JP4896345B2 - 炭素質物品を製造するための方法および装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【関連出願】
本出願は２０００年６月１６日に出願された「化学蒸着により合成されるカーボンファイバーおよび単一壁カーボンナノチューブの収率を増大する方法および装置」という題の米国仮出願番号60/212,192（その全開示はすべて参照により本明細書に加入される）に対して優先権を主張する。
【０００２】
【発明の分野】
本発明は細長い炭素質物品（carbonaceous articles）を製造するための方法および装置に関する。本発明は特にカーボンファイバーおよびカーボンナノチューブのような炭素質物品を高収率および高生産性で製造するのに適用可能である。
【０００３】
【発明の背景】
炭質物質は一般に特異な物理的および化学的性質を有するため幅広い実用性がある。最近、カーボンフィラメント、カーボンチューブ、特にナノサイズの炭素構造のような細長いカーボンを基材とする構造の使用に注意が向けられている。これらの新しい構造は様々な用途において高強度、低重量、安定性、柔軟性、高い熱伝導性、および広い表面積を付与する。
【０００４】
とりわけ水素を燃料とする燃料電池において水素ガスを保存するための単一壁カーボンナノチューブの使用に対する商業的な興味が増大しつつある。水素を燃料とする燃料電池は伝統的なガソリンを燃料とする輸送手段において優れた効果を発揮することが見込まれる。最近の見積りによれば、水素を燃料とする自動車は従来のガソリンを燃料とする自動車と同じように約６４４ｋｍ（４００マイル）運転するのに約３kgの水素ガスを必要とする。ナノチューブは炭素重量の約７〜８％の水素を保存できると考えられるため、水素を燃料とする自動車は典型的な自動車を走らせるのに十分な量の水素を保存するのに約４０kgのカーボンナノチューブを必要とする。しかしながら、最もよく知られている、単一壁カーボンナノチューブおよびカーボンファイバーを製造するための方法は非常に高いコストで１日あたり僅か約４ｇのカーボンナノチューブを生産する。
【０００５】
炭化水素の接触分解によるカーボンフィラメントの製造が知られている。例えば、Tennentらの米国特許第5,165,909号は連続的に金属粒子をガス状炭素含有化合物と接触させてフィブリルを触媒的に成長させることによる直径が実質的に一定でその直径の約５倍以上の長さを特徴とするカーボンフィブリルの製造を開示している。Yatesらの欧州特許56,004B1はカーボンフィラメントを作るための酸化鉄の製造方法を開示している。Nolanらの米国特許第5,780,101号は実質的に水素のない一酸化炭素の接触不均化による高結晶質ナノチューブの製造法を開示している。
【０００６】
Xuらの米国特許第5,872,422号および第5,973,444号はカーボンファイバー放出体が成長し、デバイスの一部として触媒金属膜上に保持されるカーボンファイバーを基材とする電界放出デバイスを開示している。Xuらは磁場または電場がまっすぐなファイバーを成長させる手助けをするため、デバイスの一部を形成するファイバーがこれらの場の存在下で成長することができることを開示している。
【０００７】
従来のカーボンファイバー製造技術に伴なう特定の問題の１つはカーボンナノチューブまたはカーボンファイバーの製造を容易にするために使用される触媒がしばしばナノチューブの成長と共に移動し、生産された製品を汚染するということである。したがって、カーボンファイバーまたはカーボンナノチューブは例えば硝酸で処理して触媒を除去し、製品を精製しなければならない。もちろん、この処理はカーボンを基材とする製品の製造工程を妨害し、カーボンナノチューブの製造の有意な部分を(ある見積りによれば８０〜９０％まで)化学的に破壊する。また、触媒は酸処理後に再使用できないため工程中に失われ、結果として触媒粒子あたりのカーボン収率は特に低い。
【０００８】
したがって、炭素質物品、特にナノサイズのカーボンを基材とする製品を高い収率、生産性および純度で製造する効果的な方法が必要とされる。
【０００９】
【発明の概要】
