JP4934902B2

JP4934902B2 - 巻き取り式真空蒸着装置

Info

Publication number: JP4934902B2
Application number: JP2001129004A
Authority: JP
Inventors: 泰美山田; 晴夫宇山
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2012-05-23
Anticipated expiration: 2021-04-26
Also published as: JP2002327267A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学薄膜として利用される酸化チタン薄膜、特に耐熱性及び耐プラズマ性の低いポリマーフィルム基材上に成膜される高屈折率酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
酸化チタン薄膜は高屈折率、低吸収、高機械・高化学耐性など優れた特性を有しており、反射防止膜、広・狭帯域光フィルター、光触媒などの光学薄膜に幅広く使用されている。従来、酸化チタン薄膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、化学気相反応法などの成膜方法により形成されてきた。しかし、産業上の観点から高速成膜が可能で、高スループットが期待される真空蒸着法が有効な成膜方法とされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前記真空蒸着法では、酸素雰囲気中に金属チタンあるいは酸化チタンを蒸発させて成膜させる方法が一般的であるが、この場合、高屈折率酸化チタン薄膜を形成させるには成膜基板に３００℃以上の高温を印加させる必要があった。また、蒸発源から基材に向かって材料を蒸発させる時にプラズマあるいはイオンビームを同時に照射させる方法もよく知られている。この場合、プラズマやイオンの活性状態を利用して、上記ほどの高温を印加せずとも高屈折率酸化チタン薄膜は形成できるという利点がある。高屈折率を達成するためには、膜の緻密さを向上させるように基材上での蒸発原子の移動度を高める（これを原子ミキシング効果という）必要がある。成膜基材への高温の印加あるいはプラズマ、イオンビームの高エネルギー印加により、原子の移動度が向上し、高屈折率酸化チタン薄膜が生成するプロセスとなっている。しかし、高温の印加、またはプラズマあるいはイオンビームによるイオン衝撃が基材に対する変質、劣化が生じることがあった。
【０００４】
基材として、耐熱性や耐プラズマ性の低いポリマーフィルムを用いる場合、上記のような基材への高温印加やイオン衝撃を抑えることが必要となる。これに対応するため、高活性ではあるがイオン衝撃のないラジカルビームを利用した蒸着法（例えば、特開平７−２６３７６６号）が提案されている。ラジカルの利用は、その励起エネルギー（約５ｅＶ）により高活性であるため酸化反応を促進し、効果的に酸化チタン薄膜を形成できる。しかし、その励起エネルギーは前記原子ミキシング効果を生じさせるほど高くないため薄膜の緻密化が困難である。したがって、ラジカルビームを利用した成膜法による酸化チタン薄膜の屈折率は比較的低いものとなる。
【０００５】
そこで、蒸着成膜の際ラジカルビームと同時に高エネルギーを印加できるイオンビームを併用することで、ラジカルビームの利用だけでは不十分であった前記ミキシング効果を補足する成膜方法（例えば、特開平５−１４８６５５号）が提案されている。この場合、ラジカルビーム単独での成膜と比べ形成する薄膜の屈折率は向上する。しかし、イオンビーム強度あるいはイオンエネルギーが過剰に基材に照射されると膜中原子をスパッタしてしまい薄膜の屈折率が逆に減少する。また、基材に対し変質・劣化を生じさせる。特に、前記ポリマーフィルム基材についてはこのような作用が大きく薄膜の光学特性に影響を与え易い。
【０００６】
