JP4901990B1 - スパークプラグ - Google Patents

Abstract

【課題】飛火性能が低下することを抑制しつつスパークプラグから発生する電波雑音のレベルを低減する。
【解決手段】スパークプラグは、軸線方向に沿った軸孔を有する絶縁体と、前記軸孔の一端側に設けられた中心電極と、前記軸孔の他端側に設けられた端子金具と、前記軸孔内において前記中心電極と前記端子金具とを電気的に接続する接続部とを有している。このスパークプラグの接続部は抵抗体を含んでおり、軸線方向における抵抗体の中央より中心電極側の抵抗値である中心電極側抵抗値が、抵抗体の中央より端子金具側の抵抗値である端子金具側抵抗値よりも大きい。
【選択図】図２

Description

本発明は、スパークプラグに関し、特に、抵抗体を備えるスパークプラグに関する。

近年、内燃機関の高出力化に伴い、スパークプラグに印加される電圧が高くなっている。そのため、火花放電に伴い発生する電波雑音（点火ノイズ）のレベルも高くなる傾向にある。従来、このような電波雑音を低減するため種々の技術が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。

一般的には、スパークプラグの中心電極と端子金具とを電気的に接続する接続部に配置された抵抗体の抵抗値を大きくすることにより、電波雑音のレベルを低減することができる。しかし、電波雑音レベルを低減するために抵抗体の抵抗値を大きくすると、点火エネルギが低減し、スパークプラグの飛火性能が低下する可能性があった。

特開平５−１５２０５３号公報 特開平１１−２３３２３２号公報 特開２００６−６６０８６号公報

上述の問題を考慮し、本発明が解決しようとする課題は、飛火性能が低下することを抑制しつつスパークプラグから発生する電波雑音のレベルを低減することである。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］軸線方向に沿った軸孔を有する絶縁体と、前記軸孔の一端側に設けられた中心電極と、前記軸孔の他端側に設けられた端子金具と、前記軸孔内において前記中心電極と前記端子金具とを電気的に接続する接続部を有するスパークプラグであって、前記接続部は抵抗体を含み、前記軸線方向における前記抵抗体の中央より前記中心電極側の抵抗値である中心電極側抵抗値が、前記中央より前記端子金具側の抵抗値である端子金具側抵抗値よりも大きいことを特徴とするスパークプラグ。

このような構成では、抵抗体の中心電極側の抵抗値を端子金具側の抵抗値よりも大きくするので、火花放電に伴って発生する電波雑音のレベルを効果的に抑制することが可能になる。また、抵抗体の抵抗値を全体として変化させる必要がないので、飛火性能が低下してしまうことを抑制することが可能になる。

［適用例２］適用例１に記載のスパークプラグであって、前記軸線方向における前記抵抗体の中央より前記中心電極側を構成する材料の抵抗値が、前記中央より前記端子金具側を構成する材料の抵抗値よりも大きいことを特徴とするスパークプラグ。
このような構成によれば、抵抗体の中心電極側と端子金具側とで異なる抵抗値を有する材料を用いることで、中心電極側と端子金具側とで異なる抵抗値を有する抵抗体を形成することができる。

［適用例３］適用例１または適用例２に記載のスパークプラグであって、前記中心電極側抵抗値が前記端子金具側抵抗値よりも０．５ｋΩ以上大きいことを特徴とするスパークプラグ。
このように、中心電極側抵抗値を端子金具側抵抗値よりも０．５ｋΩ以上大きくすれば、効果的に電波雑音のレベルを低減することができる。

［適用例４］適用例１から適用例３までのいずれか一項に記載のスパークプラグであって、前記中心電極側抵抗値が前記端子金具側抵抗値よりも１．０ｋΩ以上大きいことを特徴とするスパークプラグ。
このように、中心電極側抵抗値を端子金具側抵抗値よりも１．０ｋΩ以上大きくすれば、より効果的に電波雑音のレベルを低減することができる。