本発明の利点は炭素質物品を高い収率、純度および効率で製造するための装置である。
本発明の他の利点は高い効率でさらに精製する必要が少ない炭素質物品を製造する方法である。
【００１０】
さらに、本発明の利点および他の特徴は下記で説明するが、部分的には下記の試験で当業者に明らかであり、また本発明の実施から知ることができる。本発明の利点は特に特許請求の範囲で指摘したように実現し、達成することができる。
【００１１】
本発明によれば、前記および他の利点は部分的に炭素質物品の製造装置により達成される。本装置は少なくとも１個の発熱体および部屋に前駆体を導入するための少なくとも１個の開口部を有する部屋からなる。発熱体は部屋の内容物を加熱するのに有用なものであり、開口部は例えば気体の入口である。金属触媒は導入された前駆体を炭素質物品に変換することができる部屋に配置される。触媒は部屋において自由形態であるか、または支持された形態でありうる。
【００１２】
本発明の装置では、磁場を発生させることができる器具が金属触媒の近くに配置される。磁場は前駆体から炭素質物品を作る間、金属触媒の移動を実質的に阻害するように触媒に影響を与えるのに有用である。本発明の装置は有利に触媒の移動を制限し、それにより生産した製品の汚染を減らし、そして製造の触媒損失を減らすことにより触媒あたりの製品の効率および収率を向上する。
【００１３】
本発明の態様には、部屋の中に配置された第２の部屋；部屋に配置された触媒床；および触媒床に影響を与える距離に位置する固定磁石からなり、触媒床は多孔質支持体により担持された金属触媒からなり、その金属触媒はニッケル、コバルトまたは鉄を基材とする触媒またはその混合物からなる装置がある。
【００１４】
本発明の他の態様は炭素質物品、例えばカーボンナノチューブの製造法である。本法は炭素を含有する前駆体を触媒と接触させて炭素質物品を作り；炭素質物品を作る間、触媒の近くに磁場をかけ；そして作った炭素質物品を触媒から分離することからなる。
【００１５】
本発明の方法は有利にカーボンファイバーおよびチューブのような炭素質物品をさらに精製の必要なしに製造し、それにより精製工程による製品損失を最小限にする。磁気的に触媒の移動を防ぐことにより、収率が向上し、触媒を再び入れる必要性を減少して生産性を高める。
【００１６】
本発明の態様は少なくとも約１００ガウスの磁場を触媒の近くにかけながら炭素を含有する前駆体をナノサイズの金属触媒と高温、例えば約１００℃〜約１０００℃の温度で接触させてナノ構造の炭素質物品を作ることからなる。
【００１７】
本発明の他の態様は炭素を含有する前駆体を触媒床と接触させて第１の炭素質物品を作り；第１の炭素質物品を作る間、磁場を触媒床の近くにかけ；作った第１の炭素質物品を触媒床から分離し；そして触媒を再使用して第２の炭素質物品を作ることからなる炭素質物品を製造するための触媒を使用する方法である。
本発明の方法は有利には触媒床に再び種付け（re-seed）をする必要を減少させて工程の効率を高める。
【００１８】
本発明の他の態様はアスペクト比が２以上の細長い部分を有し、相対する近位および遠位の端部を有する炭素質物品、例えばナノサイズのカーボンファイバーまたはチューブである。実施態様には細長い部分および端部は９０原子パーセント（at.％）以上の炭素からなり、実質的に触媒、例えば金属およびそれらの塩を含まないものが含まれる。１０重量パーセント（wt％）未満の金属不純物、例えば約５重量％未満の金属不純物を有する本発明の炭素質物品は酸精製の必要なしに製造することができる。
【００１９】
さらに、本発明の利点は本発明を実施するために考慮された最良の態様を簡単に例示することにより本発明の実施態様が説明される次の詳細な記載から容易に本業者に理解されるであろう。実現されるように、本発明は他の様々な実施態様が可能であり、その幾つかの細部がいろいろな明らかな点に関して、すべて本発明を逸脱することなく変更可能である。したがって、図面および説明は本質的に例示であり、限定的なものではない。
【００２０】
本発明の様々な特徴および利点は例示のために提出されたもので本発明の範囲を限定するものではない添付図面を参照することにより明らかになり、容易に理解される。図面において、同じ数字は類似構造を示し、図１は本発明の装置の略図であり、図２は本発明の装置の一態様を示し、図３は本発明の装置の一態様の一部の拡大略図である。
