JP4924347B2 - 移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置 - Google Patents

移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置 Download PDF

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Description

本発明は移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置に関し、特に、変位伝達部、薄肉部、固定部と駆動素子とを有する駆動部を備えた移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置に関する。
近年、コンパクト型デジタルカメラやカメラ付き携帯電話用のカメラモジュール等の撮像装置の小型化と高機能化(例えば、オートフォーカス機能等の搭載)を両立させることが必要になってきている。しかし、例えばオートフォーカス機能を考えても、従来のようにモータを用いて撮影レンズを移動させる方式では、小型化が不可能となっており、モータに変わる小型アクチュエータが求められている。
アクチュエータを小型化するためには、次の課題がある。
課題1)駆動負荷(被駆動体質量、機構の摩擦、電気配線、空気の対流等)の低減
課題2)組立の簡略化
課題3)ゴミ対策
以下に、上述した課題について述べる。
課題1)アクチュエータは、一般的に小型化するにつれて発生できる出力が小さくなる。一例として、現在市販されている撮像レンズユニットを駆動するタイプのオートフォーカス機構では、被駆動体である撮像レンズユニットの質量は軽いものでも0.2g程度あり、それに機構の摩擦やバネによる負荷、電気配線のためのフレキシブル基板による負荷等も合わせると、10-2N程度の負荷となるのが一般的である。そして、これらの負荷を駆動するためのアクチュエータの体積は概ね50mm3程度であり、かなり大きい。アクチュエータの更なる小型化のためには、負荷の低減が必須である。
課題2)上述した市販のオートフォーカス機構では、アクチュエータや機構を構成する部品は10点程度あり、これらの部品を接合している部分も同程度存在する。より一層小型化されたオートフォーカス機構において、これらの接合を高精度に短時間に実現するのは困難であり、部品点数の削減や接合カ所の削減が必須である。
課題3)小型アクチュエータとして現在最も一般的に知られているのは、静電アクチュエータであるが、静電アクチュエータでは、固定電極と移動電極の間のギャップが数μm程度しかなく、動作を保証するにはゴミの進入を防止する密閉構造が必要不可欠である。撮像素子パッケージ内に撮像素子と静電アクチュエータを密封し、静電アクチュエータで撮像素子を駆動することでオートフォーカスを行う方法が提案されているが、撮像素子パッケージ内に入れることのできる静電アクチュエータでは力量が弱く、画素数や画素サイズが比較的大きな撮像素子を駆動することは困難である。
そこで、電極と分極方向を分割したS字駆動のバイモルフ型圧電素子を複数枚接合したアクチュエータを用いて、撮像素子パッケージを光軸方向に平行移動させることで、オートフォーカス機能を実現する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、超小型アクチュエータの例として、薄膜形成技術を応用して、シリコン基板上に変位素子として形状記憶合金(以下、SMAと言う)薄膜を形成してアクチュエータとして用いる方法が示されている(例えば、非特許文献1参照)。
特開平5−48957号公報 古屋他「未来型アクチュエータ材料・デバイス」128頁〜129頁(シーエムシー出版)
しかし、特許文献1の方法では、撮像素子パッケージ毎移動させるので、大きな駆動力が必要であり、上述した課題1)に反する。また、S字駆動のバイモルフ型圧電素子を複数枚複雑な形に接合するため、アクチュエータの組立が複雑で上述した課題2)に反する。さらに、バイモルフ型圧電素子のゴミ対策が必要で、ケーシング等により大型化することが予想され、上述した課題3)に反する。
また、非特許文献1の方法は、アクチュエータとしての可能性を示しているにすぎず、上述した課題1)、2)、3)等の、実際に装置に応用する際にアクチュエータとして考慮されるべき項目に対する考察は全くなされていない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、上述した課題に述べた、駆動負荷の低減、組立の簡略化およびゴミ対策等のアクチュエータの小型化に必要な課題を解決し、コンパクト型デジタルカメラやカメラ付き携帯電話用のカメラモジュール等に好適な小型で高機能な移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の目的は、下記構成により達成することができる。