［適用例５］適用例１から適用例４までのいずれか一項に記載のスパークプラグであって、前記端子金具側抵抗値が１００Ω以上であることを特徴とするスパークプラグ。
このように、端子金具側抵抗値が１００Ω以上あれば電波雑音のレベルを低減させることが可能である。なお、例え、抵抗体の抵抗値が小さくても、抵抗体の長さを長くすることで、電波雑音のレベルを低減させることが可能である。

［適用例６］適用例１から適用例５までのいずれか一項に記載のスパークプラグであって、前記抵抗体は略円柱状であり、前記抵抗体の直径が、２．９ｍｍ以下であることを特徴とするスパークプラグ。
このように、抵抗体の直径が２．９ｍｍ以下と比較的小径な場合には、中心電極側抵抗値を端子金具側抵抗値よりも大きくすることで、電波雑音のレベルをより顕著に低減することができる。

本発明は、上述したスパークプラグとしての構成のほか、スパークプラグの製造方法やスパークプラグの抵抗体、スパークプラグの抵抗体の製造方法などとしても構成することが可能である。

本発明の実施形態としてのスパークプラグの部分断面図である。 抵抗体の抵抗値の分布の例を示す図である。 スパークプラグの各サンプルについて電波雑音の評価結果を示す図である。 各サンプルの電波雑音の周波数毎の減衰量を示す図である。 抵抗体のシール径に応じた電波雑音性能の向上率を示す図である。

図１は、本発明の実施形態としてのスパークプラグ１００の部分断面図である。図１において、一点破線で示す軸線Ｏ−Ｏの右側は、外観正面図を示し、軸線Ｏ−Ｏの左側は、スパークプラグ１００の中心軸を通る断面でスパークプラグ１００を切断した断面図を示している。以下では、図１におけるスパークプラグ１００の軸線方向ＯＤの下側をスパークプラグ１００の先端側、上側を後端側として説明する。

スパークプラグ１００は、絶縁体としての絶縁碍子１０と、主体金具５０と、中心電極２０と、接地電極３０と、端子金具４０とを備える。主体金具５０には、軸線方向ＯＤに貫通する挿入孔５０１が形成されている。この挿入孔５０１には、絶縁碍子１０が挿入されて保持されている。中心電極２０は、絶縁碍子１０内に形成された軸孔１２内に軸線方向ＯＤに保持されている。中心電極２０の先端部は、絶縁碍子１０の先端側に露出している。接地電極３０は、主体金具５０の先端部に接合されている。端子金具４０は、中心電極２０の後端側に設けられ、端子金具４０の後端部は絶縁碍子１０の後端側に露出している。端子金具４０には高圧ケーブル（図示外）がプラグキャップ（図示外）を介して接続され、高電圧が印加される。

絶縁碍子１０は周知のようにアルミナ等を焼成して形成され、軸中心に軸線方向ＯＤへ延びる軸孔１２が形成された円筒形状を有する。軸線方向ＯＤの略中央には外径が最も大きな鍔部１９が形成されており、それより後端側には後端側胴部１８が形成されている。鍔部１９より先端側には、後端側胴部１８よりも外径の小さな先端側胴部１７が形成され、さらにその先端側胴部１７よりも先端側に、先端側胴部１７よりも外径の小さな脚長部１３が形成されている。脚長部１３は先端側ほど縮径され、スパークプラグ１００が内燃機関のエンジンヘッド２００に取り付けられた際には、その燃焼室に曝される。

主体金具５０は、内燃機関のエンジンヘッド２００にスパークプラグ１００を固定するための円筒状の金具である。主体金具５０は、絶縁碍子１０を、その後端側胴部１８の一部から脚長部１３にかけての部位を取り囲むようにして保持している。すなわち、主体金具５０の挿入孔５０１に絶縁碍子１０が挿入され、絶縁碍子１０の先端と後端がそれぞれ主体金具５０の先端と後端から露出するように構成されている。主体金具５０は低炭素鋼材より形成され、全体にニッケルメッキや亜鉛メッキ等のメッキ処理が施されている。主体金具５０の後端部には、スパークプラグレンチ（図示外）が係合する六角柱形状の工具係合部５１が設けられている。主体金具５０は、内燃機関の上部に設けられたエンジンヘッド２００の取付ネジ孔２０１に螺合するネジ山が形成された取付ネジ部５２を備えている。