本発明の目的は、ポリマーフィルム基材上に高温を印加せず、強いイオン衝撃をもたらすことがなく、ラジカルビームとイオンビームを併用した、より効果的に高屈折率酸化チタン薄膜被覆フィルムを形成する形成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、ポリマーフィルム上に酸化チタン薄膜を成膜し酸化チタン薄膜被覆フィルムとする巻き取り式真空蒸着装置であって、真空チャンバーと該真空チャンバー内に、ポリマーフィルムを移動させるための巻き出し機及び巻き取り機と、巻き出し機から巻き取り機までポリマーフィルムが移動する際に通過するクーリングキャンと、該クーリングキャン上のポリマーフィルムに対し酸化チタン薄膜を形成するための金属チタンあるいは酸化チタンを保持する蒸発源と、前記クーリングキャン上のポリマーフィルムに向かって導入されている酸素ラジカルビーム強度が１０ ^１５個ｃｍ ^−２ｓ ^−１の酸素ラジカルビーム発生源及び酸素イオンエネルギーが６００ｅＶであるイオンビーム発生源を備え、且つ、前記酸素イオンビーム発生源が酸素イオンのポリマーフィルムに対する照射角度がクーリングキャン上のポリマーフィルムの法線方向に対し０〜３０度の範囲内となるように設定されていることを特徴とする巻き取り式真空蒸着装置である。
【００１０】
〈作用〉
基材に照射されるイオン比を０．５〜１．５％の範囲にすることにより、ポリマーフィルム基材に対するイオン衝撃によるダメージを最小限に抑え、かつ成膜される酸化チタン薄膜へのミキシング効果を最大限に生じさせることができる。
【００１１】
また、基材に照射される酸素イオンのイオンエネルギーを４００〜８００ｅＶの範囲にすることにより、ポリマーフィルム基材に対するイオン衝撃によるダメージを最小限に抑え、かつ成膜される酸化チタン薄膜へのミキシング効果を最大限に生じさせることができる。
【００１２】
また、基材に照射される酸素イオンの照射角度を基材法線に対し０〜３０度の範囲にすることにより、基材に対し平行方向のエネルギーより垂直方向のそれが効果的に作用し、ミキシング効果を最大限に生じさせることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法の一例を説明するための巻き取り式製膜装置の概略図である。
本発明は、図１のような巻き取り式真空蒸着装置を用いて行うものである。この装置は、真空チェンバー（１）内にポリマーフィルム（２）を移動させるための巻き出し機（３）及び巻取り機（４）、冷却可能なクーリングキャン（５）、蒸着材料である金属チタンあるいは酸化チタン（６）を保持する蒸発源（７）、ポリマーフィルム基材（２）に向かって導入されているラジカルビーム発生源（８）およびイオンビーム発生源（９）から構成されている。
【００１４】
前記ポリマーフィルム（２）は、巻き出し機（３）からクーリングキャン（５）に沿って供給され、酸化チタン薄膜が形成される。酸化チタン薄膜が形成されたポリマーフィルム（２）は巻き取り機（４）によって巻き取られる。
【００１５】
前記蒸着材料を蒸発させる蒸発源（７）としては、抵抗加熱法、電子ビーム法、スパッタリング法など金属あるいは金属酸化物を蒸発させられるものであれば本発明の目的を逸脱しない。
【００１６】
本発明に使用する基材としては、例えばポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミドなどの厚さ１０〜２００μｍのポリマーフィルムであれば本発明の目的を逸脱するものではない。
【００１７】
上記巻取り式真空蒸着装置を用いて行われる本発明の高屈折率酸化チタンの形成方法について述べる。まず真空度２×１０^-4Ｐａ以下とした真空チェンバー（１）下部に設置された蒸発源（７）内に保持された蒸着材料である金属チタンあるいは酸化チタン（６）を、クーリングキャン（５）上のポリマーフィルム（２）に向けて蒸発させる。一方ラジカルビーム発生源（８）から酸素ラジカルを、イオンビーム発生源（７）から酸素イオンを上記ポリマーフィルム（２）に向けて同時に照射し、酸化チタン薄膜を成膜させた。
【００１８】
【実施例】
実施例として、図１に示した形成装置により蒸着材料を金属チタンとして電子ビームにより０．１ｎｍ／ｓｅｃの一定速度で蒸発させ、ポリエステルフィルム上に酸化チタン薄膜の形成を行った。基材となるポリエステルフィルムには強制加熱は施さなかった。以下の実施例は、形成された酸化チタン薄膜の屈折率に対する１）イオン比、２）酸素イオンのイオンエネルギー、３）基材に対する酸素イオンビームの照射角度（図１のθ）、の３点について検討し、酸化チタン薄膜被覆フィルムの屈折率を向上させることを目的としたものである。
