JP4935269B2 - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4935269B2 JP4935269B2 JP2006255438A JP2006255438A JP4935269B2 JP 4935269 B2 JP4935269 B2 JP 4935269B2 JP 2006255438 A JP2006255438 A JP 2006255438A JP 2006255438 A JP2006255438 A JP 2006255438A JP 4935269 B2 JP4935269 B2 JP 4935269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkali
- acid
- mol
- resin composition
- soluble resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
(1)アルカリ可溶性樹脂を固形分39重量%でγ−ブチロラクトンに溶解する。
(2)(1)を6インチシリコンウェハー上に塗布する。
(3)(2)を120℃で4分間プリベークし、膜厚10μm±0.5μmのプリベーク膜を形成する。
(4)(3)のプリベーク膜を23±1℃の2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に3分間浸漬する。
上記一般式(1)は、水酸基を有したポリアミド酸を表しており、この水酸基により、アルカリ水溶液に対する溶解性が水酸基を有さないポリアミド酸よりも良好になる。特に、アルカリ水溶液に対する溶解性の点より、水酸基の中でもフェノール性の水酸基がより好ましい。また、フッ素原子を一般式(1)中に10重量%以上有することで、アルカリ水溶液で現像する際に、膜の界面に撥水性が適度に出るために、界面のしみこみなどが抑えられる。しかしながら、フッ素原子含有量が20重量%を越えると、アルカリ水溶液に対する溶解性が低下すること、熱処理により環状構造にしたポリマーの耐有機溶媒性が低下すること、発煙硝酸に対する溶解性が低下するために好ましくない。従って、フッ素原子は10重量%以上20重量%以下含まれることが好ましい。
Σ((あるナフトキノンジアジド化合物のエステル化率)×(全ナフトキノンジアジド化合物に対する割合))
また、感光性樹脂組成物中のナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は、感光性樹脂組成物の樹脂成分を再沈殿法などで除去後、カラム分取法などで含有成分を分離し、NMRやIRで化学構造を同定することにより求めることができる。
6インチシリコンウェハーに、測定に使用する樹脂をγ−ブチロラクトンに固形分が39重量%になるように溶解し、この溶液を東京エレクトロン(株)製塗布現像装置Mark−7のスピンコーターを用いて、プリベーク後の膜厚が10±0.5μmになるように回転数を調整して塗布をした。塗布後、Mark−7のホットプレートを用いて、120℃で4分間のプリベークを行った。このプリベークしたウェハーを東京エレクトロン製のMark−7の現像ユニットを用いて、23±1℃の2.38重量%のテトラメチルアンモニウム水溶液(三菱化学(株)製ELM−D)で3分間現像した。現像前後の膜厚差を現像時間で除することにより、溶解速度を算出した。
6インチシリコンウェハーに、プリベーク後の膜厚が0.7μmになるように東京エレクトロン(株)製塗布現像装置Mark−7のスピンコーターを用いてポジ型感光性樹脂組成物溶液を塗布した。次いで、Mark−7のホットプレートを用いて120℃で2分間プリベークをした。プリベーク後のウェハーをi線ステッパー(GCA社製、DSW−8000)を用いて、1〜100μmのパターンのあるレチクルを通しフォーカスを0μmに設定して、露光時間20ミリ秒(露光量10mJ/cm2に相当)から700ミリ秒(露光量350mJ/cm2に相当)まで変化させて露光を行った。露光後、Mark−7の現像装置を用いて、2.38重量%テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、パドル方式で60秒間現像を行った。現像前後の膜厚を大日本スクリーン(株)製の膜厚測定機STM−602Jを用いて、屈折率1.64にて測定した。各露光量のパターンの露光部分の膜厚を測定し、膜厚膜厚測定装置の測定限界以下を示すのに必要な最低の露光量を、感度として求めた。感度の値は小さいほど高感度であることを示す。実用上は、タクトタイム内に露光をする必要があるため、露光時間すなわち露光量には制限がある。120mJ/cm2以下が好ましく、100mJ/cm2以下がより好ましい。
現像後の膜を光洋サーモシステム(株)製イナートオーブンINH−21CDを用いて、230℃で30分、窒素雰囲気中で熱処理を行った(ただし、実施例12、14は320℃で30分、窒素雰囲気中で熱処理を行った)。キュア膜の水滴接触角はJIS規格R3257(1999年)に従い、静滴法により測定した。キュア膜上に水滴を静置し、接触角計CA−D型(協和界面科学(株)製)を用いて測定を行った。測定箇所は5箇所とし、平均値と標準偏差を求めた。
BAHF18.3g(0.05モル)をアセトン100ml、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル)に溶解させ、−15℃に冷却した。ここに4−ニトロベンゾイルクロリド20.4g(0.11モル)をアセトン100mlに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、50℃で真空乾燥した。
2−アミノ−4−ニトロフェノール15.4g(0.1モル)をアセトン50ml、プロピレンオキシド30g(0.34モル)に溶解させ、−15℃に冷却した。ここに2,2−ビス(4−ベンゾイルクロリド)プロパン17.8g(0.055モル)をアセトン60mlに溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。
乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(以下BAHFと略す)18.3g(0.05モル)とアリルグリシジルエーテル34.2g(0.3モル)をγ−ブチロラクトン100gに溶解させ、−15℃に冷却した。ここにγ−ブチロラクトン50gに溶解させた無水トリメリット酸クロリド22.1g(0.11モル)を反応液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、0℃で4時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮して、トルエン1lに投入して水酸基含有酸無水物(C)を得た。
2−アミノ−4−ニトロフェノール15.4g(0.1モル)をアセトン100ml、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル)に溶解させ、−15℃に冷却した。ここに4−ニトロベンゾイルクロリド20.4g(0.11モル)をアセトン100mlに溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。この後、合成例2と同様にして水酸基含有ジアミン化合物(D)の結晶を得た。
乾燥窒素気流下、4−カルボキシ安息香酸クロリド18.5g(0.1モル)とヒドロキシベンゾトリアゾール13.5g(0.1モル)をテトラヒドロフラン(THF)100gに溶解させ、−15℃に冷却した。ここにTHF50gに溶解させたトリエチルアミン10.0g(0.1モル)を反応液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、25℃で4時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮して、活性エステル化合物(E)を得た。
乾燥窒素気流下、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物24.82g(0.08モル)、n−ブチルアルコール59.3g(0.8モル)を95℃で6時間攪拌反応させた。余剰のn−ブチルアルコールを減圧下、留去して、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジn−ブチルエステルを得た。ついで塩化チオニルを95.17g(0.8モル)、テトラヒドロフラン(THF)70gを仕込み40℃で3時間反応させた。つづいて、N−メチルピロリドン200gを添加し、減圧により、余剰の塩化チオニル及びTHFを除去し、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジn−ブチルエステルジクロリド溶液(F)239.6g(0.08モル)を得た。