主体金具５０の工具係合部５１と取付ネジ部５２との間には、鍔状のシール部５４が形成されている。取付ネジ部５２とシール部５４との間のネジ首５９には、板体を折り曲げて形成した環状のガスケット５が嵌挿されている。ガスケット５は、スパークプラグ１００をエンジンヘッド２００に取り付けた際に、シール部５４の座面５５と取付ネジ孔２０１の開口周縁部２０５との間で押し潰されて変形する。このガスケット５の変形により、スパークプラグ１００とエンジンヘッド２００間が封止され、取付ネジ孔２０１を介した内燃機関内の気密漏れが防止される。

主体金具５０の工具係合部５１より後端側には薄肉の加締部５３が設けられている。また、シール部５４と工具係合部５１との間には、加締部５３と同様に薄肉の圧縮変形部５８が設けられている。工具係合部５１から加締部５３にかけての主体金具５０の内周面と絶縁碍子１０の後端側胴部１８の外周面との間には、円環状のリング部材６，７が介在されており、さらに両リング部材６，７間にタルク（滑石）９の粉末が充填されている。製造時においては、加締部５３を内側に折り曲げるようにして先端側に押圧することにより圧縮変形部５８が圧縮変形し、この圧縮変形部５８の圧縮変形により、リング部材６，７およびタルク９を介し、絶縁碍子１０が主体金具５０内で先端側に向け押圧される。この押圧により、主体金具５０の内周で取付ネジ部５２の位置に形成された段部５６に、環状の板パッキン８を介し、絶縁碍子１０の段部１５が押圧されて、主体金具５０と絶縁碍子１０とが一体にされる。このとき、主体金具５０と絶縁碍子１０との間の気密性は、板パッキン８によって保持され、燃焼ガスの流出が防止される。また、この押圧により、タルク９が軸線方向ＯＤに圧縮されて主体金具５０内の気密性が高められる。

中心電極２０は、軸孔１２の先端に設けられており、インコネル（商標名）６００等のニッケルまたはニッケルを主成分とする合金から形成された電極母材２１の内部に、電極母材２１よりも熱伝導性に優れる銅または銅を主成分とする合金からなる芯材２２を埋設した構造を有する棒状の電極である。

接地電極３０は耐腐食性の高い金属から構成され、一例として、ニッケル合金が用いられる。この接地電極３０の基端は、主体金具５０の先端面に溶接されている。接地電極３０の先端部は、中心電極２０の先端面と、軸線Ｏ上で軸線方向ＯＤに対向するように屈曲されている。この接地電極３０の先端部と、前述した中心電極２０の先端部との間に、火花放電の生じる火花ギャップが形成される。

絶縁碍子１０の軸孔１２内には、端子金具４０と中心電極２０とを電気的に接続する接続部２が配置されている。接続部２は、上シール材４ａと下シール材４ｂと、これらシール材に挟まれた円柱状の抵抗体３とを備えている。上シール材４ａと下シール材４ｂとは、抵抗値が０．１Ω未満の良導電性の周知のガラスシール材であり、銅やスズ、鉄等の金属粉末とホウケイ酸ガラス粉末とを含む材料から形成される。抵抗体３は、例えば、１Ω以上の抵抗値を有する抵抗であり、ジルコニア粉末、アルミナ粉末、カーボンブラック、ガラス粉末、ＰＶＡバインダー等を含む材料から形成される。上シール材４ａと下シール材４ｂと抵抗体３とは、例えば、次のようにして軸孔１２内に形成される。即ち、軸孔１２の後端側から中心電極２０を挿入し、その上から、下シール材４ｂの材料粉末を充填し、押し棒で押圧する。さらに、その上から抵抗体３の材料粉末を充填し、押し棒で押圧する。さらに、その上から上シール材４ａの材料粉末を充填し、押し棒で押圧した後、軸孔１２の後端に端子金具４０を差し込む。そして、絶縁碍子１０を加熱した後、端子金具４０を押し込み、軸孔１２内の上シール材４ａと下シール材４ｂと抵抗体３の材料粉末を溶融させ、その後冷却する。こうすることで、軸孔１２内において上シール材４ａと下シール材４ｂと抵抗体３とが凝固し、中心電極２０がおよび端子金具４０が軸孔１２内に固着される。