【００２１】
【発明の詳述】
本発明は炭素を基材とする構造の製造を可能にする効果的で容易な方法を提供することにより細長い炭素質物品の製造で起こる収率および加工上のいろいろな問題に取り組み、解決する。本発明はこのような製品を作る間、触媒の移動をなくすとはいかないまでも実質的に阻害する新しい方法に関する。本発明は設計上簡単、使用上効果的で、その再利用性を高めることにより触媒あたりのカーボン製品の収率を高めながら多くの問題を克服する。本発明は作ったナノチューブまたはファイバーから触媒汚染物を除去する精製処理工程の必要性を有利に減少する、または完全になくし、高い効率でカーボンナノチューブおよびカーボンファイバーを大量生産する方法を提供する。
【００２２】
本発明によれば、炭素質物品は炭素を含有する前駆体を触媒と接触させることにより製造される。炭素質物品を作る間、磁場をかけて触媒を所定の位置に実質的に固定し、それにより作った製品を触媒が汚染するのを防ぐ。ある程度、製造される炭素質物品のタイプは工程で使用される触媒の種類および性質に依存する。例えば、ナノサイズの触媒、すなわち１ミクロン未満の変位を有する触媒はナノサイズの構造を作ることができる。
【００２３】
本発明に従って製造される炭素質物品はファイバー、フィブリル、フィラメントなどのような細長い形態をとることができる。当業者により「カーボンフィラメント」、「カーボンホイスカー」、「カーボンナノファイバー」および「カーボンフィブリル」なる用語は時々互換的に使用されるが、本明細書ではそれらすべてが本発明の対象であることは理解されよう。細長い形態は直線状、枝状、ツイスト状、スパイラル状、ヘリカル状、コイル状、リボン状などのような何れの形態であってもよく、数ナノメートル（nm）〜数百ミクロンの長さを有する。本発明の一態様において、細長い炭素質物品は２以上の縦横比（アスペクト比）を有する、例えば少なくとも５またはそれ以上のアスペクト比を有する。
【００２４】
これらの製品の中心部は固体または中空であるか、または外部領域の規則正しい炭素原子よりは規則正しくない炭素原子を含有することができる。本発明の炭素質物品はチューブの形態であってよく、ナノチューブ、単一壁ナノチューブ、中空フィブリル、ナノシェルなどから選択されるもののような炭素ナノ構造の大きさである。本発明で使用されるナノ構造は１ミクロン未満、例えば約０.１nm〜１,０００nm未満、例えば約数nm〜約５００nmの断面または直径を有する。本発明の一態様において、ナノ構造の炭素質物品の断面は約１nm〜約１５０nmである。
【００２５】
本発明の細長い炭質構造の製造装置は少なくとも１個の発熱体、触媒、および触媒の近くまたは周囲に磁場を発生させるための器具を有する部屋を含む。操作時に、炭素を含有する前駆体、例えばＣ_{1 〜 18}炭化水素を部屋に導入し、加熱しながら触媒と接触させる。前駆体を加熱した触媒と接触させると前駆体が分解して炭素として沈殿し、やがて細長い構造を有する炭素質物品を形成すると考えられる。工程の間、器具を操作して触媒を磁気的に閉じ込めることにより、カーボンを基材とする製品の触媒による汚染が実質的に減少または排除され、触媒の使用寿命が伸びる。
【００２６】
本発明の装置は特定の部品および部品の配列に関して物理的形態をとることができる。図１〜２に本発明の一態様の装置を示す。図１に示されるように、装置１０は部屋１１および少なくとも１個の発熱体１２を含み、例えば部屋１１および発熱体１２の組合せは英国カーボライト社から入手できるもののような商業的に入手できる炉である。発熱体１２は部屋１１の内容物を加熱することができるタイプの発熱体であり、典型的な抵抗／伝導の発熱体と等価なものを含む。部屋１１は部屋に前駆体を導入するための開口部を少なくとも１個含む。
【００２７】