乾燥窒素気流下、水酸基含有ジアミン化合物(A)9.67(0.016モル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.86g(0.0075モル)、末端封止剤として4−エチニルアニリン0.94g(0.008モル)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP)50gに溶解させた。ここにビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物6.2g(0.02モル)をNMP14gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で4時間反応させた。その後、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール4.77g(0.04モル)をNMP5gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間攪拌した。反応終了後、溶液を水1lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を70℃の真空乾燥機で60時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(G)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は350nm/分であった。
乾燥窒素気流下、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物6.2g(0.02モル)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP)50gに溶解させた。ここに末端封止剤として3−アミノフェノール1.09g(0.01モル)を加えて、40℃で1時間反応させた。次いで水酸基含有ジアミン化合物(A)4.23g(0.007モル)、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル0.6g(0.003モル)をNMP10gと加えてさらに40℃で2時間反応させた。その後、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール5.96g(0.05モル)をNMP5gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間攪拌した。反応終了後、溶液を水1lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を70℃の真空乾燥機で60時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(H)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は300nm/分であった。
乾燥窒素気流下、水酸基含有酸無水物(C)11.43g(0.016モル)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP)100gに溶解させた。ここに水酸基含有ジアミン化合物(B)12g(0.02モル)をNMP25gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で2時間反応させた。次に末端封止剤として無水マレイン酸0.78g(0.008モル)を加え50℃で2時間反応させた。その後、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール4.77g(0.04モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間攪拌した。反応終了後、溶液を水1lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を80℃の真空乾燥機で40時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(I)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は230nm/分であった。
乾燥窒素気流下、水酸基含有酸無水物(C)14.29g(0.02モル)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP)100gに溶解させた。ここに水酸基含有ジアミン化合物(A)4.84g(0.008モル)と水酸基含有ジアミン化合物(D)1.94g(0.008モル)をNMP25gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で2時間反応させた。次に4−エチニルアニリン0.94g(0.008モル)を加え50℃で2時間反応させた。その後、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール4.77g(0.04モル)をNMP5gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、50℃で3時間攪拌した。反応終了後、溶液を水1lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を80℃の真空乾燥機で40時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(J)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は470nm/分であった。
乾燥窒素気流下、BAHF18.68g(0.051モル)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.86g(0.0075モル)、末端封止剤として活性エステル化合物(E)9.62g(0.034モル)ピリジン11.93g(0.151モル)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP)50gに溶解させた。ここに、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジn−ブチルエステルジクロリド溶液(F)239.6g(0.08モル)を、反応系内が10℃以上にならないように滴下した。滴下後、室温で6時間攪拌した。反応終了後、溶液を水2lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を80℃の真空乾燥機で20時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(K)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は490nm/分であった。
メタクレゾール64.9g(0.6モル)、パラクレゾール43.3g(0.4モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液75.5g(ホルムアルデヒド0.93モル)、シュウサン二水和物0.63g(0.005モル)をメチルイソブチルケトン264gに溶解させ、反応液を還流させながら攪拌下4時間重縮合を行った。ついで3時間かけて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を4000〜6666Paまで減圧し、揮発分を除去し、溶融している樹脂分を室温まで冷却して回収した。この樹脂を樹脂成分が30重量%になるように酢酸エチルに溶解した後、溶液重量の1.3倍量のメタノールと、0.9倍量の水を加えて、攪拌放置した。ついで2層に分離した下層を取り出し、濃縮し、乾燥して、アルカリ可溶性樹脂(L)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は495nm/分であった。