1.被移動部を搭載するための平板状の移動部と、
前記移動部を移動させるための駆動部と、
前記移動部と前記駆動部とを連結する接続部とを備え、
前記駆動部は、1対の変位部を有し、
1対の前記変位部は、各々が、一端に固定部、他端に変位伝達部を有し、前記固定部と前記変位伝達部を結ぶ薄肉部を有し、前記固定部、前記薄肉部および前記変位伝達部に跨って配置された駆動素子を有し、かつ、各々の前記変位伝達部が一体に結合されており、
前記接続部は、前記移動部と、一体に結合された前記変位伝達部とを接続し、
前記移動部は矩形であり、
2組の前記駆動部の各々の前記変位伝達部が、2組の前記接続部により前記移動部の対向する2辺に接続され、
2組の前記駆動部は、それぞれ、前記移動部の3方を囲むコの字形状であり、
前記変位伝達部はコの字の中辺であり、
前記変位部はコの字の両端辺であり、
前記駆動素子は、圧電素子であり、スパッタリングにより形成され、
前記移動部、前記接続部、前記変位伝達部、前記薄肉部および前記固定部は、SOI(Silicon on Insulator)基板で一体的に構成されることを特徴とする移動機構。
2.前記移動部、前記変位伝達部および前記固定部は、前記SOI基板の同一のレイヤで構成されて剛性を有することを特徴とする1に記載の移動機構。
.前記接続部と前記薄肉部とは、前記SOI基板の同一のレイヤで構成されてバネ性を有することを特徴とする1又は2に記載の移動機構。
.1乃至の何れか1項に記載の移動機構と、
前記移動機構の移動部に搭載された被駆動部としての撮像素子と、
前記移動機構および前記撮像素子を封入した撮像素子パッケージとを備え、
前記移動機構によって、前記撮像素子を移動させることを特徴とする撮像ユニット。
に記載の撮像ユニットと、
前記撮像素子の撮像面に被写体像を結像させる撮像光学系とを備え、
前記移動機構によって、前記撮像素子を前記撮像光学系の光軸方向に移動させることを特徴とする撮像装置。
本発明によれば、被移動部を搭載するための移動部を、接続部を介して、変位伝達部、薄肉部および固定部と、変位伝達部、薄肉部および固定部に跨って配置された駆動素子で構成される駆動部で駆動することで、アクチュエータの小型化に必要な課題を解決することができ、さらに移動機能の性能向上も達成でき、コンパクト型デジタルカメラやカメラ付き携帯電話用のカメラモジュール等に好適な小型で高機能な移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置を提供することができる。
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。なお、図中、同一あるいは同等の部分には同一の番号を付与し、重複する説明は省略する。
最初に、本発明における撮像装置および撮像ユニットの実施の形態について、図1を用いて説明する、図1は、本発明における撮像装置および撮像ユニットの実施の形態の構成の1例を示す模式図で、図1(a)は撮像装置であるカメラ1の断面図、図1(b)は撮像ユニット10の断面図である。
図1(a)において、撮像装置であるカメラ1は、撮像ユニット10および撮像光学系20等で構成される。撮像ユニット10は、撮像素子100および移動機構200等で構成される。撮像素子100は、撮像光学系20の光軸21上に配置され、移動機構200によって光軸21方向(図の矢印AF方向)に移動されることで、ピント調節される。
図1(b)において、撮像ユニット10は、撮像素子パッケージ11を構成する筐体13、リードフレーム15およびカバーガラス17と、撮像素子パッケージ11内に封入された撮像素子100、移動機構200および基台290等で構成される。詳細は後述するが、移動機構200は、所謂MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術と呼ばれる微細加工技術によって形成される。
撮像素子100は移動機構200上に搭載され、移動機構200によって光軸21方向(図の矢印AF方向)に移動される。移動機構200は、後述する固定部で基台290上に固定され、基台290を基準として後述する移動部が光軸21方向(図の矢印AF方向)に移動されることで、撮像素子100を光軸21方向(図の矢印AF方向)に移動させる。基台290は、筐体13の底面あるいはリードフレーム15上に固定される。もちろん、筐体13の底面あるいはリードフレーム15を基台290として利用してもよい。