本発明の一態様において、部屋１１は炭素を含有する前駆体供給源１６と部屋１１にある少なくとも１個の入口１８を通して流路１７で通じ（in fluid communication）ている。供給源１６は前駆体物質を保持し、それから部屋１１に小出しするのに適したタンクまたは容器の形態である。本発明の一態様において、炭素を含有する前駆体はガス形態で入口１８を通して供給源１６から部屋１１に計量分配される。本発明の実施において、炭素質物品の製造工程で炭素を含有する前駆体はアルゴンのような不活性ガス、あるいは現在知られている他の有用な化合物またはそれらの等価物で希釈または混合することができる。例えば、前駆体を部屋１１に導入する前、その後、または同時に水素を加えることができる。
【００２８】
部屋１１はまた、排気ガスのための、または部屋１１と流路で通じている他の器具、例えば部屋の中の圧力を下げる、またはガス抜きを助ける真空ポンプを接続するための第２の開口部、例えば出口２０を含む。本発明の装置では、触媒は部屋１１の中に配置され、部屋１１に自由に配置することができ、または触媒床として触媒を担持する多孔質支持体上に付着させることができる。支持体はシート、ファイバーおよび粉末の形態である。図１〜２の態様に示されるように、部屋１１の中で触媒３４はシート様支持体３０、例えば多孔質セラミックにより担持され、触媒床２６を構成する。
【００２９】
本発明の装置では、部屋１１で磁場を発生させるための少なくとも１個の器具が触媒３４の近くに配置される。本器具は部屋１１の外部に配置する、部屋の外面に取り付ける、または部屋の中の触媒から離れた所に配置することができ、あるいは触媒に添えることができる。触媒にまたはその近くに磁場を発生させることができる器具は本発明の装置で使用することができ、例えば単一磁石または１組の磁石を含む。磁気器具は固定されているか、または移動可能であり、少なくとも１個の永久磁石および／または１個の電磁石およびその等価物からなる。器具により発生する磁場の強度は最小でも触媒に影響を与えるのに十分高く、最大でも磁場は実質的に工程を妨げないものでなければならない。一面において、本発明の磁場を発生させる器具はより高い磁場を本発明の装置および方法で使用することができると考えられ、約１００ガウスから約５,０００ガウスまたはそれ以上の磁場を発生させることができるものである。本発明の一態様において、磁気器具は少なくとも約１００ガウスの磁場、例えば約数百ガウスまたはそれ以上の磁場を発生させることができる固定磁石からなる。
【００３０】
本発明の一態様において、本器具により発生した磁場は触媒が作ったカーボンを基材とする製品を汚染するのを防ぐ、例えば工程の間に触媒３４が移動するまたは支持体３０から離れるのを防ぐ。本器具は触媒に影響を与えるのに十分な程接近する必要があり、その距離は本装置により発生した磁場の強度およびその潜在的に遮蔽または妨害する構造と相対的な位置のような要因に依存する。本器具は直接触媒に、または触媒から数メートル以上離れた所に取り付けることができる。図１の態様で例示したように、磁場を発生させる器具４０は部屋１１の触媒床２６の下で触媒から約４ミリメートル（nm）〜約６nm離れた所に取り付けられる。
【００３１】
本発明の一態様において、石英チューブのような第２の部屋を部屋１１に配置または内蔵することができる。図２に示されるように、第二の部屋２２は支持体３０上の触媒３４からなる触媒床２６を内蔵する。本態様を見てわかるように、固定永久磁石４２は支持体３０上の触媒３４に作用するように第２の部屋２２の外側で支持体３０の下に配置される。第２の部屋、触媒床２６および磁石４２の組合せは反応ゾーン２４を大まかに定める。本態様において、全反応ゾーンは磁石４２が部屋１１の中で部屋２２の外側に配置されるように部屋１１（説明の都合上、図示せず）に配置される。
【００３２】
上記の態様により説明される本発明の装置を使用して商業上、産業上および研究上の利用のための炭素質物品、例えばカーボンナノチューブを大量生産することができる。本発明のいろいろな特徴および利点はその操作の説明によって明白になり、容易に理解される。上記したように、本発明の装置は発熱体、触媒および磁場を発生させるための器具を有する部屋を含む。
【００３３】
