JP4931141B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
P. G. Kwiat, K. Mattle, H. Weinfurter, A. Zeilinger, A. V.Sergienko, and Y. Shih, "New high-intensity source ofpolarization-entangled photon pairs," Physical Review Letters, Vol.75,No.24 (1995) pp.4337-4341. I. Suemune, "Prospects of superconducting photonics,"CPT2006 Technical Digest, pp.39-42.
先ず、本発明に係る半導体発光素子の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体発光素子1の構成を示す図である。同図(a)は平面図である。同図(b)は同図(a)のA-A線での断面図である。また、同図(c)は同図(a)のB-B線での断面図である。
次に、本発明に係る半導体発光素子の第2実施形態について説明する。図5は、第2実施形態に係る半導体発光素子2の構成を示す図である。同図(a)は平面図である。同図(b)は同図(a)のA-A線での断面図である。
2…半導体発光素子、20…基板、22…第1導電型の第1半導体層、23…半導体量子ドット領域、24…第2導電型の第2半導体層、25…超伝導の第1電極、26…超伝導の第2電極、27…第3電極、28…貫通孔、29…間隙、30…貫通孔。
Claims (2)
- 基板と、
前記基板の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上の第1領域に設けられた第1導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられた第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層上に設けられた超伝導の第1電極および超伝導の第2電極と、
前記第1半導体層上の第2領域に設けられた第3電極と、
前記第1電極が設けられた領域の下方であって前記第2半導体層と前記第3半導体層との間に設けられた半導体量子ドット領域と、
を備え、
前記第1電極のうち前記半導体量子ドット領域の上方部分に貫通孔が設けられ、
前記第1電極と前記第2電極との間に間隙が設けられている、
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられた超伝導の第1電極および超伝導の第2電極と、
前記半導体基板の他方の主面上に設けられた第3電極と、
前記第1電極が設けられた領域の下方であって前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた半導体量子ドット領域と、
を備え、
前記第1電極のうち前記半導体量子ドット領域の上方部分に貫通孔が設けられ、
前記第1電極と前記第2電極との間に間隙が設けられ、
前記第3電極のうち前記半導体量子ドット領域の下方部分に貫通孔が設けられている、
ことを特徴とする半導体発光素子。
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JP2007185948A JP4931141B2 (ja) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | 半導体発光素子 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03109788A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Hitachi Ltd | 超伝導化半導体光素子 |
JP3107325B2 (ja) * | 1992-04-10 | 2000-11-06 | 日本電信電話株式会社 | 半導体結合超伝導素子 |
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