2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200重量部に溶かした溶液に、スチレン10重量部、メタクリル酸20重量部、メタクリル酸グリシジル45重量部および、ジシクロペンタニルメタクリレート25重量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに攪拌した。溶液の温度を5時間保持しアルカリ可溶性樹脂(M)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は485nm/分であった。
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体443.2g(0.9モル)とBAHF183.1g(0.5モル)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル100.1(0.5モル)gを、4つ口のフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物をろ過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(N)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は485nm/分であった。
攪拌羽、温度計、窒素導入管を取り付けた、1Lの3つ口フラスコにBAHF18.3g(0.05モル)をはかり入れ、アセトン(特級、佐々木化学薬品(株)製)300mLに溶解させた。ここにグリシジルメチルエーテル(東京化成(株)製)80g(0.91モル)を加え、溶液の温度を2℃に冷却した。ここに、無水トリメリット酸クロリド(東京化成(株)製)21.1g(0.1モル)をアセトン200mLに溶解させた溶液を15分かけて、溶液の温度が5℃を越えないように滴下した。
0.5リットルのフラスコ中に、3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物28.66g、n−ブチルアルコール59.30gを仕込み、95℃で5時間で撹拌し反応させた。余剰のn−ブチルアルコールを減圧下、留去して、3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジn−ブチルエステルを得た。次に、フラスコ中に塩化チオニル95.17g、トルエン70.00gを仕込み、40℃で3時間反応させた。減圧により、余剰の塩化チオニルをトルエンと共沸させ、除去した。N−メチルピロリドン186gを添加し、3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジn−ブチルエステルジクロリドの溶液を得た。
合成例7において、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタールの添加量を7.15g(0.06モル)にした以外は同様の方法で合成し、アルカリ可溶性ポリマー(Q)を得た。このポリマーの溶解速度は36nm/分であった。
合成例7において、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタールの添加量を3.57g(0.03モル)にした以外は同様の方法で合成し、アルカリ可溶性樹脂(R)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は1500nm/分であった。
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体443.2g(0.9モル)とBAHF366.3g(1.0モル)とを、4つ口のフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物をろ過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(S)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は970nm/分であった。
合成例7において、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタールの添加量を4.17g(0.035モル)にした以外は同様の方法で合成し、アルカリ可溶性樹脂(T)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は550nm/分であった。
合成例7において、N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタールの添加量を5.96g(0.05モル)にした以外は同様の方法で合成し、アルカリ可溶性樹脂(U)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は150nm/分であった。
トラップ、冷却管を取り付けた0.3リットルフラスコに2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物17.77g、3,3’−ジヒドロキシベンジジン6.05g、3,5−ジアミノ安息香酸1.82g、ガンマカプロラクトン0.45g、ピリジン0.63g、NMP96.8g、トルエン19.4gを加え、180℃に昇温し、撹拌中発生する水を適宜取り除きながら2時間反応させた。冷却後、反応液をメタノール中に投入し、沈殿物をろ過により集め、真空乾燥後、アルカリ可溶性樹脂(V)を得た。このアルカリ可溶性樹脂の溶解速度は250nm/分であった。
乾燥窒素気流下、TrisP−PA(商品名、本州化学工業(株)製)21.23g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド37.60g(0.14モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチルアミン12.65g(0.125モル)を反応系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、ナフトキノンジアジド化合物(1)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は93%であった。
乾燥窒素気流下、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン15.31g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド37.60g(0.14モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチルアミン12.65g(0.125モル)を反応系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、ナフトキノンジアジド化合物(2)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は93%であった。
合成例23において、5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリドの添加量を34.92g(0.13モル)とした以外は同様の方法で合成し、ナフトキノンジアジド化合物(3)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は87%であった。
乾燥窒素気流下、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン12.31g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド48.36g(0.18モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチルアミン12.65g(0.125モル)を反応系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、ナフトキノンジアジド化合物(4)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は90%であった。
合成例23において、5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリドの添加量を32.24g(0.12モル)とした以外は同様の方法で合成し、ナフトキノンジアジド化合物(5)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は80%であった。