本発明の実施において使用するのに適した炭素を含有する前駆体は主として原子炭素および水素からなる化合物、例えば炭化水素であるが、酸素を含有する炭化水素、同様にまた二酸化炭素も使用することができる。このような化合物の例には芳香族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、エチルベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセンまたはそれらの混合物；非芳香族炭化水素、例えばメタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、ブタン、ブテン、ブタジエン、ペンタン、ペンテン、シクロペンタジエン、ヘキサン、シクロヘキサンまたはそれらの混合物；および酸素を含有する炭化水素、例えばメタノールまたはエタノールのようなアルコール、アセトンのようなケトン、ホルムアルデヒドまたはアセトアルデヒドのようなアルデヒド、またはそれらの混合物などの炭化水素；さらに炭素酸化物、例えば一酸化炭素および二酸化炭素があるが、これらに限定されない。
【００３４】
本発明によれば、触媒は炭素質物品の製造において使用される温度で器具が発生させる磁場により影響を受けるものである。適当な触媒は例えばクロム、モリブデン、鉄、ニッケル、コバルト等やそれらの合金のような遷移金属を基材とする触媒である。さらに、本発明の工程で有用な触媒には多金属化合物がある。多金属化合物は例えば元素周期表のＩＢ族金属から選択される第１金属、および鉄、モリブデン、ニッケル、コバルト、亜鉛またはそれらの混合物からなる群より選択される第２金属からなる。触媒として使用することができるＩＢ族金属には銅、銀および金がある。ＩＢ族金属は約０.５〜９９原子％（at.％）の範囲の量で存在する。チタン、タングステン、スズおよびタンタルからなる群より選択される金属のような第３金属もまた、合金または多金属化合物に存在することができる。本発明の一態様において、触媒は鉄、ニッケルまたはコバルトと組合せた銅からなる。
【００３５】
本発明の一態様において、触媒は鉄および銅からなる。あるいは、触媒は６：１の原子比でモリブデンと組合せた鉄からなる。このような鉄モリブデン触媒は単一壁ナノチューブをもたらすと考えられる。
【００３６】
触媒は適当な前処理により、または反応条件下で容易に活性化することができる限りは部屋に入れる前に活性形態である必要はない。一連の前処理条件の選択は使用する特定の触媒および炭素を含有する前駆体に依存する。例えば、金属を含有する触媒は最適な物理的形態のためにその金属酸化物、水酸化物、炭酸塩、カルボキシレート、硝酸塩などとして沈殿させることができる。均一で非常に小さい触媒粒子を沈殿させ、安定させるコロイド法がよく知られている。さらなる詳細はTennentらの米国特許第5,165,909号およびそこで引用された文献に記載されている。
【００３７】
これらの触媒粒子は化学的に適合する支持体上に付着させることができる。このような支持体は触媒を被毒させるものであってはならず、必要に応じて炭素質物品からそれらが形成された後に容易に分離することができ、また磁場を妨害するものであってはならない。本発明の一態様において、触媒は化学的に適合する多孔質支持体、例えば耐熱性支持体により担持される。アルミナ、炭素、石英、ケイ酸塩、およびムライトのようなケイ酸アルミニウムが適当な支持体材料である。簡単に除去するために、それらの好ましい物理的形態は装置の中に、またそこから容易に動かすことができる薄膜またはプレートである。さらに、カーボンファイバーまたは成形カーボンフィブリルもまた適当な支持体材料であると考えられる。担持された触媒は当該技術分野でよく知られている慣用の方法により製造することができる。このような方法の例には初期湿式（incipient wetness）法、蒸着および電着法があるが、これらに限定されない。
【００３８】