図1(b)に示したように、撮像素子100と移動機構200とを撮像素子パッケージ11内に封入する構成をとることによって、撮像素子100の撮像面へのゴミの付着を防止するだけでなく、移動機構200へのゴミの進入を防止することができ、上述した課題3)ゴミ対策を達成することができる。
また、撮像素子100を移動機構200で移動させることで、上述した「特許文献1」のように撮像素子パッケージ11のように重いものを移動させる必要がなく、また、撮像素子100と移動機構200とを撮像素子パッケージ11内に封入することで、カメラ1内の空気の対流による負荷の増加を考える必要もなく、上述した課題1)駆動負荷の低減を達成することができる。
次に、上述した移動機構200の実施の形態について、図2を用いて説明する。図2は、移動機構200の実施の形態の1例を示す模式図で、図2(a)は移動機構200の構成を示す模式図、図2(b)および(c)は図2(a)のA−A’断面図であり、移動機構200の駆動原理を示す模式図である。
図2(a)において、移動機構200は、撮像素子100を搭載するための矩形平板状の移動部201、第1の駆動部210、第2の駆動部250、接続部203および205等で構成される。
第1の駆動部210は、変位伝達部211と、その両端に接続された1対の変位部213aおよび213b等で構成される。変位部213aは、変位伝達部211との接続部分とは逆側の端部に固定部215aを有し、変位伝達部211との接続部分と固定部215aとの間には薄肉部217aが形成され、変位伝達部211の端部から薄肉部217aおよび固定部215aに跨って駆動素子221aが配置されている。
変位部213bについても同様で、固定部215b、薄肉部217bおよび駆動素子221b等で構成される。移動部201の一辺の中央部と、第1の駆動部210の変位伝達部211の中央部とは、接続部203で接続されている。
同様に、第2の駆動部250は、変位伝達部251と、その両端に接続された1対の変位部253aおよび253b等で構成される。変位部253aは、変位伝達部251との接続部分とは逆側の端部に固定部255aを有し、変位伝達部251との接続部分と固定部255aとの間には薄肉部257aが形成され、変位伝達部251の端部から薄肉部257aおよび固定部255aに跨って駆動素子261aが配置されている。
変位部253bについても同様で、固定部255b、薄肉部257bおよび駆動素子261b等で構成される。移動部201の変位伝達部211と接続されたのとは対辺の中央部と、第2の駆動部250の変位伝達部251の中央部とは、接続部205で接続されている。
移動部201、接続部203、205、変位伝達部211、251、薄肉部217a、217b、257a、257b、および固定部215a、215b、255a、255bは、後述するSOI(Silicon On Insulator)基板で一体的に構成される。移動部201、変位伝達部211、251および固定部215a、215b、255a、255bはSOI基板の同一のレイヤで構成されて剛性を有する。
同様に、接続部203、205および薄肉部217a、217b、257a、257bはSOI基板の同一のレイヤで構成されてバネ性を有する。このように一体構成とすることで、移動機構を構成する部品点数を削減することができ、上述した課題2)組立の簡略化を達成することができる。
図2(a)に示すように、第1の駆動部210の1対の変位部213aおよび213bは、第2の駆動部250の1対の変位部253aおよび253bの外側を囲むように配置されている。図示した例以外に、例えば図の左側から変位部253b、変位部213b、移動部201、変位部253a、変位部213aの順に並ぶように配置してもよい。
図2(b)において、変位部213aは、変位伝達部211との接続部分とは逆側の端部に固定部215aを有し、変位伝達部211との接続部分と固定部215aとの間には薄肉部217aが形成され、変位伝達部211の端部から薄肉部217aおよび固定部215aに跨って駆動素子221aが配置されている。固定部215aは、図1(b)に示した、例えばガラス基板等で構成される基台290に固定されており、移動しない。
図2(c)において、変位部213aの駆動素子221aに駆動電圧が印加されて駆動素子221aが図の矢印Y方向に収縮することで、薄肉部217aがそのバネ性によって図の矢印Z方向に曲げられ、変位伝達部211が図の矢印Z方向に移動される。変位部213bについても同様の動作が行われ、駆動素子221bに駆動電圧が印加されることで、変位伝達部211が図の矢印Z方向に移動される。