乾燥窒素気流下、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン12.42g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド26.86g(0.10モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチルアミン12.65g(0.125モル)を反応系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後30℃で2時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、ナフトキノンジアジド化合物(6)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は100%であった。
合成例23において、5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリドを、4−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド37.60g(0.14モル)とした以外は同様の方法で合成し、ナフトキノンジアジド化合物(7)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は93%であった。
合成例23において、5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリドの添加量を38.96g(0.145モル)とした以外は同様の方法で合成し、ナフトキノンジアジド化合物(8)を得た。このナフトキノンジアジド化合物のエステル化率は97%であった。
アルカリ可溶性樹脂(G)10gと、ナフトキノンジアジド化合物(1)2.9gを乳酸エチル(EL)100gに溶解させた。溶解した後、0.2μmのメンブレンフィルターでろ過をした。前記方法で感度と現像前後の膜厚変化を評価したところ、感度90mJ/cm2であり、現像前後の膜厚変化は0.05μmと小さかった。また、キュア膜の水滴接触角は平均値76度、標準偏差0.55だった。
アルカリ可溶性樹脂、ナフトキノンジアジド化合物、溶媒を表1に示すとおりにした以外は参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角を求めた。
参考例1のポジ型感光性樹脂組成物にフッ素系界面活性剤メガファックBL−20(固形分濃度20%、大日本インキ化学工業(株)製)を1.5g追加した以外は参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角を求めた。
参考例1のポジ型感光性樹脂組成物にフッ素系界面活性剤メガファックMCF−350SF(大日本インキ化学工業(株)製)を0.3g追加した以外は参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角を求めた。
参考例12のポジ型感光性樹脂組成物にフッ素系界面活性剤メガファックBL−20(固形分濃度20%、大日本インキ化学工業(株)製)を1.5g追加した以外は参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角求めた。
アルカリ可溶性樹脂、ナフトキノンジアジド化合物、溶媒を表1に示すとおりにした以外は参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角を求めた。
アルカリ可溶性樹脂(N)10g、ナフトキノンジアジド化合物(5)2.9g、フッ素系界面活性剤FC−170C(住友スリーエム(株)製)0.3gをN−メチルピロリドン(NMP)100gに溶解させた。溶解した後、0.2μmのメンブレンフィルターでろ過をした。参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角を求めた。
アルカリ可溶性樹脂(V)10g、ジアゾナフトキノン4.5gをプロピレングリコールメチルエーテル/ガンマブチロラクトン=1/1の溶液100gに溶解させた。溶解した後、0.2μmのメンブレンフィルターでろ過をした。参考例1と同様の操作を行い、感度、現像前後の膜厚変化およびキュア膜の水滴接触角を求めた。
有機EL表示装置を以下の方法で作製した。300mm×350mm×0.7mmの無アルカリガラス(コーニングジャパン(株)製、#1737)表面にスパッタリング蒸着法によって厚さ130nmのITO透明電極膜が形成された300mm×350mmのガラス基板を用意した。ITO基板上にフォトレジストをスピナー塗布して、通常のフォトリソグラフィ法による露光・現像によってパターニングした。ITOの不要部分をエッチングして除去した後、フォトレジストを除去することで、ITO膜を長さ90mm、幅80μmのストライプ形状にパターニングした。このストライプ状第一電極は100μmピッチである。
Claims (3)
- アルカリ可溶性樹脂、ナフトキノンジアジド化合物を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂が一般式(1)で表される構造を主成分とし、前記アルカリ可溶性樹脂を固形分39重量%でγ−ブチロラクトンに溶解した溶液をシリコンウェハー上に塗布し、120℃で4分間プリベークを行って膜厚10μm±0.5μmのプリベーク膜を形成し、該プリベーク膜を23±1℃の2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に3分間浸漬したときの溶解速度が200nm/分以上500nm/分以下であって、かつ前記ナフトキノンジアジド化合物のエステル化率が85%以上97%以下であり、さらにフッ素系界面活性剤をアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.1重量部以上10重量部以下含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
- 有機エレクトロルミネッセンス素子の絶縁膜に用いることを特徴とする請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1または2に記載のポジ型感光性樹脂組成物から形成された絶縁膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006255438A JP4935269B2 (ja) | 2005-09-21 | 2006-09-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005273372 | 2005-09-21 | ||
JP2005273372 | 2005-09-21 | ||
JP2006255438A JP4935269B2 (ja) | 2005-09-21 | 2006-09-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007114763A JP2007114763A (ja) | 2007-05-10 |
JP2007114763A5 JP2007114763A5 (ja) | 2009-10-08 |
JP4935269B2 true JP4935269B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=38096942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006255438A Active JP4935269B2 (ja) | 2005-09-21 | 2006-09-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4935269B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130084240A (ko) * | 2010-06-03 | 2013-07-24 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 조성물의 제조 방법 |