【００１９】
〈実施例１〉
図２には、ポリエステルフィルム上に形成された酸化チタン薄膜の屈折率に対するイオン比依存性を示した。この時、イオン比を０から２％の範囲で変化させ、酸素ラジカルビーム強度は１０¹⁵個ｃｍ^-2ｓ^-1、酸素イオンビームの照射角度は０度で一定とした。図２から、ラジカルビームのみの照射（イオン比が０％）では酸化チタン薄膜の屈折率は２．３であったが、イオン比が０．５から１．５％の範囲で酸化チタン薄膜の屈折率は２．６で最大を示し、その後２．０％では２．３５まで減少した。したがって上記範囲のイオン比で酸化チタン薄膜の屈折率の向上が最も効果的であることがわかった。
【００２０】
〈実施例２〉
図３には、ポリエステルフィルム上に形成された酸化チタン薄膜の屈折率に対する、酸素イオンのイオンエネルギー依存性を示した。この時、イオンエネルギーを０から１０００ｅＶの範囲で変化させ、酸素ラジカルビーム強度は１０¹⁵個ｃｍ^-2ｓ^-1、酸素イオン混合率は１％で一定とした。図３から、イオンエネルギーが４００から８００ｅＶの範囲で酸化チタン薄膜の屈折率は２．６で最大を示し、その後１０００ｅＶでは２．２５まで減少した。したがって上記範囲のイオンエネルギーで酸化チタン薄膜の屈折率の向上が最も効果的であることがわかった。
【００２１】
〈実施例３〉
図４には、ポリエステルフィルム上に形成された酸化チタン薄膜の屈折率に対する、酸素イオンビームの照射角度依存性を示した。この時、照射角度を０から６０度の範囲で変化させ、酸素ラジカルビーム強度は１０¹⁵個ｃｍ^-2ｓ^-1、酸素イオンビームのイオンエネルギーは６００ｅＶで一定とした。図４から、照射角度が０から３０度の範囲で酸化チタン薄膜の屈折率は２．６で最大を示し、その後６０度で２．２まで減少した。したがって上記範囲の照射角度で酸化チタン薄膜の屈折率の向上が最も効果的であることがわかった。
【００２２】
【発明の効果】
以上のように本発明の酸化チタン被覆フィルムの形成方法によれば、ポリマーフィルムなど耐熱性、耐プラズマ性の低い基材に対して劣化・変質を最小限に抑え、かつ高屈折率の酸化チタン薄膜被覆フィルムを効率的に形成できる。
【００２３】
また、前記酸化チタン薄膜被覆フィルムを、ロール状態から巻き出されたポリマーフィルム基材上に形成できることで、高スループットの連続成膜が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法の一実施形態を説明するための巻き取り式成膜装置の概略図である。
【図２】本発明における実施例１の酸素イオン混合率に対する酸化チタン薄膜の屈折率の関係を示した図である。
【図３】本発明における実施例２の酸素イオンのイオンエネルギーに対する酸化チタン薄膜の屈折率の関係を示した図である。
【図４】本発明における実施例３の酸素イオンビームの照射角度に対する酸化チタン薄膜の屈折率の関係を示した図である。
【符号の説明】
１：真空チェンバー
２：ポリマーフィルム
３：巻き出し機
４：巻き取り機
５：クーリングキャン
６：蒸着材料
７：蒸発源
８：ラジカルビーム発生源
９：イオンビーム発生源

Claims

ポリマーフィルム上に酸化チタン薄膜を成膜し酸化チタン薄膜被覆フィルムとする巻き取り式真空蒸着装置であって、
真空チャンバーと
該真空チャンバー内に、ポリマーフィルムを移動させるための巻き出し機及び巻き取り機と、巻き出し機から巻き取り機までポリマーフィルムが移動する際に通過するクーリングキャンと、該クーリングキャン上のポリマーフィルムに対し酸化チタン薄膜を形成するための金属チタンあるいは酸化チタンを保持する蒸発源と、前記クーリングキャン上のポリマーフィルムに向かって導入されている酸素ラジカルビーム強度が１０ ^１５個ｃｍ ^−２ｓ ^−１の酸素ラジカルビーム発生源及び酸素イオンエネルギーが６００ｅＶであるイオンビーム発生源を備え、且つ、
前記酸素イオンビーム発生源が酸素イオンのポリマーフィルムに対する照射角度がクーリングキャン上のポリマーフィルムの法線方向に対し０〜３０度の範囲内となるように設定されている
ことを特徴とする巻き取り式真空蒸着装置。