JP4896788B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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その1つとして、インジウム砒素(InAs)からなる自己組織化量子ドット層と、ガリウム砒素(GaAs)およびアルミニウム砒素(AlAs)からなるDBR(Distributed-Bragg Reflection)ミラーから構成されるDBR微小共振器とを含む単一の光子を発生する半導体発光素子を、エピタキシャル成長させた後、微小柱状にエッチングすることによって形成し、微小柱状のDBR微小共振器内のほとんど全ての光を上方から出射させるようにすることが提案されている(例えば、非特許文献1参照。)。
Matthew Pelton et al. "Efficient Source of Single Photons: A Single Quantum Dot in a Micropost Microcavity" フィジカル レビュー レターズ(PHYSICAL REVIEW LETTERS), 2002年12月2日、Vol.89,No.23
まず、本発明に至る過程で考えられる半導体発光素子について説明し、その後に本発明の半導体発光素子について説明を行う。
図6は、本発明に至る過程で考えられる半導体基板およびそれを備えた半導体発光素子の断面模式図である。図6(A)は、本発明に至る過程で考えられる半導体基板101であって、図6(B)は、半導体基板101を備えた半導体発光素子100を示している。
なお、半導体基板101の形成方法としては、従来周知の積層技術、エッチング技術などを用いることができる。
本発明では、量子ドット層を備えるホーン構造部が形成された素子基板を、ホーン構造部の隔壁部が形成されたふた基板で覆うことによって、半導体発光素子を実現する。
半導体発光素子10は、量子ドット層11を備えたホーン構造部12、挿入部16を構成するガイド部13および反射防止膜14が形成された素子基板15と、隔壁部17が形成されたふた基板18とが、隔壁部17が挿入部16に接合して構成されている。なお、素子基板15とふた基板18とは同質の材料である。
まず、第1の実施の形態について説明する。
第1の実施の形態では、本発明の概要でも触れた、隔壁部によって、挿入部への嵌合および量子ドット層を備えるホーン構造部の保護を行う場合の半導体発光素子の製造方法について以下に図を用いて説明する。
まず、ふた基板を製造するために、InPによってInP基板21を形成する。そして、InP基板21上にインジウム(In)を蒸着させて、In薄膜22を形成する。なお、In薄膜22の形成には、蒸着に代わって、InP基板21を窒素(N)雰囲気中にて、アニール処理を行って、InP基板21の表面のリン(P)を飛ばすことで、In薄膜22を作成するようにすることもできる。なお、後に、ふた基板23と素子基板29との接合に利用されるIn薄膜22の代わりに、はんだのような低融点金属でも同様の効果を得ることができる(以上、図2(A)。)。
図3(A)で形成した素子基板29の挿入部28に、隔壁部21aが嵌合するようにしてふた基板23と素子基板29とを合わせて、真空中で110度から200度程度で加熱する。そして、この温度にてIn薄膜22aを溶かして、ふた基板23と素子基板29とを接着させる。ガイド部27は素子基板29と、さらには量子ドット層26を有するホーン構造部25とを側面から囲む設計であるために、貼り合わせた部分の側面からガスの進入を防ぐことができるため、接合プロセス中にNガスなどを注入すると、半導体発光素子30の周りから素子基板29とふた基板23との接合面を加圧させて、接合させることもできる。
次に、第2の実施の形態について説明する。
半導体発光素子40は、図4,5に示すように、第1の実施の形態と同様に、素子基板41およびふた基板45から構成されているが、新たに、ふた基板45に嵌入部47が形成されている。
(付記1) 量子ドット層を有する半導体発光素子において、
前記量子ドット層を備えるホーン構造部と、挿入部を構成するガイド部と、前記ホーン構造部と前記ガイド部との反対側に反射防止膜とが形成された素子基板と、
前記挿入部に嵌入し、前記ホーン構造部の隔壁部が形成されたふた基板と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
(付記4) 前記嵌入部上に、さらに酸化膜または窒化膜が形成された前記ふた基板を有することを特徴とする付記2または3に記載の半導体発光素子。
(付記6) 量子ドット層を有する半導体発光素子の製造方法において、
前記量子ドット層を備えるホーン構造部と、挿入部を構成するガイド部と、前記ホーン構造部と前記ガイド部との反対側に反射防止膜とが形成された素子基板を製造する工程と、
前記挿入部に嵌入し、前記ホーン構造部の隔壁部が形成されたふた基板を製造する工程と、
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
(付記10) 前記酸化膜は、酸化シリコンまたは窒化シリコンであることを特徴とする付記9記載の半導体発光素子の製造方法。
11 量子ドット層
12 ホーン構造部
13 ガイド部
14 反射防止膜
15 素子基板
16 挿入部
17 隔壁部
18 ふた基板
Claims (6)
- 量子ドット層を有する半導体発光素子において、
前記量子ドット層を備えるホーン構造部と、挿入部を構成するガイド部と、前記ホーン構造部と前記ガイド部との反対側に反射防止膜とが形成された素子基板と、
前記挿入部に嵌入し、前記ホーン構造部の隔壁部が形成されたふた基板と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記ホーン構造部の隔壁部と、前記ガイド部の挿入部に嵌入する嵌入部とが新たに形成された前記ふた基板を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記隔壁部と前記素子基板との接触面にさらにインジウムが形成された前記ふた基板を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記嵌入部上に、さらに酸化膜または窒化膜が形成された前記ふた基板を有することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光素子。
- 量子ドット層を有する半導体発光素子の製造方法において、
前記量子ドット層を備えるホーン構造部と、挿入部を構成するガイド部と、前記ホーン構造部と前記ガイド部との反対側に反射防止膜とが形成された素子基板を製造する工程と、
前記挿入部に嵌入し、前記ホーン構造部の隔壁部が形成されたふた基板を製造する工程と、
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記ホーン構造部の隔壁部と、前記ガイド部の挿入部に嵌入する嵌入部とが新たに形成された前記ふた基板を有することを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子の製造方法。
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