本実施形態では、上記のように抵抗体３を形成する際に、カーボンブラックの分量を適宜調整した材料粉末を段階的に軸孔１２内に充填することで、軸線方向ＯＤにおいて抵抗値の分布を生じさせている。具体的には、軸線方向ＯＤの先端側に充填する材料粉末ほど、後端側に充填する材料粉末よりもカーボンブラックの混合率を低くすることで、軸線方向ＯＤの先端側ほど抵抗値が高くなるようにしている。

図２は、抵抗体３の抵抗値の分布の例を示す図である。図２の下部には、スパークプラグ１００の接続部２（上シール材４ａ＋抵抗体３＋下シール材４ｂ）の周辺の拡大断面を示している。一方、図２の上部には、接続部２の軸線方向ＯＤにおける各位置の抵抗値をグラフにより示している。このグラフの横軸は軸線方向ＯＤに沿った軸孔１２内の位置を示しており、縦軸は、軸線方向ＯＤにおいて先端側に位置する下シール材４ｂから各位置までの抵抗値を示している。

図２に示すように、本実施形態では、軸線方向ＯＤにおいて下シール材４ｂから上シール材４ａに至るまでに、抵抗体３の抵抗値が漸増している。また、下シール材４ｂと抵抗体３との界面Ａから抵抗体３の中心Ｂまでの抵抗値の傾きと、抵抗体３の中心Ｂから上シール材４ａと抵抗体３との界面Ｃまでの抵抗値の傾きが異なっている。具体的には、前者の方が傾きが大きく、後者の方が傾きが小さくなっている。つまり、抵抗体３は、その中心Ｂから界面Ａまでの部分（以下、「中心電極側抵抗部３ｂ」という）の抵抗値（以下、「中心電極側抵抗値Ｒ１」という）が、中心Ｂから界面Ｃまでの部分（以下、「端子金具側抵抗部３ａ」という）の抵抗値（以下、「端子金具側抵抗値Ｒ２」という）よりも大きくなっている。なお、本実施形態では、「界面Ａ」とは、軸孔１２の径方向断面の８０％以上を抵抗体３が占める断面のうち、最も先端側に位置する断面のことをいい、「界面Ｃ」は、軸孔１２の径方向断面の８０％以上を抵抗体３が占める断面のうち、最も後端側に位置する断面のことをいう。これら界面Ａおよび界面Ｃの位置は、接続部２の断面映像を画像分析することで決定することができる。図２に示した抵抗値の分布の例では、中心電極側抵抗値Ｒ１は、３ｋΩ程であり、端子金具側抵抗値Ｒ２は、２ｋΩ程である。つまり、抵抗体３全体で、５ｋΩ程の抵抗値を有している。なお、端子金具側抵抗値Ｒ２は、少なくとも１００Ω以上の抵抗値を有することが好ましい。

