de active Application Filing
- 2005-10-29 US US11/665,595 patent/US8053032B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291809A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 膜状合成ゼオライトの製造方法 |
| JPH09202614A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Nisshin Steel Co Ltd | ゼオライトコ−ティング溶液およびその溶液によるゼオライトコ−ト鋼板の製造方法 |
| US20030091872A1 (en) * | 2000-03-23 | 2003-05-15 | Yushan Yan | Hydrophilic zeolite coating |
| JP2003093857A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ゼオライト膜形成用種結晶塗布装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2348213T3 (es) | 2010-12-01 |
| US20090090491A1 (en) | 2009-04-09 |
| EP2241652A3 (de) | 2015-08-05 |
| EP1761657A2 (de) | 2007-03-14 |
| EP2241652B1 (de) | 2019-03-13 |
| JP2008517751A (ja) | 2008-05-29 |
| DE502005009800D1 (de) | 2010-08-05 |
| CN101057005A (zh) | 2007-10-17 |
| WO2006048211A2 (de) | 2006-05-11 |
| CN101057005B (zh) | 2010-06-16 |
| KR20070084291A (ko) | 2007-08-24 |
| ES2730720T3 (es) | 2019-11-12 |
| DE102004052976A1 (de) | 2006-05-04 |
| WO2006048211A3 (de) | 2006-10-12 |
| US8053032B2 (en) | 2011-11-08 |
| EP2241652A2 (de) | 2010-10-20 |
| KR101225397B1 (ko) | 2013-01-22 |
| EP1761657B1 (de) | 2010-06-23 |
| ATE471998T1 (de) | 2010-07-15 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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