変位部253aおよび253bについては、図2(b)および(c)と天地逆の構成になるだけで動作は同じであり、駆動素子261aおよび261bに駆動電圧が印加されることで、変位伝達部251が図の矢印Z方向に移動される。以上の動作から、駆動素子221a、221b、261aおよび261bに同一の駆動電圧が印加されることで、変位伝達部211および251と接続部203および205によって接続された移動部201および移動部201上に搭載された撮像素子100が、図の矢印Z方向、つまり図1の光軸21方向に平行移動される。
図3は図2のB−B’断面図で、上述した移動部201および撮像素子100が光軸21方向に平行移動されることを説明するための模式図であり、図3(a)は駆動素子221a、221b、261aおよび261bに駆動電圧が印加されていない状態を、図3(b)は駆動素子221a、221b、261aおよび261bに同一の駆動電圧が印加されている状態を示す。
図3(a)において、不図示の駆動素子221a、221b、261aおよび261bには駆動電圧が印加されていないので、図中太線の破線で示した薄肉部217a、217b、257aおよび257bはまっすぐな形状をしている。
図3(b)において、不図示の駆動素子221a、221b、261aおよび261bに同一の駆動電圧が印加されると、図中太線の破線で示した薄肉部217a、217b、257aおよび257bは、固定部215a、215b、255aおよび255bを基点として図の矢印Z方向に曲がり、剛性を持つ変位伝達部211および251、バネ性を持つ接続部203および205を介して、剛性を持つ移動部201および移動部201上に搭載された撮像素子100が、光軸21方向(矢印AF方向)に平行移動され、図1に示した撮像光学系20との間隔を変化させることでピント調節が行われる。
次に、上述した駆動素子の具体例について、図4を用いて説明する。図4は、駆動素子の具体例を示す模式図で、図4(a)は駆動素子として圧電素子を用いた例、図4(b)は駆動素子として形状記憶合金(以下、SMAと言う)を用いた例を示す。ここでは、駆動素子221aを例にとって説明するが、駆動素子221b、261aおよび261bにおいても同じである。
図4(a)において、薄肉部217aはSOI基板230のバネ性レイヤ231で構成され、変位伝達部211および固定部215aはSOI基板230のバネ性レイヤ231、絶縁層233および剛性レイヤ235で構成される。薄肉部217a上には、駆動素子としての圧電素子221aの、第1電極223、圧電層225および第2電極227が、変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨って積層され、薄肉部217aと圧電素子221aとは所謂ユニモルフ構造をなす。
圧電素子221aの第1電極223の接点223aと第2電極227との間には、スイッチSWを介して駆動電圧Vが印加される構成となっており、駆動電圧Vの印加によって、圧電素子221aの圧電層225が印加電界方向に伸張し、印加電界と垂直方向(図の矢印Y方向)に収縮する。圧電素子221aのY方向の収縮と薄肉部217aのバネ性により、変位伝達部211が図の矢印Z方向に変位する。
スイッチSWがオフされると、圧電素子221aに蓄積された電荷は放電用抵抗Rを介して放電され、圧電素子221aは元の形状に復帰し、変位伝達部211も元の位置に復帰する。変位伝達部211の移動量は、駆動電圧Vの大きさによって制御することができる。
変位伝達部211に負荷がかかった場合に薄肉部217aが変形して変位が減少するのを防止するために、圧電素子221aは変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨って設けられている。
図4(b)において、薄肉部217a、変位伝達部211および固定部215aは図4(a)と同じ構造である。薄肉部217a上には、駆動素子としてのSMA221aが、変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨って積層される。
SMAの変位伝達部211側の端部と固定部215a側の端部との間には、スイッチSWを介して駆動電圧Vが印加される構成となっており、駆動電圧Vの印加によって、SMA221aが自身のジュール熱によって発熱し、ヤング率の上昇により図の矢印Y方向に収縮する。SMA211aのY方向の収縮と薄肉部217aのバネ性により、変位伝達部211が図の矢印Z方向に変位する。