JPWO2015137281A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-04-06 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP6455979B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2019-01-23 | Hoya株式会社 | レジスト層付ブランク、その製造方法、マスクブランクおよびインプリント用モールドブランク、ならびに転写用マスク、インプリント用モールドおよびそれらの製造方法 |
JP2015194583A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | Jsr株式会社 | 硬化膜形成用樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法、並びに表示素子 |
JP6365015B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-08-01 | 大日本印刷株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びその製造方法、並びに、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターンの製造方法 |
JP2016133741A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、および電子装置 |
WO2017038828A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、その樹脂組成物により形成された未硬化の樹脂パターン、硬化樹脂パターン、およびそれを用いた半導体装置とその製造方法 |
US20190033714A1 (en) * | 2016-03-28 | 2019-01-31 | Toray Industries, Inc. | Resin composition, cured relief pattern thereof, and method for manufacturing semiconductor electronic component or semiconductor equipment using the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07219227A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-18 | Toray Ind Inc | ネガ型感放射線レジスト組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 |
JP4070515B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2008-04-02 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 耐熱性樹脂前駆体組成物 |
JP4101670B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-06-18 | 東京応化工業株式会社 | Lcd製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
JP4250982B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2009-04-08 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
-
2006
- 2006-09-21 JP JP2006255438A patent/JP4935269B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007114763A (ja) | 2007-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI725250B (zh) | 樹脂組成物、樹脂薄片、硬化膜、有機el顯示裝置、半導體電子零件、半導體裝置及有機el顯示裝置之製造方法 | |
JP4935269B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4665333B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 | |
CN109563353B (zh) | 树脂组合物 | |
JP4082041B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置 | |
US20030194631A1 (en) | Precursor composition for positive photosensitive resin and display made with the same | |
TWI770283B (zh) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、具備硬化膜之元件、具備硬化膜之有機el顯示裝置、硬化膜之製造方法及有機el顯示裝置之製造方法 | |
JP2009020246A (ja) | 感光性樹脂組成物、これを用いた絶縁性樹脂パターンの製造方法および有機電界発光素子 | |
JP4333219B2 (ja) | 感光性樹脂組成物および耐熱性樹脂膜の製造方法 | |
JP4360168B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2008040324A (ja) | 樹脂組成物およびそれを用いたパターン化樹脂膜の製造方法 | |
TW202106760A (zh) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂薄片、硬化膜、硬化膜之製造方法、有機el顯示裝置、及電子零件 | |
JP5562585B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
WO2015137281A1 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP4677687B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 | |
JP4292765B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物およびそれを用いた半導体用電子部品ならびに有機電界発光素子用表示装置 | |
WO2022181350A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化物、積層体、表示装置、および表示装置の製造方法 | |
JP4396161B2 (ja) | 感光性樹脂前駆体組成物 | |
JP2005309032A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
TWI492976B (zh) | 用於顯示裝置絕緣膜之光敏樹脂組成物、使用其之絕緣膜、及使用其之顯示裝置(一) | |
JP2010072143A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
WO2023120352A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法、有機el表示装置および表示装置 | |
WO2023013549A1 (ja) | キサンテン化合物、樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法、有機el表示装置および表示装置 | |
TWI533087B (zh) | 用於顯示裝置絕緣膜之光敏樹脂組成物、使用其之絕緣膜、及使用其之顯示裝置(二) | |
WO2023171284A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法、有機el表示装置および表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090824 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4935269 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |