JP4916156B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
2 メモリコントローラ
3 CPU
4 フレームバッファ(表示データ用半導体メモリ)
5 LCDコントローラ(表示制御部)
6 データ処理部
7 バス切り替え部(モード切り替え制御部)
8 クロック切り替え部(モード切り替え制御部)
9 レジスタ(モード切り替え制御部、切り替え設定部)
Bh 高速バス(内部バス)
Bl 低速専用バス(専用バス)
M 外部メモリ
Dr LCDドライバ
CLKh クロック信号(第1のクロック信号)
CLKl クロック信号(第2のクロック信号)
Claims (5)
- 表示データを格納する表示データ用半導体メモリと、
前記表示データ用半導体メモリに格納された表示データを読み出し、表示ディスプレイパネルにおける駆動制御を行う表示制御部と、
前記表示制御部の制御を司るCPUと、を有し、
前記表示制御部は、
前記表示データ用半導体メモリ、前記表示制御部、および前記CPUが内部バスに相互に接続され、前記表示制御部が前記内部バスを介して前記表示データ用半導体メモリ、または外部接続された半導体メモリに格納された表示データを読み出す第1のモードと、前記表示データ用半導体メモリと前記表示制御部とが専用バスで接続され、前記専用バスを介して前記表示データ用半導体メモリに格納された表示データを読み出す第2のモードとを切り換えるモード切り替え制御部を備え、
前記モード切り替え制御部は、
レジスタに設定された設定データに基づいて、前記第1のモードと前記第2のモードとのいずれが設定されたかを判断し、
前記第1のモードのとき、前記外部接続された半導体メモリに格納された表示データを読み出し、前記内部バスを介して前記表示データ用半導体メモリおよび前記表示制御部に順次入力され、前記表示制御部を介して前記ディスプレイパネルに表示されると共に、前記表示データ用半導体メモリ、および前記表示制御部に第1のクロック信号を供給し、
前記第2のモードのとき、前記表示データ用半導体メモリに格納された前記表示データは前記専用バスを介して前記表示制御部へ入力され、前記ディスプレイパネルに表示されると共に、前記表示データ用半導体メモリ、および前記表示制御部に前記第1のクロック信号よりも周波数の低い第2のクロック信号を供給し、
前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号との切り替えは、前記表示制御部が前記表示データ用半導体メモリへアクセスしていない期間である帰線期間に行われる半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記モード切り替え制御部は、更に、
前記CPUにアクセスされ、前記CPUによって前記第1のモードと前記第2のモードとの切り替え設定が行われる前記レジスタを含む切り替え設定部と、
前記切り替え設定部に設定された設定データに基づいて、前記第1のモードと前記第2のモードとのいずれが設定されたかを判断し、前記内部バスと前記専用バスとの切り替えを行うバス切り替え部と、を有する半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記モード切り替え制御部は、
前記第1のモードと前記第2のモードとの切り替えを前記表示制御部がアクセスしていない帰線期間に行う半導体集積回路装置。 - 請求項3記載の半導体集積回路装置において、
前記モード切り替え制御部が前記第2のモードを設定した際に前記CPUへの電源遮断が可能である半導体集積回路装置。 - 請求項4記載の半導体集積回路装置において、
前記表示制御部は、
前記第2のモードに設定されている間、前記表示データ用半導体メモリに格納された表示データを前記専用バスを介して読み出し、読み出された表示データを用いて表示する制御を行う半導体集積回路装置。
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