スイッチSWがオフされると、SMA221aが放熱されてヤング率が減少し、薄肉部217aのバネ性により、変位伝達部211が元の位置に復帰する。変位伝達部211の移動量は、駆動電圧Vの大きさによって制御することができる。
図4(a)と同様に、変位伝達部211に負荷がかかった場合に薄肉部217aが変形して変位が減少するのを防止するために、SMA221aは変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨って設けられている。
次に、上述した移動機構200の形成方法について、図5乃至図7を用いて説明する。図5は移動機構200の形成方法の1例を示す工程図であり、図6および図7は図5の各工程を示す模式図である。ここでは、駆動素子221aとして、図4(a)の圧電素子を用いた例を示すが、SMAであっても同様である。また、ここでは図2のA−A’断面の部分の形成について説明するが、実際には、図2に示した移動機構200全体が同時に形成される。
図5において、ベースとなるSOI基板230は、図6(a)に示すように、シリコン(Si)からなるバネ性レイヤ231と剛性レイヤ235の間に、シリコンの酸化膜(SiO2)からなる絶縁層233を持つ3層構造である。
図5の工程S11(第1電極形成工程)で、図6(b)に示すように、バネ性レイヤ231上に、例えば銀合金等からなる第1電極223がスパッタリングにより形成される。この時、第1電極223は、後に形成される変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨るように形成される。また、第1電極223には、駆動電圧印加のための接点223aも形成される。
図5の工程S13(圧電層形成工程)で、図6(c)に示すように、第1電極223上に、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等からなる圧電層225が、スパッタリングにより形成される。この時、圧電層225は、後に形成される変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨るように形成される。
図5の工程S15(第2電極形成工程)で、図6(d)に示すように、圧電層225上に、例えば銀合金等からなる第2電極227がスパッタリングにより形成される。この時、第2電極227は、後に形成される変位伝達部211、薄肉部217aおよび固定部215aに跨るように形成される。以上で、駆動素子としての圧電素子221aの形成が完了する。
図5の工程S17(剛性レイヤエッチング工程)で、図7(a)に示すように、SOI基板230の剛性レイヤ235の、変位伝達部211および固定部215aとなる部分以外の部分RLがフォトエッチング技術により除去される。同様に、剛性レイヤ235の変位伝達部251、固定部215b、255a、255b、および移動部201となる部分以外の部分RLもフォトエッチング技術により除去される。
図5の工程S19(SiO2レイヤエッチング工程)で、図7(b)に示すように、SOI基板230の絶縁層233の、変位伝達部211および固定部215aとなる部分以外の部分SLがフッ酸によるエッチングにより除去され、薄肉部217aが形成される。同様に、絶縁層233の変位伝達部251、固定部215b、255a、255b、および移動部201となる部分以外の部分SLもフッ酸によるエッチングにより除去され、薄肉部217b、257a、257b、接続部203および205が形成される。
図5の工程S21(バネ性レイヤエッチング工程)で、SOI基板230のバネ性レイヤ231の移動機構200を形成する部分以外の部分が工程S17と同様のフォトエッチング技術により除去され、移動機構200の各部分が形成される。
図5の工程S23(圧電素子分極処理工程)で、図7(c)に示すように、圧電素子221aに、駆動時の電界の方向(図の矢印P方向)に分極処理が施される。これによって、圧電素子221aがアクチュエータとして機能するようになる。
駆動素子221aとしてSMAを用いる場合は、例えば、工程S11で例えば銀合金を用いてスパッタリングでSMAの両端の電極を形成し、工程S13で例えばNiTi合金を用いてスパッタリングでSMA層を形成する。工程S15は不要である。それ以降は上述したと同じである。
上述したように、SOI基板をエッチングして移動部201、接続部203、205、変位伝達部211、251、薄肉部217a、217b、257a、257b、および固定部215a、215b、255a、255bを一体的に形成し、スパッタリングにより駆動素子221aを形成することで、移動機構200の部品点数を削減できるだけでなく、移動機構200を構成する各部の寸法精度が向上し、移動機構の性能の向上を達成することができる。