抵抗体３の任意の断面の抵抗値を測定するには、まず、中心電極２０側および端子金具４０側より研磨を行い、それぞれ、目的の断面を出す。そして、それぞれの断面に銀ペーストを塗布し、断面間の抵抗値を測定する。こうすることで、抵抗体３の任意の断面の抵抗値を測定することができる。また、抵抗体３の中心Ｂは、中心電極２０側から界面Ａまで研磨を進めるとともに、端子金具４０側から界面Ｃまで研磨を進め、軸線Ｏ上における界面Ａと界面Ｃの中心の位置を求めることで決定することができる。また、中心電極側抵抗部３ｂと端子金具側抵抗部３ａとのそれぞれの抵抗値は、次のように測定することができる。すなわち、例えば、界面Ａにおける断面と界面Ｃとにおける断面とに銀ペーストをそれぞれ塗布して抵抗体３全体の抵抗値を測定し、その上で、中心電極２０側から中心Ｂまで研磨を行う。そして、中心Ｂにおける断面に銀ペーストを塗布して、残った抵抗体３（すなわち、端子金具側抵抗部３ａ）の両端における抵抗値を測定する。こうすることで、端子金具側抵抗値Ｒ２を測定することができる。また、この端子金具側抵抗値Ｒ２の測定に先立って測定しておいた抵抗体３全体の抵抗値から、この端子金具側抵抗値Ｒ２を差し引けば、中心電極側抵抗値Ｒ１を求めることができる。なお、ここでは、中心電極２０側から中心Ｂまで研磨を行うこととしたが、端子金具４０側から中心Ｂまで研磨を行うことで、中心電極側抵抗値Ｒ１と端子金具側抵抗値Ｒ２とを求めてもよい。その他にも、中心Ｂにおいて抵抗体３を切断して端子金具側抵抗部３ａと中心電極側抵抗部３ｂとを分離させ、それぞれ、個別に抵抗値を測定することとしてもよい。

図３は、スパークプラグ１００の３５個のサンプルについて中心電極側抵抗部３ｂと端子金具側抵抗部３ａとの抵抗値の差（Ｒ１−Ｒ２）に応じた電波雑音の評価結果を示す図である。この図３に示すように、サンプルＮｏ．１〜９は、抵抗体３全体の抵抗値を２ｋΩとしつつ、中心電極側抵抗値Ｒ１と端子金具側抵抗値Ｒ２との差を、１．５ｋΩ〜−１．５ｋΩまで調整したものである。また、サンプルＮｏ．１０〜１８は、抵抗体３全体の抵抗値を５ｋΩとしつつ、中心電極側抵抗値Ｒ１と端子金具側抵抗値Ｒ２との差を、４ｋΩ〜−４ｋΩまで調整したものである。更に、サンプルＮｏ．１９〜３５は、抵抗体３全体の抵抗値を１０ｋΩとしつつ、中心電極側抵抗値Ｒ１と端子金具側抵抗値Ｒ２との差を、６ｋΩ〜−６ｋΩまで調整したものである。

この図３には、各サンプルについて、ＣＩＳＰＲ１２で規定されたボックス法と呼ばれる試験に基づいて電波雑音性能の評価を行った試験結果を示している。具体的には、中心電極側抵抗値Ｒ１と端子金具側抵抗値Ｒ２と差が０Ωのサンプルと比較して、５ｄＢ以上、電波雑音が低下したものには「◎◎」という記号を付し、２．５ｄＢ以上低下したものには「◎」を、１．５ｄＢ以上低下したものには「○」を付した。その他、１．５ｄＢ以上、電波雑音が大きくなったものには、「×」を付した。図３に示した各サンプルの評価結果によれば、抵抗体３の全体の抵抗値が、２ｋΩ、５ｋΩ、１０ｋΩのいずれのサンプルであっても、端子金具側抵抗値Ｒ２よりも中心電極側抵抗値Ｒ１の方が、０．５ｋΩ以上、好ましくは、１．０ｋΩ以上大きければ、抵抗値の差がないサンプルよりも電波雑音のレベルを効果的に低減可能であることが確認された。よって、本実施形態のスパークプラグ１００では抵抗体３の中心電極側抵抗部３ｂの抵抗値を端子金具側抵抗部３ａの抵抗値よりも０．５ｋΩ以上、好ましくは、１．０ｋΩ以上、大きい値とした。