本発明の実施において、炭素質物品は炭素質物品を作る間、触媒の近くに磁場をかけながら炭素を含有する前駆体を触媒と接触させることにより部屋の中で製造される。炭素を含有する前駆体を十分な温度で触媒と接触させると触媒上にカーボン付着層を形成する。連続してカーボン付着を行なうことにより、相対する端部を有し、近位の端部が触媒にあり、遠位の端部が触媒から離れた所にある細長い製品の成長が起こる。遠位の端部、すなわち触媒から離れた所にある端部は工程の間、近位の端部、すなわち触媒を含む端部での連続的なカーボン付着により所望の細長い構造が得られるまで成長し続ける。純粋な、カーボンを基材とする製品、すなわち少なくとも９０at.％のカーボン、例えば少なくとも９５at.％のカーボンからなり、実質的に金属または触媒汚染物を含まない製品は成長した炭質物質を触媒から簡単に物理的に分離することにより製造することができる。
【００３９】
本発明により製造された炭素質物品は９０at.％以上のカーボンからなり、残りの成分は主に出発物質の前駆体の残留原子である。本発明の一態様において、触媒上から分離される炭素質物品は１０重量％以下の金属汚染物、例えば約５重量％以下の金属不純物を含有する。
【００４０】
反応パラメーターには特定の前駆体の他に触媒の組成および前処理、触媒の支持体、前駆体の温度、触媒の温度、反応圧、滞留時間または成長時間、供給材料の組成、例えば何れかの希釈剤（例えばＡｒ）または炭素と反応させて気体状生成物（例えばＣＯ₂、Ｈ₂またはＨ₂Ｏ）を生成することができる化合物の存在および濃度がある。各反応パラメーターは非常に相互依存し、適当な組合せの反応パラメーターは作るつもりである製品のための前駆体および触媒に依存すると考えられる。
【００４１】
本発明の実施において、炭質構造は適当な炭素を含有する前駆体を高温で触媒と有効時間接触させることにより製造することができる。有効時間とは所望の細長い構造を形成するのに必要な時間を意味する。この時間は一般に前駆体、触媒、磁石および所望の製品に応じて約数秒〜数日間である。本発明の一態様では、前駆体を触媒と約９０分間接触させる。
【００４２】
反応温度は触媒が炭質物質を形成するのを引き起こすのに十分な程高く、また熱分解炭素の生成を伴なう気体状炭素を含有する前駆体の有意な熱分解を回避するのに十分な程低い。厳密な温度範囲は使用する特定の触媒系および前駆体に依存する。本発明の一態様において、部屋は炭素を含有する化合物の分解温度〜触媒の失活温度に維持される。一般に、この温度は約１００℃〜約１０００℃、好ましくは約５７０℃〜約８００℃の範囲である。
【００４３】
触媒を内蔵する部屋は触媒が磁場により影響されるように維持することができると考えられる。例えば、遷移金属を基材とする触媒を使用する場合、触媒の温度は使用する特定の遷移金属のキュリー温度以下に維持される。キュリー温度は金属または金属触媒が非磁性になる温度である。鉄（Ｆｅ）のキュリー温度は約１０００℃であり、コバルト（Ｃｏ）のキュリー温度は約９００℃であり、そしてニッケル（Ｎｉ）のキュリー温度は約６００℃である。ニッケルはキュリー温度が低く、それ以上の温度では磁石により形成される磁場が触媒を所定の位置に保持する効果は殆んどないため、本発明で使用される３種の主要な遷移金属触媒のうち最も好ましくない。
【００４４】
本発明の一態様において、カーボンナノファイバーは炭化水素ガス、例えばメタン、エチレンなど、または酸化炭素を約７００〜１０００℃の高温で多孔質アルミニウム支持体上のナノサイズ金属触媒を有する装置１０に通すことにより製造することができる。本法により前駆体が分解するにつれてナノチューブが触媒の周囲で成長すると思われる。前駆体が部屋に供給されないと成長が停止する。少なくとも数百ガウス、例えば約３００ガウス以上の磁場は触媒ナノ粒子に作用して触媒ナノ粒子を支持体に保持する、すなわち磁場は触媒ナノ粒子がナノチューブの成長中に支持体から移動するまたは離れるのを防ぐ。ナノチューブを成長させた後、上部の成長したナノチューブを触媒床から除去して同じ触媒ナノ粒子を含有する同じ触媒床を繰り返し使用することができ、それにより触媒ナノ粒子あたりのナノチューブ収率を増加させることができる。
【００４５】
形成した炭質物質は何れかの実用的方法により、例えば触媒の表面を削り取ることにより除去することができる。本発明の一態様において、触媒床は装置から除去され、炭質物質、例えばナノチューブは触媒ナノ粒子を含有する支持体の真上から、例えば触媒表面の真上の炭質物質を機械的に切断することにより分離される。ナノチューブを取り外した後、触媒床を装置に戻し、前駆体を導入して工程を続ける。別法として、形成したナノチューブは触媒床を装置から除去することなく触媒床から分離し、取り外すことができる。