以上に述べたように、本発明によれば、被移動部を搭載するための移動部を、接続部を介して、変位伝達部、薄肉部および固定部と、変位伝達部、薄肉部および固定部に跨って配置された駆動素子で構成される駆動部で駆動することで、アクチュエータの小型化に必要な課題を解決することができ、さらに移動機能の性能向上も達成でき、コンパクト型デジタルカメラやカメラ付き携帯電話用のカメラモジュール等に好適な小型で高機能な移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置を提供することができる。
尚、本発明に係る移動機構、撮像ユニットおよび撮像装置を構成する各構成の細部構成および細部動作に関しては、本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。
本発明における撮像装置および撮像ユニットの実施の形態の構成の1例を示す模式図である。 移動機構の実施の形態の1例を示す模式図である。 移動部および撮像素子が光軸方向に平行移動されることを説明するための模式図である。 駆動素子の具体例を示す模式図である。 移動機構の形成方法の1例を示す工程図である。 図5の工程S11からS15を示す模式図である。 図5の工程S17からS23を示す模式図である。
符号の説明
1 カメラ(撮像装置)
10 撮像ユニット
11 撮像素子パッケージ
13 筐体
15 リードフレーム
17 カバーガラス
20 撮像光学系
21 光軸
100 撮像素子
200 移動機構
201 移動部
203 接続部
205 接続部
210 第1の駆動部
211 変位伝達部
213a 変位部
213b 変位部
215a 固定部
215b 固定部
217a 薄肉部
217b 薄肉部
221a 駆動素子
221b 駆動素子
223 第1電極
223a 接点
225 圧電層
227 第2電極
230 SOI基板
231 バネ性レイヤ
233 絶縁層
235 剛性レイヤ
250 第2の駆動部
251 変位伝達部
253a 変位部
253b 変位部
255a 固定部
255b 固定部
257a 薄肉部
257b 薄肉部
261a 駆動素子
261b 駆動素子
290 基台
SW スイッチ
V 駆動電圧

Claims (5)

  1. 被移動部を搭載するための平板状の移動部と、
    前記移動部を移動させるための駆動部と、
    前記移動部と前記駆動部とを連結する接続部とを備え、
    前記駆動部は、1対の変位部を有し、
    1対の前記変位部は、各々が、一端に固定部、他端に変位伝達部を有し、前記固定部と前記変位伝達部を結ぶ薄肉部を有し、前記固定部、前記薄肉部および前記変位伝達部に跨って配置された駆動素子を有し、かつ、各々の前記変位伝達部が一体に結合されており、
    前記接続部は、前記移動部と、一体に結合された前記変位伝達部とを接続し、
    前記移動部は矩形であり、
    2組の前記駆動部の各々の前記変位伝達部が、2組の前記接続部により前記移動部の対向する2辺に接続され、
    2組の前記駆動部は、それぞれ、前記移動部の3方を囲むコの字形状であり、
    前記変位伝達部はコの字の中辺であり、
    前記変位部はコの字の両端辺であり、
    前記駆動素子は、圧電素子であり、スパッタリングにより形成され、
    前記移動部、前記接続部、前記変位伝達部、前記薄肉部および前記固定部は、SOI(Silicon on Insulator)基板で一体的に構成されることを特徴とする移動機構。
  2. 前記移動部、前記変位伝達部および前記固定部は、前記SOI基板の同一のレイヤで構成されて剛性を有することを特徴とする請求項1に記載の移動機構。
  3. 前記接続部と前記薄肉部とは、前記SOI基板の同一のレイヤで構成されてバネ性を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の移動機構。
  4. 請求項1乃至3の何れか1項に記載の移動機構と、
    前記移動機構の移動部に搭載された被駆動部としての撮像素子と、
    前記移動機構および前記撮像素子を封入した撮像素子パッケージとを備え、
    前記移動機構によって、前記撮像素子を移動させることを特徴とする撮像ユニット。
  5. 請求項4に記載の撮像ユニットと、
    前記撮像素子の撮像面に被写体像を結像させる撮像光学系とを備え、
    前記移動機構によって、前記撮像素子を前記撮像光学系の光軸方向に移動させることを特徴とする撮像装置。
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