図４は、各サンプルの電波雑音の周波数毎の減衰量を示す図である。ここでは、図３に示したサンプルのうち、代表的な４つのサンプル（サンプルＮｏ．２３，２４，２７，３０）について上述したボックス法に基づき周波数毎の評価を行った。図４に示した評価結果によれば、サンプルＮｏ．２３，２４のように端子金具側抵抗値Ｒ２よりも中心電極側抵抗値Ｒ１の方が大きければ、抵抗値の差がないサンプルＮｏ．２７よりも、０〜１０００ＭＨｚの全周波数領域に亘って、電波雑音の減衰量が大きくなった。例えば、抵抗値の差が１ｋΩであるサンプルＮｏ．２４では、抵抗値の差がないサンプルＮｏ．２７と比較して、４００〜６００ＭＨｚ付近で最大で２．５ｄＢ減衰し、抵抗値の差が２ｋΩであるサンプルＮｏ．２３では、最大で５ｄＢ減衰した。これに対して、端子金具側抵抗値Ｒ２よりも中心電極側抵抗値Ｒ１の方が小さいサンプルＮｏ．３０では、全周波数に亘って、抵抗値の差がないサンプルＮｏ．２７よりも電波雑音の減衰量は劣っていた。

図５は、中周波数領域（１００ＭＨｚ）における抵抗体３のシール径Ｄに応じた電波雑音性能の向上率を示す図である。ここでは、図３に示したサンプルのうち、代表的な５つのサンプル（サンプルＮｏ．２３，２４，２５，２６，２７）について、抵抗体３の直径を示すシール径Ｄ（図２参照）を変化させて電波雑音性能の向上率を求めた。図５に示した各値は、中心電極側抵抗値Ｒ１と端子金具側抵抗値Ｒ２とに差がなくシール径Ｄが３．９ｍｍのサンプルＮｏ．２７の電波雑音の減衰率に対する減衰率の向上率を示している。図５に示した評価結果によれば、シール径Ｄが、２．９ｍｍ以下になれば、抵抗値の差が大きいサンプルほど、電波雑音性能の向上率が顕著に高まることが確認された。例えば、抵抗値の差がないサンプルＮｏ．２７においても、シール径を３．９ｍｍから２．９ｍｍまで細くするだけで、７％程度の向上が見られるが、抵抗値の差がサンプルＮｏ．２６のように、０．２ｋΩと比較的小さい場合でも、抵抗値の差がないサンプルＮｏ．２７に対して２倍以上の向上率となった。この評価結果に基づき、本実施形態のスパークプラグ１００における抵抗体３の直径（シール径Ｄ）は、２．９ｍｍ以下であることとした。

以上で説明した本実施形態のスパークプラグ１００では、軸孔１２内に配置される抵抗体３の抵抗値に分布を持たせ、火花ギャップに近い中心電極側抵抗部３ｂの抵抗値を端子金具側抵抗部３ａの抵抗値よりも大きくしている。そのため、火花放電に伴って発生する電波雑音のレベルを効果的に抑制することが可能になる。また、抵抗体３の全体の抵抗値を変化させる必要がないため、飛火性能が低下してしまうことを抑制することが可能になる。また、従来は、抵抗体３全体の抵抗値を大きくすると低周波の電波雑音が抑制され、抵抗体３の軸線方向ＯＤに沿った長さを長くすると高周波の電波雑音が抑制されることが知られていたが、本実施形態では、中心電極側抵抗部３ｂの抵抗値を端子金具側抵抗部３ａの抵抗値よりも大きくすることで、図４に示したように、局所的な周波数領域ではなく、幅広い周波数領域において電波雑音のレベルを低減することが可能になる。

また、本実施形態のスパークプラグ１００では、中心電極側抵抗値Ｒ１を端子金具側抵抗値Ｒ２よりも０．５ｋΩ以上、好ましくは、１．０ｋΩ以上大きくし、端子金具側抵抗値を１００Ω以上、抵抗体３の直径を２．９ｍｍ以下とすることにより、より効果的に電波雑音のレベルを低減させることが可能になる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の構成を採ることが可能である。例えば、以下のような変形が可能である。