【００４６】
本発明の方法は触媒不純物を除去するための複雑な精製工程を必要とすることなく炭素質物品の製造を可能にする。図３に示した態様で図解的に説明されるように、カーボンナノチューブ１００は器具４００で磁場をかけながらスイッチ２００により調整される炭素含有前駆体１６０を接触させることにより支持体３１０上のナノサイズ触媒３００から成長させる。形成したナノチューブは主に原子炭素からなる細長い部分１１０および遠位の端部１２０を有し、さらに出発物質の前駆体からの残留原子を含有することもある。ナノチューブ１００はまた、触媒３００を結合させたまたは取り込んだ近位の端部１３０を含み、そこから形成された。
【００４７】
本発明の一態様によれば、最終の炭素質物品は例えばスイッチ２１０を操作してガス流１８０を導入し、カーボンナノチューブ１００を触媒３００から分離して純粋なカーボンを基材とする製品１４０を得ることにより触媒から物理的に分離することができる。ガスは工程を妨害しないようなガス、例えば不活性ガスである。製品をレセプタクルまたは容器２２０に集め、全工程を繰り返して高純度の炭素質物品を高い収率および効率で製造することができる。本発明の一態様において、細長い部分および遠位の端部は約５重量％未満の触媒または金属不純物、例えば約１重量％〜約２重量％の触媒または金属不純物を含有する。
【００４８】
器具４００は磁気的に触媒ナノ粒子３００を支持体３１０に保持するため、工程を再開する前に触媒ナノ粒子３００を有する支持体３１０をさらに入れる必要はない。その上、得られたナノチューブ１４０を処理して触媒を除去する必要はない。
【００４９】
【実施例】
装置は磁石と共に炉において石英チューブ中で触媒床を組み立てることにより構成した。触媒は窒化鉄を窒化銅と化合させてＦｅ：Ｃｕ比が約７：３の鉄(Ｆｅ)と銅(Ｃｕ)を基材とする触媒を形成することにより作った。触媒を石英支持体上に配置して触媒床を形成し、それを長さが約１００cmで直径が約３.８cmの石英チューブ（テクニカルガラス社(米国)から入手した）に入れた。石英チューブをガスの入口を有するカーボライト社(英国)から入手した炉の内部に入れた。約１０００ガウスの磁場を発生させることができるAl-Ni-Coアルニコ磁石（VWR社(米国)から入手した）を石英チューブの下で石英チューブの中の触媒床から約４mm離れた所に配置した。触媒の周囲の磁場は約３００ガウスであると考えられる。別法として、約５,０００ガウスの磁場を発生させることができるサマリウムコバルト（SmCo）磁石を使用することができる。
【００５０】
炭素質物品は炉において磁石で発生させた磁場をかけながら炭素を含有する前駆体としてのエチレンガス（ＭＧ工業から入手した）を触媒と約５７０℃の温度で接触させて触媒床の表面上に炭素の塊を形成することにより作った。その後、Ｆｅ：Ｃｕ触媒を使用する形成したカーボンを基材とする物質の特性決定は触媒床の表面上で形成したカーボン物質、すなわちカーボンファイバーにおいて多量の炭素と比較的少量の鉄および銅を示した。
【００５１】
炭素の塊を触媒床から分離した後、触媒床、すなわち触媒および支持体の特性決定は少量の炭素と多量の鉄および銅が触媒床に残留することを示した。同時に、分析結果からカーボンファイバーが触媒床の表面上で形成し、磁場を触媒床の近くにかけると触媒、この場合は７：３のＦｅ：Ｃｕ触媒が支持体に閉じ込められるまたは固定されることがわかる。
【００５２】
本発明は改善された収率、純度および効率で炭素質物品の製造を可能にする方法を提供する。本発明の態様によれば、炭素を含有する供給源を炭素質物品の成長と共に移動するのを磁気的に阻害される触媒と接触させる。製造中、細長い炭質構造の成長部分に取り込まれる触媒はほんの少しあるか全くないため、作った製品をさらに精製する必要が少なくなり、また触媒を再生する必要も少なくなる。
【００５３】
本発明は実質的に金属不純物を含まない様々なタイプの炭質構造、特にカーボンナノチューブを高い収率で製造するのに、また製品の製造中にその損失を最小限にすることにより触媒の効率を改善する工程に産業上適用可能である。
【００５４】
前記の詳細な説明において、本発明はその特定の例示態様に関して説明されている。しかしながら、特許請求の範囲で述べたような本発明の広範な精神および範囲から逸脱することなく様々な修正および変更が可能なことは明らかである。したがって、本明細書および図面は例示であり、制限的なものではない。本発明はいろいろな他の組合せおよび環境を使用することが可能であり、ここで述べたように本発明の概念の範囲内で変更または修正が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の装置の略図を示す。
【図２】 本発明の装置の一態様を示す。
【図３】 本発明の装置の一態様の一部の拡大略図を示す。

Claims (19)

1. 少なくとも１個の発熱体および部屋に前駆体を導入するための少なくとも１個の開口部を有する部屋；
   導入された前駆体を炭素質物品に変換することができる部屋に配置された触媒床であって、その触媒床は多孔質支持体により担持された触媒；および、
   触媒床の近くにあり、前駆体から炭素質物品を作る間、磁場を発生させて触媒に影響を与えることができる器具
   からなる炭素質物品を製造するための装置。
2. 器具は部屋の中に配置された少なくとも１個の固定磁石からなる請求項１記載の装置。
3. 触媒はニッケル、コバルトまたは鉄を基材とする触媒またはその混合物からなる請求項１記載の装置。
4. 少なくとも１個の発熱体および第二の部屋の中に配置された触媒床を有する、部屋の中に配置された第２の部屋を含む請求項３記載の装置。
5. 器具は触媒に影響を与える数百ガウスの磁場を発生させる距離に位置する請求項１記載の装置。
6. 部屋の上に前駆体を導入するための入口および出口がある請求項１記載の装置。
7. 部屋と流路で通じている前駆体供給源容器を含む請求項１記載の装置。
8. 部屋に前駆体を導入するための少なくとも１個の開口部；
   部屋に配置される触媒床を構成する多孔質支持体の上またはその中の触媒としての遷移金属を基材とする触媒；および 触媒床の近くにあり、前駆体から炭素質物品を作る間、磁場を発生させて遷移金属を基材とする触媒を触媒床に閉じ込めることができる磁石からなる請求項１記載の装置。
9. 炭素質物品を作るため炭素を含有する前駆体を金属触媒と接触させ；実質的に触媒床に触媒を閉じ込めるため、炭素質物品を作る間、部屋に配置された触媒床であって、その触媒床は多孔質支持体により担持された金属触媒であり、その触媒床の近くに磁場をかけ；そして作った炭素質物品を金属触媒から分離することからなる炭素質物品の製造法。
10. 触媒に影響を与える数百ガウスの磁場を発生させる距離で磁場をかける請求項９記載の方法。
11. １００ガウスの磁場をかける請求項９記載の方法。
12. 金属触媒を１００℃〜１０００℃に加熱する請求項９記載の方法。
13. 金属触媒を炭素を含有する前駆体としての炭化水素と接触させる請求項９記載の方法。
14. 炭素を含有する前駆体を鉄、ニッケルまたはコバルトを基材とする触媒と接触させる請求項９記載の方法。
15. ガス流を用いることにより作った炭素質物品を触媒から分離する請求項９記載の方法。
16. １ミクロン未満の断面を有する炭素質物品を作る請求項９記載の方法。
17. 炭素を含有する前駆体をナノサイズの金属触媒と１００℃〜１０００℃の温度で接触させて少なくとも２のアスペクト比を有するナノ構造の炭素質物品を作り；そして炭素質物品を作る間、少なくとも１００ガウスの磁場を触媒の近くにかける請求項９記載の方法。
18. 第１の炭素質物品を作るため炭素を含有する前駆体を触媒床と接触させ；実質的に触媒床に触媒を閉じ込めるため、第１の炭素質物品を作る間、触媒床の近くに磁場をかけ；作った第１の炭素質物品を触媒床から分離し；そして触媒床を再使用して第２の炭素質物品を作ることからなる炭素質物品を製造するための触媒を使用する方法。
19. 触媒床に再び種付けすることなく第２の炭素質物品を作るために触媒床を再使用することを含む請求項１８記載の方法。

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