上記実施形態では、接続部２は、抵抗体３の両端にガラスシール材（上シール材４ａ、下シール材４ｂ）がそれぞれ配置される構成とした。これに対して、例えば、接続部２から上シール材４ａを省いて抵抗体３と端子金具４０とを直接接触させる構成や、下シール材４ｂを省いて抵抗体３と中心電極２０とを直接接触させる構成、あるいは、上シール材４ａと下シール材４ｂの両方を省いて抵抗体３と端子金具４０を直接接触させるとともに抵抗体３と中心電極２０とを直接接触させる構成とすることも可能である。上シール材４ａを省いた場合には、界面Ｃは、抵抗体３と端子金具４０とが接触する部分の最も先端側の断面とすることができる。下シール材４ｂを省いた場合には、界面Ａは、抵抗体３と中心電極２０とが接触する部分の最も後端側の断面とすることができる。

上記実施形態では、抵抗体３の界面Ａから界面Ｃにかけて抵抗値が漸増している例を示したが、端子金具側抵抗部３ａよりも中心電極側抵抗部３ｂの方が抵抗値が高ければ、界面Ａから界面Ｃにかけて抵抗値が低下する部分があっても構わない。

上記実施形態では、抵抗体３は、略円柱状であることとし、そのシール径は軸線方向ＯＤにおいて一律であるものとした。これに対して、端子金具側抵抗部３ａと中心電極側抵抗部３ｂとでシール径を異ならせることで、抵抗体３全体の材質を変化させることなく端子金具側抵抗部３ａよりも中心電極側抵抗部３ｂの方の抵抗値を大きくすることとしてもよい。

２…接続部
３…抵抗体
３ａ…端子金具側抵抗部
３ｂ…中心電極側抵抗部
４ａ…上シール材
４ｂ…下シール材
５…ガスケット
６…リング部材
８…板パッキン
９…タルク
１０…絶縁碍子
１２…軸孔
１３…脚長部
１５…段部
１７…先端側胴部
１８…後端側胴部
１９…鍔部
２０…中心電極
２１…電極母材
２２…芯材
３０…接地電極
４０…端子金具
５０…主体金具
５１…工具係合部
５２…取付ネジ部
５３…加締部
５４…シール部
５５…座面
５６…段部
５８…圧縮変形部
５９…ネジ首
１００…スパークプラグ
２００…エンジンヘッド
２０１…取付ネジ孔
２０５…開口周縁部
５０１…挿入孔

Claims (6)

1. 軸線方向に沿った軸孔を有する絶縁体と、前記軸孔の一端側に設けられた中心電極と、前記軸孔の他端側に設けられた端子金具と、前記軸孔内において前記中心電極と前記端子金具とを電気的に接続する接続部を有するスパークプラグであって、
   前記接続部は抵抗体を含み、
   前記軸線方向における前記抵抗体の中央より前記中心電極側の抵抗値である中心電極側抵抗値が、前記中央より前記端子金具側の抵抗値である端子金具側抵抗値よりも大きいことを特徴とするスパークプラグ。
2. 請求項１に記載のスパークプラグであって、
   前記軸線方向における前記抵抗体の中央より前記中心電極側を構成する材料の抵抗値が、前記中央より前記端子金具側を構成する材料の抵抗値よりも大きいことを特徴とするスパークプラグ。
3. 請求項１または請求項２に記載のスパークプラグであって、
   前記中心電極側抵抗値が前記端子金具側抵抗値よりも０．５ｋΩ以上大きいことを特徴とするスパークプラグ。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のスパークプラグであって、
   前記中心電極側抵抗値が前記端子金具側抵抗値よりも１．０ｋΩ以上大きいことを特徴とするスパークプラグ。
5. 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のスパークプラグであって、
   前記端子金具側抵抗値が１００Ω以上であることを特徴とするスパークプラグ。
6. 請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のスパークプラグであって、
   前記抵抗体は略円柱状であり、前記抵抗体の直径が、２．９ｍｍ以下であることを特徴とするスパークプラグ。

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